BAB 9

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

Transistor adalah sebuah komponen yang mempunyai tiga terminal dimana

arus outputnya, tegangan outputnya dikendalikan oleh arus inputnya. Dalam
sistem komunikasi, transistor digunakan sebagai komponen utama untuk penguat
(amplifier). Amplifier adalah rangkaian yang digunakan untuk menguatkan sinyal
ac. Dalam elektronika dijital, transistor digunakan sebagai saklar (switch)
elektronik berkecepatan tinggi. Dampak transistor pada elektronik demikian
besarnya. Transistor telah merintis penemuan-penemuan seperti IC, peralatan
optoelektronik dan mikroprosessor. Perubahan yang paling mencolok
terjadi dalam bidang komputer.

9.1 Konstruksi BJT dan operasinya

Ada dua jenis dasar transistor yaitu Bipolar Junction Transistor (BJT) dan
Field Effect Transistor (FET). Bipolar Junction Transistor (BJT) ditemukan pada
1948 oleh Dr. Shockley, Bardeen, dan Brattain. BJT mempunyai tiga terminal
yaitu emiter, basis, dan kolektor. Dihubungkan dengan semikonduktor seperti
yang sudah dibahas pada bab 1, terminal emiter dan kolektor dibuat dari bahan
semikonduktor yang sama apakah semikonduktor tipe p atau tipe n sementara
terminal basis dibuat dari bahan semikonduktor tipe yang berbeda dengan emiter
dan kolektor seperti yang diperlihatkan pada gambar 9.1.

Gambar 9.1 Konstruksi BJT

 Seperti yang diperlihatkan pada gambar 9.1, ada dua jenis BJT yaitu
transistor npn dan pnp. Transistor npn mempunyai terminal emiter dan kolektor
terbuat dari semikonduktor tipe n sementara terminal basis terbuat dari
semikonduktor tipe p. Transistor pnp mempunyai terminal emiter dan kolektor
terbuat dari semikonduktor tipe p sementara terminal basis terbuat dari
semikonduktor tipe n.
Simbol BJT
Simbol transistor pnp dan npn diperlihatkan pada gambar 9.2.

Gambar 9.2 Simbol transistor pnp dan npn

Ujung anak panah pada simbol selalu mewakili terminal emiter transistor.
Juga, dalam setiap kasus arahnya mengindikasikan arah konvensional aliran arus.
Untuk transistor npn, ujung anak panah menunjukkan arah dari basis tipe-p ke
emiter tipe-n. Untuk transistor pnp, ujung anak panah menunjukkan arah dari
emiter tipe-p ke basis tipe-n. Jadi, ujung anak panah selalu dari p ke n.
Junction Transistor dan Pelebarannya
Sebuah Bipolar Junction Transistor (BJT) mempunyai dua pn-junction.
Sehingga transistor seolah-olah seperti dua buah dioda. Pemahaman tentang
operasinya dapat diperoleh dengan menggunakan teori pn-junction seperti yang
dibahas pada pokok bahasan dioda. Arus-arus yang mengalir dalam sebuah
transistor mirip dengan arus-arus yang mengalir melewati sebuah pn-junction.
Junction yang menghubungkan antara emiter dan basis dinamakan junction emiter
– basis. Sementara junction yang menghubungkan antara basis dan kolektor
dinamakan junction kolektor – basis. Junction-junction tersebut diperlihatkan
pada gambar 9.3.
 Gambar 9.3 Junction transistor
Efek pembiasan terhadap junction berupa pelebaran wilayah junction yang
dinamakan depletion diperlihatkan pada gambar 9.4. Pertimbangkanlah transistor
npn. Untuk operasi transistor normal (wilayah aktif), junction emiter – basis (E-B)
dibias forward dan junction kolektor – basis (C-B) dibias reverse (perhatikan
polaritas baterai). Bias forward pada junction E-B mengurangi potensial barier
dan menyebabkan elektron mengalir dari emiter tipe-n ke basis tipe-p. Elektron
dipancarkan ke dalam wilayah basis, dengan demikian dinamakan emiter. Hole
juga mengalir dari basis tipe-p ke emiter tipe-n, tetapi sejak basis didoping jauh
lebih sedikit dari pada kolektor, hampir semua arus mengalir menyeberangi
junction E-B yang berisi elektron-elektron yang memasuki basis dari emiter. Oleh
karena itu, elektron-elektron adalah pembawa mayoritas dalam sebuah komponen
npn.
 Gambar 9.4 Pelebaran wilayah junction
Bias reverse pada junction C-B menyebabkan wilayah pelebaran pada junction itu
menjadi besar dan pelebarannya masuk lebih dalam ke basis. Elektron-elektron
yang menyeberang dari emiter ke basis tiba sangat dekat ke medan listrik negatif-
positif yang besar (atau tegangan barrier yang besar) pada wilayah pelebaran C-B.
Sejak elektron-elektron mempunyai ion negatif, mereka ditarik menyeberangi
junction C-B oleh medan listrik ini dan dikumpulkan di kolektor. Makanya C
dinamakan collector.
Beberapa ion pembawa yang memasuki basis dari emiter tidak mencapai kolektor,
tetapi mengalir keluar melalui koneksi basis dan mengitari rangkaian bias basis-
emiter. Namun demikian, saluran ke wilayah pelebaran C-B sangat jauh lebih
singkat dari pada saluran ke terminal basis, sehingga hanya sedikit sekali
persentase pembawa mayoritas mengalir ke luar dari basis. Juga karena wilayah
basis didoping sangat sedikit, ada sedikit hole tersedia dalam basis untuk
bergabung kembali dengan pembawa mayoritas dari emiter. Hasilnya adalah
bahwa sekitar 98% pembawa pembawa mayoritas dari emiter dikumpulkan di
junction C-B dan mengalir melalui rangkaian kolektor melalui bias baterai
kembali ke emiter.
Apabila junction emiter – basis dan junction kolektor – basis dibias reverse maka
transistor dikatakan beroperasi dalam wilayah CUTOFF. Karena kedua junction
dibias reverse maka wilayah depletion dikedua junction menjadi lebar. Akibatnya
arus dari emiter ke kolektor akan kecil karena mengalami hambatan yang besar.
Pada kondisi cutoff arus kolektor IC = 0.
Apabila junction emiter – basis dibias forward dan junction kolektor – basis dibias
reverse maka transistor akan beroperasi dalam wilayah AKTIF. Wilayah aktif
berada diantara wilayah cutoff dan wilayah saturasi. Karena emiter – basis dibias
forward maka banyak elektron yang bergerak dari emiter ke basis kemudian
medan yang dihasilkan di junction kolektor – basis akan menarik sebagian besar
elektron tersebut ke kolektor dan sebagian kecil ke basis. Dengan kata lain bahwa
karena emiter – basis dibias forward maka arus dari basis ke emiter meningkat dan
nilainya hampir sama dengan arus kolektor sementara arus basis lebih kecil dari
kedua arus emiter dan kolektor. Salah satu pendekatan yang dapat digunakan
untuk membuat transistor bekerja dalam wilayah aktif adalah bahwa tegangan
V CE > 0,7 .
Apabila kedua junction emitter – basis dan junction kolektor – basis dibias
forward maka transistor akan beroperasi dalam wilayah SATURASI. Saturasi
adalah kondisi dimana apabila arus basis dinaikkan maka arus kolektor tidak
bertambah. Jadi saturasi merupakan nilai maksimum arus kolektor. Pada kondisi
saturasi maka tegangan V CE = 0 V.

9.2 Arus dan tegangan transistor

Arus transistor
Arus ketiga terminal transistor dan arahnya diperlihatkan pada gambar 9.5. Arus
terminal emiter disimbolkan dengan I E , arus terminal kolektor disimbolkan

dengan I C , dan arus terminal basis disimbolkan dengan I B . Arus IE

mempunyai nilai paling besar kemudian disusul nilai arus IC dan nilai arus
paling kecil adalah I B . Namun terkadang secara teoritis kita dapat mengambil
pendekatan bahwa arus IE sama dengan arus I C . Sebuah faktor yang mana
arus membesar dari basis ke kolektor dinamakan forward current gain (faktor
penguatan arus) yang disimbolkan dengan beta ( β ) .
 Gambar 9.5 Arah arus transistor npn dan pnp
Sejak junction E-B dibias forward, junction E-B mempunyai karakteristik seperti
sebuah dioda yang dibias forward. Arus utama tidak akan mengalir sampai bias
forward mencapai 0,7 V untuk komponen silikon atau 0,3 V untuk germanium.
Mengurangi level tegangan bias E-B akan mengurangi bias forward junction pn
dan pada akhirnya mengurangi arus yang mengalir dari emiter melalui basis ke
kolektor. Menaikkan tegangan bias maka akan menaikkan arus tersebut. Jadi
perubahan tegangan bias forward pada junction E-B akan mengontrol arus emiter
dan kolektor. Transistor pnp bertingkah sama dengan npn, dengan pengecualian
bahwa pembawa mayoritas adalah hole.
Komponen-komponen arus yang mengalir dalam sebuah transistor digambarkan
dalam gambar 9.6.

Gambar 9.6 Komponen-komponen arus transistor

Arus yang mengalir ke dalam terminal emiter dikenal sebagai arus emiter dan
disimbolkan dengan I E . Untuk komponen pnp yang diperlihatkan, IE dapat
dianggap sebagai sebuah aliran hole dari emiter ke basis. Perhatikan bahwa arah
IE yang diindikasikan di luar transistor adalah arah arus konvensional. Dengan
menggunakan hukum arus Kirchhoff, maka :
 I E =I B+ I C 9.1
Sejak IB sangat kecil dari pada I C maka arus emitter IE hampir sama
dengan arus kolektor I C . Secara rumus dapat dituliskan bahwa :
IE≅ IC 9.2
Sementara nilai β transistor adalah perbandingan arus dc kolektor dengan arus
dc basis yang ditulis sebagai :
IC 9.3
β=
IB
Menggabungkan persamaan (9.1) dan (9.3) akan menghasilkan
I E =I B ( β +1 ) 9.4
Transistor mempunyai nilai beta dc dan beta ac. Dalam analisa rangkaian
transistor kita akan lebih sering menggunakan nilai beta dc. Disamping nilai beta
dc, transistor juga mempunyai parameter alpha dc yaitu perbandingan arus dc
kolektor dengan arus dc emitter yang dapat ditulis dengan :
IC 9.5
α=
IE
Menggabungkan persamaan (9.1) dan (9.5) akan menghasilkan :
I B=I E ( 1−α ) (9.6
)
Dalam data sheet transistor jarang sekali bahkan tidak dicantumkan nilai alpha dc
transistor karena nilai ini jarang digunakan dalam analisa transistor. Maka untuk
menghitung nilai alpha transistor kita bisa menggunakan nilai beta dengan cara :
β (9.7
α=
1+ β
)
Contoh 9.1 :
Sebuah rangkaian transistor mempunyai arus basis sebesar 50 µA dan nilai beta dc
transistor adalah 400. Hitunglah arus kolektor dan emitter serta nilai alpha dc.
Jawab :
Sesuai dengan persamaan (9.3), maka nilai arus kolektor adalah
IC
β=
IB
IC
400=
50 µA
 I C =400 ×50 µA=20000 µA=20 mA
Sesuai dengan persamaan (4.4), maka nilai arus emiter adalah
I E =I B ( β +1 )=50 µA × ( 400+1 )=20050 µA=20,05 mA
Terlihat bahwa I E ≅ I C yang mana sesuai dengan persamaan (9.2).
Sementara nilai alpha dc dapat dihitung dengan menggunakan persamaan (9.7)
yaitu
β 400
α= = =0,9975
1+ β 1+400
Tegangan Transistor
Kebanyakan data sheet transistor memberikan nilai maksimum tegangan kolektor
– basis, V CB . Tegangan ini mengindikasikan nilai maksimum tegangan bias
reverse yang dapat diberikan ke junction kolektor – basis tanpa merusak transistor.
Nilai tegangan ini dapat dihitung dengan cara :
V CB =V CE −V BE (9.8)
Setiap transistor mempunyai tiga nilai tegangan breakdown yang artinya tegangan
reverse maksimum yang dapat diberikan ke transistor yaitu :
1. V CBO yaitu tegangan maksimum reverse kolektor – basis.
2. V CEO yaitu tegangan maksimum reverse kolektor – emiter.
3. V BEO yaitu tegangan maksimum reverse basis – emiter.

9.3 Kurva karakteristik transistor

Kurva karakteristik transistor memperlihatkan cara kerja transistor. Secara umum
kurva karakteristik transistor terdiri atas dua yaitu kurva kolektor dan kurva basis.
Untuk memahami kedua kurva tersebut kita dapat melihat rangkaian dasar
pembiasan transistor seperti yang diperlihatkan pada gambar 9.7.

Gambar 9.7 Rangkaian dasar kurva karakteristik transistor

Tegangan input adalah tegangan basis – emiter, sementara tegangan output adalah
tegangan kolektor – emiter.
Kurva Karakteristik Kolektor
Kurva ini menghubungkan nilai I C , I B ,V CE . Untuk menentukan kurva
karakteristik kolektor, IB dibuat konstan sementara V CE diubah-ubah
sambil mencatat nilai I C . Dari sini diperoleh kurva karakteristik kolektor yang
diperlihatkan pada gambar 9.8.
Kurva karakteristik kolektor dapat dibagi ke dalam empat bagian yaitu saturasi,
cutoff, wilayah aktif dan breakdown. Saturasi, cutoff, wilayah aktif sudah
dijelaskan sebelumnya. Sementara breakdown adalah tegangan reverse maksimum
antara kolektor dan emitter yang membuat transistor masih dalam kondisi bagus.
Dari gambar 4.8 terlihat bahwa arus IC akan membesar ketika arus IB

membesar. Sementara pada kondisi arus IB konstan , meskipun tegangan

V CE dinaikkan, arus kolektor IC akan cenderung konstan.

Gambar 9.8 Kurva karakteristik kolektor

Kurva Karakteristik Basis
Untuk menentukan karakteristik input, V CE dibuat konstan sementara V BE

diubah-ubah kemudian arus IB dicatat. Maka kita akan menmperoleh kurva

karakteristik basis yang diperlihatkan pada gambar 9.9
 Gambar 9.9 Kurva karakteristik basis
Terlihat bahwa nilai V CE yang besar menyebabkan arus basis kecil. Mengapa ?
Karena level V CE yang besar berarti tegangan reverse besar yang menyebabkan
deplesi wilayah junction CB akan jauh masuk ke wilayah basis sehingga jarak
antara deplesi EB dan CB dekat. Akibatnya adalah banyak elektron menuju ke
kolektor dan sedikit ke basis. Artinya adalah bahwa arus kolektor besar sementara
arus basis kecil.

9.4 Penutup
Banyak kesulitan yang dihadapi dengan rangkaian transistor. Karena transistor
terdiri dari dua diode, kelebihan tegangan breakdown, arus maksimum, atau rating
daya dapat merusak salah satu atau kedua diode. Kerusakan dapat berupa hubung
singkat, terbuka, arus bocor yang besar, turunnya nilai beta. Salah satu cara untuk
menguji transistor adalah dengan menggunakan sebuah ohmmeter. Kita dapat
memulai dengan mengukur resistansi antara kolektor dan emitter. Salah satu
kerusakan yang paling sering dijumpai adalah kolektor-emiter terhubung singkat
yang disebabkan oleh rating daya yang terlalu besar.

Soal :
1. Jika arus emitter sebesar 6 mA dan arus kolektor sebesar 5,75 mA. Hitunglah
besarnya arus basis dan α dc .
2. Sebuah transistor mempunyai arus kolektor sebesar 100 mA dan arus basis
sebesar 0,5 mA. Hitunglah α dc dan β dc .
3. Sebuah transistor mempunyai β dc = 90. Jika arus emitter sebesar 10 mA,
hitunglah arus kolektor dan arus basis.
4. Sebuah transistor mempunyai β dc = 400. Hitunglah arus basis, jika arus
kolektor besarnya 50 mA.