PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FIELD EFFECT

TRANSISTOR (FET) BERBASIS CADMIUM SULFIDE (CdS)

UNTUK DETEKTOR CAHAYA TAMPAK

ROYNIZAR

DEPARTEMEN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITUT PERTANIAN BOGOR
BOGOR
2013
 ii

ABSTRAK

ROYNIZAR. Pembuatan dan Karakteristik Field Effect Transistor Berbasis

Cadmium Sulfide (CdS) untuk Detektor Cahaya Tampak. Dibimbing oleh
Dr.AKHIRUDDIN MADDU dan HERIYANTO SYAFUTA, M.Si
Sensor cahaya dapat dibuat dari logam, oksida logam, polimer konduktif
organic,semikonduktor. Sensor cahaya dari bahan semikonduktor memiliki
kelebihan dalam menunjukkan sensitivitas serta dapat digunakan pada suhu ruang.
Cadmium sulfide sebagai lapisan aktif dari sensor field effect transistor (FET)
sensitif dalam merespon cahaya. Terdapat 3 lapisan utama pada sensor sensor
FET yaitu lapisan silikon tipe-p, lapisan SiO2, dan lapisan aktif CdS. Setiap
lapisan mempunyai karakteristik dan fungsi yang berbeda-beda. Lapisan SiO2
terbentuk saat dipanaskan pada suhu 1000oC dengan pemberian gas oksigen. Hasil
ini dapat terlihat secara kasat mata, yaitu terjadi perubahan warna pada subtrat
dari warna abu-abu menjadi kuning keemasan. Deposisi lapisan CdS yang dibuat
dengan metode chemical bath deposition (CBD) pada suhu 70oC menghasilkan
lapisan berwarna kuning di atas subtrat silikon yang telah dioksidasi. Pemilihan
waktu dan suhu saat deposisi sangat mempengaruhi sifat dan morfologi lapisan
CdS yang dihasilkan. Daerah serapan cahaya dari lapisan CdS berada pada kisaran
panjang gelombang 450-550 nm dengan nilai selah energi sebesar 2,46 eV. Pada
karakteristik I-V sensor FET, arus drain-source dipengaruhi oleh tegangan gate
yang diberikan. Semakin besar tegangan gate yang diberikan maka semakin besar
pula arus drain-source yang dihasilkan. Respon sensor FET terhadap cahaya
memperlihatkan bahwa apabila sensor diberikan cahaya maka terjadi peningkatan
arus drain-source akibat adanya penurunan resistansi lapisan CdS. Respon
dinamik sensor FET memperlihatkan adanya perubahan tegangan output saat
diberikan cahaya. Terjadi penurunan tegangan output saat diberikan cahaya pada
setiap peningkatan intensitas. Sensor FET memiliki waktu respon sekitar 0,9 detik
dan waktu pemulihan sekitar 1,3 detik.

Kata kunci: field effect transistor, cadmium sulfide, karakteristik I-V, sensor
cahaya.
 iii

PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FIELD EFFECT

TRANSISTOR (FET) BERBASIS CADMIUM SULFIDE (CdS)
UNTUK DETEKTOR CAHAYA TAMPAK

ROYNIZAR

Skripsi
sebagai salah satu syarat untuk memperoleh gelar
Sarjana Sains pada
Departemen Fisika

DEPARTEMEN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITUT PERTANIAN BOGOR
BOGOR
2013
 iv

LEMBAR PENGESAHAN

Judul : Pembuatan dan Karakterisasi Field Effect Transistor (FET) Berbasis

Cadmium Sulfide (CdS) untuk Detektor Cahaya Tampak
Nama : Roynizar
NIM : G74080038

Menyetujui,

Dr. Akhiruddin Maddu Heriyanto Syafutra, M.Si

Pembimbing I Pembimbing II

Mengetahui,

Dr. Akhiruddin Maddu

Ketua Departemen Fisika

Tanggal Lulus :
 v

KATA PENGANTAR
Puji syukur penulis panjatkan kehadirat Allah SWT atas segala rahmat dan
karunia-Nya, penulis dapat menyelesaikan skripsi yang berjudul “Pembuatan dan
Karakterisasi Field effect transistor (FET) Berbasis Cadmium Sulfide (CdS) untuk
Detektor Cahaya Tampak”.
Pada kesempatan ini, penulis juga ingin mengucapkan terimakasih kepada:
1. Kedua orang tua penulis yang selalu mendoakan, membimbing,
menasehati, dan memotivasi penulis untuk menyelesaikan studi
2. Kakak dan adik penulis yang telah memberikan motivasi, doa dan materi
kepada penulis
3. Bapak Dr. Akhiruddin Maddu selaku pembimbing I yang telah memberi
bimbingan, motivasi, kritik dan saran
4. Bapak Heriyanto syafutra,M.Si selaku pembimbing II yang telah memberi
bimbingan, motivasi, kritik dan saran
5. Bapak Dr. Toni Ibnu Sumaryada selaku penguji atas masukan dan saran
6. Bapak Ir. Hanedi Darmasetiawan M.S selaku dosen editor yang
telahmemberikan masukan dan saran dalam penulisan skripsi
7. Beasiswa BUMN yang telah membantu penulis menyelesaikan studi S1
8. Seluruh Dosen pengajar, staf dan karyawan di Departemen Fisika FMIPA
IPB
9. Desty Putri Amungkasi yang telah menemani dan motivasi penulis dalam
menyelesaikan studi S1
10. Teman – teman Fisika 45 yang telah bersama-sama penulis dalam
menempuh studi S1
11. Teman – teman angkatan 44, 45, 46, dan lainya atas kebersamaan selama
di IPB
Akhir kata, semoga tulisan ini dapat memberikan manfaat untuk kita
semua. Kritik dan saran yang membangun sangat penulis harapkan untuk
kemajuan dari aplikasi material yang dikembangkan ini. Semoga Allah SWT
senantiasa melimpahkan rahmat dan karunianya untuk kita semua. Aamiin.
Bogor, Februari 2013

Roynizar
 vi

RIWAYAT HIDUP

Penulis dilahirkan di Nanga Merakai, Kabupaten

Sintang pada tanggal 24 Ferbruari 1991 dari pasangan
Elvizar dan Mawarni. Penulis merupakan anak kedua dari
empat bersaudara.
Penulis menyelesaikan masa studi di SD Negeri 1
Ketungau Tengah, SLTP Negeri 1 Ketungau Tengah dan
SMA Negeri 1 Kamang Magek. Pada tahun 2008 penulis lulus SMA dan di tahun
2008 penulis melanjutkan pendidikan sarjana strata satu di Departemen Fisika,
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA), Institut Pertanian
Bogor (IPB) melalui jalur Undangan Seleksi Masuk IPB (USMI). Selama
mengikuti perkuliahan, penulis aktif dalam organisasi IPMM (Ikatan Pelajar
Mahasiswa Minang) sebagai anggota dan KEMAWITA sebagai bagian
Kependidikan. Selain itu penulis juga aktif dalam beberapa kepanitiaan
Departemen, Fakultas maupun tingkat IPB.
 i

DAFTAR ISI

Halaman

DAFTAR GAMBAR .......................................................................................... viii

DAFTAR LAMPIRAN ....................................................................................... ix
BAB I PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang .................................................................................. 1
1.2 Tujuan Penelitian .............................................................................. 1
1.3 Rumusan Masalah ............................................................................. 1
1.4 Hipotesis............................................................................................ 1
BAB II TINJAUAN PUSTAKA
2.1 Semikonduktor .................................................................................. 1
2.2 Semikonduktor Cadmium Sulfide (CdS) ........................................... 3
2.3 Transistor .......................................................................................... 4
2.4 Field Effect Transistor (FET) berbasis CdS...................................... 4
BAB III BAHAN DAN METODE PENELITIAN
3.1 Waktu dan Tempat Penelitian .......................................................... 5
3.2 Alat dan Bahan Penelitian ................................................................ 5
3.3 Prosedur Penelitian ........................................................................... 5
3.3.1 Penumbuhan lapisan SiO2 .................................................. 5
3.3.2 Penumbuhan lapisan tipis CdS ........................................... 5
3.3.3 Karakterisasi lapisan tipis CdS .......................................... 6
3.3.4 Pembuatan sensor FET………….. ..................................... 6
3.3.5 Karakterisasi I-V sensor FET ............................................ 6
3.3.6 Pengujian respon dinamik sensor FET ............................... 7
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN
4.1 Pembuatan Lapisan SiO2 ................................................................... 7
4.2 Proses Pembuatan Lapisan Tipis CdS ............................................... 7
4.3 Karakteristik Lapisan Tipis CdS ....................................................... 8
4.4 Karakteristik I-V Sensor FET ........................................................... 8
4.5 Respon Sensor FET terhadap cahaya ................................................ 9

vi
 ii

4.6 Respon Dinamik Sensor FET terhadap Cahaya ................................ 10

4.7 Stabilitas dan Waktu Respon Sensor FET ........................................ 11

BAB V KESIMPULAN DAN SARAN

5.1 Kesimpulan ....................................................................................... 11
5.2 Saran .................................................................................................. 12
DAFTAR PUSTAKA ......................................................................................... 12
LAMPIRAN ........................................................................................................ 14

vii
 iii

DAFTAR GAMBAR

Halaman

Gambar 1 Pita energi semikonduktor................................................................. 1

Gambar 2 Perpindahan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ................... 2
Gambar 3 (a) Struktur kristal silikon, (b) lepasnya elektron dari struktur ikatan
kovalen silikon .................................................................................... 2
Gambar 4 Perubahan keadaan energi gap pada silikon ..................................... 2
Gambar 5 (a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi tiga
menggantikan posisi salah satu atom, (b) struktur pita energi
semikonduktor tipe-p .......................................................................... 3
Gambar 6 (a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi lima
menggantikan posisi salah satu atom, (b) struktur pita energi
semikonduktor tipe-n .......................................................................... 3
Gambar 7 Struktur piranti FET .......................................................................... 4
Gambar 8 Skema penumbuhan lapisan SiO2 ..................................................... 5
Gambar 9 Skema deposisi CBD .......................................................................... 6
Gambar 10 Struktur piranti field effect transistor (FET) ................................... 6
Gambar 11 Rangkaian karakterisasi I-V sensor FET ......................................... 6
Gambar 12 Rangkaian pengujian respon dinamik sensor FET .......................... 7
Gambar 13 Lapisan SiO2 di permukaan atas subtrat silikon .............................. 7
Gambar 14 Kurva absorbansi lapisan tipis CdS................................................. 8
Gambar 15 Karakteristik I-V sensor FET .......................................................... 9
Gambar 16 Kurva hubungan Id-s terhadap Vg pada Vd-s = 10 V......................... 9
Gambar 17 Karakteristik I-V sensor FET terhadap cahaya dengan Vg = 0 V ... 9
Gambar 18 Karakteristik I-V sensor FET terhadap cahaya dengan Vg = 5 V ... 9
Gambar 19 Respon dinamik sensor FET terhadap variasi intensitas cahaya ...... 10
Gambar 20 Kurva hubungan antara intensitas cahaya terhadap tegangan ........ 10
Gambar 21 Respon dinamik variasi Vg pada kondisi terang dan gelap ............. 10
Gambar 22 Stabilitas sensor FET....................................................................... 11
Gambar 23 Waktu respon sensor FET ............................................................... 11
Gamabr 24 Waktu pemulihan sensor FET ......................................................... 11
viii
 iv

DAFTAR LAMPIRAN

Halaman

Lampiran 1 Diagram alur kerja penelitian ........................................................ 15

Lampiran 2 Perhitungan nilai celah energi pada kurva absorbansi CdS ............ 16

ix
 BAB I
PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Pengembangan teknologi piranti fotonik
mengalami kemajuan yang sangat pesat dalam
beberapa dekade terakhir ini. Hal ini dipicu
oleh perkembangan teknologi optoelektronik
yang meningkat. Teknologi optoelektronik
saat ini telah dimanfaatkan dalam banyak
bidang, seperti dalam bidang komunikasi
optik, pengukuran optik dan sebagainya.
Piranti optoelektronik terdiri dari sumber
cahaya seperti LED, LASER, detektor dan
komponen-komponen optik lainnya. Detektor
optik merupakan salah satu bagian vital dalam
teknologi optoelektronik. Detektor pada
piranti optoelektronik ini pada umumnya
merupakan bahan semikonduktor yang
memiliki efek optoelektronik. Contoh
penerapan teknologi optoelektronik terdapat
pada Video Compact Disc (VCD), karena
pada VCD dapat ditemukan sumber cahaya
dan juga detektor yang terbuat dari bahan
semikonduktor.
Detektor optik semikonduktor dapat
merespon berbagai macam bentuk radiasi
elektromagnetik. Silikon, Germanium,
Gallium Arsenida dan Cadmium Sulfida
(CdS) adalah bahan yang sifat kelistrikannya
dapat merespon cahaya sehingga bahan itu
disebut bahan yang memiliki efek
optoelektronik (listrik-optik). Sifat listrik-
optik ini yang menyebabkan banyak ilmuwan-
ilmuwan tertarik untuk meneliti bahan
semikonduktor CdS.
Sifat listrik-optik bahan semikonduktor
meliputi fotoresistif atau fotokonduktif, yaitu
sifat listriknya (resistansi atau konduktansi)
bervariasi terhadap respon cahaya. Detektor
optik juga dapat dibuat dalam bentuk piranti
dioda dan transistor, yang sifat listrik-
optiknya disebut fotodioda dan fototransistor.
Dalam penelitian ini akan dikembangkan
field effect transistor (FET) dengan bahan
aktif yaitu CdS. Bahan semikonduktor CdS
termasuk dalam bahan semikonduktor yang
memiliki sifat fotoresistif yang cukup baik
dan pembuatan relatif mudah dan murah. FET
berbasis CdS ini dapat dikembangkan untuk
pembuatan piranti elektronik dan
optoelektroni, seperti fotodetektor UV, dioda
laser dan dioda pengemisi cahaya yang
beroperasi pada panjang gelombang tampak,
piranti-piranti transistor, display, memori
penyimpan data yang memiliki mobilitas
tinggi yang dapat beroperasi pada suhu tinggi,
frekuensi tinggi dan daya tinggi.
1.2 Tujuan Penelitian
Penelitian ini bertujuan untuk membuat
piranti field effect transistor (FET) berbasis
Cadmium Sulfide (CdS) sebagai lapisan aktif
untuk detektor cahaya tampak.
1.3 Rumusan Masalah
1. Apakah cadmium sulfide (CdS) dapat
dijadikan lapisan aktif pada field effect
transistor (FET) sebagai fotodetektor?
2. Bagaimana karakteristik field effect
transistor (FET) berbasis CdS dapat
digunakan sebagai fotodetektor?
1.4 Hipotesis
1. Semakin besar tegangan gate yang
diberikan pada sensor FET maka semakin
besar pula arus drain-source yang
dihasilkan.
2. Semakin besar intensitas cahaya yang
diberikan pada sensor FET maka semakin
kecil resistansi dari lapisan aktif CdS.
BAB II
TINJAUAN PUSTAKA
2.1 Semikonduktor
Semikonduktor adalah material zat padat
yang memiliki konduktivitas listrik diantara
konduktor dan isolator. Resistivitas
semikonduktor berkisar antara 10-5 sampai
105 Ωm.1 Pada semikonduktor terdapat pita
energi yang memperbolehkan keberadaan
elektron, yaitu pita valensi berenergi rendah
yang terisi penuh oleh elektron dan pita
konduksi berenergi tinggi yang kosong. 2
Celah energi yang memisahkan kedua pita
tersebut disebut sebagai pita terlarang atau
disebut juga energi gap (Eg). Celah energi
pada material semikonduktor ditunjukkan
pada Gambar 1.
Gambar 1 Pita energi semikonduktor2

Salah satu sifat penting semikonduktor
adalah memiliki celah energi 0.2-2.5 eV. Nilai
celah energi tersebut lebih kecil dari nilai
celah energi isolator. Sifat ini memungkinkan
suatu elektron memasuki tingkatan energi
yang lebih tinggi. Beberapa faktor yang
mempengaruhi elektron untuk berpindah dari
pita valensi ke pita konduksi ialah suhu dan
penyinaran.2 Perpindahan elektron terjadi
apabila elektron pada pita valensi menyerap
energi sama dengan atau lebih besar dari nilai
celah energi antara pita valensi dan pita
konduksi seperti terlihat pada Gambar 2.
Elektron dan hole inilah yang menjadi
pembawa muatan listrik pada material
semikonduktor.1
Sifat listrik kristal semikonduktor yang
mempunyai ikatan kovalen dapat juga
diterangkan dengan memperhatikan keadaan
ikatannya. Kristal semikonduktor yang murni
atau tidak ditambahkan bahan pengotor dalam
pembuatannya disebut semikonduktor
intrinsic, sedangkan yang ditambahkan bahan
pengotor disebut semikonduktor ektrinsic.3
Gambar 2 Perpindahan elektron dari pita
valensi ke pita konduksi2
Gambar 3 (a) Struktur kristal silikon, (b)
lepasnya elektron dari struktur
ikatan kovalen silikon2
2
Gambar 4 Perubahan keadaan energi gap
pada silikon.3
Semikonduktor intrinsic, pada suhu 0 K
semua elektron berada pada ikatan kovalen.
Pada suhu tersebut, tidak ada elektron bebas
atau tidak ada pembawa muatan sehingga
bersifat isolator. Struktur ikatan pada
semikonduktor dapat dilihat pada Gambar 3.
Saat semikonduktor intrinsic berada pada
suhu 300K, celah energi antara pita valensi
dan pita konduksi berkurang sehingga
beberapa elektron valensi dapat keluar dari
ikatan kovalen menjadi elektron bebas sebagai
pembawa muatan negatif. Berkurangnya celah
energi pada semikonduktor dapat dilihat pada
Gambar 4. Munculnya elektron bebas diikuti
dengan terbentuknya hole sebagai pembawa
muatan positif.10
Semikonduktor ektrinsic dapat diperoleh
dengan menambahkan (doping) atomatom
asing dalam pembuatannya. Tujuan dari
pemberian doping ini ialah untuk memperoleh
elektron valensi bebas dalam jumlah yang
lebih banyak dan permanen dan diharapkan
dapat menghantarkan listrik.2 Semikonduktor
ektrinsic terdiri dari dua tipe yaitu
semikonduktor tipe-p dan semiknduktor
tipe-n. Semikonduktor tipe-p diperoleh
dengan menambahkan sejumlah kecil atom
pengotor dari golongan IIIA (atom trivalent
seperti Aluminium, Boron, Galium atau
Indium) pada semikonduktor murni, misalnya
silikon murni. Atom – atom pengotor ini
4
memiliki tiga elektron valensi sehingga dapat
membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah
atom trivalen menempati posisi atom silikon
dalam kristal maka hanya ada tiga elektron
yang dapat membentuk ikatan kovalen dan
tersisa sebuah muatan positif (hole) dari atom
silikon yang tidak berpasangan.4 Struktur
semikonduktor tipe-p dapat dilihat pada
Gambar 5 (a) . Material yang dihasilkan dari
proses pengotoran ini dinamakan
semikonduktor tipe-p karena menghasilkan
pembawa muatan positif pada kristal yang

netral. Karena atom pengotor menerima
elektron, maka atom pengotor ini disebut
atom aseptor. Penambahan atom aseptor ini
4
akan menimbulkan tambahan tingkat energi
sedikit di atas pita valensi. Peningkatan energi
pada semikonduktor tipe-p dapat dilihat pada
Gambar 2.5 (b).3
Semikonduktor tipe-n dapat diperoleh
dengan cara yang sama seperti semikonduktor
tipe-p, dengan menambahkan atom pengotor
pentavalen (golongan VA, seperti arsenik,
fosfor, atau antimon ) pada silikon murni.
Atom pentavalen yang menempati posisi atom
silikon dalam kristal, lima elektron valensi
dari atom pengotor akan membentuk empat
ikatan kovalen lengkap dan tersisa satu
elektron yang tidak berpasangan. Sisa elektron
ini akan menjadi elektron bebas dan menjadi
pembawa muatan dalam proses hantaran
listirk. Struktur semikonduktor tipe-n dapat
dilihat pada Gambar 6 (a).2
Gambar 5 (a) Struktur kristal silikon dengan
sebuah atom pengotor valensi tiga
menggantikan posisi salah satu
atom silikon, (b) struktur pita
energi semikonduktor tipe-p
Gambar 6 (a) Struktur kristal silikon dengan
sebuah atom pengotor valensi lima
menggantikan posisi salah satu
atom silikon, (b) struktur pita
energi semikonduktor tipe-n5
3
Material dari proses pengotoran ini
disebut semikonduktor tipe-n karena
menghasilkan pembawa muatan negatif.
Karena atom pengotor memberikan elektron,
maka atom pengotor ini disebut atom donor. 4
Penambahan atom donor ini akan menambah
satu tingkat energi baru di bawah pita
konduksi.3 Penambahan energi pada
semikonduktor tipe-n dapat dilihat pada
Gambar 6 (b).
2.2 Semikonduktor Cadmium Sulfide (CdS)
Cadmium sulfide (CdS) merupakan bahan
semikonduktor dalam kelompok senyawa
golongan II-VI dengan struktur kristal Zinc
Blende dan Wurtzite sebagiamana bahan
semikonduktor dari senyawa-senyawa yang
lain. Senyawa II-VI yakni CdS memiliki sifat
optik dan listrik yang cocok untuk
fotodetektor, disamping untuk piranti-piranti
optoelektronik lainnya.
Cadmium sulfide (CdS) miliki koefisien
absorbansi yang tinggi sehingga sebagian
besar cahaya dapat diabsorbansi pada CdS
dalam bentuk lapisan tipis sehingga sangat
efektif untuk dijadikan field effect transistor
(FET). Cadmium sulfide memiliki lebar celah
pita (bandgap) dalam kisaran 2.3-2.5 eV serta
memiliki jenis celah pita semikonduktor
direct bandgap dengan n= ½ (untuk yang
indirect,n=2). Cadmium sulfide juga memiliki
fotokonduktansi yang tinggi sehingga sangat
cocok untuk piranti fotodetektor.6-8
Ada beberapa teknik pendeposisian yang
digunakan untuk menumbuhkan lapisan CdS
sehingga sifat optik, listrik dan strukturnya
sesuai dengan yang diinginkan. Diantaranya
menggunakan pendeposisian secara kimia,
physical vapour deposition, spray pyrolysis 8 ,
electro deposition, chemical bath deposition
10-14
, teknik brush plating 15, hidrotermal 16dan
lain-lain. Dari semua teknik di atas, chemical
bath deposition (CBD) merupakan teknik
yang biasanya digunakan untuk
menumbuhkan lapisan tipis CdS. Teknik CBD
memiliki banyak keuntungan seperti
sederhana, tidak membutuhkan peralatan yang
canggih, bahan yang terbuang sedikit,
merupakan cara yang ekonomis teknik
pendeposisian pada area yang luas untuk
semikonduktor golongan II–VI seperti CdS,
dan tidak menghasilkan gas yang beracun.13
Metode CBD merupakan proses yang lambat,
sehingga orientasi kristalnya dapat diatur
dengan peningkatan struktur bulirnya. Lapisan
CdS yang ditumbuhkan dengan metode CBD

memiliki stoikiometri yang tinggi dan
resistansi gelap yang tinggi.
Teknik deposisi yang digunakan untuk
menumbuhkan CdS telah banyak dilakukan
dengan metode yang beragam. Penggunaan
setiap metode ini akan mempengaruhi sifat
optik, listrik dan struktur CdS yang
dihasilkan. Menurut beberapa literatur,
struktur lapisan tipis CdS yang dibuat dengan
menggunakan metode CBD dapat bermacam-
macam tergantung pada kondisi deposisi.
Strukturnya dapat berbentuk kubik, hexagonal
atau campuran kedua fasa tersebut.17-18
Banyak juga peneliti mencatat bahwa terjadi
pengotoran oleh oksigen dan nitrogen pada
lapisan tipis CdS jika menggunakan metode
penumbuhan dengan CBD. Selain itu,
penggunaan complexing agent juga dapat
mempengaruhi sifat fisis CdS. Penambahan
complexing agent ammonium dapat
memperbesar jumlah Cadmium Sulfida yang
terbentuk dibanding molekul pengotor
lainnya. 18
2.3 Transistor
Pada tahun 1951, William Schockley
menemukan transistor sambungan pertama,
komponen semikonduktor yang dapat
menguatkan sinyal elektronik seperti sinyal
radio dan televisi. Kumpulan transistor telah
banyak menghasilkan rangkaian
semikonduktor lain termasuk rangkaian
terpadu (IC), suatu komponen kecil yang
mengandung ribuan transistor miniatur.19
Pada keadaan normal, arus yang dialirkan
melalui kolektor dan emitor disekat oleh basis
sehingga arus tidak bisa mengalir. Untuk
membuka katup basis, maka harus
memberikan arus pada basis. Semakin besar
arus yang diberikan maka katup basis terbuka
semakin lebar dan arus yang mengalir dari
kolektor menuju emitor semakin besar.
Ada dua jenis transistor yaitu transistor
sambungan bipolar (bipolar junction
transistor, BJT) dan transistor efek medan
(field effect transistor, FET), yang
karakteristik kerja dan konsrtuksinya
berbeda.20 Transistor efek medan (FET)
adalah piranti terkendali tegangan, yang
berarti karakteristik output dikendalikan oleh
tegangan masukan.
Pada dasarnya terdapat dua jenis
transistor efek medan yaitu transistor efek
medan tipe-hubungan (JFET) dan transistor
efek medan tipe MOS (MOSFET). Field
effect transistor (FET) merupakan salah satu
bentuk dari MOSFET. Konfigurasi FET
4
biasanya dibuat dengan menggunakan teknik
deposisi lapisan tipis seperti evaporation,
sputtering, chemical vapor deposition, dan
spin-coating. FET terdiri dari tiga terminal
dengana pengisian konduksi antara dua
terminal, sumber dan drain, dikendalikan oleh
modulasi potensial listrik dari terminal ketiga
yaitu gate. 21
2.4 Field Effect Transistor (FET) Berbasis
CdS
Dalam beberapa dekade terakhir ini,
bahan semikonduktor cadmium sulfide (CdS)
telah banyak menyita perhatian para peneliti
karena sifatnya yang menarik untuk
dikembangkan pada aplikasi teknologi tinggi.
Salah satu aplikasi yang penting pada bahan
CdS yaitu menjadi bahan aktif pada field
effect transistor (FET). CdS berbasis FET
telah banyak dipelajari untuk aplikasi dalam
perangkat fotodetektor, biosensor dan flat
panel display. Dalam pembuatan FET kualitas
tiap lapisan sangat peting untuk menunjukkan
kerja dari FET. FET memiliki 3 lapisan yaitu
lapisan substrat, lapisan insulator dan lapisan
aktif CdS.
Lapisan subtrat menjadi kontak gate yang
berfungsi sebagai pengatur arus source-drain.
Kontak gate diberi tegangan (Vgs)
menimbulkan peningkatan arus source-drain
secara eksponensial, dengan daerah linier
mendefinisikan nilai tegangan ambang.
Lapisan insulator berfungsi untuk mereduksi
arus source-drain. Sedangkan lapisan CdS
berfungsi sebagai bahan aktif yang sensitif
terhadap cahaya tampak.
Prinsip kerja FET yaitu dengan
mengontrol distribusi pembawa elektron
dalam semikonduktor dengan
mempergunakan medan listrik-dalam. Jika
bahan aktif yang digunakan tipe-n, dengan
demikian memberikan tegangan positif pada
gerbang (gate) akan menghasilkan akumulasi
muatan negatif pada lapisan aktif disekitar
permukaan dielektrik. Ketika muatan
pembawa sudah cukup terakumulasi
konduktivitas daerah akumulasi muatan
meningkat secara signifikan.22
Gambar 7 Struktur piranti FET

BAB III
METODE PENELITIAN
3.1 Waktu dan Tempat Penelitian
Penelitian ini dilakukan mulai bulan
Februari 2012 hingga Oktober 2012
diLaboratorium Biofisika, Laboratorium
Fisika Material, Laboratorium Spektroskopi
Departemen Fisika IPB, Pusat Penelitian dan
Pengembangan (PUSLITBANG) Kehutanan,
Laboratorium MOCVD (Metalorganic
Chemical Vapor Deposition) ITB, BATAN.
3.2 Alat dan Bahan Penelitian
Alat yang digunakan dalam penelitian ini
adalah furnce, X-Ray Diffraction (XRD),
spektroskopi UV-VIS, I-V meter,gunting,
selotip, double tip, hot plate, magnetic stirrer,
stirrer, pipet, tabung reaksi, gelas kimia, gelas
ukur, pengaduk, dan neraca analitik
sedangkan wafer silikon, cadmium klorida
(CdCl2), thiourea (H2NCSNH2), aceton,
etanol, gas oksigen O2, NH4Cl, H2SO4, H2O2,
pasta perak dan akuades.
3.3 Prosedur Penelitian
3.3.1 Penumbuhan lapisan SiO2
Lapisan tipis SiO2 ditumbuhkan dengan
metode wet thermal. Substrat yang digunakan
adalah silikon wafer tipe-p (Si-p). Silikon
dimasukan ke dalam larutan aseton lalu dicuci
dalam ultrasonic bath selama 30 menit.
setelah itu dibersihkan di dalam asam
peroxymonosulphuric selama 15 menit
kemudian silikon dicuci kembali dengan asam
HF. Substrat Si-p tersebut dioksidasi untuk
menghasilkan lapisan SiO2 di atas substrat Si-
p. Lapisan SiO2 dibuat dengan memanaskan
substrat Si-p di dalam furnace hingga
mencapai suhu sekitar 10000 C, gas oksigen
murni (O2) dialirkan ke dalam furnace selama
pemanasan berlangsung. Variasi volume O2
yang diberikan berbeda-beda. Gas O2 mulai
diberikan pada suhu 600oC, dengan volume
2.5 mL selama 5 menit. Pada saat suhu
furnace telah mencapai 1000oC, maka volume
O2 yang diberikan bertambah menjadi 5 mL
selama 10 menit. keadaan 1000oC ini akan
dipertahankan selama 2 jam, sehingga akan
terbentuk lapisan SiO2 pada subtrat.
5
Furnace
O2
Silikon-p
Gambar 8 Skema penumbuhan lapisan SiO2
3.3.2 Pembuatan lapisan tipis CdS
Lapisan tipis CdS (bahan semikonduktor
tipe-p) dibuat dengan metode CBD (chemical
bath deposition). Dengan metode ini, lapisan
terdeposisi pada substrat dengan mencelupkan
subtrat ke dalam larutan yang mengandung
ion-ion Cd+ dan ion-ion sulfida S2- sambil
dipanaskan serta diaduk. Bahan-bahan yang
digunakan adalah CdCl2 sebagai sumber ion
kadmuim (Cd+), Thiourea sebagai sumber ion
sulfur (S2-), larutan amonia sebagai agen
pengkompleks (complexing agent), air
destilasi dan amonium klorida (NH4Cl)
sebagai stabiliser agar larutan tidak cepat
mengendap.
Skema metode CBD ditunjukkan pada
Gambar 9, terdiri dari dua gelas piala dengan
ukuran berbeda. Salah satunya berukuran
kecil sehingga dapat dimasukkan ke dalam
gelas yang lebih besar. Gelas yang kecil diisi
larutan deposisi, kemudian dimasukkan ke
dalam gelas lebih besar yang diisi air.
Sebelumnya, pada dinding sebelah dalam
gelas kecil ditempel beberapa substrat kaca
dengan ukuran tertentu (misalnya 1 x 2 cm2).
Selanjutnya, kedua gelas diletakkan di atas
pemanas (hot plate) yang dilengkapi
pengaduk magnetik (magnetic stirrer).
Mula-mula dibuat larutan campuran
20 ml CdCl2 (0.1 M) dengan 20 ml Thiourea
(1 M) di dalam gelas piala 100 ml. Larutan
tersebut diletakkan di atas hot plate
dipanaskan pada suhu 30oC dan diputar pada
kelajuan 300 rpm selama 30 menit. Sebanyak
10 mL NH4OH (0.1 M) dan 5 ml NH4Cl
ditambahkan ke dalam larutan campuran
tersebut. Larutan campuran tersebut
dipanaskan pada suhu 70oC dan diputar pada
kelajuan 300 rpm selama 2 jam. Optimasi
suhu dan waktu perlu dilakukan untuk
mengatur morfologi baik struktur, sifat dan
ketebalan lapisan yang dihasilkan.
 6

Pemasangan kontak dilakukan dengan

Termometer memberikan lapisan metal di atas lapisan aktif
CdS. Pemasangan kontak (metalisasi) pada
lapisan CdS menggunakan logam emas.
Larutan Air Metasisasi dilakukan di BATAN atau di ITB.
deposisi Lapisan metal tersebut digunakan untuk
Substrat
memudahkan dalam pemasangan pasta perak
pada lapisan CdS dan terbentuk kontak
Stirrer ohmik. Pada saat pemasangan kabel, pasta
perak akan merekatkan antar kontak emas
dengan kabel.

3.3.5 Karakterisasi I-V sensor FET

Hotplate Stirrer Karakterisasi FET dilakukan dengan
cara menghubungkan piranti FET. Kontak
gate dihubungkan dengan tegangan dari
Gambar 9 Skema deposisi CBD
power supply sebesar 0 V, 2 V, 4 V, 8 V,
10 V. Pada setiap tegangan gate (Vg) yang
3.3.3 Karakterisasi lapisan tipis CdS
Agar ketebalan lapisan yang dihasilkan digunakan arus drain (Id) diukur dengan
sesuai dengan yang diinginkan untuk menggunakan Keithley 2400 dengan tegangan
membuat field effect transistor (FET), maka drain (Vd) yang digunakan bervariasi dari 0
perlu dilakukan optimasi dalam proses sampai 10 volt.
deposisi. Optimasi yang harus dilakukan pada Karakteristik I-V FET divariasikan
kondisi deposisi, meliputi konsentrasi larutan- terhadap kondisi terang dan gelap. Kondisi
larutan yang digunakan, suhu deposisi dan awal sensor dikarakterisasi saat keadaan gelap
waktu deposisi. Optimasi dalam hal suhu dengan tegangan gate 0 V, kemudian diberi
dapat menentukan struktur dan sifat lapisan cahaya pada sensor tersebut. Kondisi
CdS yang terbentuk. Sedangkan, waktu selanjutnya, sensor diberi tegangan gate 5 V
deposisi ditujukan untuk mendapatkan dalam keadaan gelap, setelah itu diberikan
ketebalan lapisan CdS yang dihasilkan. cahaya dengan intensitas yang sama seperti
Sampel-sampel lapisan tipis CdS yang pada kondisi yang pertama.
berhasil ditumbuhkan dengan metode CBD
Kontak Kontak
selanjutnya dikarakterisasi dengan Source Drain
spektroskopi UV-Vis. Uji Spektroskopi
UV-VIS ditujukan untuk mengetahui sifat Cadmium Sulfide
optik lapisan CdS yaitu menentukan nilai Kontak
celah energinya. Sifat Optik lapisan tipis CdS SiO2 Gate
yang dibuat dengan metode CBD diukur pada
Silikon tipe-p
suhu ruang dengan menggunakan
Spektrofotometer UV-VIS dengan range
panjang gelombang 200-1000 nm.
3.3.4 Pembuatan sensor FET Gambar 10 Struktur piranti field effect
Pembuatan sensor FET dilakukan dengan transistor (FET) berbasis CdS
membuat lapisan tipis SiO2 di atas lapisan Si
tipe-p sebagai bahan dielektriknya. Lapisan
dielektrik tersebut kemudian dilapisi dengan
CdS sebagai bahan aktifnya. Untuk
mengkarakterisasi sensor FET maka
dilakukan pemasangan kontak prototipe
sensor FET seperti pada Gambar 10.
Lapisan CdS merupakan bagian paling
Gambar 11 Rangkaian karakterisasi I-V FET
penting pada sensor FET. Metode yang
digunakan untuk membuat lapisan CdS yaitu
metode CBD (chemical bath deposition).
Dengan menggunakan metode ini, diharapkan
dapat menghasilkan lapisan CdS yang tipis.

3.3.6 Pengujian respon dinamik sensor
FET
Pengujian respon dinamik dilakukan
dengan memvariasikan kondisi saat terang
dan gelap. Sensor FET disusun secara seri
dengan resistor, seperti pada Gambar 12.
Rangkaian dihubungkan dengan baterai 9 volt
dan variasi tegangan gate yaitu 0 V, 5 V, dan
10 V. sensor FET dihubungkan denga sensor
tegangan yang terkoneksi langsung dengan
komputer.
Sensor akan diuji pada kondisi tegangan
gate 0 V dengan memvariasikan intensitas
cahaya yaitu pada 0 watt/m2, 14 watt/m2, dan
85 watt/m2 dengan menggunakan lampu optik
sebagai sumber cahayanya. Setelah itu
diberikan tegangan gate saat 0 V, 5 V, dan
10 V dengan kondisi terang-gelap. Hal ini
bertujuan untuk melihat perbandingan
tegangan gate saat kondisi terang dan gelap.
Dilakukan juga pengujian kestabilan dari
sensor FET yaitu dengan memberikan
tegangan gate 0 V saat kondisi terang dan
gelap. Hal ini dilakukan untuk melihat
kemampuan sensor apakah dapat balik
(reversible) atau tidak.
Gambar 12 Rangkaian pengujian respon
dinamik sensor FET
Gambar 13 Lapisan SiO2 di permukaan atas
substrat silikon
7
BAB IV
HASIL DAN PEMBAHASAN
4.1 Pembuatan Lapisan SiO2
Pembuatan lapisan silikon dioksida
(SiO2) dilakukan menggunakan metode
termal, dengan perlakuan subtrat silikon
dipanaskan di dalam furnace pada suhu
1000oC selama 3 jam. Kemudian gas oksigen
(O2) dialirkan ke dalam furnace selama
pemanasan berlangsung. Gas oksigen akan
berikatan dengan silikon yang membentuk
lapisan SiO2. Lapisan SiO2 akan menjadi
lapisan dielektrik yang berfungsi untuk
mereduksi elektron yang menglir pada lapisan
aktif sensor FET. Hasil lapisan SiO2 yang
terbentuk dapat dilihat pada Gambar 13. Pada
Gambar 13 terlihat perbedaan warna antara
substrat silikon dengan lapisan SiO2. Warna
lapisan SiO2 yang dihasilkan adalah kuning
keemasan, sedangkan warna subtrat silikon
adalah perak.
4.2 Proses Pembuatan Lapisan Tipis CdS
Metode CBD digunakan untuk
menumbuhkan lapisan tipis CdS dengan
menggunakan cadmium klorida (CdCl2)
sebagai sumber ion cadmium (II) (Cd+2) dan
thiourea sebagai sumber ion sulfur (S2-).
Selain itu, NH4OH digunakan sebagai buffer
untuk mempertahankan pH selama
pendeposisian dilakukan dan untuk
mengontrol kecepatan reaksi. Selain itu,
konsentrasi NH4OH juga dapat mempengaruhi
seberapa banyak CdCl2 yang terhidrolisis
dalam air. Sedangkan NH4Cl digunakan agar
CdS dapat menempel pada subtrat.
Tahapan pembentukan CdS terbagi dalam
3 tahapan yaitu proses nucleation center,
pembentukan ion per ion (mekanisme
heterogen) dan pembentukan kluster per
kluster (mekanisme homogen). Proses
nucleation center merupakan proses
pembentukan ion Cadmium dan ion Sulfur
baik pada substrat maupun pada larutan bath.
Pada permukaan CdS ion per ion dapat
menghasilkan CdS dengan morfologi yang
lebih baik dibandingkan jika yang terjadi
adalah kluster per kluster.25
Dalam penelitian ini, terlihat
pembentukan CdS terjadi pada mekanisme
homogen yang ditandai dengan banyak
terbentuknya koloid berwarna kuning di
dalam larutan bath sehingga mempengaruhi
struktur kristal CdS yang terbentuk.
Lamanya deposisi dan suhu deposisi
mempengaruhi karakteristik fisik CdS yang

dihasilkan. Jika deposisi dilakukan selama
kurang dari 2 jam maka lapisan yang
dihasilkan sangat tipis. Sebaliknya jika
deposisi dilakukan selama lebih dari 2 jam
maka lapisan yang dihasilkan akan semakin
tebal. Lapisan yang tebal tidak cocok
digunakan sebagai window layer dalam
fotodetektor karena dapat menyebabkan
aliran elektron di dalam lapisan tidak tersebar
merata. Oleh sebab itu, dalam penelitian ini
digunakan pendeposisian selama 2 jam.
Berkaitan dengan dua mekanisme yang
dijelaskan sebelumnya, jika deposisi
dilakukan dalam jangka waktu yang lama
maka semakin banyak kluster CdS yang
menempel pada permukaan sampel sehingga
akan menghasilkan morfologi lapisan yang
kurang baik.
Pada penelitian ini, suhu deposisi
dilakukan pada suhu 70oC. Jika deposisi
dilakukan pada suhu dibawah 70oC maka
butuh waktu yang sangat lama untuk
menumbuhkan lapisan pada substrat. Selain
itu, lapisan yang dihasilkan akan sangat tipis
akibat terbentuknya kluster-kluster pada
permukaan sampel. Ketika suhu deposisi
dinaikan di atas 100oC maka lapisan yang
dihasilkan tidak merata dan banyak terbentuk
koloid pada larutan bath yang kadang
menempel pada permukaan lapisan CdS.
4.3 Karakteristik Lapisan Tipis CdS
Secara umum sifat optik bahan
semikonduktor CdS dapat diamati dengan
menggunakan spektrofotometer UV-VIS yang
meliputi absorbansi, transmitansi dan
reflektansi. Nilai absorbansi lapisan CdS yang
dideposisi dengan suhu 70oC dan di suhu
aneling 200oC pada beberapa panjang
gelombang dapat dilihat pada Gambar 14.
Dari Gambar 14, pita absorbansi berada pada
panjang gelombang 400-550 nm, hal ini
sesuai dengan beberapa literatur yang
memperlihatkan bahwa pita absorbansi CdS
terjadi pada rentang panjang gelombang
350-550 nm.26
CdS merupakan material semikonduktor
yang memiliki celah energi khas. Pola
absorbansi dapat digunakan untuk
memperkirakan nilai celah energi (E g) yang
dimiliki oleh sampel CdS berdasarkan
persamaan (1) :
Eg = hc/λedge (1)
8
Keterangan :
- Eg = energi gap
- h = konstanta planck
(6,6261x10-34 Js)
- c = kecepatan cahaya ( 3x108 m/s)
- λedge = panjang gelombang tepi absorbs
sampel CdS
Berdasarkan kurva absorbansi CdS
diketahui nilai λed sekitar 503 nm sehingga
diperoleh nilai celah energi (Eg) dari CdS
sekitar 2.46 eV. Nilai ini sesuai dengan
beberapa literatur dengan nilai celah energi
CdS sekitar 2.3 – 2.5 eV. Celah energi CdS
sangat mempengaruhi sifat konduktivitas
listrik CdS. Semakin besar celah energi, maka
akan semakin kecil konduktivitas listriknya.
1.5
Absorbansi (a.u) λedge
1
0.5
0
400 600 800
Panjang gelombang (nm)
Gambar 14 Kurva absorbansi lapisan tipis
CdS
4.4 Karakteristik I-V Sensor FET
Karakterisasi I-V sensor FET dilakukan
dengan memberikan tegangan bias maju (V d-s)
sambil mengukur arus drain-source (Id-s).
Gambar 15 memperlihatkan hubungan antara
Id-s (arus drain-source) terhadap Vd-s
(tegangan drain-source) dengan
memvariasikan Vg (tegangan gate) yakni 0 V,
2 V, 4 V, 6 V , 8 V, 10 V. Tegangan bias maju
(Vd-s) diberikan mulai dari 0 V hingga 10 V.
Berdasarkan kurva I-V sensor FET
terlihat bahwa tegangan gate yang diberikan
mempengaruhi arus drain-source. Tegangan
gate yang diberikan yaitu positif karena
lapisan aktif CdS merupakan semikonduktor
tipe-n. Semakin positif tegangan gate yang
diberikan maka semakin kecil nilai resistasi
dari CdS sehingga membuat semakin banyak
arus drain-source yang dapat dilewatkan. Hal
inilah yang menyebabkan rasio antara
tegangan dan arus menjadi semakin mengecil.

Vg= 0 V
2.5E-03 Vg= 2 V
Vg= 4 V
2.0E-03
Vg= 6 V
Id-s (A)
1.5E-03 Vg= 8 V
1.0E-03 Vg= 10 V
5.0E-04
0.0E+00
0 5
Vd-s (V)
Gambar 15 Karakteristik I-V sensor FET
250
200
Id-s (µA)
150
100
50
0 berkontribusi terhadap peningkatan arus,
0 5
Vg (V)
Gambar 16 Kurva hubungan Id-s terhadap Vg
pada Vd-s = 10 V
Untuk melihat pengaruh tegangan gate
(Vg), maka dibuat kurva hubungan antara arus
drain-source (Id-s) dengan tegangan gate (Vg)
pada Vd-s = 10 V, seperti ditunjukan pada
Gambar 16. Gambar 16 memperlihatkan
kurva hubungan antara arus drain-source (Id-s)
dengan tegangan gate (Vg) pada Vd-s = 10 V,
yang diperoleh dari Gambar 15. Terlihat jelas
bahwa tegangan gate berpengaruh terhadap
arus drain-source. Semakin besar tegangan
gate yang diberikan maka semakin besar pula
arus drain-source yang dihasilkan.
Pada penelitian ini, tegangan gate yang
diberikan kecil. Hal ini bertujuan untuk
mencegah terjadinya kebocoran pada lapisan
SiO2. Apabila telah terjadi kebocoran pada
lapisan SiO2 maka sensor FET tidak bias
berfungsi dengan baik.
4.5 Respon sensor FET terhadap Cahaya
Pengukuran I-V menggunakan alat I-V
meter (sourcemeter, Keithley 2400).
Pengukuran tersebut dilakukan denga
perlakuan yaitu kondisi tanpa cahaya (gelap)
dan dengan cahaya (terang). Terdapat dua
variasi tegangan gate yang diberikan yaitu 0
V dan 5 V. Gambar 17 dan 18 menunjukkan
kurva karakteristik arus-tegangan untuk
tegangan gate 0 V dan 5 V. Karakteristik
9
arus-tegangan sangat diperlukan untuk
mengetahui apakah sensor yang dapat
berfungsi sebagai fotodetektor atau tidak.
Distribusi arus-tegangan pada gambar
menunjukkan bahwa sensor FET bersifat
fotodetektor, karena terlihat dari kurva I-V
terjadi perubahan arus yang signifikan saat
kondisi terang.
Pengukuran kuva I-V dilakukan dengan
menghubungkan elektroda negatif pada
10 gerbang source, elektroda positif pada
gerbang drain dan gate. Kedua variasi
tegangan gate tersebut menunjukkan kenaikan
arus ketika diberikan tegangan bias maju,
kenaikan arus ini terjadi karena resistansi pada
lapisan CdS semakin mengecil dengan
meningkatnya tegangan bias maju. Penyinaran
pada lapisan aktif CdS, akan meningkatkan
pasangan elektron-hole didaerah lapisan CdS.
Pasangan elektron-hole akan terpisah oleh
medan listrik yang kemudian akan
10 sehingga pada kurva terlihat adanya
peningkatan arus ketika lapisan CdS disinari
dibandingkan dengan gelap.
Kenaikan arus selain dipengaruhi oleh
cahaya, juga dipengaruhi oleh tegangan gate
yang diberikan. Semakin besar tegangan gate
yang diberikan maka akan semakin besar arus
yang dihasilkan. Hal ini disebabkan semakin
mengecilnya resistasi dari lapisan CdS.
terang
3.00E-02
2.00E-02 gelap
Id-s (A)
1.00E-02
0.00E+00
0 10 20 30
Vd-s (V)
Gambar 17 Karakteristik I-V sensor FET
terhadap cahaya dengan Vg = 0 V
4.00E-02 terang
3.00E-02
Id-s (A)
gelap
2.00E-02
1.00E-02
0.00E+00
0
10 20 30
Vd-s (V)
Gambar 18 Karakteristik I-V sensor FET
terhadap cahaya dengan Vg = 5 V
 10

Terlihat pada Vg = 0 V, terjadi kenaikan

arus yang signifikan bila dibandingkan
dengan Vg = 5 V. Pada saat Vg = 0 V terjadi
kenaikan arus drain-source sebesar
1,31x10-2 A dengan Vd-s = 27 V. Sedangkan
saat Vg = 5 V, hanya terjadi kenaikan arus
drain-source sebesar 6,88x10-3A dengan
Vd-s = 27 V. Hasil ini menunjukkan bahwa
saat Vg = 0 V memiliki respon yang lebih baik
terhadap cahaya.
Gambar 19 Respon dinamik sensor FET
4.6 Respon Dinamik sensor FET terhadap terhadap variasi intersitas cahaya
cahaya.
Gambar 19 menunjukkan respon dinamik
sensor FET terhadap variasi intersitas cahaya
yaitu pada 0.02 watt/m2; 14.78 watt/m2;
85.53 watt/m2. Sensor FET dihubungkan seri
dengan resistor yang berfungsi untuk
membagi tegangan. Pada saat intensitas
cahaya 0.02 watt/m2, tegangan yang
dihasilkan sebesar 2.55V. Namun setelah
intensitas cahaya diperbesar menjadi Gambar 20 Kurva hubungan antara intensitas
14.78 watt/m2, nilai tegangan yang dihasilkan cahaya terhadap tegangan
menjadi berkurang yaitu sebesar 2.3V. Begitu
juga saat intensitas cahaya diperbesar lagi
menjadi 85.53 watt/m2, nilai tegangan yang
dihasilkan menjadi semakin berkurang
menjadi 2.15V.
Untuk melihat pengaruh intensitas
cahaya, maka dibuat kurva hubungan antara
intensitas terhadap tegangan output yang
diperoleh dari kurva pada Gambar 19.
Gambar 20 memperlihatkan kurva hubungan
antara intensitas terhadap tegangan output, Gambar 21 Respon dinamik variasi V g pada
semakin besar intensitas cahaya yang kondisi terang dan gelap
diberikan maka semakin kecil tegangan output
Pada data ini divariasikan tegangan gate
yang dihasilkan. Hal ini disebabkan, adanya
yaitu 0 V, 5 V, dan 10 V. Terlihat pada
interaksi antara cahaya yang diberikan dengan
Vg = 0 V, respon sensor terhadap cahaya lebih
lapisan CdS, sehingga menyebabkan akan
besar bila dibandingkan dengan Vg = 5 V dan
meningkatkan pasangan elektron-hole
10 V. Terlihat pada gambar, saat Vg = 0 V
didaerah lapisan CdS. Pasangan elektron-hole
maka terjadi perubahan tegangan output
akan terpisah oleh medan listrik yang
sebesar 0.4 V. sedangkan saat V g = 5 V hanya
kemudian akan berkontribusi terhadap
terjadi perubahan tegangan output sebesar
penurunan resistansi dari CdS.
0.2 V dan saat Vg = 10 V terjadi perubahan
Gambar 21 memperlihatkan respon
sebesar 0.3 V. Hal ini menujukan bahwa saat
dinamik sensor FET terhadap cahaya pada
Vg = 0 V, sensor dapat bekerja dengan lebih
tegangan gate berbeda. Semakin besar
baik dikarenakan perubahan tegangan output
tegangan gate yang diberikan, maka tegangan
yang lebih besar.
output yang dihasilkan pada sensor akan
semakin meningkat. Hal ini berbeda ketika
sensor diberi cahaya, akan terjadi penurunan
tegangan output yang diakibatkan adanya
penurunan resistansi dari sensor.
 11

4.7 Stabilitas dan Waktu respon sensor

FET
Stabilitas sensor FET yang telah dibuat
dapat diketahui berdasarkan Gambar 22.
Sensor FET diberi perlakuan tanpa cahaya
(gelap) dan dengan cahaya (terang) secara
berulang. Hal ini bertujuan untuk mengetahui
kemampuan sensor apakah dapat kembali ke
keadaan semula setelah digunakan. Gambar
22 memperlihatkan perlakuan sensor saat Gambar 23 Waktu respon sensor FET
tanpa cahaya (gelap) menghasilkan tegangan
output sebesar 2.6 V, sedangkan saat diberi
cahaya, tegangan output menurun hingga
2.2 V. Namun setelah dikembalikan ke
kondisi semula (gelap), maka tegangan output
kembali menjadi 2.6 V. Hal ini terlihat bahwa
sensor memiliki resistansi yang dapat balik
(reversible) sehingga sensor FET dapat
digunakan secara berulang.
Waktu respon merupakan waktu yang
dibutuhkan sensor untuk berubah dari keadaan
awal ke keadaan stasioner. Sedangkan waktu
Gambar 24 Waktu pemulihan sensor FET
pemulihan yaitu waktu yang diperlukan oleh
sensor untuk menghasilkan suatu output yang
dapat kembali ke keadaan semula. Gambar 23 BAB V
meperlihatkan sensor FET memiliki waktu KESIMPULAN DAN SARAN
respon sekitar 0.9 detik merupakan waktu
yang dibutuhkan sensor berubah dari 2.6 V 5.1 Kesimpulan
(tanpa cahaya) menjadi 2.2V (keadaan Lapisan SiO2 terbentuk saat dipanaskan
stasioner saat diberi cahaya). Sedangkan pada suhu 1000oC dengan pemberian gas
Gambar 24 memperlihatkan waktu pemulihan oksigen. Hasil ini dapat terlihat secara kasat
(recovery) pada sensor FET. Hasil mata, yaitu terjadi perubahan warna pada
menunjukkan sensor memiliki waktu subtrat dari warna abu-abu menjadi kuning
pemulihan selama 1.3 detik merupakan waktu keemasan.
yang dibutuhkan sensor berubah dari 2.2 V Deposisi lapisan CdS yang dibuat dengan
(keadaan stasioner saat diberi cahaya) menjadi metode chemical bath deposition (CBD) pada
kembali kekeadaan semula yaitu 2.6 V (tanpa suhu 70oC menghasilkan lapisan berwarna
cahaya). Hasil ini menunjukkan bahwa sensor kuning di atas subtrat silikon yang telah
FET memiliki waktu respon yang lebih cepat dioksidasi. Pemilihan waktu dan suhu saat
dari pada waktu pemulihannya. deposisi sangat mempengaruhi sifat dan
morfologi lapisan CdS yang dihasilkan.
Daerah serapan cahaya dari lapisan CdS
berada pada kisaran panjang gelombang
450-550 nm dengan nilai selah energi sebesar
2.46 eV.
Pada karakteristik I-V sensor FET, arus
drain-source dipengaruhi oleh tegangan gate
yang diberikan. Semakin besar tegangan gate
Gambar 22 Stabilitas sensor FET yang diberikan maka semakin besar pula arus
drain-source yang dihasilkan. Respon sensor
FET terhadap cahaya memperlihatkan bahwa
apabila sensor diberikan cahaya maka terjadi
peningkatan arus drain-source akibat adannya
penurunan resistansi dari lapisan CdS.
Respon dinamik sensor FET
memperlihatkan adanya perubahan tegangan

output saat diberikan cahaya. Terjadi
penurunan tegangan output saat diberikan
cahaya pada setiap peningkatan intensitas.
Sensor FET memiliki waktu respon sekitar
0.9 detik dan waktu pemulihan sekitar 1.3
detik.
5.2 Saran
Penelitian ini dapat dikembang lebih
lanjut dengan memvariasikan waktu dan
banyaknya gas oksigen yang diberikan pada
saat pembentukan lapisan SiO2. Hal ini
bertujuan agar didapatkan hasil pembentukan
lapisan SiO2 yang maksimal.
BAB VI
DAFTAR PUSTAKA
1 Lestari, S. I. 2006. Sintesis dan
optimalisasi gel kitosan-gom guar
[skripsi]. Bogor: Fakultas Matematika
dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut
Pertanian Bogor.
2 Yani, S. 2011. Sintesis dan optimalisasi
gel kitosan [tesis]. Bogor : Fakultas
Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Institut Pertanian Bogor.
3 Rio, S.R., Iida, M. 1999. Fisika dan
Teknologi Semikonduktor. Jakarta:
Pradnya Paramita
4 [Anonim]. Semikonduktor. 2012.
hhtp://jonioke.blogspot.com/2010/04/-
semikonduktor.html. [12 Oktober 2011].
5 [Hamonanga]. Prinsip dasar
semikonduktor. 2009. http://-
www.electroniclab.com/index.php?option
=com_content&view=article&id=13:prin
sip-dasar-semikonduktor. [12 Oktober
2011].
6 Hutauruk, P. T. P. 2000. Efek fotovoltaik
lapisan tipis CdS (Cadmium Sulfide)
pada sistem sel surya fotoelektrokimik
[skripsi]. Bogor : Fakultas Matematika
dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut
Pertanian Bogor.
7 Kireen, P.S. 1975. Semiconduktor
Physics. Mir Publishers.Moscow.Hal 579
8 Kurniati M.2002.Studi sifat optik, listrik
dan fotoelektrokimia lapisan tipis
semikonduktor CdS [Usulan Penelitian].
Bogor : Fakultas Matematika dan Ilmu
12
Pengetahuan Alam, Institut Pertanian
Bogor.
9 Hiie, J., Dedova, T., Valdna, V., Muska,
K. 2006. Comparative study of nano-
structured CdS thin film prepared by
CBD and spray pyrolysis: annealing
effect. Thin Solid Film, 511,443–447.
10 Khallaf, H. et all. 2008. Characterization
of gallium-doped CdS thin film grown by
chemical bath deposition. Apl Surface
Sci, 255, 4129–4134.
11 Khallaf, H. et all. 2009. In-situ boron
doping of chemical-bath deposited CdS
thin film. Hys Status Solidi, 206, 256–
262.
12 Zhou, X., Li, Z., Xu, S.2006. Preparation
and formation mechanism of CdS nano-
film via chemical bath deposition. Front
Chem China, 3,18–22.
13 Çetinörgü, E., Gümüş, C., Esen, R. 2006.
Effects of deposition time and suhue on
the optical properties of air-annealed
chemical bath deposited CdS film. Thin
Solid Film, 515,1688–1693.
14 Metin, H., Sat, F., Erat, S., Ari, M. 2008.
Cadmium sulphide thin film grown by
CBD: the effect of thermal annealing on
the structural, electrical and optical
properties. J Optoelectronics and
Advanced Materials. Vol. 10. hlm 2622–
2630.
15 Murali, KR., Kumaresan, S., Prince, J.J.
2007. Characteristics of CdS thin film
brush electrodeposited on low-suhue
substrates. J Materials Science in
Semiconductor Processing. Vol. 10.hlm
56–60.
16 Jinxin, Z., Gaoling, Z., Gaorong, H. 2007.
Preparation of CdS nanoparticles by
hydrothermal method in microemulsion.
Front Chem China, 2, 98–101.
17 Haider, AJ., Mousa, AM., Al-Jawad,
SMH. 2008. Annealing effect on
structural, electrical and optical properties
of CdS film prepared by CBD method. J
Semiconductor Technology and Science.
Vol. 8. hlm 2.
 13

18 Malinowska, B., Rakib, M., Durand, G.

2005. Analytical characterization of
cadmium cyanamide in CdS thin film and
bulk precipitates produced from CBD
process in pilot plant. J Solar Energi
Materials & Solar Cells. Vol 86. hlm
399–419.

19 Malvino, A.P.2003.Prinsip-Prinsip
Elektronika.Jakarta:Salemba Teknika.

20 Toole, Mike.2003. Rangkaian Elektronik

Prisip dan Aplikasi. Jakarta : Erlangga.

21 Widodo, T.S. 2002. Elektronika Dasar.

Jakarta: Salemba Teknika

22 Chang, J. B.2006. Functionalized

polytiophene thin-film transistor for low-
cast gas sensor array isertasi]. California
: Electrical Engineering and Computer
Sciences, University of California at
Berkley.

23 Mahdi M.A. et al. 2009. Structural and

optical properties of chemical deposition
CdS thin film. J Nanoelectronics and
Materials. Vol. 2. hlm 163-172.

24 Pentia, E., Pintilie, L., Pintilie, I., Botila,

T. 2000. The influence of cadmium salt
anion on the growth mechanism and on
the physical properties of CdS thin film. J
Optoelectronics and Advanced Materials.
Vol. 2. hlm 593-601.

25 Devi, R. et all. 2007. Synthesis of

nanocrystalline CdS thin in PVA matrix.
Bull Mater. Vol. 30. hlm 123-128.
LAMPIRAN
 15

Lampiran 1. Diagram Alir Penelitian

Mulai

Persiapan Alat dan Bahan

Pembuatan Lapisan SiO2

Deposisi Lapisan CdS

Metalisasi

Karakterisasi I-V

Pengujian FET terhadap cahaya

Pengolahan dan analisis data

Penulisan laporan

Selesai
 16

Lampiran 2. Perhitungan nilai celah energi pada kurva absorbansi CdS

1.4
1.2
Absorbansi (a.u)

1 λedge
0.8
0.6
0.4
0.2
0
400 500 600 700 800
Panjang gelombang (nm)

Dari gambar di atas diperoleh nilai λedge sebesar 503,33 nm

Dengan nilai h (konstanta Planck) = 6,6261 x 10-34 Js, dan c (kelajuan cahaya) =

3x108 m/s, maka didapatkan nilai Eg (celah energi) sebesar :

Eg = 6,6261.10-34 x 3.108 = 3,94936x10-19

503,33.10-9

Jadi, nilai celah energi untuk CdS ialah sebesar 3,94936x10-19 J atau sama dengan
2,467427 eV.