Modul Elektronika

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA 2023
Penyusun :
Mohammad Ramdhani
Rizki Ardianto Priramadhi
Iswahyudi Hidayat
Tim Asisten Elka
LABORATORIUM ELEKTRONIKA
KK CONTROL, ELECTRONICS & INTELLIGENT SYSTEM
FAKULTAS TEKNIK ELEKTRO
UNIVERSITAS TELKOM
Laboratorium Elektronika Universitas Telkom 2023
Aturan Laboratorium Elektronika
Adapun peraturan bagi Praktikan Praktikum Laboratorium Elektronika adalah sebagai

berikut :
Persiapan / Sebelum Praktikum

1. Praktikan datang sesuai dengan waktu praktikum yang sudah ditentukan. Praktikan
wajib membawa kartu praktikum.
2. Praktikan mengerjakan dan membawa Tugas Pendahuluan (TP) ketika praktikum
berlangsung.
3. Praktikan wajib membawa Modul yang akan dilaksanakan yaitu berupa Hardcopy
atau Softcopy.
4. Ketika praktikum dimulai, Praktikan Sudah mempelajari dengan baik Modul yang
akan dilaksanakan dengan cara mampu menjawab soal Tes Lisan (TA) ketika
praktikum berlangsung.
5. Praktikan dilarang membawa rangkaian yang telah dirangkai dari rumah dengan
alasan apapun.
Selama Praktikum
1. Praktikan dilarang mendahului pengerjaan praktikum tanpa dipersilahkan oleh
Asisten.
2. Praktikan wajib mengenakan sepatu bersol.
3. Praktikan wajib mengikuti prosedur penggunaan alat yang ada di Modul.
4. Praktikan diperbolehkan bertanya apabila langkah - langkah yang ada di Modul
bersifat ambigu atau susah dipahami.
5. Praktikan dilarang mencontek hasil pengerjaan atau jurnal kelompok lain dengan
alasan apapun.
Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 1

Setelah Praktikum
1. Praktikan dilarang menghilangkan, merusak dan membawa komponen - komponen
yang ada di Lab dengan alasan apapun.
2. Praktikan wajib merapihkan komponen - komponen, meja dan kursi sebelum
meninggalkan ruangan praktikum.

Daftar Isi
Aturan Laboratorium Elektronika ......................................................................................... 1

Persiapan / Sebelum Praktikum ......................................................................................... 1
Selama Praktikum .............................................................................................................. 1
Setelah Praktikum .............................................................................................................. 2
Daftar Isi ................................................................................................................................ 3
Panduan Umum Keselamatan dan Penggunaan Peralatan Laboratorium ............................ 5
Keselamatan....................................................................................................................... 5
Bahaya Listrik ................................................................................................................... 5
Bahaya Api atau Panas berlebih ........................................................................................ 6
Bahaya Lain ....................................................................................................................... 6
Lain-lain ............................................................................................................................ 6
Penggunaan Peralatan Praktikum ...................................................................................... 7
Sanksi ................................................................................................................................ 7
Modul 1 ................................................................................................................................. 8
Dioda : Karakteristik dan Aplikasi ........................................................................................ 8
Tujuan ................................................................................................................................ 8
Pengetahuan Pendukung .................................................................................................... 8
Karakteristik Dioda........................................................................................................ 8
Penyearah....................................................................................................................... 8
Rangkaian Clipper dan Clamper ................................................................................. 10
Alat dan Komponen yang Digunakan ............................................................................. 12
Langkah Percobaan.......................................................................................................... 12
Memulai Percobaan ..................................................................................................... 12
Karakteristik Dioda...................................................................................................... 12
Penyearah dan Filter .................................................................................................... 13
Rangkaian Clipper ....................................................................................................... 15
Rangkaian Clamper ..................................................................................................... 15
Mengakhiri Percobaan ................................................................................................. 16
Modul 2 Karakteristik dan Penguat BJT ............................................................................. 17
Tujuan .............................................................................................................................. 17
Pengetahuan Pendukung .................................................................................................. 17
Transistor BJT ............................................................................................................. 17
Kurva Karakteristik IC - VBE........................................................................................ 19
Kurva Karakteristik IC – VCE ....................................................................................... 19
Transistor BJT sebagai Switch .................................................................................... 20
Penguat BJT................................................................................................................. 21
Konfigurasi Common Emitter ..................................................................................... 22
Konfigurasi Common Base ......................................................................................... 24
Konfigurasi Common Collector .................................................................................. 24
Karakteristik Input Transistor IB-VBE .......................................................................... 26
Karakteristik Output Transistor IC-VCE ....................................................................... 27

Pengaruh Bias pada Penguat Transistor ...................................................................... 28

BJT sebagai Switch ..................................................................................................... 30
Tegangan Bias dan Parameter Penguat ....................................................................... 30
Common Emitter ......................................................................................................... 31
A. Faktor Penguatan ................................................................................................ 31
B. Resistansi Input ................................................................................................... 33
C. Resistansi Output ................................................................................................ 34
Modul 3 FET ....................................................................................................................... 36
Tujuan .............................................................................................................................. 36
Transistor FET ............................................................................................................. 36
MOSFET sebagai Switch ............................................................................................ 38
Penguat FET ................................................................................................................ 38
Memulai Percobaan ......................................................................................................... 39
Kurva Karakteristik Transistor MOSFET ................................................................... 40
A. Kurva ID vs. VGS ........................................................................................... 40
Desain Q-point ............................................................................................................. 41
MOSFET sebagai Switch ............................................................................................ 41
1. Cara Multimeter ................................................................................................... 41
2. Cara Osiloskop .................................................................................................... 42
Penguat Common Source ............................................................................................ 42
A. Faktor Penguatan ................................................................................................ 42
B. Resistansi Input ................................................................................................... 44
C. Resistansi output ................................................................................................. 45
Penguat Common Gate ................................................................................................ 46
Penguat Common Drain .............................................................................................. 46
Modul 4 Penguatan Operasional.......................................................................................... 48
Tujuan .............................................................................................................................. 48
Pengenalan Op Amp .................................................................................................... 48
IC Op Amp 741 ........................................................................................................... 49
Rangkaian Standar Op Amp ........................................................................................ 50
Alat dan Komponen yang digunakan .............................................................................. 51
Memulai Percobaan ..................................................................................................... 52
1. Rangkaian Penguat Non Inverting ....................................................................... 52
2. Rangkaian Penguat Inverting .............................................................................. 53

Panduan Umum Keselamatan dan

Penggunaan Peralatan Laboratorium
Keselamatan
Pada prinsipnya, untuk mewujudkan praktikum yang aman diperlukan partisipasi seluruh
praktikan dan asisten pada praktikum yang bersangkutan. Dengan demikian, kepatuhan
setiap praktikan terhadap uraian panduan pada bagian ini akan sangat membantu
mewujudkan praktikum yang aman.
Bahaya Listrik
Perhatikan dan pelajari tempat-tempat sumber listrik (stop-kontak dan circuit breaker) dan
cara menyala-matikannya. Jika melihat ada kerusakan yang berpotensi menimbulkan
bahaya, laporkan pada asisten.
● Hindari daerah atau benda yang berpotensi menimbulkan bahaya listrik (sengatan
listrik/ strum) secara tidak disengaja, misalnya kabel jala-jala yang terkelupas dll.
● Tidak melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan bahaya listrik pada diri sendiri
atau orang lain.
● Keringkan bagian tubuh yang basah karena, misalnya, keringat atau sisa air wudhu.
● Selalu waspada terhadap bahaya listrik pada setiap aktivitas praktikum.
Kecelakaan akibat bahaya listrik yang sering terjadi adalah tersengat arus listrik. Berikut ini
adalah hal-hal yang harus diikuti praktikan jika hal itu terjadi:
● Jangan panik,
● Matikan semua peralatan elektronik dan sumber listrik di meja masing-masing dan
di meja praktikan yang tersengat arus listrik,
● Bantu praktikan yang tersengat arus listrik untuk melepaskan diri dari sumber
listrik,
● Beritahukan dan minta bantuan asisten, praktikan lain dan orang di sekitar anda
tentang terjadinya kecelakaan akibat bahaya listrik.

Bahaya Api atau Panas berlebih

Jangan membawa benda-benda mudah terbakar (korek api, gas dll.) ke dalam ruang
praktikum bila tidak disyaratkan dalam modul praktikum.
● Jangan melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan api, percikan api atau panas
yang berlebihan.
● Jangan melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan bahaya api atau panas
berlebih pada diri sendiri atau orang lain.
● Selalu waspada terhadap bahaya api atau panas berlebih pada setiap aktivitas
praktikum.
Berikut ini adalah hal-hal yang harus diikuti praktikan jika menghadapi bahaya api atau
panas berlebih:
● Jangan panik,
● Beritahukan dan minta bantuan asisten, praktikan lain dan orang di sekitar anda
tentang terjadinya bahaya api atau panas berlebih,
● Matikan semua peralatan elektronik dan sumber listrik di meja masing-masing,
● Menjauh dari ruang praktikum.
Bahaya Lain
Untuk menghindari terjadinya hal-hal yang tidak diinginkan selama pelaksanaan percobaan
perhatikan juga hal-hal berikut:
● Jangan membawa benda tajam (pisau, gunting dan sejenisnya) ke ruang praktikum
bila tidak diperlukan untuk pelaksanaan percobaan.
● Jangan memakai perhiasan dari logam misalnya cincin, kalung, gelang dll.
● Hindari daerah, benda atau logam yang memiliki bagian tajam dan dapat melukai
● Hindari melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan luka pada diri sendiri atau
orang lain, misalnya bermain-main saat praktikum
Lain-lain
Praktikan dilarang membawa makanan dan minuman ke dalam ruang praktikum.

Penggunaan Peralatan Praktikum

Berikut ini adalah panduan yang harus dipatuhi ketika menggunakan alat-alat praktikum:
● Sebelum menggunakan alat-alat praktikum, pahami petunjuk penggunaan alat itu.
Petunjuk penggunaan beberapa alat dapat didownload di https://electronicslab-
telu.netlify.app/
● Perhatikan dan patuhi peringatan (warning) yang biasa tertera pada badan alat.
● Pahami fungsi atau peruntukan alat-alat praktikum dan gunakanlah alat-alat
tersebut hanya untuk aktivitas yang sesuai fungsi atau peruntukannya.
Menggunakan alat praktikum di luar fungsi atau peruntukannya dapat
menimbulkan kerusakan pada alat tersebut dan bahaya keselamatan praktikan.
● Pahami rating dan jangkauan kerja alat-alat praktikum dan gunakanlah alat-alat
tersebut sesuai rating dan jangkauan kerjanya. Menggunakan alat praktikum di luar
rating dan jangkauan kerjanya dapat menimbulkan kerusakan pada alat tersebut
dan bahaya keselamatan praktikan.
● Pastikan seluruh peralatan praktikum yang digunakan aman dari benda/ logam
tajam, api/ panas berlebih atau lainnya yang dapat mengakibatkan kerusakan pada
alat tersebut.
● Tidak melakukan aktifitas yang dapat menyebabkan kotor, coretan, goresan atau
sejenisnya pada badan alat-alat praktikum yang digunakan.
● Kerusakan instrumentasi praktikum menjadi tanggung jawab bersama rombongan
praktikum ybs. Alat yang rusak harus diganti oleh rombongan tersebut.
Sanksi
Pengabaian uraian panduan di atas dapat dikenakan sanksi tidak lulus mata kuliah
praktikum yang bersangkutan

Modul 1
Dioda : Karakteristik dan Aplikasi
Tujuan
● Memahami karakteristik dioda biasa, led, dan dioda zener
● Memahami penggunaan dioda dalam rangkaian penyearah
● Mempelajari pengaruh filter sederhana pada suatu sumber DC
● Memahami penggunaan dioda untuk rangkaian Clipper dan Clamper
Pengetahuan Pendukung
Karakteristik Dioda
Dalam percobaan ini akan diamati karakteristik i=f (v) tiga jenis dioda yaitu:
● Dioda Ge
● Dioda Si
● Light Emitting Diode (LED)
● Dioda Zener
Dengan menggunakan rangkaian yang kita buat, akan diamati dan dipahami:
● Tegangan cut-in
● Tegangan breakdown
● Kemiringan kurva yang berarti besarnya resistansi dinamis pada titik tersebut
● Beberapa kemungkinan penggunaan dioda berdasarkan karakteristiknya
Penyearah
Dalam percobaan ini akan diamati 3 jenis penyearah gelombang sinyal, yaitu:
● Penyearah gelombang setengah
● Penyearah gelombang penuh (dengan trafo center tapped)
● Penyearah gelombang penuh tipe jembatan
Dengan menggunakan rangkaian yang kita buat, amati dan pahami:

● Perbedaan penyearah gelombang setengah dan gelombang penuh
● Pengaruh tegangan cut-in dan bentuk karakteristik dioda pada output
● Beban yang ditanggung trafo untuk masing-masing jenis penyearah
Tegangan dan Arus di dioda memiliki hubungan seperti yang digambarkan pada grafik di
gambar 1.1.
Gambar 1.1. Grafik Karakteristik Tegangan-Arus Dioda
Penggunaan dioda yang paling dasar adalah sebagai penyearah arus bolak-balik jala-jala
menjadi arus searah pada suatu sumber tegangan DC, seperti catu daya. Suatu analisa
pendekatan untuk suatu penyearah dengan filter C dapat dilihat pada buku teks kuliah.
Tegangan pada rangkaian penyearah gelombang penuh diperoleh sebesar
1
VO = V p − Vr
2
dimana Vp adalah magnitude tegangan puncak sinyal AC yang disearahkan dan tegangan
ripple Vr sebesar
Vp
Vr =
2 fCR
dengan f adalah frekuensi sinyal AC jala-jala yang digunakan, C kapasitansi filter dan R
beban pada rangkaian penyearah dan filter.

Untuk catu daya tegangan ideal (DC murni), tegangan ripple harus bernilai nol.
Keadaan ini dapat diperoleh bila (i) nilai resistansi R beban adalah tak hingga dan (ii) nilai
kapasitansi C sangat besar (tak hingga). Nilai resistansi resistansi beban tak hingga berarti
rangkaian tanpa beban (beban terbuka). Dengan demikian untuk keadaan praktis hal yang
dapat digunakan adalah dengan menggunakan kapasitansi C yang besar. Nilai kapasitansi
C yang besar akan memberikan tegangan ripple yang kecil. Dalam percobaan ini akan
dilakukan pengamatan pengaruh nilai kapasitansi dan resistansi beban terhadap tegangan
ripple.
Sebuah catu tegangan ideal juga seharusnya tidak mengalami degradasi tegangan
outputnya bila mendapat beban, yang berarti catu tegangan ideal dapat dimodelkan
dengan sumber tegangan. Pada kenyataannya catu tegangan seperti ini selalu mengalami
degradasi dengan naiknya arus beban. Perilaku seperti ini dapat dimodelkan dengan
Rangkaian Thevenin berupa hubungan seri sumber tegangan dan resistansi output.
Besaran resistansi output ini menentukan berapa degradasi tegangan yang diperoleh.
Untuk rangkaian penyearah gelombang penuh, besar resistansi output efektif dapat
dihitung
1
RO =
4 fC
Besaran lain yang dapat digunakan untuk menunjukkan perilaku yang sama adalah faktor
regulasi tegangan VR. Besaran ini tidak bersatuan dan didefinisikan sebagai
Vnl − V fl
VR =  100%
V fl
dimana Vnl adalah tegangan tanpa beban dan Vfl adalah tegangan beban penuh. Nilai
regulasi tegangan VR yang kecil menunjukkan sumber tegangan yang lebih baik.
Rangkaian Clipper dan Clamper

Dalam percobaan ini akan dilakukan pengamatan sinyal output yang dihasilkan oleh
rangkaian Clipper dan Clamper.
Rangkaian clipper adalah rangkaian yang digunakan untuk membatasi tegangan

agar tidak melebihi dari suatu nilai tegangan tertentu. Rangkaian ini dapat dibuat dari dioda
dan sumber tegangan DC yang ditunjukkan oleh gambar berikut.

Gambar 1. 2 Rangkaian Clipper dengan Dioda Silikon

Rangkaian alternatif dapat juga dibuat dengan menggunakan dioda zener seperti yang
ditunjukkan oleh gambar berikut ini.
Gambar 1. 3 Rangkaian Clipper dengan Dioda Zener

Rangkaian Clamper adalah rangkaian yang digunakan untuk memberikan offset tegangan
DC, dengan demikian, tegangan yang dihasilkan adalah tegangan input ditambahkan
dengan tegangan DC. Rangkaian ini ditunjukkan oleh berikut ini.
Gambar 1. 4 Rangkain Clamper

Alat dan Komponen yang Digunakan

● Kit Praktikum Karakteristik Dioda & Rangkaian Penyearah
● Sumber tegangan DC (2 buah)
● Osiloskop (1 buah)
● Multimeter (2 buah)
● Dioda 1N4001 /1N4002 (3 buah)
● Dioda Zener 5V1 (2 buah)
● Resistor Variabel (1 buah)
● Resistor 150 KΩ (1 buah)
● Kapasitor 10 uF (1 buah)
● Breadboard (1 buah)
● Kabel - kabel (2 buah kabel Banana-BNC, 1 buah kabel BNC-BNC )
Langkah Percobaan
Memulai Percobaan
1. Lakukan kalibrasi osiloskop
Karakteristik Dioda
2. Ubah setting Sinyal Generator sehingga mengeluarkan : (pastikan dengan
menyambungkannya ke osiloskop ber-kopling DC)
a. Gelombang Sinus, Frekuensi 200Hz.
b. Amplitude 5 Vpp
c. Set Ofsett di nilai nol (ground).
3. Susunlah rangkaian seperti pada gambar di bawah ini.
Gambar 1. 5 Rangkaian Karakteristik I-V Dioda

Rangkaian Karakteristik
Dioda pada Breadboard
4. Pastikan tengah sinyal secara vertical ada tengah-tengah layar

5. Tekan tombol invert untuk channel B (CH-2)
6. Gunakan mode X-Y untuk mengamati sinyal
7. Amati dan catat tegangan cut-in, tegangan break-down, dan gambarkan bentuk
karakteristik arus-tegangan dioda (perhatikan detail gambar pada saat
menggambar).
6. Ulangi langkah 3 sampai 7 untuk jenis dioda lainnya: Dioda Germanium dan Dioda
Silikon , LED, dan Zener .
7. Catat semua pengamatan pada jurnal praktikum.
Penyearah dan Filter

8. Susunlah rangkaian penyearah gelombang setengah seperti ditunjukkan pada
Gambar di bawah ini. Gunakan osiloskop untuk mengamati tegangan output.
Pilihlah kopling input osiloskop yang sesuai, DC untuk pengukuran tegangan DC,
dan AC untuk pengukuran tegangan ripple. Sinkronisasi menggunakan line.
Gambar 1. 6 Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang

Rangkaian Karakteristik
Dioda pada Breadboard
9. Amati bentuk gelombang, frekuensi gelombang, dan pengaruh pemasangan C

(minimum 2 nilai kapasitansi) pada tegangan ripple. Catat nilai resistansi (beban),
kapasitansi (filter) dan tegangan DC dan tegangan ripple yang diperoleh.
10. Ulangi langkah 10 untuk suatu nilai C konstan, ubah-ubahlah besarnya beban
(minimum 2 nilai resistansi).
11. Ulangi langkah 10 dan 11 untuk kondisi berikut ini:
Gambar 1. 1 Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh
Rangkaian Penyearah
Gelombang Penuh pada
Breadboard
14. Lakukan analisis terhadap hasil yang anda peroleh.

Rangkaian Clipper
Gambar 1. 8 Rangkaian Clipper

15. Buatlah rangkaian pada breadboard seperti gambar berikut ini.
Gunakan nilai komponen-komponen sebagai berikut:
● Resistor R: 150 KΩ
● Dioda D1 dan D2: 1N4001 / 1N4002
● Vin :
● Tegangan DC : 5 Volt dari sumber tegangan DC
16. Amati dengan menggunakan Osiloskop sinyal output yang diperoleh dan
gambarkan bentuk sinyalnya.
17. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. Lakukan pengamatan seperti pada
langkah 19.
Gambar 1. 9 Rangkaian Clipper dengan Dioda Zener

18. Bandingkan hasil percobaan kedua rangkaian di atas dan Lakukan analisis terhadap
hasil yang anda peroleh!
Rangkaian Clamper
19. Buatlah rangkaian pada breadboard seperti gambar di bawah ini.

Gambar 1. 10 Rangkaian Clamper

Gunakan nilai komponen-komponen sebagai berikut:
● Resistor R 150 KΩ
● Dioda D: 1N4001 / 1N4002
● Kapasitor C: 10 uF, 16-35 V
● Vin :
● Tegangan DC : 5 Volt dari sumber tegangan DC
20. Amati dengan menggunakan Osiloskop sinyal output yang diperoleh dan
gambarkan bentuk sinyalnya.
21. Berilah analisis terhadap hasil yang anda peroleh.
Mengakhiri Percobaan
22. Selesai praktikum rapikan semua kabel dan matikan osiloskop, generator sinyal
serta pastikan juga multimeter analog, multimeter digital ditinggalkan dalam
keadaan mati (selector menunjuk ke pilihan off).
23. Lepaskan komponen yang sudah dirangkai pada breadboard dan simpan di rak
komponen yang tersedia, dan pastikan komponen tidak tercecer atau hilang.
24. Matikan MCB di meja praktikum sebelum meninggalkan ruangan.
25. Pastikan asisten telah menandatangani kartu praktikum pada modul terkait

Modul 2
Karakteristik dan Penguat BJT
Tujuan
● Memahami karakteristik transistor BJT
● Memahami teknik bias dengan rangkaian diskrit
● Memahami teknik bias dengan sumber arus konstan
● Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai switch
● Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja Bipolar Junction Transistor ketika

beroperasi sebagai saklar
● Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai penguat
● Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Emitter
● Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Base
● Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Collector
● Mengetahui dan mempelajari resistansi input, resistansi output, dan faktor

penguatan dari masing-masing konfigurasi penguat
Transistor BJT
Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling penting. Terdapat dua jenis
transistor berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar.
Dalam hal ini akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri atas dua jenis,
bergantung susunan bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan
antara arus dan tegangan dalam transistor ditujukkan oleh gambar berikut ini.
Gambar 2. 2 BJT Tipe NPN Gambar 2. 1 BJT Tipe PNP

Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus kolektor (IC), arus Basis (IB), dan
arus emitor (IE), yaitu beta () = penguatan arus DC untuk common emitter, alpha ()=
penguatan arus untuk common basis, dengan hubungan matematis sebagai berikut.
IC I
= = C
I B dan IE ,
sehingga
=
 
=
 +1 1−
Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh dengan pengukuran arus dan tegangan
pada rangkaian dengan konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan
ground), seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.
Gambar 2. 3 Rangkaian Karakteristik BJT

Dari Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian diatas, yaitu:
● Karakteristik IC - VBE
● Karakterinstik IC - VCE

Kurva Karakteristik IC - VBE

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari tegangan VBE, sesuai dengan persamaan:
I C =  I ES eVBE / kT . Persamaan ini dapat digambarkan sebagai kurva seperti ditunjukkan
pada gambar berikut ini.
Gambar 2. 4 Kurva Karakteristik

BJT
Dari kurva di atas juga dapat diperoleh transkonduktansi dari transistor, yang merupakan
kemiringan dari kurva di atas, yaitu
I C
gm =
VBE
Kurva Karakteristik IC – VCE

Arus kolektor juga bergantung pada tegangan kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja)
transistor dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut-off.
Persyaratan kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum dalam tabel berikut ini.
Mode IC VCE VBE VCB Bias B-C Bias B-E

kerja
Aktif =.IB =VBE+VCB ~0.7V 0 Reverse Forward
Saturasi Max ~ 0V ~0.7V - Forwar Forward
0.7V<VCE<0 d

Cut-Off ~0 =VBE+VCB 0 0 - -
Tabel 2. 1 Mode Kerja Transistor
Dalam kurva IC-VCE mode kerja transistor ini ditunjukkan pada area-area dalam gambar
berikut ini.
Gambar 2. 5 Mode Kerja

Transistor
Transistor BJT sebagai Switch

Komponen transistor dapat berfungsi sebagai switch, walaupun bukan sebagai switch
ideal. Untuk dapat berfungsi sebagai switch, maka titik kerja transistor harus dapat
berpindah pindah dari daerah saturasi (switch dalam keadaan “on”) ke daerah cut-off
(switch dalam keadaan “off”). Untuk jelasnya lihat gambar di bawah ini.
Gambar 2. 6 BJT sebagai Switch

Dalam percobaan ini perpindahan titik kerja dilakukan dengan mengubah-ubah

prategangan (bias) dari emitter-base.
Penguat BJT
Transistor merupakan komponen dasar untuk sistem penguat. Untuk bekerja sebagai
penguat, transistor harus berada dalam kondisi aktif. Kondisi aktif dihasilkan dengan
memberikan bias pada transistor. Bias dapat dilakukan dengan memberikan arus yang
konstan pada basis atau pada kolektor.
Untuk kemudahan, dalam praktikum ini akan digunakan sumber arus konstan untuk
“memaksa” arus kolektor agar transistor berada pada kondisi aktif. Jika pada kondisi aktif
transistor diberikan sinyal (input) yang kecil, maka akan dihasilkan sinyal keluaran (output)
yang lebih besar. Hasil bagi antara sinyal output dengan sinyal input inilah yang disebut
faktor penguatan, yang sering diberi notasi A atau C.
Ada 3 macam konfigurasi dari rangkaian penguat transistor yaitu : Common-Emitter (CE),
Common-Base (CB), dan Common-Collector (CC). Konfigurasi umum transistor bipolar
penguat ditunjukkan oleh gambar berikut ini.
Gambar 2. 7 Penguat BJT
Untuk membuat penguat CE, CB, dan CC, maka terminal X, Y, dan Z dihubungkan ke sumber
sinyal atau ground tergantung pada konfigurasi yang digunakan.

Konfigurasi Common Emitter

Konfigurasi ini memiliki resistansi input yang sedang, transkonduktansi yang tinggi,
resistansi output yang tinggi dan memiliki penguatan arus (AI) serta penguatan tegangan
(AV) yang tinggi. Secara umum, konfigurasi common emitter digambarkan oleh gambar
rangkaian di bawah ini
Gambar 2. 8 BJT Common Emitter
Untuk menentukan penguatan teoritis-nya, terlebih dahulu akan kita hitung resistansi
input dan outputnya. Resistansi Input (Ri) adalah nilai resistansi yang dilihat dari masukan
sumber tegangan vi. Perhatikan bahwa Rs adalah resistansi dalam dari sumber tegangan.
Sedangkan Resistansi Output (Ro) adalah resistansi yang dilihat dari keluaran.
Jika rangkaian diatas kita modelkan dengan model-π, maka rangkaian dapat menjadi
seperti gambar berikut ini.
Gambar 2. 9 model-π
Dengan model ini, Ri (resistansi input) adalah:

Ri = RB // rπ
Jika RB >> rπ maka resistansi input akan menjadi :
Ri ≈ rπ
Kemudian, untuk menentukan resistansi output konfigurasi CE, kita buat Vs = 0, sehingga
gmvπ = 0, maka:
RO = RC // ro
untuk komponen diskrit yang RC << ro, persamaan tersebut menjadi
RO ≈ RC
Dan untuk faktor penguatan tegangan, Av merupakan perbandingan antara tegangan

keluaran dengan tegangan masukan:
 ( RC // RL // ro )
Av  −
r + RS
Jika terdapat resistor Re yang terhubung ke emitor, maka berlaku:
Ri = RB//rπ(1 + gmRe)
RO ≈ RC
RC // RL
Av  −
re + Re

Konfigurasi Common Base

Konfigurasi ini memiliki resistansi input yang kecil dan menghasilkan arus kolektor yang
hampir sama dengan arus input dengan impedansi yang besar. Konfigurasi ini biasanya
digunakan sebagai buffer. Konfigurasi common base ditunjukkan oleh gambar berikut ini.
Gambar 2. 10 Konfigurasi Common Base
Ri  re
Resistansi input untuk konfigurasi ini adalah:
Resistansi outputnya adalah: 𝑅0 = 𝑅𝑐

𝑅𝑖
Faktor penguatan keseluruhan adalah: 𝐴𝑣 = 𝐺𝑚 (RC//RL)
𝑅𝑖 +𝑅𝑠
dengan, 𝑅𝑠 adalah resistansi sumber sinyal input dan 𝐺𝑚 adalah transkonduktansi.
Konfigurasi Common Collector

Konfigurasi ini memiliki resistansi output yang kecil sehingga baik untuk digunakan pada
beban dengan resistansi yang kecil. Oleh karena itu, konfigurasi ini biasanya digunakan
pada tingkat akhir pada penguat bertingkat. Konfigurasi common collector ditunjukkkan
oleh gambar berikut ini.

Gambar 2. 11 Konfigurasi Common Collector
Pada konfigurasi ini berlaku:
Resistansi input:
( Rs // RB )
Ro = re
Resistansi output:  +1
RL
Av =
RL + Ro
Faktor penguatan:

● Sumber tegangan DC
● Osiloskop
● Function Generator
● Sumber arus konstan
● Multimeter (2 buah)
● Kabel-kabel
● Transistor 2N222
● Resistor
● Kapasitor
● Potensiometer

Langkah Percobaan
Karakteristik Input Transistor IB-VBE
a. Gelombang Segitiga ~1KHz.
b. Amplituda sinyal 0,8V
c. Set Ofsett positif sehingga nilai minimum sinyal berada di titik nol (ground).
2. Susunlah rangkaian berikut ini :
Gambar 2. 12 Rangkaian Karakteristik Input BJT 𝑰𝑩 − 𝑽𝑩𝑬

3. Hubungkan osiloskop :
a. Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik B,
b. Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,
c. Ground osiloskop ke titik A.
4. Gunakan setting osiloskop :
- Skala X pada nilai 0,1V/div dengan kopling AC,
- Skala Y pada nilai 1V/div dengan kopling DC, dan tekan tombol ‘invert’ nya.
- Osiloskop pada mode X-Y.
5. Tempatkan tegangan X minimum pada garis grid paling kiri (nilai VBE = 0).
Tempatkan tegangan Y terkecil (minimum) pada garis grid kedua paling bawah
(nilai IC = 0) . Apabila kurva tampak sebagai dua garis, naik atau turunkan frekuensi
generator sinyal hingga diperoleh kurva yang lebih baik.

6. Gambarkan plot IC (mA) - VBE (Volt) pada jurnal

Catatan : Skala Y osiloskop menunjukkan tegangan pada resistor Rc. Arus kolektor
(Ic) adalah tegangan tersebut dibagi resistansi itu (VY / RC), dengan nilai Rc sekitar
82 Ω.
Karakteristik Output Transistor IC-VCE

7. A. Ubah setting Sinyal Generator sehingga mengeluarkan : (pastikan dengan
a. Gelombang Segitiga ~1KHz.
b. Amplituda sinyal 12Vpp
c. Set Ofsett positif sehingga nilai minimum sinyal berada di titik nol (ground).
8. Susunlah rangkaian seperti pada gambar dibawah ini.
Gambar 2. 13 Rangkaian Karakteristik Input BJT 𝑰𝒄 − 𝑽𝑪𝑬

9. Hubungkan Osiloskop ke rangkaian :
- Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik E,
- Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik A,
- Ground osiloskop ke titik C.
- Skala X pada nilai 1V/div dengan kopling DC,
- Skala Y pada nilai 0,5V/div dengan kopling DC, dan tekan tombol ‘invert’ nya.
- Osiloskop pada mode X-Y.
- Titik nol X (VCE = 0) pada di garis grid ketiga dari kiri, dan titik nol Y (IC = 0) pada garis
grid kedua dari bawah.

11. Apabila kurva tampak sebagai dua garis, naik atau turunkan frekuensi generator sinyal
hingga diperoleh kurva yang lebih baik.
12. Amati kurva arus IC – VCE yang ditunjukkan osiloskop. Gambarkan di jurnal anda.
13. Ubah-ubah nilai IB untuk semua nilai keluaran sumber arus yang tersedia. Sesuaikan
skala Ch-2 untuk mendapatkan pembacaan yang lebih baik. Gambarkan semua kurva
itu pada grafik yang sama..
Pengaruh Bias pada Penguat Transistor

menyambungkannya ke osiloskop)
a. Gelombang Sinusoid ~1KHz.
b. Amplituda sinyal 50 mVpp (tarik tombol amplituda agar didapat nilai yang kecil)
c. Gunakan T konektor pada terminal output.
15. Susunlah rangkaian seperti pada gambar dibawah ini.
A
RC
C 9Vdc
+
B -
Generator +
Sinyal
Sumber E
-
Arus
Gambar 2. 14 Bias pada Penguat BJT

16. Hubungkan Osiloskop ke rangkaian :
- Ch-1 (X) ke Generator Sinyal dengan kabel koaksial konektor BNC-BNC,
- Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,
- Ground osiloskop ke titik E.
- Skala Ch-1 pada nilai 10mV/div dengan kopling AC,
- Skala Ch-2 pada nilai 1V/div dengan kopling AC,
- Osiloskop pada mode waktu dengan skala horizontal 500µS/div.
- Titik nol Ch-1 dan titik nol Ch-2 pada garis tengah layar.

18. Gunakan multimeter digital pada mode Volt-DC untuk mengukur tegangan dari VCE.
19. Set IB pada 25µA (minimum sumber arus).
20. Set RC minimum (sekitar 82 Ω).
21. Baca dan catat tegangan VCE kemudian gambarkan bentuk gelombang tegangan
output VCE yang ditunjukkan osiloskop. Amati adanya distorsi pada bentuk gelombang
output.
22. Dari nilai IB dan VCE yang terbaca, tentukan letak titik kerja kondisi ini pada plot grafik
IC-VCE yang telah dibuat sebelumnya. Dengan memperhatikan titik kerja ini, jelaskan
mengapa distorsi pada langkah-8 terjadi.
23. Ulangi langkah 7-10. Untuk nilai-nilai IB : 200µA dan 400µA.
24. Ubah nilai RC menjadi nilai maksimum-nya (sekitar 5KΩ). Ulangi langkah 8-10 untuk
nilai RC ini.
25. Ubah nilai IB menjadi 150µA. Atur nilai RC sehingga VCE yang terbaca di multimeter
sekitar 5V. Amati dan gambar bentuk tegangan yang terlihat di osiloskop. Dari nilai IB
dan VCE yang terbaca, tentukan letak titik kerja kondisi ini pada plot grafik I C-VCE yang
telah dibuat sebelumnya. Dengan memperhatikan titik kerja ini, jelaskan mengapa
kondisi ini terjadi.
26. Naikkan amplitude input (dari generator sinyal) hingga tampak terjadi distorsi pada
gelombang tegangan output (VCE). Catat besar amplituda input dan gambarkan bentuk
gelombang outputnya.
27. Naikkan lagi amplituda input. Amati apakah amplituda gelombang output masih bisa
membesar, dan catat nilai maksimum amplituda tersebut.

BJT sebagai Switch
Gambar 2. 15 BJT sebagai Switch

28. Susun rangkaian seperti pada gambar berikut ini dengan VCC = 12 Vdc.
29. Posisikan Rvar pada nilai minimum (VBE=0). Catat harga VCE awal.
30. Naikan tegangan di Base (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat
lampu menyala (relay bekerja).
31. Tepat pada saat lampu menyala, catat harga: IB, IC, VBE dan VCE.
32. Naikkan tegangan di Base (dengan memutar Rvar), catat IB dan IC. Tentukan tiga
nilai pengukuran antara saat lampu menyala sampai potensiometer Rvar
maksimum.
33. Kemudian turunkan tegangan catu perlahan-lahan hingga lampu padam kembali.
Catat harga-harga IB, IC, VBE dan VCE yang menyebabkan lampu padam.
34. Ulangi langkah 3 sampai 7 dengan beberapa VCC lain (11, 10, 9 VDC, dll).
35. Gambarkan kurva yang menunjukkan VBE minimum yang menyebabkan Saturasi,
VBE maksimum yang menyebabkan Cut-Off, dan beberapa nilai VCC & VCE yang
berbeda-beda dalam satu grafik
Tegangan Bias dan Parameter Penguat

36. Susun rangkaian seperti gambar di bawah dengan nilai-nilai komponen sebagai
berikut:
Q = 2N2222; RB1 = 150 kΩ; RL = 10 kΩ; RC = 10 kΩ;

RE = 1 kΩ; C1 = C2 = C3 = 10 μF; VCC = 10 V
Gambar 2. 16 Rangkaian Konfigurasi Umum Penguat BJT

37. Pasanglah resistor set pada modul current source untuk
menghasilkan arus Ic yang diinginkan dengan menggunakan formula
67.7mV
Rset =
Ic Asumsi IC = IE
(Catatan: Arus yang dihasilkan harus kurang atau sama dengan 10 mA).
38. Ukurlah IC , IB dan IE dan catat pada tabel di bawah ini. Kemudian dengan nilai
tersebut dan nilai komponen yang digunakan hitung parameter-parameter
transistor serta parameter rangkaian penguat di bawah ini dan tuliskan pada
tabel yang tersedia di jurnal
Common Emitter
A. Faktor Penguatan
39. Hubungkan ujung kaki RE ke pin “input” current source. Lakukan pengecekan
arus Ic tersebut dengan menggunakan amperemeter dan pastikan semua ground
terhubung.
40. Buatlah suatu sinyal sinusoidal kecil dari generator sinyal dengan tegangan Vpp =
10-20 mV dan frekuensi 10 kHz.

Gambar 2. 17 Rangkaian Faktor Penguatan Common Emitter

41. Hubungkan rangkaian di atas dengan sinyal sinusoidal seperti yang ditunjukkan
oleh gambar di bawah ini.
42. Amati dan gambar sinyal di titik X dan Y menggunakan osiloskop.
43. Gunakan mode osiloskop xy untuk mengamati vo/vi, gambar grafik tersebut di
jurnal.
44. Naikkan amplitudo generator sinyal dan amati vo sampai bentuk sinyalnya mulai
terdistorsi. Catatlah tegangan vi pada saat hal tersebut terjadi.
45. Ulangi langkah 8 dan 9 dengan menambahkan resistor pada kaki emitor dengan
kapasitor bypass seperti yang ditunjukkan oleh gambar berikut ini
Gambar 2.18 Rangkaian Faktor Penguatan Common Emitter dengan

Menambahkan Resistor dan Kapasitor pada Kaki Emitter

46. Ulangi langkah 8 dan 9 dengan mengganti nilai RC dan RL menjadi 5k seperti yang
ditunjukkan oleh gambar berikut ini.
Gambar 2.19 Rangkaian Faktor Penguatan Common Emitter dengan Menambahkan

Resistor dan Kapasitor pada Kaki Emitter
B. Resistansi Input
47. Lepaskan hubungan Frekuensi Generator dan Osiloskop dari rangkaian.
48. Atur kembali fungsi generator untuk menghasilkan sinyal sinusoidal sebesar Vpp
= 10 – 20 mV dengan frekuensi 10 kHz seperti yang ditunjukkan oleh gambar di
bawah ini. Rs adalah Resistansi Internal Frekuensi Generator, kita tidak perlu
menambahkan resistor apapun untuk membentuk skema ini.
Gambar 2. 20 Function Generator

Gambar 2. 21 Rangkaian Resistansi Input Common Emitter
49. Dengan tidak merubah nilai-nilai komponen dari rangkaian penguat dan tidak
merubah amplitudo output Generator sinyal, susunlah rangkaian seperti pada
gambar di bawah ini (Re dihubung singkat).
50. Ubah nilai Rvar dan catat nilainya yang membuat tegangan vi menjadi ½ dari
tegangan osiloskop sebelum terpasang pada rangkaian penguat. Maka Ri = Rvar
+ Rs (Rs=50Ω untuk generator fungsi berkonektor koaksial).
51. Ulangi percobaan ini untuk seluruh rangkaian pada percobaan A.
C. Resistansi Output
52. Atur kembali fungsi generator seperti pada langkah 12. Sambungkan dengan
rangkaian pada gambar di bawah ini dan catat hasil bacaan Vo di osiloskop (Re
dihubung singkatkan).

Gambar 2. 1 Rangkaian Resistansi Output Common Emitter

Modul 3
FET
Tujuan
● Mengetahui dan mempelajari karakteristik transistor FET
● Memahami penggunaan FET sebagai penguat untuk konfigurasi Common
Source, Common Gate, dan Common Drain
● Memahami resistansi input dan output untuk ketiga konfigurasi tersebut
● Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai switch
● Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja MOS Field-Effect
Transistor tipe n-MOSS ketika beroperasi sebagai saklar
Transistor FET
Transistor FET adalah transistor yang bekerja berdasarkan efek medan elektrik
yang dihasilkan oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung terminalnya.
Mekanisme kerja transistor ini berbeda dengan transistor BJT. Pada transistor ini,
arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain (analogi dengan kolektor pada BJT),
dilakukan oleh tegangan antara Gate dan Source (analogi dengan Base dan Emiter
pada BJT). Bandingkan dengan arus pada Base yang digunkan untuk menghasilkan
arus kolektor pada transistor BJT.
Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah transistor yang berfungsi sebagai
“konverter” tegangan ke arus.Transistor FET memiliki beberapa keluarga, yaitu
JFET dan MOSFET. Pada praktikum ini akan digunakan transistor MOSFET
walaupun sebenarnya karakteristik umum dari JFET dan MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat digambarkan pada kurva yang
dibagi menjadi dua, yaitu kurva karakteristik ID vs VGS dan kurva karakteristik ID vs
VDS. Kurva karakteristik ID vs VGS diperlihatkan pada gambar berikut. Pada gambar
tersebut terlihat bahwa terdapat VGS minimum yang menyebabkan arus mulai
mengalir. Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold, Vt. Pada MOSFET tipe

depletion, Vt adalah negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt adalah positif.

Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS minimum yang menyebabkan arus
mulai mengalir. Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold, Vt. Pada MOSFET
tipe depletion, Vt adalah negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt adalah positif.
Kurva karakteristik ID vs. VDS ditunjukkan oleh gambar di bawah ini.
Gambar 3.1 Kurva Karakteristik ID vs. VDS
Pada gambar tersebut terdapat beberapa kurva untuk setiap VGS yang berbeda-
beda. Gambar ini digunakan untuk melakukan desain peletakan titik operasi/titik
kerja transistor. Pada gambar ini juga ditunjukkan daerah saturasi dan Trioda
Gambar 3.2 Daerah saturasi dan Trioda

MOSFET sebagai Switch

Selain BJT, MOSFET juga dapat berfungsi sebagai switch. Dibandingkan dengan BJT, sifat
switch dari MOSFET juga lebih unggul karena membutuhkan arus yang sangat kecil untuk
operasinya.
Ada dua tipe MOSFET menurut tegangan kerjanya yaitu n-Channel MOSFET (n-MOS) dan
p-Channel MOSFET (p-MOS). Dimana n-MOS bekerja dengan memberikan tegangan positif
pada gate, dan sebaliknya, p-MOS bekerja dengan memberikan tegangan negatif di gate.
n-MOS berlaku sebagai switch dengan membuatnya bekerja di sekitar daerah saturasinya.
Daerah kerja dari n-MOS dapat dilihat pada gambar berikut ini.
Gambar 3.3 Daerah kerja dari n-MOS
Penguat FET
Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai penguat, maka transistor harus
berada dalam daerah saturasinya. Hal ini dapat dicapai dengan memberikan arus ID
dan tegangan VDS tertentu. Cara yang biasa digunakan dalam mendesain penguat
adalah dengan menggambarkan garis beban pada kurva ID vs VDS. Setelah itu
ditentukan Q point-nya yang akan menentukan ID dan VGS yang harus dihasilkan pada
rangkaian. Setelah Q point dicapai, maka transistor telah dapat digunakan sebagai
penguat, dalam hal ini, sinyal yang diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50 mVp-p
dengan frekuensi 1-10 kHz).
Terdapat 3 konfigurasi penguat pada transistor MOSFET, yaitu
• Common Source

• Common Gate
• Common Drain
Ketiganya memiliki karakteristik yang berbeda-beda dari faktor penguatan, resistansi

input, dan resistansi output. Tabel berikut ini merangkum karakteristik dari ketiga
konfigurasi tersebut.
Tabel 3.1 Karakteristik 3 konfigurasi

• Sumber tegangan DC (2buah)
• Generator Sinyal (1 buah)
• Osiloskop (1 buah)
• Multimeter (3 buah)
• Kit Transistor sebagai switch
• Breadbord (1 buah)
• RG = Potensiometer 1 MΩ (1 buah)
• RD = Potensiometer 10 kΩ (1 buah)
• RS = Potensiometer 1 kΩ (2 buah)
• Resistor 1 MΩ (1 buah)
• Kapasitor 100 uF (3 buah)
• Kabel-kabel
Langkah Percobaan
Memulai Percobaan
1. Sebelum memulai percobaan, isi dan tanda tangani lembar penggunaan meja yang
tertempel pada masing-masing meja praktikum.

Kurva Karakteristik Transistor MOSFET

A. Kurva ID vs. VGS
Gambar 3.4 Kurva ID vs.VGS
2. Buatlah rangkaian seperti gambar di bawah ini.
3. Aturlah tegangan VGS, lalu catat ID yang dihasilkan sesuai dengan tabel berikut ini.
4. Buatlah plot kurva karakteristik ID vs. VGS dalam buku catatan laboratorium anda.
5. Tentukan tegangan threshold, Vt.
B. Kurva ID vs. VDS
6. Buatlah rangkaian seperti pada gambar di bawah ini. Gunakan dua sumber tegangan
DC.
Gambar 3.5 Kurva ID vs.VDS
7. Aturlah tegangan VDS lalu catat ID yang dihasilkan untuk setiap VGS sesuai dengan
tabel berikut ini.
8. Buatlah plot kurva karakteristik ID vs. VDS untuk setiap VGS dalam satu gambar di
buku catatan laboratorium anda.

9. Tentukanlah daerah saturasi, dan daerah triode.
Desain Q-point
10. Pada kurva karakteristik ID vs. VDS, rancanglah Load line (garis beban) dengan
menentukan VDD terlebih dahulu dan menentukan RD. Tempatkanlah titik Q point
pada garis beban tersebut. Berikut ini adalah contoh gambar penempatan Q point pada
kurva karakteristik ID vs VDS.
11. Hitunglah gm dengan terlebih dahulu mencari nilai K berdasarkan formula
12. Tentukan nilai gm dengan melihat kemiringan kurva titik Q point pada kurva
karakteristik ID vs VGS. Bandingkanlah kedua nilai gm yang anda peroleh.
MOSFET sebagai Switch

A. N-MOS
1. Cara Multimeter
13. Buat rangkaian seperti pada gambar berikut ini dengan VDD = 5 Vdc.
Gambar 3.6 N-MOS Dengan Cara Multimeter

14. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Va=0). Catat harga VDS dan ID awal.
15. Naikan tegangan di Gate (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat
ada arus di Drain (ID).

16. Tepat pada saat ada arus di Drain (ID), catat harga: IG, ID, VGS dan VDS
17. Ulangi langkah 11 sampai 13 dengan beberapa VDD lain: 6, 7.5, 9, VDC (jangan
melebihi 12V).
18. Gambarkan kurva hubungan VGS – ID.
2. Cara Osiloskop
19. Buat rangkaian seperti pada gambar berikut ini dengan VDD = 5 VDC.
Vdd
Rd
D +
G
+ Vout
Vin
s
- -
Gambar 3.7 N-MOS Dengan Cara Osiloskop
20. Gunakan generator sinyal sebagai Vin
21. Atur bentuk gelombang fungsi generator segitiga dengan amplitude 0 – 5 V (atur
offset fungsi generator) dan kemudian hubungkan ke osiloskop channel 1.
22. Hubungkan keluaran (Vout) channel 2, gunakan mode xy untuk melihat kurva Vin
– Vout.
23. Amati dan gambar kurva tersebut pada buku log praktikum.
24. Tentukan tegangan Threshold (Vth).
Penguat Common Source

A. Faktor Penguatan

25. Buatlah rangkaian seperti pada gambar di bawah ini.
Gambar 3.8 Common Source – Faktor Penguatan
26. Aturlah VDD, potensiometer RG, RD, dan RS agar transistor berada pada titik
operasi yang diinginkan.
27. Buatlah sinyal input sinusoidal sebesar 50 mVpp dengan frekuensi 10 kHz.
28. Hubungkan sinyal input tersebut ke rangkaian dengan memberikan kapasitor
kopling seperti yang ditunjukkan oleh gambar di bawah ini.
Gambar 3.9 Common Source – Faktor Penguatan

29. Gunakan osiloskop untuk melihat sinyal pada Gate dan Drain transistor.
30. Tentukan penguatannya (Av = Vo/Vi).
31. Naikkan amplitudo generator sinyal dan perhatikan sinyal output ketika sinyal
mulai terdistorsi. Catatlah tegangan input ini.
32. Bandingkan nilai penguatan yang diperoleh dari percobaan ini dengan nilai dari
hasil perhitungan dengan menggunakan tabel karakteristik penguat FET.
B. Resistansi Input
33. Hubungkan rangkaian di atas dengan sebuah resistor variable pada inputnya
seperti pada gambar di bawah ini.
Gambar 3.10 Common Source – Resistansi Input
34. Hubungkan osiloskop pada Gate transistor.
35. Aturlah resistor variable tersebut sampai amplitudo sinyal input menjadi ½ dari
sinyal input tanpa resistor variable.
36. Catatlah nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut terjadi. Jadi, Rin = Rvar.
37. Bandingkan nilai resistansi input yang diperoleh dari percobaan ini dengan nilai
dari hasil perhitungan dengan menggunakan tabel karakteristik penguat FET.

C. Resistansi output
38. Hubungkan rangkaian di atas dengan sebuah resistor variable pada outputnya
seperti pada gambar di bawah ini.
Gambar 3.11 Common Source – Resistansi Output
39. Hubungkan osiloskop pada kapasitor Drain transistor.
40. Aturlah resistor variable tersebut sampai amplitudo sinyal output menjadi ½ dari
sinyal output tanpa resistor variable.
41. Catatlah nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut terjadi. Jadi, Rout = Rvar.
42. Bandingkan nilai resistansi output yang diperoleh dari percobaan ini dengan nilai
dari hasil perhitungan dengan menggunakan tabel karakteristik penguat FET.

Penguat Common Gate

43. Lakukan percobaan Faktor Penguatan, Resistansi input, dan Resistansi Output
seperti pada Common Source, namun dengan konfigurasi rangkaian di bawah ini.
Gambar 3.12 Common Gate
Penguat Common Drain

44. Lakukan percobaan Faktor Penguatan, Resistansi input, dan Resistansi Output
seperti pada Common Source, namun dengan konfigurasi rangkaian di bawah ini.
Gambar 3.12 Common Drain

45. Selesai praktikum rapikan semua kabel dan matikan osiloskop, generator sinyal serta pastikan
juga multimeter analog, multimeter digital ditinggalkan dalam keadaan mati (selector
menunjuk ke pilihan off).
46. Matikan MCB dimeja praktikum sebelum meninggalkan ruangan.
47. Periksa lagi lembar penggunaan meja. Praktikan yang tidak menandatangani lembar
penggunaan meja atau membereskan meja ketika praktikum berakhir akan
mendapatkan potongan nilai sebesar minimal 10.
48. Pastikan asisten telah menandatangani catatan percobaan kali ini pada Buku Catatan
Laboratorium (log book) Anda. Catatan percobaan yang tidak ditandatangani oleh
asisten tidak akan dinilai.

Modul 4
Penguatan Operasional
Tujuan
● Dapat menyusun rangkaian pada breadboard
● Memahami penggunaan operational amplifier
● Dapat menggunakan rangkaian-rangkaian standar operational amplifier

pada komputasi analog sederhana
Pengenalan Op Amp
Operational Amplifier, sering disingkat dengan sebutan Op Amp, merupakan komponen
yang penting dan banyak digunakan dalam rangkaian elektronik berdaya rendah (low
power). Istilah operational merujuk pada kegunaan op amp pada rangkaian elektronik yang
memberikan operasi aritmetik pada tegangan input (atau arus input) yang diberikan pada
rangkaian. Op amp digambarkan secara skematik seperti pada Gambar 6.1.
Gambar 4.1 Op Amp
Gambar di atas menunjukkan dua input, output, dan koneksi catu daya pada op amp.
Simbol ”-” menunjukkan inverting input dan ”+” menunjukkan non-inverting input.
Koneksi ke catu daya pada op amp tidak selalu digambarkan dalam diagram, namun
harus dimasukkan pada rangkaian yang sebenarnya.

IC Op Amp 741
Gambar 4.2 Konfigurasi pin IC Op amp 741
IC op amp yang digunakan pada percobaan ini ditunjukkan pada Gambar 6.2. Rangkaian
op amp ini dikemas dalam bentuk dual in-line package (DIP). DIP memiliki tanda bulatan
atau strip pada salah satu ujungnya untuk menandai arah yang benar dari rangkaian.
Pada bagian atas DIP biasanya tercetak nomor standar IC. Perhatikan bahwa penomoran
pin dilakukan berlawanan arah jarum jam, dimulai dari bagian yang dekat dengan tanda
bulatan/strip.
Pada IC ini terdapat dua pin input, dua pin power supply, satu pin output, satu pin NC
(no connection), dan dua pin offset null. Pin offset null memungkinkan kita untuk
melakukan sedikit pengaturan terhadap arus internal di dalam IC untuk memaksa
tegangan output menjadi nol ketika kedua input bernilai nol. Pada percobaan kali ini kita
tidak akan menggunakan fitur offset null. Perhatikan bahwa tidak terdapat pin ”ground”
pada op amp ini, amp menerima referensi ground dari rangkaian dan komponen
eksternal.
Meskipun pada IC yang digunakan pada eksperimen ini hanya berisi satu buah op amp,
terdapat banyak tipe IC lain yang memiliki dua atau lebih op amp dalam suatu kemasan
DIP. IC op amp memiliki kelakuan yang sangat mirip dengan konsep op amp ideal pada
analisis rangkaian.Bagaimanapun, terdapat batasan-batasan penting yang perlu
diperhatikan. Pertama, tegangan maksimum power supply tidak boleh melebihi rating
maksimum, biasanya
±18V, karena akan merusak IC. Kedua, tegangan output dari IC op amp biasanya satu
atau dua volt lebih kecil dari tegangan power supply. Sebagai contoh, tegangan swing
output dari suatu op amp dengan tegangan supply 15 V adalah ±13V. Ketiga, arus output
dari sebagian besar op amp memiliki batas pada 30mA, yang berarti bahwa resistansi
beban yang ditambahkan pada output op amp harus cukup besar sehingga pada

tegangan output maksimum, arus output yang mengalir tidak melebihi batas arus
maksimum.
Rangkaian Standar Op Amp

Berikut ini merupakan beberapa rangkaian standar op amp.Untuk penurunan
persamaannya dapat merujuk ke buku teks kuliah.Jika ingin mendesain rangkaian
sederhana, pilihlah resistor dalam rangke 1KΩ - 2KΩ.
Vout = Vin
Gambar 4.3 Rangkaian penyangga (voltage follower)
Vout = -(R2 /R1 )Vin
Gambar 4.4 Penguat Inverting
Vout = (1+R2 /R1 )Vin
Gambar 4.5 Penguat Non Inverting

Vout =(R2/R1)(Vin,2 -Vin,1)
Gambar 4.6 Penguat Selisih
Gambar 4.7 Penguat Differentiator
Gambar 4.8 Penguat Integrator
Alat dan Komponen yang digunakan

1. Power Supply DC (2 buah)
2. Generator Sinyal (1 buah)
3. Osiloskop (1 buah)
4. Kabel BNC – probe jepit (2 buah)
5. Kabel BNC – BNC (1 buah)

6. Kabel 4mm – 4mm (max. 5 buah)
7. Kabel 4mm – jepit buaya (max. 5 buah)
8. Multimeter Digital (2 buah)
9. Breadboard (1 buah)
10. Kabel jumper (1 meter)
11. IC Op Amp 741 (7 buah)
12. Kapasitor 1 nF (1 buah)
13. Resistor 1 k (6 buah)
14. Resistor 1,1 k (2 buah)
Langkah Percobaan
Memulai Percobaan
1. Sebelum memulai percobaan, praktikan memberikan kartu praktikum kepada
asisten jaga
1. Rangkaian Penguat Non Inverting
Gambar 4.9 Penguat Non Inverting

1. Perhatikan dan susun rangkaian seperti pada Gambar 4.9

2. Ukur dan catat nilai aktual resistor 1kΩ.
3. Sambungkan VP ke titik A, catat nilai Vin dan Vo.
4. Sambungkan VP ke titik B, catat nilai Vin dan Vo.
5. Sambungkan VP ke titik C, catat nilai Vin dan Vo.
6. Sambungkan VP ke titik D, catat nilai Vin dan Vo.
7. Bagaimana hubungan antara Vout dengan Vin? Catat dan lakukan analisa pada
jurnal.
2. Rangkaian Penguat Inverting
Gambar 4.10 Penguat Inverting

8. Perhatikan dan susun rangkaian seperti pada Gambar 4.10.

9. Ukur dan catat nilai aktual resistor yang digunakan.
10. Sambungkan VP ke titik A, catat nilai Vin dan Vo.
12. Bagaimana hubungan antara Vout dengan Vin? Catat dan Lakukan analisa dan
sampaikan hasilnya dalam Jurnal.
13. Selanjutnya, dengan masih terhubung ketitik B, pasang generator sinyal
sebagai Vin dengan frekuensi 500 Hz. Atur keluaran generator sinyal sehingga
menghasilkan output op-amp (Vout)sebesar 4 Vpp.
14. Catat besar tegangan Vin peak to peak. Pastikan setting osiloskop
menggunakan DC coupling.
15. Bagaimana hubungan antara Vout dengan Vin? Lakukan Lakukan analisa dan
3. Rangkaian Summer (Penjumlah)
Gambar 4.11 Rangkaian percoban penguat penjumlah
24. Modifikasi rangkaian pada Gambar 4.10 dengan menambahkan input lain
(Vin2)dari generator sinyal, seperti pada Gambar 4.1
25. Ukur dan catat nilai aktual resistor yang digunakan.
26. Sambungkan VP ke titik A. Amati dengan menggunakan osiloskop dan catat nilai
Vinserta Vo. Pastikan setting osiloskop menggunakan DC coupling.

28. Bagaimana hubungan antara Vout dengan Vin? Catat dan Lakukan analisa dan
4. Rangkaian Penguat Integrator
Gambar 4.12 Rangkaian percobaan integrator


30. Rangkai Vs dengan sinyal kotak menggunakan generator sinyal pada frekuensi
1kHz 0,5Vpp.
31. Amati gelombang output dengan menggunakan osiloskop. Plot kedua
gelombang input dan output. Apakah hubungan antara gelombang input dan
output? Lakukan analisis dan tulis dalam Jurnal.
32. Ulangi langkah 23 dengan mengubah amplitudo sebesar 0.1Vpp dan
bandingkan hasilnya. Lakukan analisis tentang pengamatan anda!
5. Rangkaian Penguat Differentiator
Gambar 4.13 Rangkaian percobaan Differentiator

34. Rangkai Vs dengan sinyal kotak menggunakan generator sinyal pada frekuensi
1kHz 0,5Vpp.
35. Amati gelombang output dengan menggunakan osiloskop. Plot kedua gelombang
input dan output. Apakah hubungan antara gelombang input dan output? Lakukan
analisis dan tulis dalam Jurnal.
36. Ulangi langkah 27 dengan mengubah amplitudo sebesar 0.1Vpp dan bandingkan
hasilnya. Lakukan analisis tentang pengamatan anda!


Modul Elektronika

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Modul Elektronika

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA 2023

Aturan Laboratorium Elektronika

Adapun peraturan bagi Praktikan Praktikum Laboratorium Elektronika adalah sebagai

Persiapan / Sebelum Praktikum

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 1

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 2

Aturan Laboratorium Elektronika ......................................................................................... 1

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 3

Pengaruh Bias pada Penguat Transistor ...................................................................... 28

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 4

Panduan Umum Keselamatan dan

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 5

Bahaya Api atau Panas berlebih

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 6

Penggunaan Peralatan Praktikum

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 7

● Memahami penggunaan dioda dalam rangkaian penyearah

● Mempelajari pengaruh filter sederhana pada suatu sumber DC

● Memahami penggunaan dioda untuk rangkaian Clipper dan Clamper

● Light Emitting Diode (LED)

● Beberapa kemungkinan penggunaan dioda berdasarkan karakteristiknya

● Penyearah gelombang setengah

● Penyearah gelombang penuh (dengan trafo center tapped)

● Penyearah gelombang penuh tipe jembatan

Dengan menggunakan rangkaian yang kita buat, amati dan pahami:

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 8

● Perbedaan penyearah gelombang setengah dan gelombang penuh

● Pengaruh tegangan cut-in dan bentuk karakteristik dioda pada output

● Beban yang ditanggung trafo untuk masing-masing jenis penyearah

Gambar 1.1. Grafik Karakteristik Tegangan-Arus Dioda

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 9

Rangkaian Clipper dan Clamper

Rangkaian clipper adalah rangkaian yang digunakan untuk membatasi tegangan

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 10

Gambar 1. 2 Rangkaian Clipper dengan Dioda Silikon

Gambar 1. 3 Rangkaian Clipper dengan Dioda Zener

Gambar 1. 4 Rangkain Clamper

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 11

Alat dan Komponen yang Digunakan

Gambar 1. 5 Rangkaian Karakteristik I-V Dioda

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 12

4. Pastikan tengah sinyal secara vertical ada tengah-tengah layar

7. Catat semua pengamatan pada jurnal praktikum.

Penyearah dan Filter

Gambar 1. 6 Rangkaian Penyearah Setengah Gelombang

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 13

9. Amati bentuk gelombang, frekuensi gelombang, dan pengaruh pemasangan C

11. Ulangi langkah 10 dan 11 untuk kondisi berikut ini:

Gambar 1. 1 Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh

14. Lakukan analisis terhadap hasil yang anda peroleh.

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 14

Gambar 1. 8 Rangkaian Clipper

Gunakan nilai komponen-komponen sebagai berikut:

● Dioda D1 dan D2: 1N4001 / 1N4002

● Tegangan DC : 5 Volt dari sumber tegangan DC

Gambar 1. 9 Rangkaian Clipper dengan Dioda Zener

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 15

Gambar 1. 10 Rangkaian Clamper

● Dioda D: 1N4001 / 1N4002

● Kapasitor C: 10 uF, 16-35 V

● Tegangan DC : 5 Volt dari sumber tegangan DC

21. Berilah analisis terhadap hasil yang anda peroleh.

24. Matikan MCB di meja praktikum sebelum meninggalkan ruangan.

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika 2023 16