2. Pelapisan substrat
Pelapisan substrat dilakukan agar lapisan fotoresis atau
Film dapat menempel dengan sempurna pada permukaan
substrat. Pada beberapa pelapis substrat (disebut juga
promotor adhesi) yang biasanya digunakan adalah bahan
kimia 1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane (HMDS), TCPS
dan xylene untuk substrat silikon, sedangkan
trichlorobenzene untuk substrat GaAs. Pelapisan dapat
dilakukan dengan spray atau spin coating yang dilanjutkan
dengan pemanasan menggunakan hotplate.
Proses Fotolitografi
3. Pelapisan Film
Film adalah lapisan tipis tambahan yang dapat menambah
fungsi produk fotolitografi, seperti misalnya pada pandu
gelombang optik maka film digunakan untuk memandu
jalannya cahaya berdasarkan prinsip pemantulan internal
sempurna. Film juga dapat berupa fotoresis sehingga tidak
perlu 2 kali pelapisan (pelapisan film yang dilanjutkan
pelapisan fotoresis). Pelapisan film dilakukan dengan
berbagai cara seperti sputterring, spin coating, dll.
Proses Fotolitografi
4. Pelapisan fotoresis
Substrat dilapisi fotoresis dengan mekanisme spin
coating. Fotoresis yang berwujud cair diteteskan diatas
substrat dan kemudian substrat diputar hingga diperoleh
lapisan yang seragam. Ketebalan fotoresis biasanya
berkisar pada 0.5 hingga 2.5 um pada kecepatan putar
1200 hingga 4800 rpm selama 30 hingga 60 detik.
Proses Fotolitografi
5. Soft Baking
Soft baking adalah pemanasan setelah proses pelapisan fotoresis.
Tujuannya adalah untuk menguapkan larutan pelapis dan
memadatkan fotoresis setelah spin coating. Proses soft baking
biasanya menggunakan oven pada temperatur 90-100 ºC selama
20 menit atau menggunakan hotplate 75-85 ºC selama 45 detik.
Ketebalan fotoresis akan berkurang 25% selama soft baking baik
untuk resis positif dan resis negatif karena memadat dan
pelarutnya teruapkan. Temperatur dan waktu dalam soft bake
sangat penting, temperatur dan waktu yang melebihi kondisi
optimalnya (over bake) akan menyulitkan proses pembuangan
fotoresis pada saat proses developer. Jika temperatur dan
waktunya kurang dari kondisi optimal (under bake) maka pelarut
fotoresis akan tersisa dan mengganggu proses-proses selanjutnya.
Proses Fotolitografi
6. Pensejajaran masker
Masker harus dibuat paralel dengan substrat dan sumber
sinar fotolitogra. Terdapat 3 metode pensejajaran masker
yakni contact aligner, proximity aligner, dan projection
aligner.
7. Pemberian cahaya/sinar
Sinar yang digunakan dapat berupa sinar UV, X-ray, dll.
Biasanya sinar tersebut memiliki intensitas diatas 100 Watt
sehingga ketika memberikan sinar ke substrat kita dilarang
untuk melihatnya secara langsung.
Proses Fotolitografi
8. Developing
Proses penyinaran akan menyebabkan perubahan kimia
pada fotoresis. Perubahan kimia tersebut menyebabkan
fotoresis dapat dibuang dengan larutan tertentu yang
disebut larutan developer dan prosesnya disebut sebagai
developing. Pada developing, substrat yang telah terlapisi
fotoresis akan dicelupkan kedalam larutan developer.
Kemudian wadah larutan developer tersebut digoyang-
goyang dengan tangan untuk mempercepat proses
pelarutan fotoresis. Pada penggunaan fotoresis positif
maka developer akan melarutkan bagian subsrat yang tidak
tertutupi pola masker sedangkan pada penggunaan
fotoresis negatif maka developer akan melarutkan bagian
susbtrat yang tertutupi pola masker.
Proses Fotolitografi
9. Hard baking
Hard baking adalah proses pemanasan setelah developing.
Tujuannya adalah untuk menstabilkan dan mengkeraskan
fotoresis yang tersisa sebelum langkah selanjutnya. Selain
itu, postbake juga membuang larutan developer yang
menempel di permukaan substrat. Waktu dan temperatur
hard baking juga sangat penting karena jika tidak optimal
maka fotoresisnya dapat terkelupas selama
tahap etching atau area yang sudah ada polanya ikut
terhapus ketika tahap pembuangan fotoresis.
Proses Fotolitografi
10. Etching
Pada proses etching, area pada substrat yang tidak ditutupi oleh
fotoresis akan dikikis dengan kedalaman tertentu. Sedangkan area
yang tertutupi oleh fotoresis tidak mengalami perubahan. Larutan
etching berbeda-beda tergantung jenis lapisan yang hendak
dikikis. Proses etching atau etsa sudah sangat familiar bagi
penggemar elektronika karena tahapan ini adalah tahapan wajib
dalam membuat PCB. Namun pada fotolitografi, tidak hanya
etching basah seperti pembuatan PCB pada umumnya, terdapat
juga etching kering yang disebut plasma etching. Fotoresis hanya
membantu dalam pembentukan pola, sehingga harus dibuang
setelah pola terbentuk. Untuk membuang fotoresis, digunakan
aseton, trichloroethylene (TCE) untuk menghilangkan fotoresis
positif atau methyl ethyl ketone (MEK) dan methyl isobutyl
ketone (MIBK) untuk menghilangkan fotoresis negatif.
Proses Fotolitografi