TUGAS

SCANNING ELECTRON MICROSCOPE

(SEM)

Mata Kuliah : FTM820120 – KARAKTERISASI MATERIAL

Dosen : Dr. Irza Sukmana

Penyusun :
Purnomo
NPM. 2125021004

Magister Teknik Mesin

Jurusan Teknik Mesin
Fakultas Teknik Universitas Lampung
Bandar Lampung
27 Mei 2022
 Scanning Electron Microscope (SEM)

1. PENDAHULUAN
Scanning Electron Microscope (SEM) adalah jenis mikroskop elektron yang
menghasilkan gambar sampel dengan memindai permukaan dengan sinar elektron yang
terfokus dengan perbesaran hingga skala tertentu. Elektron berinteraksi dengan atom dalam
sampel, menghasilkan berbagai sinyal yang berisi informasi tentang topografi permukaan
dan komposisi sampel.
SEM pertama kali diperkenalkan di Jerman (1935) oleh M. Knoll.Konsep standar
dari SEM modern dibangun oleh von Ardenne pada tahun 1938 yang ditambahkan scan
kumparan ke mikroskop elektron transmisi.Desain SEM dimodifikasi oleh Zworykinpada
tahun 1942 ketika bekerja untuk RCA Laboratories di Amerika Serikat.Desain kembali
direkayasa oleh CW pada tahun 1948 seorang profesor di Universitas Cambridge.Sejak
itu,semakin banyak bermunculan kontribusi signifikan yang mengoptimalkan
perkembangan modern mikroskop elektron.
Dalam SEM berkas elektron keluar dari filamen panas lalu dipercepat pada potensial
tinggi. Akibat percepatan tersebut, akhirnya elekton memiliki energy kinetic. Umumnya
tegangan yang digunakanalah puluhan kilovolt. SEM (Scanning Electron Microscope)
adalah salah satu jenis mikroskop electron yang menggunakan berkas electron untuk
menggambarkan bentuk permukaan dari material yang dianalisis.

2. KOMPONEN UTAMA SEM

SEM memiliki beberapa peralatan utama, antara lain:

1. Penembak elektron (electron gun)

Ada dua jenis atau tipe dari electron gun yaitu :
a) Termal
Pada jenis ini, energi luar yang masuk ke bahan dalam bentuk energi panas. Energi
panas ini diubah menjadi energi kinetik. Semakin besar panas yang diterima bahan
maka akan semakin besar pula kenaikan energi kinetik yang terjadi pada electron. Pada
situasi inilah akan terdapat elektron yang pada ahirnya terlepas keluarmelalui
permukaan bahan. Bahan yang digunakan sebagai sumber elektron disebut sebagai
emiter atau lebih sering disebut katoda. Sedangkan bahan yang menerima elektron
disebut sebagai anoda. Dalam konteks tabung hampa (vacuum tube) anoda lebih sering
disebut sebagai plate. Dalam proses emisi termal dikenal dua macam jenis katoda yaitu:
a) Katoda panas langsung (Direct Heated Cathode, disingkat DHC)
b) Katoda panas tak langsung (Indirect Heated Cathode, disingkat IHC)
Pada katoda jenis ini katoda selain sebagai sumber elektron juga dialiri oleh arus
heater (pemanas).Material yang digunakan untuk membuat katoda diantaranya adalah
:Tungsten Filamen. Material ini adalah material yang pertama kali digunakan orang
untuk membuat katode. Tungsten memiliki dua kelebihan untuk digunakan sebagai
katoda yaitu memiliki ketahanan mekanik dan juga titik lebur yang tinggi (sekitar
3400oC), sehingga tungsten banyak digunakan untuk aplikasi khas yaitu tabung XRay
yang bekerja pada tegangan sekitar 5000V dan suhu tinggi. Akan tetapi untuk aplikasi
yang umum terutama untuk aplikasi Tabung Audio dimana tegangan kerja dan
temperature tidak terlalu tinggi maka tungsten bukan material yang ideal,hal ini
disebabkan karena tungsten memilik fungsi kerja yang tinggi (4,52eV) dan juga
temperature kerja optimal yang cukup tinggi (sekitar 2200oC).

b) Field emission
Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari bahan
ialahadanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. Pada katoda
yangdigunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup
besarsehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron
menyebabkanelektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan
katoda.Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum
tubeselain emisi thermionic.
Jenis katoda yang digunakan diantaranya adalah :
- Cold Field Emission
- Schottky Field Emission Gun
 Gambar 1. Komponen dalam SEM

2. Lensa Magnetik
Lensa magnetik yang digunakan yaitu dua buah condenser lens. Condenser lens
kedua (atau biasa disebut dengan lensa objektif) memfokuskan electron dengan diameter
yang sangat kecil, yaitu sekitar 10-20 nm.
Lensa probe elektromagnetik dari Scanning Electron Microscope (SEM) berguna
dalam banyak hal: sebagai lensa objektif mikroskop elektron transmisi terbalik. Gambar
'diperkecil' sumber elektron difokuskan ke permukaan spesimen, menggantikan gambar
yang diperbesar spesimen yang difokuskan ke bidang gambar oleh mikroskop elektron
transmisi lensa objektif. Namun, ada beberapa perbedaan utama dalam desain lensa probe.
Yang paling penting, karena objek tiga dimensi sering dipelajari dalam pemindaian electron
mikroskop, lensa probe harus memiliki 'jarak kerja' yang cukup besar. Jarak kerja adalah
parameter penting dalam pengoperasian lensa probe dan dapat bervariasi dari 1 atau 2mm
hingga 50mm atau lebih

3. Detektor
SEM memiliki beberapa detektor yang berfungsi untuk menangkap hamburan
elektron dan memberikan informasi yang berbeda-beda. Detektor-detektor tersebut antara
lain:
 Backscatter detector, yang berfungsi untuk menangkap informasi mengenai nomor
atom dan topografi.
  Secondary detector, yang berfungsi untuk menangkap informasi mengenai topografi
Dalam spektroskopi dispersi energy (EDS) foton yang tereksitasi dikumpulkan
sebagai fungsi dari energinya dan spectrum tergantung energi, intensitas foton dianalisis
untuk menentukan komposisi kimia dari daerah sampel tereksitasi di bawah berkas
elektron. Detektor EDS mengumpulkan sinar-X yang tereksitasi secara bersamaan pada
rentang energi yang luas, dan karena itu sangat efisien. Namun, mereka memiliki resolusi
energi terbatas yang terkadang dapat mengakibatkan tumpang tindih yang tidak dapat
diterima dari puncak karakteristik dalam sinyal sinar-X yang dihasilkan oleh konstituen
kimia yang berbeda dalam sampel

Gambar 2 skema pemindaian elektron pada sampel padat, menunjukkan beberapa sinyal
yang dihasilkan yang dapat digunakan untuk membantu mengkarakterisasi struktur mikro.

4. Sample Holder
Ini berfungsi untuk meletakkan sampel yang akan dianalisis dengan SEM.

5. Monitor CRT (Cathode Ray Tube)

Di layar CRT inilah gambar struktur obyek yang sudah diperbesar dapat dilihat.
a) Topografi, yaitu ciri-ciri permukaan dan teksturnya (kekerasan, sifat memantulkan
cahaya, dan sebagainya).
b) Morfologi, yaitu bentuk dan ukuran dari partikel penyusun objek (kekuatan, cacat
pada Integrated Circuit (IC) dan chip, dan sebagainya).
c) Komposisi, yaitu data kuantitatif unsur dan senyawa yang terkandung di dalam objek
(titik lebur, kereaktifan, kekerasan, dan sebagainya).
d) Informasi kristalografi, yaitu informasi mengenai bagaimana susunan dari butir-butir
di dalam objek yang diamati (konduktifitas, sifat elektrik, kekuatan, dan sebagainya)

Gambar 3. Prinsip kerja SEM

3. PRINSIP KERJA SEM

Prinsip kerja dari SEM adalah sebagai berikut:
1. Sebuah pistol elektron memproduksi sinar elektron dan dipercepat dengan anoda.
2. Lensa magnetik memfokuskan elektron menuju ke sampel.
3. Sinar elektron yang terfokus memindai (scan) keseluruhan sampel dengan diarahkan
oleh koil pemindai.
4. Ketika elektron mengenai sampel maka sampel akan mengeluarkan elektron baru yang
akan diterima oleh detektor dan dikirim ke monitor (CRT).
Prinsip kerja SEM adalah menembakkan permukaan benda dengan berkas electron
bernergi tinggi.Permukaan benda yang dikenai berkas akan memantulkan kembali berkas
tersebut atau menghasilkan elektron sekunder ke segala arah. Tetapi ada satu arah di mana
berkas dipantulkan dengan intensitas tertinggi. Detektor di dalam SEM mendeteksi electron
yang dipantulkan dan menentukan lokasi berkas yang dipantulkan dengan intensitas
tertinggi. Arah tersebut memberi informasi profil permukaan benda seperti seberapa landai
dan ke mana arah kemiringan.
Pada saat dilakukan pengamatan, lokasi permukaan benda yang ditembak dengan
berkas elektron di-scan ke seluruh area daerah pengamatan. Kita dapat membatasi lokasi
pengamatan dengan melakukan zoon-in atau zoom-out. Berdasarkan arah pantulan berkas
pada berbagai titik pengamatan maka profil permukan benda dapat dibangun menggunakan
program pengolahan gambar yang ada dalam komputer.
Elektron pantulan dan elektron sekunder dipancarkan kembali dengan sudut yang
bergantung pada profil permukaan material. Syarat agar SEM dapat menghasilkan citra yang
tajam adalah permukaan benda harus bersifat sebagai pemantul elektron atau dapat
melepaskan elektron sekunder ketika ditembak dengan berkas elektron. Material yang
memiliki sifat demikian adalah logam. Jika permukaan logam diamati di bawah SEM maka
profil permukaan akan tampak dengan jelas.
Ada beberapa sinyal yang penting yang dihasilkan oleh SEM. Dari pantulan inelastis
didapatkan sinyal elektron sekunder dan karakteristik sinar X sedangkan dari pantulan
elastis didapatkan sinyal backscattered electron. Sinyal-sinyal tersebut dijelaskan pada
gambar dibawah ini.
 Gambar 4. Sinyal yang dihsilkan SEM

Perbedaan gambar dari sinyal elektron sekunder dengan backscattered adalah

sebagai berikut: elektron sekunder menghasilkan topografi dari benda yang dianalisa,
permukaan yang tinggi berwarna lebih cerah dari permukaan rendah. Sedangkan
backscattered elektron memberikan perbedaan berat molekul dari atom – atom yang
menyusun permukaan, atom dengan berat molekul tinggi akan berwarna lebih cerah
daripada atom dengan berat molekul rendah. Contoh perbandingan gambar dari kedua sinyal
ini disajikan pada gambar dibawah ini.

Gambar 5. Perbandingan Sinyal Secondary dan Backscatter

Mekanisme kontras dari elektron sekunder dijelaskan dengan gambar dibawah ini.
Permukaan yang tinggi akan lebih banyak melepaskan elektron dan menghasilkan gambar
yang lebih cerah dibandingkan permukaan yang rendah atau datar.
 Gambar 6. Mekanisme kontras elektron sekunder

Sedangkan mekasime kontras dari backscattered elektron dijelaskan dengan gambar

dibawah ini yang secara prinsip atom – atom dengan densitas atau berat molekul lebih besar
akan memantulkan lebih banyak elektron sehingga tampak lebih cerah dari atom berdensitas
rendah. Maka teknik ini sangat berguna untuk membedakan jenis atom.

Gambar 7 Mekanisme kontras elektron backscatters

Namun untuk mengenali jenis atom dipermukaan yang mengandung multi atom para peneliti
lebih banyak mengunakan teknik EDS (Energy Dispersive Spectroscopy). Sebagian besar
alat SEM dilengkapi dengan kemampuan ini, namun tidak semua SEM punya fitur ini. EDS
dihasilkan dari Sinar X karakteristik, yaitu dengan menembakkan sinar X pada posisi yang
ingin kita ketahui komposisinya. Maka setelah ditembakkan pada posisi yang diinginkan
maka akan muncul puncak – puncak tertentu yang mewakili suatu unsur yang terkandung.
Dengan EDS kita juga bisa membuat elemental mapping (pemetaan elemen) dengan
memberikan warna berbeda – beda dari masing – masing elemen di permukaan bahan. EDS
bisa digunakan untuk menganalisa secara kunatitatif dari persentase masing – masing
elemen. Contoh dari aplikasi EDS digambarkan pada diagram dibawah ini.

Gambar 8. Aplikasi EDS

4. PERSIAPAN SPESIMEN DAN TOPOLOGI

Persyaratan spesimen yang paling penting dalam SEM adalah bahwa pengisian
elektrostatik dari permukaan harus dihindari, karena ketidakstabilan muatan yang terkait
akan menyebabkan ketidakstabilan emisi sekunder, merusak resolusi dan stabilitas gambar.
pengisian dari sampel nonkonduktor dapat dicegah atau dihambat, baik dengan beroperasi
pada low beam voltage atau dengan melapisi sampel dengan lapisan tipis film penghantar
listrik. Spesimen juga harus masuk ke dalam ruang sampel tanpa membatasi secara serius
kebebasan geometris untuk memanipulasi sampel dalam kolom mikroskop. Ini diperlukan
baik untuk memilih area yang menarik untuk diperiksa dan untuk memiringkan permukaan
spesimen di mana saja sudut yang dibutuhkan terhadap sumbu optik.
Terlepas dari dua persyaratan ini, spesimen juga harus stabil dalam ruang hampa dan
di bawah berkas elektron. Spesimen harus bebas dari residu organik, seperti minyak dan
lemak, yang dapat menyebabkan penumpukan kontaminasi karbon, baik di spesimen, atau
dalam sistem elektro-optik, atau dalam spektrometer dispersi panjang gelombang, atau di
tempat lain di ruang sampel. Partikel asing harus dibersihkan dari sampel sebelum
dimasukkan ke dalam mikroskop, biasanya dengan pembersihan ultrasonik dalam pelarut
yang sesuai, diikuti dengan pembilasan dan pengeringan di udara hangat.
Tindakan pencegahan ini sangat penting untuk tegangan rendah, resolusi tinggi SEM. Pada
energi probe di bawah 1keV, semua elektron sekunder berasal dari daerah yang sangat dekat
dengan permukaan sampel. Sinar elektron diinduksi kontaminasi karbon kemudian menjadi
sumber utama elektron sekunder.

4.1 Pelapisan Sputter dan Peningkatan Kontras

Pelapisan sampel untuk meningkatkan kontras dan meningkatkan konduktivitas listrik
biasanya dilakukan dalam unit sputtering, seperti yang dibahas sebelumnya untuk transmisi
nonkonduktor spesimen mikroskop electron.
Dua jenis pelapis yang umum digunakan, baik logam berat atau film karbon anamorf.
Lapisan logam berat dari emas-paladium paduan yang telah disimpan dengan ukuran
partikel 5nm pada permukaan sampel hanya mengganggu dengan resolusi pada perbesaran
tertinggi dan lapisan ini meningkatkan kontras yang lumayan. Namun, pelapis logam
mengganggu analisis mikro kimia, dan mungkin tidak cocok jika resolusi terbaik ingin
dicapai. Lapisan karbon dapat diendapkan dengan ukuran partikel yang jauh lebih kecil (2
nm); ini biasanya di bawah batas resolusi instrumen. Pelapis karbon tidak meningkatkan
kontras, tetapi wajib untuk sampel nonkonduktor yang ditujukan untuk analisis mikro pada
tegangan akselerasi di atas 5keV
 Gambar 9. Skema Sputtering

 Logam (Au) sbg katoda

 Sample ditempatkan pada anode
 Gas Argon sbg atmospere
 Diterapkan beda potensial
 Cathode mengionisasi atom atom Ar menjadi kation dan elektron
 Ion Argon ions terakselearsi ke arah katoda (Au)
 Atom Au dan electron terhempas karena tumbukan
 Atom Au bertumbukan dengan ion Ar dan akhirnya melapisi sample dg ketebalan
kira-kira 10-30 nm

4.2 Fraktografi dan Analisis Kegagalan

Area utama aplikasi untuk pemindaian mikroskop elektron adalah dalam fraktografi (yaitu,
pencitraan permukaan fraktur) dan analisis kegagalan, tidak hanya untuk logam rekayasa
dan paduan, tetapi juga untuk plastik dan komposit (polimer, keramik atau matriks logam),
serta keramik teknik dan perangkat semikonduktor (Gambar 10).
 Gambar 10 Beberapa contoh kegagalan pada material teknik yang dicitrakan oleh SEM:
(a) kegagalan kelelahan mekanis pada baja; (b) kegagalan getas pada TiCN berpori; (c)
kegagalan matriks polimer yang diperkuat serat komposit ( A. Siegmann).

Morfologi banyak kelas bahan lain juga telah dipelajari menggunakan mikroskop
electron pemindaian yang sama teknik: busa alami dan buatan, tekstil dan serat, serta sistem
yang tidak stabil pada suhu sekitar dan memerlukan pendinginan kriogenik dengan nitrogen
cair.
Gambar 11. Beberapa materi lain yang dipelajari dengan SEM: (a) makalah; (b) tulang; (c)
kayu.

Ada beberapa panduan sederhana namun penting yang harus:

1. Sampel yang dipilih untuk diperiksa di mikroskop harus memiliki geometrik yang
diketahui
2. Permukaan tidak boleh rusak atau diubah dengan cara apa.
3. Spesimen harus dipasang di mikroskop sesuai dengan tahap spesimen x–y koordinat dan
sumbu kemiringan spesimen, misalnya, sejajar dan tegak lurus terhadap arah perambatan
retak yang diketahui.
4. Gambar harus direkam pada rentang perbesaran penuh yang ditemukan untuk
ditampilkan fitur mikrostruktur yang signifikan. Hal ini sangat penting untuk dapat
menghubungkan topografi permukaan fitur mikro dengan hasil pengamatan lainnya.
Faktor x3 perbesaran gambar memastikan bahwa sekitar 10% dari luas permukaan yang
dicatat pada perbesaran yang lebih rendah akan selalu terlihat pada gambar yang diambil
pada perbesaran berikutnya yang lebih tinggi (Gambar 12).
 Gambar 12 Kegagalan ulet dalam molibdenum pada pembesaran yang meningkat
mengungkapkan kedua fitur topografi umum dan detail halus dari permukaan rekahan

4.3 Pencitraan Stereoskopik

Seperti disebutkan di awal bab ini, mikroskop elektron pemindaian unik dalam kemampuan
untuk fokus dan menyelesaikan detail pada kedalaman bidang yang besar, sejajar dengan
sumbu optik dari balok insiden. Informasi ini dapat diekstraksi dengan merekam sepasang
gambar secara bersamaan perbesaran dan dari area sampel yang sama, tetapi pada sudut
kemiringan yang berbeda sampel terhadap sumbu optik mikroskop. Dua gambar, sepasang
stereo, sesuai dengan dua pengamatan permukaan spesimen yang diambil dari dua titik yang
berbeda melihat. Jika sudut kemiringan dipilih dengan baik, maka geometri setara dengan
stereoskopik, gambar visual tiga dimensi yang diamati oleh superposisi data retina yang
ditransmisikan ke otak oleh mata kiri dan kanan (Gambar 13).

Gambar 13 Gambar kembar yang diamati oleh mata kiri dan kanan setara dengan pasangan
gambar direkam sebelum dan sesudah memiringkan spesimen dengan sudut yang diketahui
tentang arah tegak lurus terhadap sumbu optik

Beberapa sistem komersial telah dikembangkan untuk melihat gambar stereoskopik

langsung di mikroskop pemindaian, misalnya dengan perpindahan lateral sumbu
pemindaian probe, baik untuk dua urutan pemindaian berurutan atau untuk jalur alternatif
xsweep dalam sekali pemindaian. Sistem komersial ini tidak pernah begitu populer, karena
merekam sepasang gambar sama mudahnya tanpa mengganggu koil pemindai pengaturan,
melainkan dengan memiringkan spesimen itu sendiri secara mekanis.

4.5 Pengukuran Paralaks

Selain dampak visual dari gambar stereo, juga dimungkinkan untuk mengekstraksi
kuantitatif informasi tentang distribusi vertikal fitur di sepanjang sumbu sinar datang. Ini
dicapai dengan mengukur perpindahan horizontal, tegak lurus terhadap sumbu stereo
miring, untuk fitur yang sama yang direkam tegak lurus terhadap sumbu kemiringan dalam
dua gambar stereo berpasangan, (Gambar 14). Perpindahan ini disebut paralaks dan nilainya
diberikan oleh:
XL-XR = 2h cosѲ

Gambar 14. Geometri paralaks. Perbedaan pemisahan dua fitur terlihat pada stereo
pasangan dan diproyeksikan tegak lurus terhadap sumbu kemiringan berhubungan
langsung dengan perbedaan

5. KELEBIHAN - KELEMAHAN SEM

Kelebihan dari SEM :
 Bisa dibilang tidak ada instrumen lain dalam bidang material yang memiliki
aplikasi seluas SEM. SEM sangat penting di semua bidang yang membutuhkan
karakterisasi bahan padat.
 Walaupun aplikasi ini paling banyak digunakan di bidang geologi, penting untuk
diketahui bahwa hal ini baru sebagian kecil dari penggunaan SEM untuk riset dan
industri.
 Sebagian besar alat ini relatif mudah dioperasikan, dengan antarmuka “intuitif”
yang ramah terhadap pengguna.
 Banyak aplikasi SEM yang tidak membutuhkan persiapan sampel yang rumit.
Untuk banyak aplikasi, akuisisi data berlangsung cepat (kurang dari 5
menit/gambar untuk analisis SEI, BSE, spot EDS.) SEM modern menghasilkan
data dalam format digital, yang sangat portabel.
 Adapun kelebihan teknik SEM yaitu terdapat sistem vakum pada electron-optical
column dan sample chamber yang bertujuan antara lain:
  Menghilangkan efek pergerakan elektron yang tidak beraturan karena adanya
molekul gas pada lingkungan tersebut, yang dapat mengakibatkan penurunan
intensitas dan stabilitas.
 Meminimalisasi gas yang dapat bereaksi dengan sampel atau mengendap pada
sampel, baik gas yang berasal dari sampel atau pun mikroskop. Karena apabila hal
tersebut terjadi, maka akan menurunkan kontras dan membuat gelap detail pada
gambar.

Sedangkan kelemahan dari teknik SEM antara lain:

 Sampel harus padat dan harus sesuai dengan ruang mikroskop.
 Ukuran maksimum dalam dimensi horizontal biasanya sekitar 10 cm, dimensi
vertikal umumnya jauh lebih terbatas dan jarang melebihi 40 mm.
 Untuk sebagian besar sampel, instrumen harus stabil dalam ruang hampa pada
skala 10-5 – 10-6 torr.
 Sampel batuan jenuh dengan hidrokarbon, sampel “basah” seperti batubara, bahan
organik atau lempung pembengkakan, dan sampel yang cenderung membusuk pada
tekanan rendah tidak cocok menggunakan SEM konvensional.
 Detektor EDS tidak dapat mendeteksi unsur yang sangat ringan (H, He, dan Li),
dan banyak instrumen tidak dapat mendeteksi unsur dengan nomor atom kurang
dari 11 (Na). Sebagian besar SEM menggunakan detektor sinar-x solid state (EDS),
dan meskipun detektor ini sangat cepat dan mudah digunakan, mereka memiliki
resolusi energi yang relatif buruk dan kepekaan terhadap unsur-unsur yang ada
dalam kelimpahan rendah jika dibandingkan dengan detektor sinar-x dispersif
panjang gelombang (WDS) pada sebagian besar electron probe microanalyzers
(EPMA).
 Sebuah lapisan konduktif elektrik harus diaplikasikan pada sampel yang bersifat
isolator listrik sebelum dikarakterisasi, kecuali instrumen mampu beroperasi dalam
mode vakum rendah.
 Memerlukan kondisi vakum
 Hanya menganalisa permukaan
 Resolusi lebih rendah dari TEM
 REFERENSI

David Brandon And Wayne D. Kaplan, 2008, Microstructural Characterization of

Materials 2nd Edition, John Willey&Sons Ltd., England
Alan S. Morris, 2001, Measurement and Instrumentation Principles, Butterworth-
Heinemann, Oxford
Cooper W.D., 1985, Instrumentasi Elektronik dan Teknik Pengukuran, Jakarta : Erlangga.
William C. Dunn, 2005, Fundamentals of Industrial Instrumentation and Process Control,
McGraw-Hill, New York