Proses Fotolitografi #04

Fabrikasi IC monolotik memerlukan proses pengikisan/ pembuangan (etching)

lapisan silikon dioksida secara selektip untuk membuat window sebagai lubang
bukaan tempat dilakukan proses difusi impuriti. Metoda photoetching yang
digunakan untuk pengikisan (pembuangan) lapisan silikon dioksida itu seperti pada
gambar di bawah ini.

Selama proses fotolitografi, wafer dilapisi rata dengan lapisan tipis fotoresist yang
dinamakan photosensitive emulsion (emulsi peka cahaya), misalnya photoresist KPR,
produk dari Kodak. Kemudian membuat layout pola hitam putih yang besar untuk
lubang bukaan yang diinginkan, kemudian diperkecil secara fotografis. Bentuk
negatip, atau stensil, ini dari dimensi yang diinginkan diletakkan sebagai masker di
atas lapisan fotoresist seperti gambar berikut ini.

Photoetching technique: Masking and exposure to ultraviolet radiation

KPR disinari melalui masker dengan sinar ultraviolet, fotoresist dibawah masker yang
tranparan mengalami polimerisasi. Sekarang maskernya disingkirkan, dan kemudian
wafer dicelupkan ke dalam larutan developer berupa cairan kimia (misalnya
trichloroethylene) untuk melarutkan bagian-bagian lapisan tipis fotoresist yang
tidak terkena pencahayaan (unpolymerized) dan diperoleh hasil seperti gambar di
bawah ini.
 The photoresist after development

Lapisan fotoresist yang tidak larut pada larutan developer menjadi fixed (mengeras)
sehingga menjadi resistan pada proses pengikisan berikutnya. Kemudian chip itu
dicelupkan ke dalam larutan etching yang terdiri dari hydrofluoric acid, untuk
mengikis bagian lapisan silikon dioksida untuk tempat-tempat yang akan dilalui difusi
dopant.

Bagian-bagian lapisan silikon dioksida yang terlindungi oleh fotoresist tidak terkikis
oleh hydrofluoric acid. Sesudah proses etching, kemudian lapisan fotoresist harus
dibuang dengan larutan kimia (H2SO4 panas) di dalam peralatan prosesmechanical
abrasion.

Proses fotolitografi di atas tadi dapat digambarkan dengan diagram berikut ini.
 Steps in the photoresist process

Urutan proses fotolitografi dapat dirangkum sebagai berikut.

1. Pada permukaan subtrat dibuat lapisan tipis fotoresist, kemudian diletakkan

masker pola untuk membuat lubang bukaan yang diinginkan, lalu dilakukan
pencahayaan dengan sinar ultraviolet, terjadi perubahan solubilitas
(kelarutan) yang timbul pada pola.
2. Pada fotoresist positip, pencahayaan itu menambah solubilitas, pada
fotoresist negatip, pencahayaan itu mengurangi solubilitas. Sehingga,
menimbulkan pola yang berlainan sesudah dilakukan proses pengembangan
(development).
3. Setelah proses pengembangan, dilanjutkan dengan proses etching
(pengikisan) untuk menimbulkan pola pada substrat, dan diteruskan dengan
pembersihan fotoresist.