Tugas Metode Penelitian

“Rencana Awal Skripsi”

Kajian Literatur
1. Widodo & Wiranto. (2015)
Penelitian pembuatan divais sensor gas CO dengan teknologi lapisan tipis. Tulisan ini
menjelaskan tahapan proses pembuatan mikrodivais yang akan digunakan sebagai platform
sensor gas karbon monoksida (CO) berbasis herbasis indium timah oksida (ITO). Divais yang
dibuat telah dirancang diatas substrat silikon dengan daerah aktif berukuran 3x3 mm, dan
terdiri dari bonding pad, komponen heater, elektroda, dan sensor temperatur. Lebar jalur
minimum adalah 50 mikron, sesuai dengan kemampuan proses fotolitografi yang digunakan.
Pembentukan struktur mikrodivais dilakukan utamanya menggunakan teknik lift-offlapisan
platina (Pt) yang dilapiskan menggunakan metode DC sputtering dengan lapisan alumunium
(Al) sebagai sacrificial layer, Dimensi chip mikrodivais yang dihasilkan berukuran 5 x 5 mm.
Proses pembuatan mikrodivais ditujukan untuk menghasilkan chip yang fungsional
semaksimal mungkin dalam satu wafer silikon. Walaupun dengan ukuran chip 5x5 mm,
dalam satu wafer dengan diameter 3 inchi dapat memuat maksimal 104 chip. akan tetapi rata-
rata dari keseluruhan wafer silikon yang diproses, prosentase chip yang fungsional hanya
sekitar 30 buah (kurang dari 30 %). Penyebab utama dari rendahnya presentase ini adalah
terjadinya pengotoran pada wafer silikon mulai tahap penyiapan, proses dengan kondisi
lingkungan di laboratorium yang kurang bersih, serta penanganan (handling). Idealnya, untuk
melakukan pembuatan divais seperti ini, dibutuhkan ruangan yang bersih dengan standard
cleanroom kelas 1000 dan memilik prosedur kerja standard yang telah dibakukan. Dalam
Gambar-10 dapat dilihat beberapa chip mikrodivais sensor yang telah selesai diproses.
Dibandingkan dengan hasil penelitian dari peneliti terdahulu yaitu ukuran dimensi lebih besar
2x karena keterbatasan laboratorium kami (PPET-LIPI) yaitu demensi dari masker untuk
lebar jalur dan jarak antar jalur minimal 100 mikron pada penelitian ini, sedang peneliti
terdahulu bisa mencapai 50 mikron.
Dibandingkan dengan literatur" yaitu proses pembuatan divais sensor gas NO dengan
lapisan aktif sensitif In-03 menggunakan Teknologi Lapisan Tebal dengan metode screen
printing, dengan substrat alumina (Al2O3) lebar jalur diatas 100 mikron, sedang dengan
proses menggunakan Teknologi Lapisan Tipis dengan metode deposisi (Sputtering atau
evaporasi) dengan substrat silikon (Si) lebar jalur bisa di bawah 100 mikron sehingga
didapatkan ukuran lebih kecil atau didapatkan miniaturisasi dari ukuran mikrodivais maka
dihasilkan mikrodivais lebih banyak sehingga lebih efisien. Dengan membandingkan dimensi
devais sensor gas NO, dengan teknologi lapisan tebal dengan ukuran: < 10 mm x 25 mm,
sedang dalam penelitian ini dengan teknologi film tipis dengan demensi 5mm x 5 mm
sehingga terjadi miniaturisasi sebesar 10x atau 0,10 lebih kecil ukuran mikrodivaisnya bila
dibandingkan dengan penelitian sebelumnya.
Penelitian pembuatan mikro divais gas CO ini menggunakan teknologi lapisan tipis lebih
efisien jika dibandingkan dengan penelitian sebelumnya yaitu dengan teknologi lapisan tebal
dimensinya bisa 10x lebih kecil sehingga dengan ukuran substrat yang sama bisa dihasilkan
10x mikrodivais lebih banyak.
2. Purwanto, Yunasfi, & Salim (2014)
Penelitian pembuatan lapisan tipis karbon-krom (C-Cr) pada permukaan Si dengan
metode sputtering. Pelapisan C-Cr pada permukaan Si merupakan eletrode dalam bentuk
lapisan tipis. Pengukuran struktur kristal lapisan tipis C-Cr pada permukaan Si dilakukan
dengan difraksi sinar-x, pola difraksi yang nampak yaitu puncak C dan Cr. Ukuran kristalit
dan regangan lapisan tipis C-Cr yaitu 18.40 A dan regangan 17,78 %. Pengukuran sifat listrk
pada pelapisan karbon-krom (C- Cr) dan tanpa pelapisan meliputi konduktansi dan
kapasitansi. Dari hasil pengukuran menunjukkan konduktansi lapisan tipis C-Cr dan
kapasitansi menurun dengan kenaikan frekuensi, begitu juga dalam bentuk pellet C-Cr dan
substrat Si. Hasil analisis permukaan dengan SEM menunjukkan lapisan tipis C- Cr.
Pengujian lapisan tipis ini dilakukan guna mengetahui terbentuknya lapian tipis C-Cr dengan
ditemukannnya unsur C dan Cr pada permukaan substrat Si.
Pengujian lapisan tipis ini dilakukan guna mengetahui apakah telah terbentuknya lapian
tipis C-Cr dengan ditemukannnya unsur C dan Cr dalam lapisan. Dengan menggunakan EDS
maka didapatkan unsur pembentuk lapisan tipis.
Nilai resistansi suatu lapisan tipis C-Cr atau semakin meningkatnya nilai konduktivitas,
maka dikatakan semakin baik hasil deposisi tersebut. Hal ini berdasarkan pada pertimbangan
substrat tempat penumbuhan lapisan tipis tersebut. Substrat yang digunakan adalah silikon
yang mana diketahui bahwa substrat silikon adalah bahan isolator. Jadi apabila diatasnya
ditumbuhkan suatu lapisan tipis, maka penilaian yang ditentukan adalah munculnya suatu
nilai resistansi atau konduktivitas pada permukaan silikon tersebut. Dengan munculnya nilai
resistansi ini maka dapat dikatakan bahwa telah terbentuk suatu lapisan tipis pada permukaan
silikon tersebut.
 Semakin kecil nilai resistansi yang didapatkan berarti bahwa lapisan tipis tersebut
semakin bersifat konduktor yang mana sifat inilah yang menjadi kepastian dalam pembuatan
suatu elemen sensor pada permukaan substrat.
3. Purwanto, Yunasfi, & Salim (2015)
Penelitian pembuatan lapisan tipis Multi-Walled Carbon Nanotub (MWCNT)-Fe pada
permukaan gelas dengan spin coating. Pengukuran struktur kristal campuran serbuk
MWCNT-Fe dilakukan dengan XRD, dimana pola difraksi yang nampak menunjukkan
adanya puncak dari carbon dan Fe saja, tidak ditemukan unsur pengotor lainnya. Pengamatan
morfologi dengan menggunakan SEM menunjukkan permukaan lapisan tipis MWCNT-Fe
yang terbentuk pada permukaan substrat gelas. Pengukuran sifat listrik pada lapisan tipis
MWCNT-Fe selanjutnya dilakukan untuk mengetahui efek perubahan frekuensi ukur
terhadap nilai konduktansi dan kapasitansi. Secara umum nilai konduktansi relatif stabil
terhadap perubahan frekuensi, sedangkan nilai kapasitansi lapisan tipis MWCNT-Fe
mengalami penurunan seiring dengan naiknya frekuensi ukur. Namun seiring dengan
bertambahnya persen (%) berat Fe di dalam lapisan tipis, nilai konduktansi lapisan tipis naik
drastis, dan sebaliknya nilai kapasitansi mengalami penurunan drastis seiring dengan naiknya
frekuensi pengukuran.
Tujuan akhir dari penelitian ini adalah untuk mendapatkan lapisan tipis MWCNT-Fe yang
dapat digunakan untuk sensor. Sebagai salah satu bagian dari pencapaian tujuan akhir
tersebut, melalui penelitian ini telah diselidiki sifat listrik dari lapisan tipis MWCNT-Fe yang
difabrikasi memakai metoda spin coating, yang selanjutnya dapat diketahui potensi
pemanfaatan lapisan tipis ini secara optimal untuk elemen sensor biomedik.
Sensor biomedik adalah berdasarkan sifat konduktivitas dan impedansi dari lapisan tipis,
dengan substratnya adalah gelas atau bahan lain. Pada dasarnya, untuk meningkatkan kinerja
biosensor membutuhkan sinyal bahan transduser yang baik yang berperan penting terhadap
komunikasi antara target biomolekul dan permukaan sensor.
4. Stefani, Paulus, & Eko. (2016)
Penelitian pengaruh pemanasan lapisan tipis TiO2 di atas substrat kaca yang ditumbuhkan
dengan metode spin coating telah dilakukan. Titanium dioksida, dikenal juga sebagai
titanium (IV) oksida atau titania, adalah oksida dari titanium, dengan rumus molekul TiO2.
Mempunyai berat molekul 79,90 g/mol; densitas 4,26 g/cm-3, TiO2 tidak menyerap cahaya
tampak tetapi mampu menyerap radiasi UV sehingga dapat menyebabkan terjadinya radikal
hidroksil pada pigmen sebagai fotokatalis. terhidrat yang selanjutnya dikalsinasi pada 800°C.
Spin coating adalah metode penumbuhan lapisan tipis di atas substrat dengan cara
meneteskan cairan yang kemudian diputar dengan kecepatan tertentu.
Lapisan TiO2 dibuat dengan melapiskan larutan sol gel diatas kaca preparat dengan
metode spin coating. Untuk larutan sol gel TiO2, mencampurkan 1 ml Titanium Tetraclorida
( TiCl4 ) dengan 10 ml etanol, diaduk di atas magnetic stirrer pada suhu kamar selama 1 jam
30 menit dengan laju putaran 1100 rpm. Larutan yang telah tercampur kemudian diteteskan
Etilen Glikol sebanyak 1 ml kemudian diaduk kembali diatas magnetic stirrer pada suhu
kamar selama 6 jam. Kemudian dilakukan pelapisan dengan menggunakan teknik spin
coating, yaitu larutan sol diteteskan dia atas substrat kaca dan diputar selama 90 detik.
Lapisan tipis TiO2 yang telah terbentuk, dikeringkan di atas hot plate dengan suhu 1000C.
Untuk tahap selanjutnya yaitu pemanasan dengan menvariasikan suhu, yaitu mulai dari
300°C, 400°C, 500°C, dan 600°C. Pemanasan dilakukan dengan menggunakan furnance
selama 1 jam.
Pada penelitian ini dibuat lapisan tipis TiO2 dengan menggunakan metode spin coating,
kemudian dikarakterisasi dengan menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) untuk
mengidentifikasi fasa yang terbentuk.
5. Muhlis, Imam Fathoni, S.J. Iswarin, Rahmat Triandi, & Masrur.
Penelitian sintesis PZT dengan tehnik sol-gel dan penumbuhan lapisan tipis PZT dengan
metode spin coating. Lapisan tipis PZT dibuat dengan tehnik sol-gel dengan menggunakan
larutan penyetabil PEG 400 serta ditumbuhkan di atas substrat silikon dengan metode
penumbuhan spin coating. Penggunaan tehnik sol-gel dan metode spin coating diharapkan
mampu menghasilkan lapisan tipis dengan tingkat kehomogenan yang tinggi. Struktur lapisan
tipis dipelajari dengan menggunakan difraksi sinar-x (XRD) untuk mengetahui struktur serta
puncak kristal yang terbentuk.
Hasil dari proses sol-gel memperlihatkan fase larutan dalam bentuk wet gel. Wet gel
terbentuk pada saat proses refluks selama 2 jam setelah ditambahkan larutan PEG 400.
Indikator terbentuknya wet gel yaitu larutan terlihat lebih jernih (transparan) tanpa adanya
endapan yang dapat membuat larutan terlihat tidak homogen. Walaupun koloid-koloid tidak
dapat dilihat secara langsung tanpa alat bantu miroskop, namun dalam fase wet gel
dimungkinkan banyak terdapat koloid-koloid yang saling berikatan antar satu dengan yang
lainnya. Ruang antara koloid diisi oleh beberapa cairan volatile (mudah menguap).
Spin coating dilakukan pada saat fase larutan PZT mendekati fase dry gel dengan harapan
agar larutan dapat terlapisi dengan baik di atas substrat silikon. Berdasarkan hasil penelitian
fase tersebut terbentuk setelah larutan didiamkan pada tempat terbuka (udara bebas) selama 5
jam dari fase wet gel.
Dari hasil XRD, lapisan tipis PZT membentuk orientasi bidang kristal yang
terdistribusi secara acak. Orientasi bidang kristal yang terbentuk terdiri dari (100), (101),
(111), (200), (102), (112), dan (022) yang mengidikasikan polikristal. Orientasi bidang kristal
yang lebih dominan terletak pada bidang (101).

Tema:
Pembuatan Sensor Berbasis Lapisan Tipis Karbon Dengan Menggunakan Spin Coating.
Rumusan Masalah:
1. Bagaimana proses pembuatan sensor dari lapisan tipis-C menggunakan spin coating?
2. Bagaimana metode yang dilakukan dalam pembuatan sensor dari lapisan tipis-C
menggunakan spin coating?
3. Bagaimana sensor yang dihasilkan dari pembuatan lapisan tipis-C menggunakan spin
coating?
 Daftar Pustaka

Widodo, S & Goib, W. 2015. Perancangan dan Pembuatan Divais Sensor Gas CO
Berbasis Indium Timah Oksida (ITO) Dengan Teknologi Lapisan
Tipis. Jurnal JKTI . Vol. 17 No. 1.
Purwanto, P., Yunasfi, & Salim, M. 2014. Fabrikasi Lapisan Tipis C-Cr Pada
Permukaan Si Dengan Menggunakan Metode Sputtering. Jurnal M.P.I
. Vol. 8 No.3.
Purwanto, P., Yunasfi, & Salim, M. 2015. Studi Pendahuluan Pembuatan Lapisan
Tipis MWCNT-Fe Pada Permukaan Gelas Dengan Spin Coating.
Jurnal Sains Materi Indonesia . Vol.17 No.1.
Pataya, S, A., Paulus, L, G. & Eko, J. 2016. Karakterisasi Lapisan Tipis Titanium
Dioksida (TiO2) Yang Ditumbuhkan Dengan Metode Spin Coating
Diatas Substrat Kaca. Hasanuddin University Repository . Vol 3. No 2.
Muhlis,. Imam, F. Iswarin, S,J. Rahmat, T. & Masruroh. 2015. Studi Penumbuhan
Lapisan Tipis PZT dengan Metode Spin Coating. Brawijaya University
Repository . Vol. 10. No. 9.