Nama : Sabila Az-Zahra Eka Putri Nugraha

NIM : 201331027
Kelas : 1A-TTE

Simulator : Electronic Workbench

Jurnal Praktikum Dioda Si dan Ge

Langkah Kerja :
I. Karakteristik Diode Arah Maju
1. Susunlah rangkaian percobaan seperti gambar 1.1 dan 1.2
2. Atur sumber tegangan Vs sehingga tegangan jepit diode VF = 0,1 Volt
3. Ukurlah tegangan Vs, VRL dan IF, catat hasilnya pada Tabel
4. Ulangi langkah 2 dan 3 untuk nilai tegangan VF seperti tertulis pada table
5. Hitung nilai Rf untuk setiap nilai VF dan IF. Catat hasilnya pada tabel
6. Naikkan temperature diode, dengan cara memegang diode (tanpa menyentuh kaki-kaki
diodanya) dengan jari-tangan. Perhatikan apa yang terjadi dengan arus/ tegangan (IF dan
VF)
7. Gambarkan grafik kurva karakteristik forward bias antara VF vs IF dari data tabel

II. Karakteristik Diode Arah Mundur

1. Susunlah rangkaian percobaan seperti gambar 2.1 dan 2.2
2. Atur sumber tegangan Vs sehingga tegangan jepit diode VR = - 1 Volt
3. Ukur tegangan Vs, VRL dan IR. Cata hasilnya pada table
4. Ulangi Langkah 2 dan 3 untuk nilai VR seperti tertulis pada tabel
5. Hitung nilai resitansi RR untuk setiap nilai VR dan IR. Catat hasil pada table
6. Ulangi langkah 6 pada karakteristik diode arah maju
7. Gambarkan grafik kurva karakteristik diode arah mundur antara VR vs IR dari data tabel

III. Alat dan Bahan

1. Sumber tegangan DC
2. Multimeter Digital
3. Dioda Si (BYM10-100)
4. Diode Ge (1N6095)
5. Resistor 100 Ω
 Gambar 1.1 Rangkaian Dioda Si (BYM10-100) Forward

Tabel 1.1 Hasil Praktikum Dioda Si (BYM10-100) Forward

VF Vs IF VRL RF
(volt) (volt) (mA) (volt) (Ω)
0,1 0,1 0 0 100
0,2 0,2 0 0 100
0,3 0,3 0 0 100
0,4 0,4 0 0 100
0,5 0,5 0 0 100
0,6 0,591 0,086 0,009 100
0,7 0,641 0,59 0,059 100
0,8 0,663 1,368 0,137 100
0,9 0,676 2,241 0,224 100
1 0,685 3,152 0,315 100
2 0,721 12,79 1,279 100
3 0,736 22,64 2,264 100
5 0,752 42,48 4,248 100
10 0,772 92,29 9,228 100
20 0,791 192,1 19,209 100

Kurva Karakteristik Dioda Si Forward

200

180
Arus Forward / IF ( mA)

160

140

120

100

80

60

40

20

0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 2 3 5 10 20

Tegangan Bias Forward / VF (volt)

 Gambar 1.2 Rangkaian Dioda Si (BYM10-100) Reverse

Tabel 1.2 Hasil Praktikum Dioda Si (BYM10-100) Reverse

VR Vs IR VRL RR
(volt) (volt) (mA) (volt) (Ω)
-1 1 0,001 0,0001 100
-2 2 0,002 0,0002 100
-3 3 0,003 0,0003 100
-5 5 0,005 0,0004 100
-10 10 0,01 0,001 100
-20 20 0,02 0,002 100

Kurva Karakteristik Dioda Si Reverse

Reverse /
IR (mA)
Arus

0.05
0
-1 -2 -3 -5 -10 -20

Tegangan Bias Reverse / VR (volt)

Analisis Hasil Praktikum Dioda Si (BYM10-100) :

Saat dioda Si diberi tegangan bias forward, maka akan ada arus yang mengalir. Arus
akan terlihat semakin besar saat dioda diberi tegangan bias forward lebih dari 0,7
volt. Hal ini dapat dibuktikan dari grafik yang dibentuk dari hasil pengamatan.
Sehingga pada keadaan ini, dapat disimpulkan bahwa dioda Si bertindak sebagai
saklar tertutup (ON). Jika dioda diberi tegangan bias reverse, maka arus yang
mengalir nilainya sangat kecil, mendekati 0 volt bahkan hampir tidak ada arus yang
mengalir. Hal ini dapat dibuktikan dari grafik yang dibentuk dari hasil pengamatan.
Sehingga pada keadaan ini, dapat disimpulkan bahwa dioda Si bertindak sebagai
saklar terbuka (OFF).
 Gambar 1.3 Rangkaian Dioda Ge (1N6095) Forward

Tabel 1.3 Hasil Praktikum Dioda Ge (1N6095) Forward

VF Vs IF VRL RF
(volt) (volt) (mA) (volt) (Ω)
0,1 0,0291 0,709 0,0709 100
0,2 0,049 1,51 0,151 100
0,3 0,0638 2,362 0,2362 100
0,4 0,0755 3,245 0,3245 100
0,5 0,0852 4,148 0,4148 100
0,6 0,0933 5,067 0,5067 100
0,7 0,1003 5,997 0,5997 100
0,8 0,1065 6,935 0,6935 100
0,9 0,1121 7,879 0,7879 100
1 0,117 8,83 0,883 100
2 0,15 18,5 1,85 100
3 0,171 28,29 2,829 100
5 0,196 48,04 4,804 100
10 0,23 97,7 9,77 100
20 0,26 197,4 19,74 100

Kurva Karakteristik Dioda Ge Forward

200

180
Arus Forward / IF ( mA)

160

140

120

100

80

60

40

20

0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 2 3 5 10 20

Tegangan Bias Forward / VF (volt)

 Gambar 1.4 Rangkaian Dioda Ge (1N6095) Reverse

Tabel 1.4 Hasil Praktikum Dioda Ge (1N6095) Reverse

VR Vs IR VRL RR
(volt) (volt) (mA) (volt) (Ω)
-1 0,914 0,860 0,0860 100
-2 1,914 0,861 0,0861 100
-3 2,914 0,862 0,0862 100
-5 4,914 0,864 0,0863 100
-10 9,913 0,869 0,087 100
-20 19,912 0,879 0,088 100

Kurva Karakteristik Dioda Ge Reverse

Reverse /
IR (mA)
Arus

0.9
0.85
-1 -2 -3 -5 -10 -20

Tegangan Bias Reverse / VR (volt)

Analisis Hasil Praktikum Dioda Ge (1N6095) :

Saat dioda Ge diberi tegangan bias forward, maka akan ada arus yang mengalir. Arus
akan terlihat semakin besar saat dioda diberi tegangan bias forward lebih dari 0,3
volt. Hal ini dapat dibuktikan dari grafik yang dibentuk dari hasil pengamatan.
Sehingga pada keadaan ini, dapat disimpulkan bahwa dioda Ge bertindak sebagai
saklar tertutup (ON). Jika dioda diberi tegangan bias reverse, maka arus yang
mengalir nilainya sangat kecil, mendekati 0 volt bahkan hampir tidak ada arus yang
mengalir. Hal ini dapat dibuktikan dari grafik yang dibentuk dari hasil pengamatan.
Sehingga pada keadaan ini, dapat disimpulkan bahwa dioda Si bertindak sebagai
saklar terbuka (OFF).

Kesimpulan :
Jadi, dioda Si dan Ge akan bertindak sebagai saklar tertutup (ON) yang mengalirkan
arus saat diberi tegangan bias forward. Pada dioda Si, arus akan mengalami kenaikan
yang signifikan saat diberi tegangan bias lebih dari 0,7 volt. Sedangkan pada dioda
Ge, arus akan mengalami kenaikan ang signifikan saat diberi tegangan bias lebih
dari 0,3 volt. Dioda Si dan Ge akan bertindak sebagai saklar terbuka (OFF) yang
tidak mengalirkan arus pada rangkaian saat diberi tegangan bias reverse. Meskipun
tegangan bias reverse diperbesar, tidak akan ada arus yang mengalir (arus bernilai 0
volt). Namun, jika tegangan bias reverse terus diperbesar, maka akan terjadi
breakdown.