II.

1 Semikonduktor

II.1.1 Pengertian Semikonduktor (Andi Sitti Rahmah H021191041)

Semikonduktor adalah bahan dengan konduktivitas listrik karena aliran

elektron (sebagai lawan konduktivitas ionik ) yang besarnya antara konduktor dan
isolator. Semikonduktor merupakan bahan dasar pembuatan komponen aktif
elektronika seperti dioda, transistor, dan IC. Silikon dan germanium, yang termasuk
kelompok IV dalam sistem periodik, merupakan semikonduktor yang paling banyak
digunakan sebagai bahan dasar komponen elektronika, karena keduanya banyak
tersedia di alam. Di samping kedua bahan itu, juga digunakan bahan semikonduktor
paduan, di antaranya silikon-karbon, indiumfosfat, serta berbagai senyawa lainnya
(Jorena, 2009)

Berdasarkan struktur pita energi bahan dapat digolongkan menjadi tiga jenis
yaitu isolator, konduktor dan semikonduktor. Isolator adalah penghantar listrik yang
buruk karena memiliki daerah terlarang sangat lebar yaitu sekitar ≈ 6 eV, keberadaan
pita terlarang ini memisahkan daerah pita valensi yang penuh dan yang kosong
sehingga mengakibatkan terhambatnya serapan energi bagi electron (Ariswan, 2017).

Pada suhu 0 K semikonduktor akan bersifat isolator karena pita valensi terisi
penuh dan pita konduksi kosong. Jadi hantaran listrik pada semikonduktor sangat
bergantung pada suhu dibanding hantaran listrik pada konduktor dan isolator
(Ariswan, 2017).

II.1.3 Semikonduktor Intrinsik (Andi Sitti Rahmah H021191041)

Gambar 2.1 Elektron valensi silikon

 Semikonduktor intrinsik yaitu semikonduktor yang masih murni. Kristal
silikon adalah semikonduktor intrinsik jika setiap atom dalam kristal adalah atom
silikon. Silikon memiliki electron valensi sebanyak 4 Pada suhu kamar, kristal silikon
bertindak seperti isolator karena hanya memiliki sedikit elektron bebas dan lubang
yang dihasilkan oleh energi panas (Malvino dan Bates, 2016).

Gambar 2.2 Aliran Hole melalui Semikonduktor

Gambar 2.2 menunjukkan bagian dari kristal silikon antara pelat logam
bermuatan. Asumsikan bahwa energi panas telah menghasilkan elektron bebas dan
hole (lubang). Elektron bebas berada dalam orbit besar di ujung kanan kristal. Karena
pelat bermuatan negatif, elektron bebas ditolak ke kiri. Elektron bebas ini bisa
bergerak dari satu orbit besar ke orbit berikutnya hingga mencapai pelat positif
(Malvino dan Bates, 2016).

Perhatikan lubang di sebelah kiri Gambar 2.2 Lubang ini menarik elektron
valensi di titik A. Hal ini menyebabkan elektron valensi berpindah ke dalam lubang.
Ketika elektron valensi di titik A bergerak ke kiri, ia menciptakan lubang baru di titik
A. Efeknya sama seperti memindahkan lubang asli ke kanan. Lubang baru di titik A
kemudian dapat menarik dan menangkap elektron valensi lain. Dengan cara ini,
elektron valensi dapat bergerak di sepanjang jalur yang ditunjukkan oleh panah. Ini
berarti lubang dapat bergerak ke arah sebaliknya, sepanjang jalur A-B-C-D-E-F,
bertindak sama dengan muatan positif (Malvino dan Bates, 2016).
 Gambar 2.3 Semikonduktor intrinsik

Gambar 2.3 menunjukkan semikonduktor intrinsik. Ia memiliki jumlah

elektron dan lubang bebas yang sama. Ini karena energi panas menghasilkan elektron
bebas dan lubang berpasangan. Tegangan yang diberikan akan memaksa elektron
bebas mengalir ke kiri dan lubang mengalir ke kanan. Ketika elektron bebas tiba di
ujung kiri kristal, mereka memasuki kabel eksternal dan mengalir ke terminal baterai
positif. Di sisi lain, elektron bebas di terminal baterai negatif akan mengalir ke ujung
kanan kristal. Pada titik ini, mereka memasuki kristal dan bergabung kembali dengan
lubang yang berada di ujung kanan kristal. Dengan cara ini, aliran elektron bebas dan
lubang yang stabil terjadi di dalam semikonduktor. Perhatikan bahwa tidak ada aliran
lubang di luar semikonduktor (Malvino dan Bates, 2016).

Pada Gambar 2.3, elektron dan lubang bebas bergerak berlawanan arah.
Mulai sekarang, kita akan memvisualisasikan arus dalam semikonduktor sebagai efek
gabungan dari dua jenis aliran: aliran elektron bebas ke satu arah dan aliran lubang ke
arah lain. Elektron dan lubang bebas sering disebut pembawa karena membawa
muatan dari satu tempat ke tempat lain (Malvino dan Bates, 2016).

II.1.3 Semikonduktor Ekstrinsik (Andi Sitti Rahmah H021191041)

Salah satu cara untuk meningkatkan konduktivitas suatu semikonduktor

adalah dengan doping. Ini berarti menambahkan atom pengotor ke kristal intrinsik
untuk mengubah konduktivitas listriknya. Semikonduktor yang didoping disebut
semikonduktor ekstrinsik. Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan
elektron valensi yang banyak atau untuk meningkatkan konduktivitas semikonduktor.
Karena itu, ada dua jenis semikonduktor yang didoping yaitu semikonduktor tipe-n
dan tipe-p (Malvino dan Bates, 2016).

II.1.3.1 Semikonduktor Tipe-n

Gambar 2.4 Tipe Konduktor Tipe-n

Silikon yang telah didoping dengan pengotor pentavalen disebut

semikonduktor tipe-n, di mana n berarti negatif. Gambar 2.4 menunjukkan
semikonduktor tipe-n. Karena elektron bebas melebihi jumlah lubang pada
semikonduktor tipe-n, elektron bebas disebut pembawa mayoritas dan lubang disebut
pembawa minoritas. Karena tegangan yang diberikan, elektron bebas bergerak ke kiri
dan lubang pindah ke kanan. Ketika sebuah lubang tiba di ujung kanan kristal, salah
satu elektron bebas dari rangkaian luar memasuki semikonduktor dan bergabung
kembali dengan lubang tersebut (Malvino dan Bates, 2016).

II.1.3.1 Semikonduktor Tipe-p

Gambar 2.5 Tipe Konduktor Tipe-p

 Silikon yang telah didoping dengan pengotor trivalen disebut semikonduktor
tipe-p, di mana p berarti positif. Gambar 2.5 menunjukkan semikonduktor tipe-p.
Karena lubang melebihi jumlah elektron bebas, lubang disebut sebagai pembawa
mayoritas dan elektron bebas disebut sebagai pembawa minoritas. Karena tegangan
yang diberikan, elektron bebas bergerak ke kiri dan lubang pindah ke kanan. Pada
Gambar 2-10, lubang yang tiba di ujung kanan kristal akan bergabung kembali
dengan elektron bebas dari sirkuit luar. Ada juga aliran pembawa minoritas pada
Gambar 2-10. Elektron bebas di dalam semikonduktor mengalir dari kanan ke kiri.
Karena ada sedikit sekali pembawa minoritas, mereka hampir tidak berpengaruh di
sirkuit ini (Malvino dan Bates, 2016).

A. Malvino dan D. Bates. Electronic Principles Eight Edition. McGraw-Hill. New

York. 2016.
Ariswan, Fiqry, R., Kuswanto, H., 2017, “Struktur Kristal Dan Komposisi Kimia
Semikonduktor Cd(Se0,6te0,4) Hasil Preparasi dengan Metode Bridgman”, Jurnal
Fisika dan Aplikasinya 2(1), Hal:75-82.

Jorena, 2009, “Menentukan Energi Gap Semikonduktor Silikon Melalui Pengukuran

Resistansi Bahan pada Suhu Beragam”, Jurnal Penelitian Sains, 12(1), Hal:1-3.