BAB 2

RANGKAIAN PENYESUAI
IMPEDANSI
Oleh : M. Ramdhani
Ruang Lingkup Materi :

• Impedance Matching Circuit (IMC) bentuk L

• Impedance Matching Circuit (IMC) bentuk T atau Π
• Impedance Matching Circuit (IMC) multi elemen

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 2

Fungsi :

• Digunakan untuk menghasilkan impedansi yang

tampak sama dari impedansi beban maupun
impedansi sumber agar terjadi transfer daya
maksimum.
• Penyesuai impedansi ini hanya dapat diaplikasikan
pada rangkaian dengan sumber ac

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 3

Konsep Rangkaian Penyesuai Impedansi (Impedance
Matching Circuit/IMC)

Transfer Daya Maksimum

• Daya akan sampai ke ZL dengan maksimum jika ZS = ZL* atau ZL = ZS*
• Dimana : ZS = RS + jXS dan ZL = ZS*= RS - jXS

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 4

Konsep Rangkaian Penyesuai Impedansi (Impedance
Matching Circuit/IMC)

• Bagaimana jika ZS ≠ ZL*?

• Maka tidak akan terjadi transfer daya maksimum, sehingga diperlukan
rangkaian penyesuai impedansi (Impedance Matching Circuit = IMC).

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 5

IMPEDANCE MATCHING CIRCUIT
bentuk L

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 6

• Penyesuai impedansi ini merupakan bentuk penyesuai
yang paling sederhana
• Merupakan dasar dari penyesuai impedansi bentuk T
dan bentuk 

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 7

1. Impedansi hanya komponen resistif

Jika RL > RS , maka IMC L kanan

Bersifat Low Pass Filter (LPF) Bersifat High Pass Filter (HPF)

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 8

Jika RL < RS , maka IMC L kiri

Bersifat Low Pass Filter (LPF) Bersifat High Pass Filter (HPF)

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 9

= +1

= −1

= =
=

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 10

Contoh Soal :

Rancang suatu IMC bentuk “L” yang menyepadankan RS

= 100Ω dan RL = 1KΩ pada f = 100MHz, dengan sifat
meloloskan sinyal DC

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 11

Jawaban :

Karena RL > RS dan meloloskan sinyal DC, maka IMC bersifat LPF bentuk L kanan
1000
= −1= −1=3
100
= =
= → = =3x100=300
300
= → = = = = 477
2 2 100
1000
= → = = = 333,33
3
1 1 1 1
= → = = =
2 2 100 333,33
= 4,8

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 12

2. Impedansi Bilangan Kompleks

 Terdapat 2 prinsip dasar yaitu absorpsi dan resonansi

 Dasar perhitungan masih menggunakan sumber atau beban
bilangan riil (resistif saja).

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 13

2.a Metode Absorpsi

• Jika RL > RS  IMC L kanan  tentukan sifat filter IMC  konversi

ZL seri ke paralel
• Jika RL < RS  IMC L kiri  tentukan sifat filter IMC  konversi ZS
seri ke paralel
• Tentukan Q total dengan menggunakan RL dan RS
• Gunakan Q total untuk mencari reaktansi totalnya
• Hitung nilai reaktansi sebenarnya pada masing-masing reaktansi
total

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 14

Contoh Soal :

Rancanglah sebuah IMC dengan metoda absorpsi untuk

menyepadankan ZS=10-j10 dengan ZL=20+j200 pada frekuensi kerja
2 MHz dengan bentuk IMC tipe L bersifat HPF !

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 15

Jawaban :

RL > RS (20 Ohm > 10 Ohm)  IMC L kanan HPF  ubah ZL seri ke paralel
200
= = = 10
20
= 1+ = 20 1 + 10 = 2020
2020
= → = = = 202
10

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 16

Jawaban :

2020
= −1= − 1 = 14,2
10
2020 . 202
= → = = = 142,25 → = = 142,25 → = 481,48 →
14,2 + 202
481,48
= = 38,32
2 .2
= → = . = 14,2.10 = 142 → = 10 + = 142 → = 132 →
1
= = 602,9
2 . 2 . 132

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 17

2.b Metode Resonansi

• Hilangkan komponen imajiner saat terjadi resonansi : =

• Jika RL > RS gunakan L kanan, ubah impedansi beban dari seri
menjadi paralel
• Jika RL < RS gunakan L kiri, ubah impedansi sumber dari seri menjadi
paralel
• Gunakan sifat filter IMC
• Hitung nilai Q total dengan menggunakan RL dan RS
• Hitung masing-masing nilai reaktansi dengan menggunakan Q total
• Hitung komponen reaktansi induktif dan kapasitif nya
• Gabungkan nilai reaktansi hasil resonansi dengan parallel IMC nya

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 18

Contoh Soal :

Rancanglah suatu IMC yang dapat memblok sinyal DC antara beban-

sumber rangkaian dibawah ini, pada frekuensi operasi 75 MHz.
Gunakan metode resonansi.

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 19

IMPEDANCE MATCHING CIRCUIT
bentuk T dan Π

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 20

• Digunakan untuk memperoleh Q yang tinggi (Bandwidth
yang sempit)
• Merupakan penggabungan dari IMC L kiri dan IMC L kanan
Bentuk T Bentuk Π

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 21

Bentuk T bersifat LPF Bentuk T bersifat HPF

Bentuk Π bersifat LPF Bentuk Π bersifat HPF

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 22

Bentuk T

• Rv (Rvirtual) ditentukan harus lebih besar dari Rs maupun Rl dan dihitung

berdasarkan Q yang diinginkan.
Rv
Q  -1
• R kecil Rkecil = Pilih yg kecil [Rs, Rl]

• Xc1 dan Xp1 menyepadankan Rs dengan Rv; Xc2 dan Xp2 menyepadankan Rv
dengan Rl
• Xp1 dan Xp2 dapat digabungkan menjadi satu komponen.

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 23

Bentuk Π

• Rv (Rvirtual) ditentukan harus lebih kecil dari Rs maupun Rl dan dihitung

berdasarkan Q yang diinginkan.
R besar
• Q  -1 Rbesar = Pilih yg besar [Rs, Rl]
Rv

• Xc1 dan Xp1 menyepadankan Rs dengan Rv

• Xc2 dan Xp2 menyepadankan Rv dengan Rl
• Xc1 dan Xc2 dapat digabungkan menjadi satu komponen.

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 24

Contoh Soal :

• Rancanglah 4 kemungkinan konfigurasi IMC bentuk “T” untuk

menyepadankan RS=10Ω dan RL=50Ω dengan Q=10.
• Rancanglah 4 kemungkinan konfigurasi IMC bentuk “π” yang
menyepadankan RS=100Ω, RL=1000Ω, dengan faktor kualitas Q = 15.

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 25

PENYESUAI IMPEDANSI MULTI
ELEMEN (Q RENDAH)

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 26

• Bila ingin memperlebar Bandwidth
• Dilakukan dengan cara mengkaskadekan beberapa buah IMC L-section.
• Contoh : L kanan tiga tingkat (RS > RL)

RS Rv1 Rv2 Rv Rbesar

  Q  -1  -1
Rv1 Rv2 RL Rkecil Rv

ELH4E3 - Elektronika Frekuensi Tinggi 27

27