LAPORAN PRAKTIKUM

DASAR ELEKTRONIKA

Disusun Oleh:
Nama : Wahyu Aditya Permana
NIM : 2019.133.0021

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS MUHAMMADIYAH SURABAYA
2021
 LAPORAN PRAKTIKUM

DASAR ELEKTRONIKA

Disusun Oleh:
Nama : Wahyu Aditya Permana
NIM : 2019.133.0021

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS MUHAMMADIYAH SURABAYA
2021
 LEMBAR PERSETUJUAN

LAPORAN PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

Disusun Oleh:
Nama : Wahyu Aditya Permana
NIM : 2019.133.0021

Telah diperiksa, disetujui, dan disahkan oleh:

Surabaya, Januari 2021
Mengetahui Instruktur
Ketua Lab Elektro

Rudi Irmawanto ST. MT.

 LEMBAR KEGIATAN ASISTENSI

NAMA : Wahyu Aditya Permana

NIM : 2019.133.0021

Percobaa
Tanggal Catatan Asistensi TTD
n
1
2
3
4
5
6
7
8

Surabaya, Januari 2021

Kepala Lab. Elektro

Rudi Irmawanto ST. MT.

 TATA TERTIB

1. Setiap praktikan wajib memiliki buku petunjuk praktikum dengan satu lembar pas
foto ukuran 3x4 cm.
2. Laporan praktikan harus menggunakan tinta warna biru.
3. Praktikan harus berpakaian rapi serta sopan dan bersepatu pada waktu
praktikum.
4. Sebelum mengerjakan praktikum, praktikan wajib mengumpulkan tugas
pendahuluan.
5. Kerusakan alat yang disebabkan oleh kesalahan praktikan, menjadi tanggung
jawab kelompok praktikan.
6. Pada akhir praktikum, praktikan diwajibkan menyusun buku laporan praktikum
yang merupakan kumpulan laporan setiap percobaan.
7. Praktikan wajib mengikuti keseluruhan percobaan.
BUKTI TRANSFER
BUKTI KEIKUTSERTAAN MEETING ZOOM
 DAFTAR ISI

LEMBAR PERSETUJUAN.............................................................................................................. ii
LEMBAR KEGIATAN ASISTENSI................................................................................................... iii
KATA PENGANTAR.................................................................................................................... iv
TATA TERTIB .............................................................................................................................v
DAFTAR ISI ............................................................................................................................... vi
DAFTAR TABEL ..........................................................................................................................x
DAFTAR GAMBAR..................................................................................................................... xi
1 RESISTOR, HUKUM OHM, DAN KIRCHHOFF ..........................................................................1
1.1 Tujuan......................................................................................................................1
1.2 Instrumen yang Digunakan ........................................................................................1
1.3 Teori ........................................................................................................................1
1.3.1 Resistor ..........................................................................................................1
1.3.2 Rangkaian Resistor Seri dan Paralel...................................................................3
1.3.3 Hukum Ohm....................................................................................................4
1.3.4 Hukum Kirchhoff .............................................................................................4
1.4 Tugas Pendahuluan...................................................................................................6
1.5 Langkah Percobaan...................................................................................................6
1.5.1 Percobaan Karakteristik Resistor dan Hukum Ohm ............................................6
1.5.2 Percobaan Rangkaian Seri dan Hukum Kirchhoff Tegangan ................................7
1.5.3 Percobaan Rangkaian Paralel dan Hukum Kirchhoff Arus....................................7
1.6 Data Percobaan ........................................................................................................8
1.6.1 Data Hasil Pengukuran.....................................................................................8
1.6.2 Data Hasil Perhitungan ....................................................................................9
1.7 Analisa Data ........................................................................................................... 10
1.8 Kesimpulan............................................................................................................. 11
2 KARAKTERISTIK DIODA SEMIKONDUKTOR.......................................................................... 12
2.1 Tujuan.................................................................................................................... 12
2.2 Instrumen yang Digunakan ...................................................................................... 12
2.3 Teori ...................................................................................................................... 12
2.3.1 Bahan Semikonduktor.................................................................................... 12
2.3.2 Ikatan Kovalen (Covalent Bonding) dan Bahan Intrinsik…………………………………… 13
 2.3.3 Sambungan PN (PN Junction) ......................................................................... 15
2.3.4 Dioda............................................................................................................ 16

2.3.5 Kurva Karakteristik Dioda............................................................................... 17

2.4 Tugas Pendahuluan................................................................................................. 18
2.5 Prosedur Percobaan................................................................................................ 18
2.6 Data Percobaan ...................................................................................................... 19
2.7 Analisa Data ........................................................................................................... 21
2.8 Kesimpulan............................................................................................................. 22
3 RANGKAIAN DIODA SEBAGAI PENYEARAH.......................................................................... 23
3.1 Tujuan.................................................................................................................... 23
3.2 Instrumen yang Digunakan ...................................................................................... 23
3.3 Teori ...................................................................................................................... 23
3.3.1 Penyearah Setengah Gelombang.................................................................... 23
3.3.2 Penyearah Gelombang Penuh Metode Bridge ................................................. 25
3.4 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Travo CT (Center Tapped) ............................... 26
3.5 Tugas Pendahuluan................................................................................................. 27
3.6 Prosedur Percobaan................................................................................................ 27
3.6.1 Penyearah Setengah Gelombang.................................................................... 27
3.6.2 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Metode Bridge ..................................... 27
3.6.3 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Trafo CT ............................................... 28
3.7 Data Percobaan ...................................................................................................... 28
3.7.1 Percobaan Penyearah Setengah Gelombang ................................................... 28
3.7.2 Percobaan Penyearah Gelombang Penuh Metode Bridge................................. 29
3.7.3 Percobaan Penyearah Gelombang Penuh Dengan Trafo CT .............................. 30
3.8 Analisa ................................................................................................................... 32
3.9 Kesimpulan............................................................................................................. 33
4 RANGKAIAN DIODA CLIPPER DAN CLAMPER....................................................................... 34
4.1 Tujuan.................................................................................................................... 34
4.2 Instrumen yang Digunakan ...................................................................................... 34
4.3 Teori ...................................................................................................................... 34
4.3.1 Clipper.......................................................................................................... 34
4.3.2 Clamper........................................................................................................ 36
4.4 Tugas Pendahuluan................................................................................................. 37
4.5 Prosedur Percobaan................................................................................................ 37
4.5.1 Clipper Seri ................................................................................................... 37
4.5.2 Clipper Parallel .............................................................................................. 37
4.5.3 Clipper Seri Dibias ............................................................................................................ 37
 4.5.4 Clipper Parallel Dibias .................................................................................... 37
4.5.5 Clamper........................................................................................................ 38
4.5.6 Clamper Dibias .............................................................................................. 38
4.6 Data Percobaan ...................................................................................................... 39
4.6.1 Data Rangkaian Clipper Seri ........................................................................... 39
4.6.2 Data Rangkaian Clipper Parallel ...................................................................... 40
4.6.3 Data Clipper Seri Dibias.................................................................................. 41
4.6.4 Clipper Parallel Dibias .................................................................................... 42
4.6.5 Clamper........................................................................................................ 43
4.6.6 Clamper Dibias .............................................................................................. 44
4.7 Analisa ................................................................................................................... 45
4.8 Kesimpulan............................................................................................................. 46
5 KARAKTERISTIK DIODA ZENER DAN REGULASI TEGANGAN .................................................. 47
5.1 Tujuan.................................................................................................................... 47
5.2 Instrumen yang Digunakan ...................................................................................... 47
5.3 Teori ...................................................................................................................... 47
5.3.1 Sumber Tegangan dan Beban Tetap................................................................ 49
5.3.2 Sumber Tegangan Tetap dan Beban Bervariasi ................................................ 51
5.3.3 Sumber Tegangan Bervariasi dan Beban Tetap ................................................ 52
5.4 Tugas Pendahuluan................................................................................................. 52
5.5 Prosedur Percobaan................................................................................................ 52
5.5.1 Karakteristik Dioda Zener............................................................................... 52
5.5.2 Regulasi Tegangan......................................................................................... 53
5.6 Data Percobaan ...................................................................................................... 53
5.7 Analisa ................................................................................................................... 56
5.8 Kesimpulan............................................................................................................. 57
6 Karakteristik LED .............................................................................................................. 58
6.1 Tujuan.................................................................................................................... 58
6.2 Instrumen Yang Digunakan...................................................................................... 58
6.3 Teori ...................................................................................................................... 58
6.4 Tugas Pendahuluan................................................................................................. 60
6.5 Prosedur Percobaan................................................................................................ 60
Data Percobaan ...................................................................................................... 60
Analisa ................................................................................................................... 62
Kesimpulan............................................................................................................. 63
7 KARAKTERISTIK KONFIGURASI KOLEKTOR BERSAMA PADA BJT............................................ 64

7.1 Tujuan …………………………………………….…..…………………………………………………………………… 64

 7.2 Instrumen Yang Digunakan...................................................................................... 64
7.3 Teori ...................................................................................................................... 64
7.3.1 Konstruksi Transistor ..................................................................................... 64
7.3.2 Operasi Transistor ......................................................................................... 65
7.3.3 Konfigurasi Common-Base ............................................................................. 66
7.3.4 Konfigurasi Common-Emitter ......................................................................... 68
7.3.5 Konfigurasi Common-Collector....................................................................... 71
7.4 Tugas Pendahuluan................................................................................................. 72
7.5 Prosedur Percobaan................................................................................................ 72
7.6 Data Percobaan ...................................................................................................... 73
7.7 Ananlisa ................................................................................................................. 74
7.8 Kesimpulan............................................................................................................. 75
8 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR ELEKTRONIK ....................................................................... 76
8.1 Tujuan.................................................................................................................... 76
8.2 Instrumen Yang Digunakan...................................................................................... 76
8.3 Teori ...................................................................................................................... 76
8.3.1 Konfigurasi Prategangan Tetap (Fixed-Bias) ..................................................... 76
8.3.2 Transistor Sebagai Saklar Elektronik................................................................ 77
8.4 Tugas Pendahuluan................................................................................................. 78
8.5 Prosedur Percobaan................................................................................................ 78
8.6 Data Percobaan ...................................................................................................... 79
8.7 Ananlisa ................................................................................................................. 80
8.8 Kesimpulan……………………………………………….……………………………………………………………… 81
 DAFTAR TABEL

Tabel 1.1 Nilai warna pada cincin resistor .................................................................................. 2

Tabel 1.2 Percobaan karakteristik resistor dan hukum Ohm ........................................................ 8
Tabel 1.3 Percobaan rangkaian seri dan hukum Kirchhoff tegangan ............................................ 8
Tabel 1.4 Percobaan rangkaian paralel dan hukum Kirchhoff arus ............................................... 8
Tabel 1.5 Perhitungan percobaan hukum Ohm .......................................................................... 9
Tabel 1.6 Perhitungan percobaan rangkaian seri dan hukum Kirchhoff tegangan ......................... 9
Tabel 1.7 Perhitungan percobaan rangkaian paralel dan hukum Kirchhoff arus ............................ 9
Tabel 2.1 Hasil pengukuran percobaan karakteristik dioda........................................................ 19
Tabel 3.1 Tegangan penyearah setengah gelombang................................................................ 28
Tabel 3.2 Tegangan penyearah gelombang penuh metode bridge ............................................. 30
Tabel 3.3 Tegangan penyearah gelombang penuh dengan trafo CT............................................ 30
Tabel 3.4 Rippel Factor ........................................................................................................... 31
Tabel 5.1 Data pengukuran karakteristik zener ........................................................................ 54
Tabel 5.2 Data regulasi zener pada praktik dan teori dengan RL = 200 Ω ................................................ 55
Tabel 5.3 Data regulasi zener pada praktik dan teori dengan RL = 680 Ω................................................ 55
Tabel 6.1 Light-Emitting Diodes ............................................................................................... 59
Tabel 6.2 Data karakteristik LED saat bias maju ........................................................................ 60
Tabel 7.1 Data percobaan karakteristik kolektor bersama......................................................... 73
Tabel 8.1 Data percobaan transistor sebagai saklar ................................................................... 79

x
 DAFTAR GAMBAR

Gambar 1.1 Urutan cincin warna pada resistor ........................................................................... 1

Gambar 1.2 Resistor 4 cincin warna ........................................................................................... 2
Gambar 1.3 Resistor 5 cincin warna ........................................................................................... 3
Gambar 1.4 Rangkaian resistor secara seri ................................................................................. 3
Gambar 1.5 Rangkaian resistor secara paralel ............................................................................ 3
Gambar 1.6 Diagram hukum Ohm ............................................................................................. 4
Gambar 1.7 Ilustrasi KVL pada single-loop.................................................................................. 4
Gambar 1.8 Ilustrasi penerapan hukum Kirchhoff pada rangkaian paralel .................................... 5
Gambar 1.9 Resistor dan kode warnanya ................................................................................... 6
Gambar 1.10 Rangkaian resistor seri dan paralel ........................................................................ 6
Gambar 1.11 Rangkaian percobaan hukum Ohm........................................................................ 6
Gambar 1.12 Rangkaian resistor secara seri ............................................................................... 7
Gambar 1.13 Percobaan rangkaian paralel ................................................................................. 8
Gambar 2.1 Struktur atom (a) silicon, (b) germanium, dan (c) gallium dan arsenic ...................... 13
Gambar 2.2 Ikatan kovalen pada atom silicon ........................................................................... 14
Gambar 2.3 Ikatan kovalen pada kristal GaAs........................................................................... 14
Gambar 2.4 Pasangan elektron-lubang (electron-hole pair) ....................................................... 15
Gambar 2.5 Material tipe-N dan tipe-P .................................................................................... 16
Gambar 2.6 Distribusi muatan saat sambungan PN tidak terbias ............................................... 16
Gambar 2.7 Simbol dioda ........................................................................................................ 16
Gambar 2.8 (a) aliran arus dapat mengalir. (b) aliran arus tidak dapat mengalir.......................... 17
Gambar 2.9 Pengukuran tegangan pada rangkaian dioda: (a) Forward biased (b) Reverse biased .17
Gambar 2.10 Bertambahnya forward-bias dari (a) ke (b)........................................................... 17
Gambar 2.11 Karakteristik tegangan dan arus pada dioda ......................................................... 18
Gambar 2.12 Percobaan karakteristik dioda saat (a) forward bias (b) reverse bias. ..................... 19
Gambar 2.13 Kurva karakteristik dioda saat forward bias.......................................................... 20
Gambar 2.14 Kurva karakteristik dioda saat reverse bias ........................................................... 20
Gambar 3.1 Rangkaian penyearah setengah gelombang ........................................................... 24
Gambar 3.2 Penyearah gelombang penuh metode bridge ........................................................ 25
Gambar 3.3 Penyearah gelombang penuh dengan trafo CT ....................................................... 26
Gambar 3.4 Kondisi rangkaian saat sinyal input setengah siklus positif ...................................... 26
Gambar 3.5 Kondisi rangkaian saat sinyal input setengah siklus negatif ..................................... 26
Gambar 3.6 Percobaan penyearah setengah gelombang .......................................................... 27
Gambar 3.7 Percobaan penyearah gelombang penuh .............................................................. 28
Gambar 3.8 Percobaan penyearah gelombag penuh dengantrafo CT ........................................ 28
Gambar 3.9 Gelombang tegangan lilitan sekunder trafo ........................................................... 29
Gambar 3.10 Tegangan keluaran penyearah setengah gelombang ............................................ 29
Gambar 3.11 Tegangan keluaran penyearah gelombang penuh metode bridge.......................... 30
Gambar 3.12 Tegangan keluaran penyearah gelombang penuh dengan trafo CT ........................ 31
Gambar 4.1 Clipper seri (a) negatif dan (b) positif ..................................................................... 35
Gambar 4.2 Clipper parallel (a) negatif dan (b) positif ............................................................... 35
Gambar 4.3 Clipper seri dibias (a) negatif dan (b) positif............................................................ 35
Gambar 4.4 Clipper parallel dibias (a) negatif dan (b) positif ...................................................... 36

xi
Gambar 4.5 Clamper (a) positif dan (b) negatif .......................................................................... 36
Gambar 4.6 Clamper dibias (a) positif dan (b) negatif................................................................. 37
Gambar 5.1 Karakteristik kurva V-I dari dioda zener yang umum ................................................ 48
Gambar 5.2 Rangkaian equivalen dioda zener ........................................................................... 48
Gambar 5.3 Regulator menggunakan zener............................................................................... 49
Gambar 5.4 Menentukan kondisi dioda zener ........................................................................... 50
Gambar 5.5 Mensubstitusikan equivalen zener untuk kondisi “on”............................................. 50
Gambar 5.6 Rangakain regulasi dioda zener .............................................................................. 52
Gambar 5.7 Rangkaian percobaan karakteristik zener................................................................ 53
Gambar 5.8 Rangkaian percobaan regulasi zener....................................................................... 53
Gambar 5.9 Kurva kerakteristik dioda zener saat bias mundur.................................................... 55
Gambar 6.1 (a) Proses pembangkitan cahaya pada LED; (b) Simbol skematik............................... 59
Gambar 6.2 Pita konduksi dan valensi pada isolator, semikonduktor, dan konduktor ................... 59
Gambar 6.3 Rangkaian percobaan karakteristik LED................................................................... 60
Gambar 6.4 Kurva karakteristik LED saat bias maju .................................................................... 61
Gambar 7.1 Tipe transistor: (a) pnp; (b) npn .............................................................................. 64
Gambar 7.2 Prategangan pada transistor: (a) bias maju; (b) bias mundur .................................... 65
Gambar 7.3 Aliran arus pembawa mayoritas dan minoritas........................................................ 65
Gambar 7.4 Notasi dan simbol pada common-base: (a) transistor pnp; (b) transistor npn............. 66
Gambar 7.5 Karakteristik input amplifier konfigurasi CB............................................................. 67
Gambar 7.6 Karakteristik outpu amplifier konfigurasi CB............................................................ 67
Gambar 7.7 Arus saturasi mundur ............................................................................................ 68
Gambar 7.8 Notasi dan simbol pada common-emitter: (a) transistor npn; (b) transistor pnp ........ 69
Gambar 7.9 Karakteristik common-emitter: (a) kolektor; (b) basis .............................................. 70
Gambar 7.10 Kondisi rankaian saat saat arus basis samadengan nol ........................................... 70
Gambar 7.11 Notasi dan simbol pada common-collector: (a) transistor pnp; (b)transistor npn..... 72
Gambar 7.12 Percobaan karakteristik kolektor bersama ............................................................ 72
Gambar 7.13 Kurva karakteristik kolektor bersama.................................................................... 73
Gambar 8.1 Inverter transistor ................................................................................................. 78
Gambar 8.2 Rangkaian inverter untuk tugas pendahuluan ......................................................... 78
Gambar 8.3 Percobaan transistor sebagai saklar........................................................................ 79

xii
 1 RESISTOR, HUKUM OHM, DAN KIRCHHOFF

1.1 Tujuan
1) Mampu mengenali bentuk dan jenis resistor.
2) Mampu menghitung nilai resistansi melalui urutan cincin warnanya.
3) Mampu merangkai resistor secara seri maupun paralel.
4) Memahami penggunaan hukum ohm pada rangkaian resistor.
5) Mampu menerapkan hukum Kirchhoff pada rangkaian seri dan parallel.

1.2 Instrumen yang Digunakan

1) Power-supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung

1.3 Teori

1.3.1 Resistor

Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus
yang mengalir dalam suatu rangkaian. Resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan
karbon. Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol Ω
(Omega).Bentuk resistor yang umum adalah seperti tabung dengan dua kaki yang saling
bersebrangan. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk cicin kode warna untuk mengetahui
besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan Ohmmeter. Kode warna tersebut adalah standar
manufaktur oleh EIA (Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan pada Gambar 1.1
dan Tabel 1.1 dibawah.

Gambar 1.1 Urutan cincin warna pada resistor

1
 Besarnya resistor sangat tergantung dengan watt atau daya maksimum yang mampu ditahan
oleh resistor. Umumnya dipasar tersedia ukuran ⅛, ¼, ½, 1, 2, 5, 10, dan 20 watt. Resistor yang
memiliki daya maksimum 5, 10, dan 20 watt umumnya berbentuk balok berwarna putih dan nilai
resistansinya dicetak langsung dibadannya.

Tabel 1.1 Nilai warna pada cincin resistor

Cincin VI
Warna Cincin I Cincin II Cincin III Cincin IV Cincin V
Koefisien
Cincin Angka ke-1 Angka ke-2 Angka ke-3 Pengali Toleransi
Suhu
Hitam 0 0 0 100
Coklat 1 1 1 101 1% 100ppm
Merah 2 2 2 102 2% 50ppm
Jingga 3 3 3 103 15ppm
Kuning 4 4 4 104 25ppm
Hijau 5 5 5 105 0.5%
Biru 6 6 6 106 0.25%
Ungu 7 7 7 107 0.1%
Abu-abu 8 8 8 108
Putih 9 9 9 109
Emas 10-1 5%
Perak 10-2 10%
Tanpa
20%
warna

Contoh 1.1
Berapakah nilai hambatan resistor karbon pada Gambar 1.2.

Gambar 1.2 Resistor 4 cincin warna

Jawaban:
Urutan cincin warna pada resistor diatas adalah coklat, hitam, merah, dan emas.
Coklat Hitam Merah Emas Nilai Hasil
1 0 102 5% 1kΩ 5%

2
Contoh 1.2
Berapakah nilai hambatan resistor metal-film pada Gambar 1.3.

Gambar 1.3 Resistor 5 cincin warna

Jawaban:
Urutan cincin warna pada resistor diatas adalah coklat, hitam, coklat, hitam, dan coklat.
Coklat Hitam Coklat Hitam Coklat Nilai Hasil
1 0 1 100 1% 101Ω 1%

1.3.2 Rangkaian Resistor Seri dan Paralel

Rangkaian resistor secara seri akan mengakibatkan nilai resistansi total semakin besar. Di
bawah ini contoh resistor yang dirangkai secara seri.

Gambar 1.4 Rangkaian resistor secara seri

Pada rangkaian resistor seri seperti pada Gambar 1.4 berlaku rumus:

RTotaS = R1 + R2 + R1 (1.1)

Rangkaian resistor secara paralel akan mengakibatkan nilai resistansi pengganti semakin
kecil. Di bawah ini contoh resistor yang dirangkai secara paralel.

Gambar 1.5 Rangkaian resistor secara paralel

Pada rangkaian resistor paralel berlaku rumus:

1 1 1 1
= + + (1.2)
RTotaS R1 R2 R3

3
1.3.3 Hukum Ohm

Dari hukum Ohm diketahui bahwa tegangan berbanding lurus dengan jumlah arus yang
mengalir melalui resistor tersebut. Jika tegangannya double maka arus yang mengalir juga double,
jika tegangan triple maka arus yang mengalir juga tripe.

Gambar 1.6 Diagram hukum Ohm

V = IR (1.3)

dimana V = beda potensial, Volt

I = arus, Ampere
R = resistansi, Ohm
P = daya, Watt

1.3.4 Hukum Kirchhoff

Hukum Kirchhoff pada rangkaian seri atau sering disebut Kirchhoff’s Voltage Law (KVL)
berbunyi: selisih tegangan sumber dengan jumlah tegangan jatuh pada masing-masing beban
adalah nol. Untuk mengilustrasikan KVL, meninjau rangkaian pada Gambar 1.7. Langkah pertama
adalah membari tanda polaritas tegangan pada masing-masing beban. Maka tegangannya akan
menjadi −v1, +v 2, +v 3, −v4, dan +v 5.

Gambar 1.7 Ilustrasi KVL pada single-loop

4
 Jadi, dengan KVL akan menghasilkan

−v 1 + v 2 + v 3 − v 4 + v 5 = 0 (1.4)

Dimana v1 dan v 4 adalah tegangan sumber, v 2, v3, dan v5 adalah tegangan jatuh pada
beban.

v2 + v3 + v5 = v1 + v4 (1.5)

Pada rangkaian seri, arus yang mengalir pada masing-masing beban sama besarnya dengan
arus pada rangkaian.

i = i1 = i2 + i3 (1.6)

maka

iR2 + iR3 + iR5 = v1 + v4 (1.7)

dan
v 1 + v4
i= (1.8)
R2 + R3 +R5

Sedangkan hukum Kirchhoff pada rangkaian paralel atau sering disebut Kirchhoff’s Current
Law (KCL) berbunyi: jumlah arus yang mengalir menuju satu titik sama dengan jumlah arus yang
keluar dari titik tersebut.

Gambar 1.8 Ilustrasi penerapan hukum Kirchhoff pada rangkaian paralel

(1.9)
I TotaS − I R1 − IR2 − I R3= 0

(1.10)
I TotaS = I R1 + I R2+ I R3

Pada Gambar 1.5, tegangan yang jatuh pada masing-masing beban samadengan tegangan
sumber.

Vc= VR1 = VR2 = VR3 (1.11)

5
1.4 Tugas Pendahul uan

6
1.5 Langkah Percobaan

1.5.1 Percobaan Karakteristik Resistor dan Hukum Ohm

1) Buatlah rangkaian seperti Gambar 1.11 dengan R = ........Ω.

Gambar 1.11 Rangkaian percobaan hukum Ohm

2) Sumber tegangan Vc=............Volt.
3) Catat besar arus yang mengalir.
4) Ulangi percobaan di atas sebanyak tiga kali dengan mengganti nilai tahanan tanpa
merubah tegangan sumber.
5) Ulangi langkah ke-1 sampai ke-4 sebanyak tiga kali dengan merubah tegangan power
supply dan urutan nilai tahannya sama dengan percobaan sebelumnya.
6) Catat hasilnya pada Tabel 1.2.

7
1.5.2 Percobaan Rangkaian Seri dan Hukum Kirchhoff Tegangan

1) Susunlah rangkaian seperti Gambar 1.12 dibawah ini.

Gambar 1.12 Rangkaian resistor secara seri

2) Ukurlah nilai resistansi pada masing-masing resistor.

3) Ukurlah besar nilai resistansi total pada rangkai tersebut (RTotal).
4) Tegangan sumber V S =....... Volt.
5) Ukurlah besar arus yang mengalir pada rangkaian ITotal, V R1 danV R2 .
6) Catat semua hasil pengukuran pada Tabel 1.3.

1.5.3 Percobaan Rangkaian Paralel dan Hukum Kirchhoff Arus

1) Susunlah rangkaian seperti Gambar 1.13.

2) Ukurlah nilai resistansi pada masing-masing resistor .
3) Ukurlah nilai resistansi pengganti (RT) pada rangkaian.
4) Berilah tegangan sebesar V S =....... Volt.
5) Ukurlah besar arus yang mengalir pada rangkaian ITotal, IR1 , dan IR2.
6) Catat semua hasil pengukuran pada Tabel 1.4

8
1.5.1 Data Hasil Pengukuran

9
1.5.2 Data Hasil Perhitungan

10
Lanjutan Data Hasil Perhitungan.

11
1. Lampiran Hasil Percobaan Di Proteus

Hasil pengukuran dengan R = 4,7 kOhm Hasil pengukuran dengan R = 680 Ohm

Hasil pengukuran dengan R = 10 Ohm

12
2. Lampiran Hasil Percobaan Di Proteus

Percobaan Karakteristik Rangkaian Seri dan Hukum Kirchoff Tegangan

Percobaan Karakteristik Rangkaian Paralel dan Hukum Kirchoff Arus

13
1.6 Analisa Data

14
1.7 Kesimpulan

15
 2 KARAKTERISTIK DIODA SEMIKONDUKTOR

2.1 Tujuan
1) Mengetahui komponen elektronika dioda semikonduktor
2) Mengetahui karakteristik dioda semikonduktor

2.2 Instrumen yang Digunakan

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung

2.3 Teori

2.3.1 Bahan Semikonduktor

Setiap komponen elektronika diskrit atau IC (integrated circuit) terbuat dari bahan
semikonduktor sebagai bahan utamanya. Secara umum, bahan semikonduktor terbagi menjadi dua:
kristal tunggal (single-cystal) dan campuran (compound). Semikonduktor single-crystal adalah
germanium (Ge) dan silicon (Si) yang memiliki struktur atom yang sama, sedangkan semikonduktor
campuran seperti gallium arsenide (GaAs), cadmium sulfide (Cds), gallium nitride (GaN), dan gallium
arsenide phosphide (GaAsP) yang kesemua terbuat dari dua atau lebih bahan semikonduktor yang
memiliki struktur atom berbeda. Tiga bahan semikonduktor yang paling sering digunakan untuk
membuat komponen elektronika adalah Ge, Si, dan GaAs.

Pada awal penemuan dioda tahun 1939 dan transistor pada tahun 1947, bahan germanium
digunakan untuk membuat dioda dan transistor, karena germanium sangat mudah didapat dan
sangat banyak jumlahnya. Pada awal mula pembuatan dioda dan transistor dengan bahan
germanium, sangat buruk tingkat kehandalannya terutama karena sangat sensitif terhadap
perubahan suhu. Akhirnya para ilmuan mencoba dengan bahan lain yaitu silicon, dan cukup berhasil
membuat dioda dan transistor yang tidak terlalu sensitif terhadap perubahan suhu, tapi proses
penyulingan untuk membuat silicon dari tingkat yang sangat tinggi kemurniannya masih sangat sulit
dan masih tahap pengembangan. Akhirnya pada tahun 1954, transistor pertama dari bahan silicon
telah dibuat dan silicon dengan cepat menjadi bahan semikonduktor pilihan karena selain tidak
begitu terpengaruh dengan perubahan suhu, bahan silicon juga sangat berlimpah.

Seiring waktu berjalan, komputer dituntut dapat beroperasi pada kecepatan sangat tinggi,
maka bahan semikonduktor harus mampu memenuhi kubutuhan tersebut. Akhirnya pada tahun

16
1970-an transistor dengan bahan GaAs dikembangkan dan transistor baru ini memiliki kecepatan
operasi hingga lima kali lipat dari Si, kerana proses penyulingan kemurnian GaAs masih sangat susah
harganya jauh lebih mahal daripada SI. Hingga sampai sekarang GaAs masih terus dikembangkan
dan digunakan sebagai bahan dasar desain rangkain VLSI (very large scale integrated) dengan
kecepatan tinggi.

2.3.2 Ikatan Kovalen (Covalent Bonding) dan Bahan Intrinsik

Untuk memahami mangapa Si, Ga, dan GaAs dipilih sebagai bahan semikonduktor untuk
industri elektronik memerlukan beberapa pemahaman tentang struktur atom dan bagaimana atom
dapat terikat untuk membentuk struktur kristal. Komponen fundamental dari sebuah atom adalah
elektron, proton, dan neutron. Proton dan neutron membentuk inti atau sering disebut sebagai
nucleus, dan elektron berada pada orbit yang tetap di sekitar inti. Model Bohr untuk tiga bahan
semikonduktor ditunjukkan pada Gambar 2.1.

Gambar 2.1 Struktur atom (a) silicon, (b) germanium, dan (c) gallium dan arsenic
Di dalam fisika atom, model Bohr adalah model atom yang diperkenalkan oleh Niels Bohr
pada tahun 1913. Model ini manggambarkan atom sebagai sebuah inti kecil bermuatan positif yang
dikelilingi oleh elektron yang bergerak dalam orbit sirkular mengelilingi inti, mirip sistem tata surya,
tetapi peran gaya gravitasi digantikan oleh gaya elektrostatik.

Seperti terlihat pada Gambar 2.1, silicon mempunyai 14 elektron, germanium memiliki 32
elektron, gallium memiliki 31 elektron, dan arsenic memiliki 33 elektron. Untuk germanium dan
silicon, mereka memiliki empat elektron di orbit terluar, atau sering disebut sebagai elektron valensi

17
(valence electrons). Gallium memiliki tiga elektron valensi dan arsenic memiliki lima elektron
valensi. Atom yang memiliki empat elektron valensi disebut tetravalent, begitu juga yang memiliki
tiga elektron valensi disebut trivalent, dan yang lima disebut pentavalent. Dalam bidang kimia,
elektron valensi adalah elektron-elektron sebuah atom yang dapat ikut membentuk ikatan kimia
dengan atom lainnya. Elektron-elektron valensi yang terdapat di sebuah atom netral bebas dapat
berikatan dengan elektron-elektron valensi atom lain untuk membentuk ikatan kimia.

Gambar 2.2 Ikatan kovalen pada atom silicon

Pada kristal silicon atau germanium yang masih murni (intrinsik), satu atom memiliki empat
elektron valensi yang membentuk ikatan kovalen dengan empat elektron yang berdekatan, seperti
ditunjukkan pada Gambar 2.2. Iktan kovalen adalah sejenis ikatan kimia yang memiliki karakteristik
berupa pasangan elektron yang saling terbagi (pemakaian bersama elektron) di antara atom-atom
yang berikatan.

Gambar 2.3 Ikatan kovalen pada kristal GaAs

Karena GaAs adalah semikonduktor campuran, antara dua atom yang berbeda akan saling
berbagi elektron, seperti ditunjukkan pada Gambar 2.3. masing-masing atom, gallium atau arsenik,
dikelilingi oleh atom dari jenis lain yang saling melengkapi.

18
 Meskipun ikatan kovalen akan menghasilkan ikatan yang kuat antara elektron valensi dan
induknya atom, masih mungkin bagi elektron valensi untuk menyerap energi kinetik dari luar yang
menyebabkan pecahnya ikatan kovalen dan elektron tersebut dalam kondisi be bas atau disebut
elektron bebas. Semakin besar energi cahaya berupa photon dan energi panas atau radiasi yang
diberikan semakin banyak jumlah elektron bebas yang keluar dari ikatan kovalen, semakin banyak
juga lubang (hole) pada ikatan kovalen, maka akan ada pasangan elektron-lubang (electron-hole
pair) seperti ditunjukkan pada Gambar 2.4, dengan kata lain konduktivitas bahan semakin
meningkat.

Gambar 2.4 Pasangan elektron-lubang (electron-hole pair)

2.3.3 Sambungan PN (PN Junction)

Crystal tipe N tersusun dari elemen semukonduktor (Silicon atau Germanium) yang di-doping
dengan elemen yang memiliki pentavalent (empat elektron pada orbit terluar) yaitu Arsenic (As),
karena hanya empat elektron yang saling berpasangan maka akan ada satu elektron yang bebas.
Sedangkan crystal tipe P terbentuk dari elemen semikonduktor yang di-doping dengan elemen yang
memiliki trivalent (tiga elektron pada orbit terluar) yaitu Boron, Galium, dan Indium sehingga akan
ada satu elektron yang tidak memiliki pasangan, kekurangan/lowongan elektron ini biasa disebut
hole. Elektron bebas dan hole pada crystal yang sudah di-doping sering disebut majority carriers.

Dalam keadaan intrinsik (sebelum di-doping), ada beberapa jumlah elektron yang tidak
berpasangan atau bebas pada Silicon atau Germanium, ini disebabkan adanya kotoran pada elemen
tersebut yang tidak bisa dihilangkan. Sehingga pada tipe-N juga masih memiliki beberapa hole,
begitu juga pada tipe-P terdapat beberapa elektron bebas. Elektron bebas dalam keadaan intrinsik
ini sering disebut sebagai minority carrier.

19
 Gambar 2.5 Material tipe-N dan tipe-P

Menggabungkan material tipe-P dan tipe-N menjadi satu crystal akan menghasilkan sebuah
sambungan PN (PN Junction) pada permukaan kedua tipe material tersebut. Saat kedua material
tersebut disambungkan, elektron bebas pada permukaan sambungan material tipe -N akan
berpindah ke hole pada permukaan material tipe-P sehingga akan membentuk ion positif dan
negatif atau disebut depletion region.

Gambar 2.6 Distribusi muatan saat sambungan PN tidak terbias

2.3.4 Dioda

Fungsi dioda secara umum yaitu komponen elektronik yang hanya mengalirkan arus dalam
satu arah dan menghambat arus dari arah sebaliknya. Jika sebuah dioda diletakkan dalam rangkaian
battery dan lampu seperti pada Gambar 2.8, dioda akan membiarkan atau mencegah arus yang
melalui lampu tergantung pada polaritas tegangan yang diberikan.

Gambar 2.7 Simbol dioda

20
 Gambar 2.8 (a) aliran arus dapat mengalir. (b) aliran arus tidak dapat mengalir.

Untuk melakukan pengukuran besaran beda potensial antara dua kaki (knee voltage) pada
dioda baik pada kondisi bias maju (forward biased) atau bias mundur (reverse biased) dapat
dilakukan sepeti pada Gambar 2.9.

Gambar 2.9 Pengukuran tegangan pada rangkaian dioda: (a) Forward biased (b) Reverse biased

Dioda yang dipakai secara umum, terbuat dari bahan Germanium atau Silikon. Dioda tersebut
mempunyai tegangan kaki (knee voltage) sebesar ±0.7 Volt untuk dioda berbahan Silikon dan ±0.3
Volt untuk dioda Germanium. Pada Gambar 2.10 dibawah, dioda yang digunakan adalah Silikon. Jika
sumber tegangan kurang dari 0.7 Volt maka tidak ada arus yang mengalir. Sebaliknya jika lebih dari
atau sama dengan 0.7 Volt, maka ada arus yang mengalir melalui dioda.

Gambar 2.10 Bertambahnya forward-bias dari (a) ke (b)

2.3.5 Kurva Karakteristik Dioda

Pada Gambar 2.11, menunjukkan tiga macam kurva, yaitu dioda berbahan Germanium (Ga),
Silicon (Si), dan Gallium Arsenide (GaAs). Bagian kiri bawah dari grafik pada gambar tersebut
merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan bias mundur, sedangkan pada bagian kanan
atas dari grafik merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan bias maju.

21
Gambar 2.11 Karakteristik tegangan dan arus pada dioda

22
2.4 Tugas Pendahuluan

23
2.5 Data Percobaan

24
Gambar Kurva Forward Bias dan Reverse Bias

25
2.5.1. Lampiran Data Percobaan 1

26
2.5.2. Lampiran Data Percobaan 2

27
2.6 Analisa Data

28
29
2.7 Kesimpulan

30
 3 RANGKAIAN DIODA SEBAGAI PENYEARAH

3.1 Tujuan
1) Dapat merancang rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.
2) Mengetahui cara karja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang
penuh.

3.2 Instrumen yang Digunakan

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung
5) Osciloscope

3.3 Teori

3.3.1 Penyearah Setengah Gelombang

Sebuah penyearah adalah merupakan rangkaian yang mengkonversikan sinyal ac (bolak-

balik) menjadi sinyal dc (searah). Diode banyak digunakan pada penyearah. Penyearah setengah
gelombang satu fasa adalah merupakan rangkaian penyearah yang paling sederhana sehingga
jarang sekali digunakan pada aplikasi industri. Namun demikian, penyearah ini berguna untuk
memahami prinsip dari opersi penyearah. Diagram rangkaian dengan beban resislif ditunjukkan
pada Gambar 3.1.

Prinsip kerja dari penyearah setengah gelombang adalah pada saat sinyal input bersiklus
positif maka dioda mendapat prategangan maju (forward bias) sehingga arus dapat mengalir ke
beban, dan sebalinya bila sinyal input berupa siklus negatif maka dioda mendapat prategangan
mundur (reverse bias) sehingga arus tidak dapat mengalir.

31
 Gambar 3.1 Rangkaian penyearah setengah gelombang

Ada beberapa jenis rangkaian penyearah, dan kinerjanya dihitung dengan parameter-
parameter sebagai berikut:
Nilai rata-rata tegangan keluaran (beban), VDC
Nilai rata-rata arus keluaran (beban), IDC
Keluaran dc power,
P dc = VdcIdc (3.1)
Nilai rms tegangan keluaran, Vrmc
Nilai rms arus keluaran, Irmc
Keluaran ac power,

Pac =VrmcIrmc (3.2)

Efisiensi (rectification ratio) sebuah penyearah dapat didefinisikan sebagai
P dc
5= (3.3)
P ac

Tegangan keluaran dapat dikatakan merupakan gabungan dua buah komponen: (1) nilai
komponen dc, dan (2) komponen ac atau ripple.
Nilai efektif (rms) dari komponen ac adalah
Vac = JV2 − V2 (3.4)
rmc dc

Faktor bentuk (Form Factor), yang mengukur bentuk tegangan keluaran adalah
Vrmc
FF = (3.5)
V dc
Faktor ripple (Ripple Factor), yang mengukur kandungan ripple adalah
Vac
RF = (3.6)
Vdc

Dengan mensubtitusikan Persamaan (3.4) ke dalam Persamaan (3.6) maka faktor ripple dapat

32
dinyatakan sebagai

33
 Vrmc 2
RF = J ( Vdc ) − 1 = ƒ FF 2 − 1 (3.7)

Untuk tegangan sinusoidal vL(t) = Vm sin mt untuk 0 ≤ t ≤ T⁄2, nilai rms tegangan keluar
adalah
Vm
Vrmc = (3.8)
2

Tegangan rms pada sekunder trafo adalah

Vm
Vrmc = (3.9)
√2

Tegangan keluaran rata-rata dc pada penyearah setengah gelombang adalah

V
V = V = m = 0.318V (3.10)

DC av m
n
3.3.2 Penyearah Gelombang Penuh MetodeBridge

Proses terjadinya output gelombang penuh metode bridge adalah ketika tegangan input
sinusoida (vi ) setengah siklus gelombang positif, maka D2 dan D3 akan konduksi karena mendapat
prategangan maju (forward bias), sedangkan D1 dan D4 tidak konduksi karena mendapat
prategangan mundur (reverse bias), sehingga arus akan mengalir melalui D2, R, dan D3. Pada saat
rangkaian jembatan mendapat bagian negatif dari siklus sinyal ac, maka D1 dan D4 akan konduksi
karena mendapat prategangan maju, sedangkan D2 dan D3 tidak konduksi karena mendapat
prategangan mundur, sehingga arus akan mengalir melalui D1, R, dan D4.

Gambar 3.2 Penyearah gelombang penuh metode bridge

Tegangan rata-rata dc pada penyearah gelombang penuh adalah
V = V = 2Vm = 0.6366V (3.11)

DC av m
n
Nilai rms tegangan kuluaran adalah
Vm
Vrmc = (3.12)
√2

34
3.3.3 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Travo CT (Center Tapped)
Penyearah gelombang penuh yang kedua adalah seperti pada Gambar 3.3 yang hanya
membutuhkan dua dioda tapi membutuhkan trafo CT.

Gambar 3.3 Penyearah gelombang penuh dengan trafo CT

Saat tegangan input sinusoida (vi ) setengah gelombang positif, D1 mendapat prategangan
maju sehingga akan konduksi sedangkan D2 mendapat prategangan mundur sehingga tidak akan
konduksi, maka arus akan mengalir melalui D1 dan R. Tegangan beban R akan memiliki bentuk yang
sama dengan tegangan sinyal input setengah siklus positif.

Gambar 3.4 Kondisi rangkaian saat sinyal input setengah siklus positif
Saat tegangan input sinusoida (v i ) setengah gelombang negatif, D2 mendapat prategangan
maju sehingga akan konduksi sedangkan D1 mendapat prategangan mundur sehingga tidak akan
konduksi, maka arus akan mengalir melalui R dan D2. Tegangan beban R akan memiliki bentuk yang
sama dengan tegangan sinyal input setengah siklus negatif.

Gambar 3.5 Kondisi rangkaian saat sinyal input setengah siklus negatif

35
3.4 Tugas Pendahuluan

36
3.5 Prosedur Percobaan

3.5.1 Penyearah Setengah Gelombang

1) Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 3.6.
2) Ukur tegangan lilitan sekunder trafo (vi ) menggunakan oscilloscope dan catat pada
Tabel 3.1.
3) Ukur tegangan keluaran (v o) menggunakan oscilloscope dan catat pada Tabel 3.1.
4) Simpan gelombang masukan (vi ) dan keluaran (v o) pada oscilloscope.

Gambar 3.6 Percobaan penyearah setengah gelombang

3.5.2 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Metode Bridge

1) Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 3.6.
2) Ukur tegangan lilitan sekunder trafo (vi ) menggunakan oscilloscope dan catat pada
Tabel 3.1..
3) Ukur tegangan keluaran (v o) menggunakan oscilloscope dan catat pada .
4) Simpan gelombang masukan (vi ) dan keluaran (v o) pada oscilloscope.

37
 Gambar 3.7 Percobaan penyearah gelombang penuh
3.5.3 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Trafo CT
1) Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 3.8.
2) Ukur tegangan lilitan sekunder trafo (vi ) menggunakan oscilloscope dan catat pada
Tabel 3.1..
3) Ukur tegangan keluaran (v o) menggunakan oscilloscope dan catat pada Tabel 3.1.
4) Simpan gelombang masukan (vi ) dan keluaran (v o) pada oscilloscope.

Gambar 3.8 Percobaan penyearah gelombag penuh dengan trafo CT

38
3.6 Data Percobaan

39
Percobaan Tegangan Penyearah Setangah Gelombang

40
Percobaan Tegangan Penyearah Gelombang Penuh Metode Bridge

41
Percobaan Tegangan Penyearah Gelombang Penuh Metode Trafo CT

42
Hasil Percobaan Rangkaian Penyearah Setangah Gelombang Pada Proteus

Hasil Percobaan Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh Pada Proteus

43
Hasil Percobaan Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh Metode Brigde Pada Proteus

44
3.7 Analisa

45
46
3.8 Kesimpulan

47
 4 RANGKAIAN DIODA CLIPPER DAN CLAMPER

4.1 Tujuan
1) Memahami hubungan antara sinyal input dengan sinyal output pada rangkaian seri
dan parallel dioda clipper.
2) Memahami tegangan output dari rangkaian clamper positif dan negatif.

4.2 Instrumen yang Digunakan

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung
5) Osiloskop

4.3 Teori

4.3.1 Clipper

Rangkaian dioda pemotong (Clipper) juga dikenal sebagai pembatas tegangan (voltage
limiter). Rangkaian ini berguna untuk membatasi tegangan sinyal input pada suatu level tegangan
tertentu. Rangkaian ini juga berguna untuk pembentukan sinyal dan melindungi rangkaian dari
sinyal-sinyal yang tidak diinginkan.

Berdasarkan level tegangan yang dibatasi terdapat dua jenis rangkaian clipper :
• Positive limiter: pembatas tegangan yang membatasi tegangan sinyal input pada bagian
positifnya.
• Negative limiter: pembatas tegangan yang membatasi tegangan sinyal input pada bagian
negatif-nya.

Berdasarkan susunan rangkaian terdapat dua jenis rangkaian clipper:

• Clipper Seri
Pada rangkaian clipper seri, dioda dirangkai secara seri dengan sumber sinyal input. Arah
kutub dioda menentukan jenis sinyal terpotong.

48
 (a) (b)

Gambar 4.1 Clipper seri (a) negatif dan (b) positif

Contoh kasus pada Gambar 4.1b, saat sinyal input bernilai positif maka dioda akan berada
dalam keadaan bias mundur (reverse bias) sehingga tidak ada arus yang mengalir pada resistor,
akibatnya tidak ada tegangan output. Saat sinyal input negatif, dioda akan dalam keadaan bias
maju (forward bias) sehingga arus dapat mengalir pada resistor dan dihasilkan tegangan output.
Besaran tegangan keluaran (v o) yaitu:
R
vo = vi (4.1)
R +R D

Dimana RD adalah hambatan dioda, saat keadaan bias maju nilai RD sangat kecil sehingga vo =
vi , dengan demikian pada vi negatif tidak ada tegangan yang terpotong.

• Clipper Parallel
Pada rangkaian clipper parallel, dioda dipasang secara parallel dengan sumber sinyal input
(vi ). Pada dasarnya cara kerja clipper parallel sama dengan clipper seri.

(a) (b)

Gambar 4.2 Clipper parallel (a) negatif dan (b) positif

(a) (b)
Gambar 4.3 Clipper seri dibias (a) negatif dan (b) positif

49
• Clipper Seri Dibias
Pada rangkaian clipper seri dibias, dioda dipasang secara seri dengan sumber sinyal input (vi).
Pada dasarnya cara kerja clipper parallel dibias sama dengan clipper seri dibias.
• Clipper Parallel Dibias
Pada rangkaian ini dioda diberi bias dari sumber tegangan (VÆÆ). Besar tegangan yang
terpotong akan tergantung pada tegangan bias yang diberikan. Pada clipper dibias, agar dioda
dapat konduksi, vi harus lebih besar dari VÆÆ. Selama kondisi itu terpenuhi maka dioda berlaku
sebagai saklar tertutup, sehingga vo = VÆÆ. Ketika vi kurang dari VÆÆ dioda berfungsi seperti
saklar terbuka dan rangkaian kembali seperi pembagi tegangan biasa.

(a) (b)

Gambar 4.4 Clipper parallel dibias (a) negatif dan (b) positif

4.3.2 Clamper

Rangkaian clamper adalah rangkaian yang terbuat dari dioda, resistor, dan kapasitor. Fungsi
rangkaian clamper adalah untuk menggeser sinyal sehingga puncak sinyal jatuh pada suatu level
tegangan tertentu tanpa mengubah bentuk sinyal inputnya. Untuk mempermudah analisa,
penggeseran sinyal yang diakibatkan oleh kapasitor dapat digantikan dengan sumber dc (battery).
Pemilihan nilai resistor dan kapasitor pada rangkaian clamper harus dipastikan konstanta waktunya
yang didapat dari persamaan v = RC sengat besar untuk memastikan tegangan kapasitor tidak
berkurang secara signifikan selama dioda tidak konduksi. Dalam rangka untuk tujuan praktik, kita
asumsikan bahwa lama kapasitor untuk mengisi muatan sampai penuh dan discharge adalah lima
kali dari konstanta waktu, jadi 5v ≥T⁄2.

(a) (b)
Gambar 4.5 Clamper (a) positif dan (b) negatif

50
4.4 Tugas Pendahuluan

51
4.5 Prosedur Percobaan

4.5.1 Clipper Seri

1) Buatlah rangkaian clipper seri positif dan negatif seperti pada Gambar 4.1.
2) Beri input tegangan ac 219 Vrmc.
3) Hubungkan oscilloscope dengan output rangkaian.
4) Amati dan simpan gambar dari sinyal tegangan yang diperoleh.

4.5.2 Clipper Parallel

1) Buatlah rangkaian clipper parallel positif dan negatif seperti pada Gambar 4.2.
2) Beri input tegangan ac 219 Vrmc.
3) Hubungkan oscilloscope dengan output rangkaian.
4) Amati dan simpan gambar dari sinyal tegangan yang diperoleh.

4.5.3 Clipper Seri Dibias

1) Buatlah rangkaian clipper seri dibias positif dan negatif seperti pada Gambar 4.3.
2) Beri input tegangan ac 219 Vrmc
3) Hubungkan oscilloscope dengan output rangkaian.
4) Amati dan simpan gambar dari sinyal tegangan yang diperoleh.

4.5.4 Clipper Parallel Dibias

1) Buatlah rangkaian clipper parallel dibias positif dan negatif seperti pada Gambar 4.4.
2) Beri input tegangan ac 219 Vrmc
3) Hubungkan oscilloscope dengan output rangkaian.
4) Amati dan simpan gambar dari sinyal tegangan yang diperoleh.

4.5.5 Clamper
1) Buatlah rangkaian clamper positif dan negatif seperti pada Gambar 4.5.
2) Beri input tegangan ac ....... Vrmc.
3) Hubungkan oscilloscope dengan output rangkaian.
4) Amati dan simpan gambar dari sinyal tegangan yang diperoleh.

4.5.6 Clamper Dibias

1) Buatlah rangkaian clamper dibias positif dan negatif seperti pada Gambar 4.6.
2) Beri input tegangan ac 219 Vrmc
3) Hubungkan oscilloscope dengan output rangkaian.
4) Amati dan simpan gambar dari sinyal tegangan yang diperoleh.

52
4.6 Data Percobaan

Clipper Seri Negatif Clipper Seri Positif

Clipper Seri Dibias Positif Clipper Seri Dibias Negatif

53
Clipper Paralel Positif Clipper Paralel Negatif

Clipper Paralel Dibias Negetif Clipper Paralel Dibias Positif

Clamper Positif

54
 Clamper Negatif

Clamper Dibias Negatif

Clamper Dibias Positif

55
Analisa

56
Kesimpulan

57
 5 KARAKTERISTIK DIODA ZENER DAN REGULASI TEGANGAN

5.1 Tujuan

1) Mengetahui komponen elektronika dioda zener.

2) Mengetahui karakteristik dioda zener.

5.2 Instrumen yang Digunakan

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung

5.3 Teori
Sebagaian besar kegunaan dioda zener adalah untuk regulator tegangan pada catudaya dc.
Dioda zener adalah divais PN junction silicon yang berbeda dengan dioda rectifier, karena dioda
zener beroperasi pada daerah reverse. Pada Gambar 5.1 ditunjukkan kurva k arakteristik dioda
zener. Dari kurva tersebut terlihat bahwa terlihat bahwa, ketika dioda mencapai tegangan
breakdown, maka tegangannya hampir dapat dikatakan konstan, meskipun terjadi perubahan arus
yang besar. Dioda zener didesain untuk beroperasi pada reverse breakdown. Kemampuan untuk
menjaga tegangan konstan pada terminalnya adalah kunci utama dari dioda zener. Nilai minimum
arus reverse (IZK), harus agar dioda tetap pada breakdown untuk dapat menghasilkan regulasi
tegangan. Begitu juga arus maksimumnya (IZM) harus dijaga agar tidak melebihi power dissipasinya,
yang dapat merusakkan dioda.

58
 Gambar 5.1 Karakteristik kurva V-I dari dioda zener yang umum
Pada Gambar 5.2(a) memperlihatkan model ideal dari dioda zener pada reverse breakdown.
Pada keadaan ini tegangan konstan yang diberikan oleh dioda sama dengan tegangan nominalnya.
Pada Gambar 5.2(b) ditunjukkan model pada kenyataannya di lapangan pada dioda zener, dimana
terdapat resistansi zener (RZ). Karena kurva tegangan tidak benar-benar vertikal, maka perubahan
arus zener yang cukup besar akan menghasilkan perubahan kecil pada tegangan zener, sep erti
diilustrasikan pada Gambar 5.2(c). Perbandingan antara perubahan tegangan (∆VZ) dan arus zener
(∆IZ) adalah resistansi zener (RZ).
∆Vz
RZ = (5.1)
∆IZ

Dioda zener beroperasi pada nilai daya tertentu. Besarnya daya maksimum yang
diperbolehkan, dispesifikasikan dengan power dissipasi dc (PDmas ). Sebagai contoh, dioda zener
dengan seri 1N746 mempunyai nilai PDmas = 500 mW dan seri 1N3305A mempunyai nilai PDmas=
50 W. Power dissipasi dc ditentukan dengan persamaan:
(5.3)

P D = VZ× IZ (5.2)
Masing-masing dioda zener mempunyai tegangan nominal (VZ). Sebagai contoh, dioda zener
dengan seri 1N4738 mempunyai nilai tegangan nominal VZ = 8.2 V, dengan toleransi 10%, sehingga
nilai tegangannya 7.38 V sampai dengan 9.02 V. Sedangkan arus dc maksimum untuk dioda zener
(IZM) dapat didekati dengan persamaan:
P Dmas
IZM =
VZ

59
 Dioda zener dapat digunakan untuk meregulasi tegangan dc yang bervariasi. Apabila
tegangan input bervariasi (tentu dengan batasan tertentu), maka dioda zener menjaga tegangan
output pada terminalnya mendekati konstan. Pada rangkaian regulasi zener secara umum terdapat
tiga macam kondisi, yaitu (1) regulasi zener dengan sumber tegangan dan beban tetap, (2) sumber
tegangan tetap dan beban bervariasi, dan (3) sumber tegangan bervariasi dan beban tetap.

5.3.1 Sumber Tegangan dan Beban Tetap

Rangkaian dioda zener sebagai regulator ditunjukkan pada Gambar 5.3. Sumber tegangan dc
dan beban yang digunakan tetap. Untuk menganalisanya dapat dilakukan dengan duatahap.

Gambar 5.3 Regulator menggunakan zener

1. Menentukan keadaan dioda zener (“on” atau “off”) dengan cara menghilangkan dioda zener
pada rangkaian dan menghitung tegangan rangkaian terbuka.

Gambar 5.4 Menentukan kondisi dioda zener

Dengan menghilangkan dioda zener, akan menghasilkan rangkaian seperti pada Gambar 5.4.
Menggunakan aturan pembagi tegangan akan menghasilkan

60
 RLVi
V = VL = R + RL (5.4)

Jika V ≥ VZ, dioda zener dalam keadaan “on”.

Jika V ≤ VZ, dioda zener dalam keadaan “off”.

2. Mensubstitusikan rangkaian equivalen dioda zener dan menyelesaikan yangbelum diketahui.

Untuk rangkaian pada Gambar 5.3, keadaan “on” akan menghasilkan rangkaian equivalen
seperti pada Gambar 5.5. Semenjak VL terhubung secara parallel dengan VZ maka nilai tegangan
harus sama, maka

VL = VZ (5.5)

Gambar 5.5 Mensubstitusikan equivalen zener untuk kondisi “on”

Dengan menggunakan hukum Kirchhoff arus, menghasilkan

IR = IZ + IL (5.6)
dimana
VL
IL = (5.7)
RL
dan
I = VR = Vi − VL (5.8)
R R R

Jika dioda zener dalam keadaan “on”, tegangan dioda tidak V atau VL melainkan VZ volt.

61
5.3.2 Sumber Tegangan Tetap dan Beban Bervariasi
Terlalu kecil nilai resistansi beban RL akan membuat tegangan VL menjadi lebih kecil dari VZ
dan dioda zener akan dalam keadaan “off”. Saat menentukan nilai resistansi beban minimal pada
Gambar 5.3 saat dioda zener dalam keadaan “on”, nilai RL akan menghasilkan tegangan beban sama
dengan tegangan dioda zener (VL = VZ).
RLVi
VL = VZ =
RL + R
Menyelesaikan RL, akan menjadi
RVZ
RLmi n = (5.9)
V −V
i Z
Setiap nilai resistansi beban lebih besar dari RL yang dihitung menggunakan Persamaan (5.9)
akan memastikan dioda zener dalam keadaan “on” dan dioda zener dapat digantikan dengan
sumber tegangan VZ.

Dan maksimal arus pada beban adalah

VL VZ
I Lmi n = = (5.10)
RL R Lmi n
Saat dioda zener keadaan “on”, tegangan R akan selalu tetap pada

VR = Vi − VZ (5.11)
Dan IR juga tetap pada
VR
IR = (5.12)
R
Arus dioda zener adalah

IZ = IR − IL (5.13)
Dari Persamaan (5.13) akan menghasilkan IZ minimum jika IL maksimum, dan IZ maksimum
jika IL minimum, saat IR konstan.

Pada datasheet, IZ dibatasi oleh IZM, ini akan berpengaruh terhadap RL dan IL. Mensubstitusikan
IZM untuk IZ akan menghasilkan IL minimum.

ILmi n = IR − IZM (5.14)

dan maksimum resistansi beban adalah

VZ
RLmax =
I (5.15)
Lmi n

5.3.3 Sumber Tegangan Bervariasi dan Beban Tetap

62
63
64
5.4 Prosedur Percobaan

5.5.1 Karakteristik Dioda Zener

1) Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 5.7.
2) Ukurlah VZ dan IZ mulai dari sumber tegangan dc 0 V, kemudian sumber tegangan dc
dinaikkan secara berlahan dengan step 1 V sampai mencapai 15 V, kemudian tuliskan
datanya pada Tabel 5.1.

Gambar 5.7 Rangkaian percobaan karakteristik zener

5.5.2 Regulasi Tegangan

1) Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 5.8.
2) Ukurlah arus total IR, arus zener IZ, arus beban IL, dan tegangan output VL, kemudian
tuliskan datanya pada Tabel 5.2.
3) Ulangi langkah (1) dengan mengganti nilai resistansi beban RL = 680 Ω.
4) Ukurlah arus total IR, arus zener IZ, arus beban IL, dan tegangan output VL, kemudian
tuliskan datanya pada Tabel 5.3.

Gambar 5.8 Rangkaian percobaan regulasi zener

5.5 Data Percobaan

65
 1) Dari data pada Tabel 5.1, gambarkan kurva karakteristik zener untuk kondisi reverse
bias.
2) Dari gambar kurva karakteristik yang telah dibuat, tentukan tegangan knee VK = ........
volt.
3) Hitungkan secara teori nilai arus total IR, arus zener IZ, arus beban IL pada percobaan
regulasi zener denan resistansi beban RL = 200 Ω, kemudian tuliskan datanya pada Tabel
5.2.
Hitungkan secara teori nilai arus total IR, arus zener IZ, arus beban IL pada percobaan regulasi zener
denan resistansi beban RL = 680 Ω, kemudian tuliskan datanya pada

66
67
68
69
Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Zenner pada Proteus

Dengan sumber tegangan 1 volt

Dengan sumber tegangan 5 volt

Dengan sumber tegangan 15 volt

70
Hasil Percobaan Regulasi Tegangan

Dengan besar RL= 200 ohm

Dengan besar RL= 680 ohm

71
72
73
 6 Karakteristik LED

6.1 Tujuan
1) Mengetahui komponen elektronika LED.
2) Mengetahui karakteristik LED.

6.2 Instrumen Yang Digunakan

5) Power supply
6) Panel percobaan
7) Multimeter
8) Kabel penghubung

6.3 Teori
Sesuai dengan namanya, light emitting diode (LED) adalah salah satu komponen elektronika
yang terbuat dari bahan semikonduktor yang mampu mengeluarkan cahaya baik yang terlihat
maupun yang tidak terlihat (infrared) ketika diberi energi. Strukturnya juga sama dengan dioda,
tetapi pada LED, elektronnya menerjang sambungan PN. Untuk mendapatkan emisi cahaya pada
semikonduktor, doping yang dipakai adalah gallium, arsenik, phosporus. Jenis doping yang berbeda
akan menghasilkan warna cahaya yang berbeda pula. Selain itu, akan menghasilkan berbagai
potensi bias maju yang berbeda, seperti ditunjukkan pada .

Prinsip kerja LED adalah ketika LED diberi bias maju maka LED akan mengalami medan
elektromagnetik sehingga elektron akan rekombinasi dengan hole, rekombinasi ini akan
menghasilkan energi dalam bentuk panas dan sebagian lagi dalam bentuk photon, photon inilah
yang menyebakan LED memancarkan cahaya seperti ditunjukkan pada Gambar 6.1, proses yang
dapat menghasilkan pancaran cahaya ini disebut proses electroluminescence.

74
 Gambar 6.1 (a) Proses pembangkitan cahaya pada LED; (b) Simbol skematik
Tabel 6.1 Light-Emitting Diodes

Pada saat bahan semikonduktor jenis P dan N digabungkan maka elektron bebas dari bahan
tipe N akan akan berdefusi menuju bahan tipe P dan berokombinasi dengan hole pada bahan tipe
P. Karena elektron dari bahan tipe N berdifusi ke bahan tipe P, maka akan ada hole di bahan tipe N.
Proses rekombinasi ini akan mengakibatkan adanya muatan positif dan negatif pada daerah sekitar
sambungan PN, daerah ini yang disebut dengan daerah deplesi ( depletion region). Cahaya yang
dipancarkan oleh dioda ini adalah hasil dari pelepasan energi oleh elektron saat berpindah dari pita
konduksi (conduction band) ke pita valensi (valence band) seperti ditunjukkan pada Gambar 6.2,
dimana 1 eV = 1.6 × 10–19 J.

Gambar 6.2 Pita konduksi dan valensi pada isolator, semikonduktor, dan konduktor

75
6.4 Tugas Pendahuluan

76
77
Hasil Percobaan Karakteristik LED dengan di Rangkai Bias Maju Pada Proteus

78
Hasil Percobaan Karakteristik LED dengan di Rangkai Bias Maju Pada Proteus

79
Analisa

80
Kesimpulan

81
 7 KARAKTERISTIK KONFIGURASI KOLEKTOR BERSAMA PADA BJT

7.1 Tujuan
1) Mengetahui karakteristik Bipolar Junction Transistor (BJT).
2) Mengetahui daerah oparasi BJT.

7.2 Instrumen Yang Digunakan

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung

7.3 Teori
Selama periode 1904-1947, tabung vakum merupakan piranti elektronik yang sedang
berkembang dan diproduksi secara besar-besaran untuk digunakan dalam radio, TV, amplifier, dll.
Setelah itu, transistor pertama diperkenalakan oleh Bell Telephone Laboratories. Piranti ini lebih
kecil, ringan, tidak butuh daya yang besar, dan dapat bekerja pada tegangan operasi yang rendah,
serta beberapa keuntungan lainnya.

7.3.1 Konstruksi Transistor

Transistor merupakan piranti yang terdiri atas tiga lapisan semikonduktor, yaitu dua buah
lapisan semikonduktor tipe P dan sebuah lapisan semikonduktor tipe N, atau dua lapisan
semikonduktor tipe N dan sebuah lapisan semikonduktor tipe P. Jenis pertama dikenal sebagai
transistor tipe pnp, sedangkan yang kedua dikenal dengan transistor tipe npn. Pada saat pembiasan
seperti pada Gambar 7.1 terminal yang terhubung ke bahan semikonduktor tersebut dikenal
dengan E untuk emitor, C untuk kolektor, dan B untuk basis.

(a) (b)
Gambar 7.1 Tipe transistor: (a) pnp; (b) npn

82
7.3.2 Operasi Transistor
Dasar operasi dari transistor akan dijelaskan dengan menggunakan transistor tipe pnp. Pada
Gambar 7.2a transistor pnp diberi bias maju pada terminal emitor-basis tapi pada terminal basis-
kolektor tidak diberi bias. Daerah deplesi mengecil karena dibias maju, sehingga terjadi aliran arus
pembawa (majority carriers) yang besar dari lapisan tipe P ke lapisan tipe N. Jika bias pada emitor-
basis dihilangkan dan dipasang pada basis-kolektor secara mundur (reverse bias) seperti pada
Gambar 7.2b, maka arus pembawa mayoritas akan hilang dan yang ada hanyalah arus pembawa
minoritas (minority carriers) atau disebut leakage current dan dinotasikan dengan ICO.

Gambar 7.2 Prategangan pada transistor: (a) bias maju; (b) bias mundur
Sementara itu, jika kedua tegangan bias dipasang seperti pada Gambar 7.3, maka semua arus
pembawa baik pembawa mayoritas maupun minoritas akan muncul dan melintasi daerah
persambungan (junction) dari transistor.

Gambar 7.3 Aliran arus pembawa mayoritas dan minoritas

Karena lapisan tipe N sangat kecil dan mempunyai konduktivitas rendah, sehingga hanya akan
ada sebagian kecil arus pembawa mayoritas yang keluar melewati terminal basis (kebanyakan dalam
orde mikroamper atau nanoamper). Sebagaian besar arus pembawa mayoritas akan langsung
terdifusi melewati junction yang terbias reverse ke dalam material tipe P yang terhubung ke
terminal kolektor.

Jika transistor pada Gambar 7.3 dianggap sebagai titik, maka dengan hukum Kirchhoff arus
dapat diperoleh

83
 IE = IC + IB (7.1)
Bagaimanapun juga ada sebagian kecil arus pembawa minoritas yang melewati kolektor,
maka total arus kolektor didapat dengan persamaan sebagai berikut

IC= ICmayori tac+ ICOmi nori tac (7.2)

7.3.3 Konfigurasi Common-Base

Pada konfigurasi common-base (CB), basis dari transistor terhubung dengan gound dari input
dan outputnya. Umunya, pada transistor npn, input berada pada emitor, sedangkan outputnya
pada kolektor, untuk lebih jelasnya dapat dilihat pada Gambar 7.4.

(a) (b)
Gambar 7.4 Notasi dan simbol pada common-base: (a) transistor pnp; (b) transistor npn
Karakteristik input yang menggambarkan hubungan antara arus input (IE) dengan tegangan
input (VBE) untuk tegangan output (VCB ) yang bervariasi dapat digambarkan sebagai berikut

84
 Gambar 7.5 Karakteristik input amplifier konfigurasi CB
Sementara karakteristik output yang menjelaskan hubungan antara arus output ( IC) dengan
tegangan output (VCB ) terhadap arus input (IE) yang bervariasi dilihatkan pada Gambar 7.6.
Karakteristik ouput memiliki tiga daerah yang dikenal sebagai daerah kerja, yaitu terlihat pada
Gambar 7.6: daerah aktif, saturasi, dan cutoff.

Pada daerah aktif, sambungan basis-emitor diberi bias maju, dan sambungan kolektor-basis
diberi bias mundur. Pada bagian paling bawah pada daerah aktif, arus emitor ( IE) samadengan nol.
Dan arus kolektor (IC) akan dalam keadaan saturasi mundur (ICO) seperti ditunjukkan pada Gambar
7.7. Arus ICO (mikroamper atau nanoamper) sangat kecil jika dibandingkan dengan arus IC
(miliamper) maka dari itu arus ICO sangat mendekati dengan arus IC = 0. Penulisan notasi arus
kolektor saat arus emitor samadengan nol dapat dituliskan ICO atau ICBO.

Gambar 7.6 Karakteristik outpu amplifier konfigurasi CB

85
 Gambar 7.7 Arus saturasi mundur
Pada Gambar 7.6 dapat diambil persamaan pendekatan dari hubungan antara IC dan IE pada
daerah aktif adalah

IC ≅ IE (7.3)

Pada daerah cutoff, kolektor-basis dan basis-emitor diberi bias mundur, sementara pada
daerah saturasi, kolektor-basis dan basis-emitor diberi bias maju. Jika transistor dalam keadaan
“on”, maka tegangan antara basis dan emitor (VBE) diasumsikan sebagai berikut

VBE ≅0.7 V (7.4)

Alpha (α)

Pada mode dc, IC dan IE mempunyai hubungan yang disebut dengan alpha dan didefinisikan
dengan persamaan sebagai berikut
IC
α dc = (7.5)
IE

Pada kebanyakan divais memilik alpha diantara 0.9 – 0.998. Sejak α telah didefinisikan, maka
Persamaan (7.2) akan menjadi

IC = αIE + ICBO (7.6)

Sedangkan untuk alpha dalam mode ac didefinisikan sebagai berikut
∆IC
αa = | (7.7)
c
∆IE VCB =konctan

7.3.4 Konfigurasi Common-Emitter

Konfigurasi transistor yang paling sering digunakan dalam rangkaian adalah konfigurasi
common-emitter (CE). Pada konfigurasi common-emitter, bagian input berada pada rangkaian
basis-emitor sedangkan output pada rangkaian kolektor-emitor, untuk lebih jelasnya dapat dilihat
pada Gambar 7.8.

86
 Gambar 7.8 Notasi dan simbol pada common-emitter: (a) transistor npn; (b) transistor pnp
Dalam daerah aktif pada konfigurasi common-emitter yang terlihat dalam Gambar 7.9,
sambungan basis-emitor diberi bias maju, sedangkan pada sambungan kolektor-basis diberi bias
mundur. Karakteritik kolektor pada konfigurasi common-emitter yang terlihat pada Gambar 7.9,
saat arus input (IB ) samadengan nol, arus output (IC) tidak samadengan nol. Berbeda dengan
konfigurasi common-base, saat arus masuk (IE) samadengan nol, arus outputnya samadengan arus
saturasi mundur (ICBO) yang hampir mendekati nol.

Perbedaan karakteristik kolektor antara konfigurasi common-base dan common-emitter

dapat dicari dengan menggunakan Persamaan (7.2) dan (7.6). Mensubstitusikan Persamaan (7.2) ke
dalam Persamaan (7.6) akan menjadi seperti berikut

IC = α(IC + IB ) + ICBO
Menyelesaikan IC akan menghasilkan
αIB ICBO
IC = + (7.8)
1−
1−α
α

Untuk amplifier linier (distorsinya kecil), arus kolektor saat cutoff pada konfigurasi common-
emitter akan didefinisikan sebagai berikut: IC = ICEO. Saat arus basis (IB ) samadengan nol, arus
kolektornya (IC = ICEO) adalah
I CBO
ICEO = 1 − α| (7.9)
I B =0

87
 Gambar 7.9 Karakteristik common-emitter: (a) kolektor; (b) basis

Gambar 7.10 Kondisi rankaian saat saat arus basis samadengan nol
Beta (Q)

Dalam mode dc, hubungan antara IB dan IC disebut dengan beta dan dirumuskan dengan
persamaan sebagai berikut
IC
þdc = (7.10)
IB

Sedangkan pada mode ac, persamaannya adalah

∆IC
þac = | (7.11)
∆I B VCE=konctan

Untuk analis, subscript dc atau ac tidak akan dimasukkan ke beta atau alpha. Hubungan
antara beta dan alpha dapat dibuat menggunakan Persamaan (7.1). Menggunakan þ = IC⁄IB akan
mendapatkan IB = IC⁄þ, dan dari α = IC⁄IE akan mendapatkan IE = IC⁄α, mensubtitusikan ke
Persamaan (7.1) akan menghasilkan
IC IC
= IC +
α þ
Kemudian membagi kedua sisi dengan IC akan menghasilkan
1 1
=1+
α þ
88
maka
þ
α= (7.12)
þ+1
atau α
þ= (7.13)
1−α
1
Menggunakan persamaan = þ + 1 dan mensubstitusikan ke Persamaan (7.9) akan
1–α

menghasilkan
ICEO = (þ + 1)ICBO
atau
ICEO ≅ þICBO (7.14)

Menggunakan persamaan IC = þIB dan mensubstitusikan ke Persamaan (7.1) akan

menghasilkan
IE = (þ + 1)IB (7.15)

7.3.5 Konfigurasi Common-Collector

Konfigurasi Common-Collector (CC) atau Kolektor Bersama memiliki sifat dan fungsi yang
berlawan dengan Common-Base (Basis Bersama). Kalau pada Common-Base menghasilkan
penguatan Tegangan tanpa memperkuat Arus, maka Common-Collector ini memiliki fungsi yang
dapat menghasilkan Penguatan Arus namun tidak menghasilkan penguatan Tegangan.

Pada Konfigurasi Common-Collector, Input diumpankan ke Basis Transistor sedangkan

Outputnya diperoleh dari Emitor Transistor sedangkan Kolektor-nya di-ground-kan dan digunakan
bersama untuk INPUT maupun OUTPUT.

Konfigurasi Kolektor bersama (Common Collector) ini sering disebut juga dengan Pengikut
Emitor (Emitter Follower) karena tegangan sinyal Output pada Emitor hampir sama dengan
tegangan Input Basis.

89
 Gambar 7.11 Notasi dan simbol pada common-collector: (a) transistor pnp; (b) transistor npn

7.4 Tugas Pendahuluan

Dengan menggunakan kurva karakteristik pada Gambar 7.9:
1) Tentukan nilai arus kolektor (IC) jika VBE = +750 mV dan VCE = +4 V.
2) Tentukan nilai tegangan kolektor-emitor (VCE) dan tegangan basis-emitor (VBE) jika
IC = 3.5 mA dan IB = 30 μA.

90
7.5 Prosedur Percobaan

91
92
Hasil Pengukuran Vce dan Ic dengan Ib sebesar 10 Microampere

93
Hasil Pengukuran Vce dan Ic dengan Ib sebesar 20 Microampere

94
Hasil Pengukuran Vce dan Ic dengan Ib sebesar 30 Microampere

95
7.6 Ananlisa

96
7.7 Kesimpulan

97
 8 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR ELEKTRONIK

8.1 Tujuan
1) Mengetahui cara menggunakan transistor sebagai saklar elektronik.
2) Mampu merancang rangkaian transistor sebagai saklar elektronik.
3) Mampu menganalisa rangkaian transistor sebagai saklar elektronik.

8.2 Instrumen Yang Digunakan

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung

8.3 Teori
8.3.1 Konfigurasi Prategangan Tetap (Fixed-Bias)
Sebuah rangkaian yang menggunakan transistor harus didesain agar dapat bekerja pada titik
operasi yang diinginkan. Persamaan paling dasar untuk sebuah transistor adalah

VBE ≅0.7 V (8.1)

IE = (þ + 1)IB ≅ IC (8.2)
IC = þIB (8.3)
Rangkaian prategangan tetap seperti pada Gambar 8.1a adalah rangkaian prategangan
transistor yang paling sederhana. Untuk menganalisa rangkaian prategangan tetap dibagi menjadi
dua langkah, yaitu (1) meninjau rangkaian dari sisi basis-emitor, (2) meninjau rangkaian dari sisi
kolektor-emitor. Dengan menggunakan hukum Kirchhoff tegangan pada sisi basis-emitor, dapat
dituliskan persamaannya sebagai berikut

+Vi − VRB − VBE = 0

atau
+Vi − IB RB − VBE = 0

Maka akan didapat persamaan untuk mencari arus basis

Vi − VBE
IB = (8.4)
RB

Dengan menggunakan hukum Kirchhoff tegangan pada sisi kolektor-emitor, dapat dituliskan
persamaannya sebagai berikut

+VCE + VRC − VCC = 0

98
atau
+VCE + ICRC − VCC = 0
dan
VCE = VCC− ICRC (8.5)

8.3.2 Transistor Sebagai Saklar Elektronik

Kegunaan transistor tidak terbatas pada penguatan sinyal saja, transistor dapat juga
digunakan sebagai saklar (switch) untuk komputer dan kontrol berbagai macam aplikasi. Rangkaian
pada Gambar 8.1 dapat dikatakan sebagai inverter pada rangkaian logik di komputer. Sebagai
catatan, tegangan keluaran VC terbalik dengan tegangan masukan atau tegangan basis. Sebagai
tambahan, pada sisi input (terminal basis) diberikan pulse, dan pada sisi output atau kolektor
dihubungkan ke sumber tegangan dc, dan untuk kegunaan pada komputer, magnitude sumber
tegangan dc adalah saat “high”, pada kasus ini besaran “high” adalah 5 V. Nilai resistansi RB harus
dipastikan dapat membuat transistor dalam kondisi “on”.

Agar transistor dapat beroperasi sebagai saklar, maka transistor harus dapat bekerja dari
kondisi cutoff ke saturasi sepanjang garis beban (load line) seperti pada Gambar 8.1b. Untuk tujuan
analisa diasumsikan bahwa IC = ICEO ≅ 0 mA saat IB = 0 mA dan VC = VCEcat ≅ 0 V walaupun
sebenarnya pada praktiknya tegangan kolektor-emitor samadengan 0.1 V sampai 0.3 V, seperti
ditunjukkan pada Gambar 8.1.

Ketika tegangan masukan Vi = 5 V, transistor akan dalam kondisi “on” dan desain rangkaian
harus dipastikan bahwa transistor dalam keadaan saturasi. Dalam Gambar 8.1b, agar transistor
dapat bekerja pada daerah saturasi IB > 50 μA. Arus kolektor pada saat saturasi untuk rangkaian
pada Gambar 8.1a dapat dicari dengan persamaan berikut
VCC
ICcat = (8.6)
RC

Besar arus basis sesaat sebelum saturasi dapat dicari dengan metode pendekatan dengan
persamaan sebagai berikut

≅
IBmax ICcat (8.7)
þdc

Saat transistor bekerja pada daerah saturasi dapat dipastikan jika kondisinya memenuhi
persamaan berikut

I Ccat
I > (8.8)
B þdc

99
Gambar 8.1 Inverter transistor

100
8.4 Tugas Pendahuluan
Tentukan nilai RB dan RC untuk rangkaian inverter transistor pada jika ICcat = 10 mA.

Gambar 8.2 Rangkaian inverter untuk tugas pendahuluan

101
8.5 Prosedur Percobaan

102
Transistor sebagai saklar Elektronik dengan tahanan terpasang 47 ohm

Transistor sebagai saklar Elektronik dengan tahanan terpasang 200 ohm

103
8.6 Ananlisa

104
8.7 Kesimpulan

105