LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR I

“KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR”

DI SUSUN OLEH :

NAMA : TIARA ALWAFA NISSA HUANG

NIM : 19033064

PRODI : PENDIDIKAN FISIKA

DOSEN : MAIRIZWAN, S.Si, M.Si

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI PADANG

2020
 KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

A. Tujuan Percobaan
1. Meneyelidiki karakteristik keluaran transistor (karakterisitik kolektor) untuk
konfigurasi common emitor
2. Menyelidiki karakterisitik masukan transitor (karakterisitik base) untuk konfigurasi
common emitor
3. Menentukan daerah cutoff, saturasi , aktif dan breakdown
4. Menentukan bahan semikonduktor pembentuk transistor bipolar.

B. Rangkaian

C. Data
Tabel 1. Data pengukuran kuat arus kolektor dan tegangan V ce
V b = 1000 Ω ; Rc = 1000 Ω

Ic (μA ¿
No VBB VCC VCE
1 10 V 2V 2V 0,00093 A 0,019 A
2 8V 4V 4V 0,00073 A 0,039 A
3 6V 6V 6V 0,00043 A 0,059 A
4 4V 8V 8V 0,00033 A 0,079 A
5 2V 10 V 10 V 0,00013 A 0,099 A

 Data 1
Rb = 1000 Ω Rc = 100 Ω VBE = 0.7 V
VCE = VCC – IC × RC
= 2 – (0) (100)
=2V
IB1 = VBB – VBE / RB
= 10 – ( 0.7 / 1000 )
= 0.00093 A
IB2 = VCC – VCB / RC
= 2 – ( 10.04−6 / 100 )
= 0.19 A
 Data 2
 Rb = 1000 Ω Rc = 100 Ω VBE = 0.7 V
VCE = VCC – IC × RC
= 4 – (0) (100)
=4V
IB1 = VBB – VBE / RB
= 8 – ( 0.7 / 1000 )
= 0.00073 A
IB2 = VCC – VCB / RC
= 4 – ( 8.03−6 / 100 ) = 0.039 A
 Data 3
Rb = 1000 Ω Rc = 100 Ω VBE = 0.7 V
VCE = VCC – IC × RC
= 6 – (0) (100)
=6V
IB1 = VBB – VBE / RB
= 6 – ( 0.7 / 1000 )
= 0.00043 A
IB2 = VCC – VCB / RC
= 6 – ( 6.02−6 / 100 ) = 0.059 A
 Data 4
Rb = 1000 Ω Rc = 100 Ω VBE = 0.7 V
VCE = VCC – IC × RC
= 8 – (0) (100)
=8V
IB1 = VBB – VBE / RB
= 2 – ( 0.7 / 1000 )
= 0.00033 A
IB2 = VCC – VCB / RC
= 8 – ( 4.02−6 / 100 ) = 0.079 A
 Data 4
 Rb = 1000 Ω Rc = 100 Ω VBE = 0.7 V
VCE = VCC – IC × RC
= 10 – (0) (100)
= 10 V
IB1 = VBB – VBE / RB
= 2 – ( 0.7 / 1000 )
= 0.00013 A
IB2 = VCC – VCB / RC
= 10 – ( 2.01−6 / 100 ) = 0.099 A

Tabel 2. Data hasil pengukuran kuat arus base dan tegangan V ce

RB = 1000 Ω ; RC = 1000 Ω ; VCC = 9 V

No VBB VBE IB (µA)

1 2V 2,01 μV 2 μA
2 4V 4,02 μV 4 μA
3 6V 6,04 μV 6 μA
4 8V 8.05 μV 8 μA
5 10 V 10,07 μV 10 μA

 Data 1
 Data 2
 Data 3

 Data 4
  Data 5

D. Tugas Akhir
1) Berdasarkan data hasil pengukuran kuat arus dan tegangan pada tabel 1, plotlah
hubungan antara kuat arus kolektor dengan tegangan VCE.
Jawaban :

VCE IB1
NO  IB2
2V 0,00093 A 0,019 A
1
4V 0,00073 A 0,039 A
2
6V 0,00043 A 0,059 A
3
8V 0,00033 A 0,079 A
4
10 V 0,00013 A 0,099 A
5
 grafik hubungan kuat arus denga tegangan VCE
12

10 10

8 8

6 6

4 4

22

0.02
00 0.04
0 0.06
0 0.08
0 0.1
0
1 2 3 4 5

VCE IB1  IB2

Dari grafik dapat di simpulkan bahwa hubungan kuat arus dengan teganga VCE
(adalah berbanding lurus, semakin besar kuat arus maka tegangannya juga semakin
besar.

2) Bagaimana bentuk hubungan antara kuat arus kolektor dengan tegangan VCE pada
loop keluaran? Bagaimana pengaruh nilai set kuat arus IB terhadap kuat arus
kolektor yang dihasilkan. Bandingkanlah grafik yang diperoleh dari hasil
pengukuran dengan teori yang ada untuk konfigurasi common emitor.
Jawaban :
Hubungan IC dengan VCE keluaran yang saya dapatkan pada saat praktikum adalah
berbanding lurus, semakin besar nilai VCE keluaran maka semakin besar nilai IC
yang saya dapatkan.
- Penagaruh nilai set kuat arus IB terhadap IC
Hunungan IB dan IC yaitu berbanding lurus besar nilai IB maka besar Pula nilai IC.

3) Dari grafik yang dihasilkan tentukanlah daerah satusari , aktif dan breakdown.
Jawaban :

VBE
NO  IB (µA)
1 2,01 μV 2 μA
 2 4,02 μV 4 μA
3 6,04 μV 6 μA
4 8.05 μV 8 μA
5 10,07 μV 10 μA

grafik hubungan kuat arus base dengan tegangan

12

10 10.07
10

8 8.05
8

6 6.04
6

4 4.02
4

2.01
22

0
1 2 3 4 5

VBE  IB (µA)

Dari grafik di atas dapat disimpulkan bahwa hubungan kuat arus dengan tegagan
adalah berbanding lurus.

4) Berdasarkan data hasil pengukuran kuat arus dan tegangan pada tabel data 2,
plotlah hubungan antara kuat arus base dengan tegangan VBE.
Jawaban :
5) Bagaimana bentuk hubungan antara kuat arus base dengan tegangan VBE pada loop
masukan? Bagaimana pengaruh nilai set tegangan VCE terhadap kuat arus IB yang
dihasilkan? Bandingkanlah grafik yang diperoleh dari hasil pengukuran dengan
teori yang ada untuk konfugurasi common emitor.
Jawaban :
Hubungan antara IB dan VBE adalah berabanding lurus semakin besar nilai VBE
maka semakin besar pula nilai IB yang di dapatkan.
Pengaruh nilai set tegangan VCE terhadap IB yaitu berbanding terbalik semakin
besar nilai VCE maka semakin kecil nilai IB yang didapatkan.

6) Dari grafik yang dihasilkan, tentukanlah bahan semikonduktor pembentukan

transistor bipolar yang digunakan.
Jawaban :
BJT cara kerja dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif dan
negatif berdempet, sehingga ada tiga terminal yaitu Emiter (E), kolektoer (C) dan
Basis (B). Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
senagai sirkuit pemutus dan penyambung arus, stabilisasi tegangan, dan modulasi
sinyal. Transistor berfungsi semacam kran listrik.