DETEKTOR SINTILASI

• Sintilator Anorganik
• Sintilator Organik
• Sintilator Gas
• Anorganik :
• Padat/Kristal : NaI(Tl); CsI(Tl);
ZnS(Ag); LiI(Eu); Bi4Ge3O12 (BGO)
• Organik
• Kristal : Anthracene; Stilbene
• Liqiud : POPOP; TOPOP
• Gas : gas mulia
 Bahan Sintilasi (ideal)

 Mempunyai efisiensi tinggi untuk perubahan dari

energ kinetik partikel menjadi cahaya
 Mempunyai linearitas terhadap perubahan
energy
 Medium transparan

 Decay time pendek

 Sifat optis baik

 Indek bias mendekati gelas (1,5)

Tidak ada bahan yang secara bersamaan memenuhi
kondisi diatas
Yang banyak digunakan kristal anorganik alkali halide,
dengan dengan sodium iodide menjadi favorit. Kristal
anorganik baik dalam menghasilkan cahaya tampak dan
linearitas baik tetapi respon time lambat.
Sintilator organik mempunyai respon time yang cepat
tetapi cahaya yang dihasilkan kurang baik.
Kristal anorganik mempunyai Z besar dan densitas tinggi,
baik digunakan untuk spektroskopi gamma, sedangkan
organik baik digunakan untuk partikel beta dan neutron
cepat
Proses Sintilasi Organik
Type sintilator organik :

1. Pure organic Crystals:

Antracene : efisiensi sintilasi tinggi
Stilben : efisiensi sintilasi rendah
Kedua bahan mudah pecah

2. Liqiud organic Solutions :

Liqiud sintilasi penggunaanya dengan
mencampurkan bahan radioaktif kedalam cairan,
sehingga efisiensinya bisa 100 %, banyak digunakan
untuk beta energi rendah C-14 atau tritium
3. Plastic scintilators:
Relatif murah, dapat dibuat dalam bentuk batang,
silinder atau lembaran sesuai dengan keperluan. Bahan
styrene, Polyvinyltoluene atau polymethylmethacrylate

4. Thin Film scintilators:

Dapat dibuat sangat tipis 20 μg/cm2 , dapat didepositkan
di permukaan PMT

5. Loaded Organic scintilators:

Untuk deteksi beta particles(fast electrons) atau
alpha particles (positive ions). Dapat ajuaaga
untuk deteksi fast neutrons melaluiproton
recoil process
 Proses Sintilasi Inorganik
Pita Konduksi e-
Kristal Sintilator
Pita energi
aktivator
Elektron loncat
ketika tertumbuk
radiasi

Pita Valensi
Kristal Sintilator
Karakteristik Sintilator Inorganik

1. NaI(Tl):
Berbentuk kristal tunggal; sangat higroskopis; mudah
pecah; sangat baik menghasilkan cahaya; untuk
deteksi foton gamma

2. CsI(Tl) , CsI(Na):
Tidak higrokopis, efisiensi untuk X-ray, baik

3. LiI(Eu):
Tidak higrokopis, efisiensi untuk neutron thermal

4. Bismuth Germanate Bi4Ge3OI2 (or BGO)

Cahaya yang dihasilkan (10-20) % dibandingkan
NaI(Tl)
5. ZnS(Ag):
Berbentuk serbuk polikristal, untuk deteksi partikel
alpha

6. CaF(Eu):
Tidak higrokopis, tahan benturan dan tidak reaktiv
dapat digunakan pada kondisi vakum
Sintilator Gas
Gas akan tereksisted  kembali ke groundstate dengan
melepas kan foton
Efisiensi untuk foton gamma sangat rendah
Umumnya digunakan untuk partikle bermuatan
 Cara Kerja

Bahan
photomultiplier
sintilator

peraga

Percikan cahaya
 PMT (Photomultiflier Tube)

100 V 300 V
Photokatoda 500 V

Dinode
Anode

Percikan Pulsa
cahaya elektron
Listrik

200 V 400 V
Pelipatan Elektron di PMT
Klasifikasi sifat elektris :
Insulator : elektron tidak bergerak bebas, kecuali pada tegangan yang
tinggi
Konduktor : elektron dapat bergerak bebas pada setiap tegangan
Semikonduktor : elektron tidak dapat bergerak pada temperatur
rendah, jika temparatur semikonduktor naik, elektron
dapat bergerak dan arus listrik mengalir
Detektor Semikonduktor

• Detektor yang terbuat dari bahan solid state dan

beroperasinya seperti detektor kamar ionisasi
• Pembawa muatan adalah elektron dan hole
• Keunggulan dibandingkan yang lain adalah
mempunyai resolusi energi yang baik.

Keuntungan yang lain :

• Respon yang linear untuk range energi yang lebar
• Efisiensi yang tinggi, karene densitas tinggi
• Rise time Pulsa cepat
• Memungkinkan untuk geometri yang khusus
• Dapat dioperasikan pada vakum
BAHAN SEMIKONDUKTOR

Pita Konduksi
E
Pita Valensi

Perbandingan jumlah elektron pita konduksi dan valensi

nc
 e E / kT
nv
Bahan semikonduktor daya hantar :
10-5 s.d. 10-10 Ω-1 per cm

∆E ≅ 1 eV
Type semikonduktor

n-type

p-type
Basic Junction Properties :
n-type

p-type
Konfigurasi detektor semikonduktor
Diffused Junction Detector :
P-type pada permukaan di difusikan n-type;
dengan ketebalan 0,1 sd 2,0 mikrometer

Surface Barrier Detector :

pada permukaan p-type di etsa sehingga terbentuk n-type;
kemudian diuapkan lapisan emas untuk kontak listrik
Passivated Planar Detectors :
Metoda terbaru untuk pembuatan silicon juction dengan
menggunakan metoda implantasi dan photolithografi
Semikonduktor Intrinsik :
semi konduktor yang benar-benar murni, semua
elektron berada pada pita konduksi dan hole ada
di pita valensi (walau tanpa ada radiasi)
Untuk silikon, jumlah hole atau elektron
intrinsiknya pada temperatur kamar adalah 1.5 X
1010 cm-3 Silicon, sedangkan apada germanium
2.4 X l013 cm-3

Dengan demikian akan terjadi sambungan p – i – n;

Detektor yang bekerja berdasarkan sambungan ini
adalah detektor Hight Purity Germanium (HPGe) yang
mempunyai depletion depth (daerah aktif) beberapa
centimeter
Konfigurasi detektor sambungan p-i-n.

Konfigurasi detektor HPGe .

Jika konsentrasi impuritas donor dan akseptor didalam
semikonduktor sama, bahan dikatakan terkompensasi. Bahan
tersebut memilik sifat seperti semikonduktor murni (intrinsik),
karena elektron dari donor akan berkurang sampai batas tertentu
karena tertangkap oleh impuritas akseptor. Daerah yang
terkompensasi ini biasanya disebut i, karena mirip dengan sifat
intrinsik.

Dalam kenyataannya tidak mungkin untuk mencapai

kompensasi yang tepat pada saat pembuatan doping, salah
satu cara untuk mencapai kompensasi tersebut adalah
dengan proses mendrift ion lithium kedalam silikon atau
germanium dalam volume yang besar
Dengan mendrift Li kedalam semikonduktor Ge atau Si akan terbentuk
daerah terkompensasi yang intrinsik (murni) terjadi sambungan p – i – n
Detektor yang beekerja berdasarkan proses ini adalah Ge(Li) atau Si(Li),

Dalam penggunaannya kedua jenis detektor diatas harus dengan

pendinginan sampai 770K agar diperoleh resolusi yang baik.
Tetapi khusus GeLi baik digunakan ataupun tidak harus
didinginkan terus menerus, karena jika tidak didinginkan maka
atom-atom Lithium yang didrift kedalam bahan semikonduktor
germanium akan lepas, akibatnya detektor tidak berfungsi lagi.

Lain halnya dengan HPGe didinginkan sampai 770K jika

dioperasikan agar diperoleh resolusi yang baik.
Alat ukur untuk keselamatan pekerja maupun
masyarakat umum, dengan adanya paparan radiasi

Memberikan informasi tentang laju paparan ataupun

dosis yang diterima

Dibedakan menjadi :
• Alat ukur laju paparan/dosis
• Alat ukur dosis
• Monitor radiasi :
• Monitor Kontaminasi
• Monitor Ruangan/Udara
 Mengukur laju dosis/paparan radiasi
pada suatu lokasi secara langsung
 Bersifat portabel (mudah dibawa-bawa)
 Sering menggunakan detektor isian gas
(khususnya Detektor GM)
 Jenisnya tergantung radiasi (; β; γ; X)
Detektor Penguat

Ratemeter

HV

Speaker
 Periksa sertifikat kalibrasi
 Tanggal kalibrasi
 Faktor kalibrasi
 Periksa Batere
 Pelajari pembacaan
 ringan dan kecil
mencatat dosis radiasi pekerja secara akumulasi
Jenisnya:
• dosimeter saku (pen/pocket dosimeter)
• film badge
• thermo luminancence dosimeter (TLD)
 Dosimeter Saku
Berupa kamar ionisasi, dinding ntabung sebagai katoda,
sumbu logam berupa jarum quartz bermuatan positif

- Dapat dibaca langsung, tetapi tidak

dapat menyimpan dosis dalam waktu
yang lama dikarenakan ada arus bocor
Gas
Jarum Quartz
- Range Dosis 0 – 200 mR (0 – 200 Sv)

0 - Jarum dapat dikembalikan kesimpangan

nol lagi. Dengan di charge
- Dikalibrasi secara berkala
Dosimeter Saku

Gas
Jarum Quartz

20
DOSIMETER SAKU
 !
 Perhatikan satuan dan batas pengukuran
 Pembacaan dilakukan sebelum dan sesudah
penggunaan
 Sebelum digunakan di nol kan terlebih dahulu
(jika penunjukan sudah tinggi)menggunakan
charger
FILM BADGE
 menggunakan detektor emulsi foto (AgBr)

 tingkat kehitaman film ∞ banyak dosis radiasi yang mengenai emulsi

AgBr menjadi ion Ag+ dan Br –
 Setelah dimasukan larutan developer Ag+ berubah menjadi hitam perak
 Dibaca 3 bulan, di BPFK (Balai Pengaman Fasilitas Kesehatan). DEPKES
 Film
Film baru

Setelah
diproses
Film

Larutan
developer

radiasi Setelah
dikenai radiasi
 Kurva Tingkat Kehitaman Film

Tingkat
Kehitaman B

10 mrem Dosis Radiasi

Filter pada Film Badge
T L D (thermoluminence dosimeter)
• Prinsip detektor sintilasi, dibaca setelah dipanaskan
• bahan LiF, CaSO4, CaF2
• Dibaca 3 bulan sekali di PTKMR - BATAN

Kelebihan:
• bersifat akumulatif dan lebih teliti
• bentuk kristal dapat disesuaikan dengan holder
• dapat digunakan berulang-ulang

Kelemahan :
• membutuhkan peralatan tambahan untuk membaca hasil
disebut TLD Reader
 Proses Termoluminisensi
Pita Konduksi e-
Krital TLD é

é é
Elektron loncat
ketika tertumbuk
radiasi

Pita Valensi
Krital TLD
terkena radiasi dipanaskan
 Pembacaan Dosis
• Kristal dipanaskan akan memancarkan
percikan-percikan cahaya yang sebanding
dengan dosis yang diterima
• Alat untuk pembacaan : TLD Reader
 Dosimeter Radiofotoluminsensi
(RPLD)
Seperti halnya TLD, tetapi untuk pembacaan tidak dipanaskan
tetpai dengan cara disinar menggunakan ultra violet
 - Mengukur tingkat kontaminasi;
- Umumnya mempunyai permukaan luas;
- Tampilan/hasil pembacaan menunjukkan
kuantitas radiasi persatuan luas (Bq/cm2)

Jenis :
1. Monitor permukaan (Surface monitor)
2. Monitor tangan dan kaki (hand and foot monitor)
3. Monitor seluruh Tubuh (Whole Body Monitor)
4. Monitor Udara (ruangan)
 Mengukur tingkaat paparan dan konsentrasi
radioaktif di suatu lokasi/ruang yang dianggap
mempunyai potensi bahaya radiasi
 Hasil pembacaan dibandingkan dengan batas yang
telah ditentukan :
 Ruang kerja
 Laboratorium
 Tempat penyimpanan sumber
 Bekerja secara terus menerus
 Bila batas terlampui akan memberikan sinyal
 Penempatan : di ruang kerja ; lab; tempat
penyimpanan sumber
Suatu nilai yang membandingkan antara laju
dosis sebenarnya (Ds) dan laju dosis yang
ditunjukkan oleh alat ukur (Du).

Ds
Fk 
Du
 Tanggap/respon alat ukur terhadap dosis radiasi ternyata berbeda
untuk energi yang berbeda,
 Perbedaan sangat significant untuk energi dibawah 200 keV
 Untuk energi diatas 500 keV, perbedaan respon tidak terlalu besar
 AUR harus dikalibrasi dengaan sumber yang mempunyai tingkat
energi ”sama” dengan yang digunakaan dilapangan
Sistem Pencacah Kuantitas Radiasi :
Sistem Pencacah Kuantitas & Kualitas Radiasi
(Spektroskopi)
PHA :
Pulse Height Analiyser
Single Channel Analyser (SCA/TSCA)
Multi Channel Analyser (MCA)
Resolusi Energi
Dalam banyak aplikasi detektor radiasi, tujuannya adalah
untuk mengukur distribusi energi dari radiasi

Salah satu sifat penting dari detektor dalam spektroskopi

radiasi dapat diketahui dengan melihat responya
terhadap sumber radiasi monoenergetik .
Gambar diatas menunjukan distribusi pulsa sebagai respon
energi. Jumlah pulsa dibawah puncak sama, tetapi satu dengan
puncak yang sempit dan yang lain melebar.
Puncak yang sempit dikatakan resolusinya baik, sedang yang
melebar dikatakan jelek.

Terkadang untuk menyatakan resolusi dinyatakan dengan satuan keV,

yang tidak lain adalah lebar setengah puncak, contohnya 1,8 keV,
artinya detektor mampu membedakan energi sebesar 1,8 keV.
Idealnya spektrum energi hanya pada satu titik (warna biru)
tetapi pada kenyataannya tidaklah demikian
Terilhat distribusi pulsa melebar tergantung jenis detektornya
Beberapa hal yang mempengaruhi resolusi adalah :
- Sifat fluktuasi/random radiasi
- Adanya noise pada sistem elektronik
- Adanya kebocoran arus
Perbandingan spectroscopy menggunakan NaI(Tl) dan GeLi
Spektrum Energi :

Spketrum energi menggambarkan hasil interaksi radiasi

dengan materi dalam hal ini adalah detektor.
Dari hasil itu akan diperoleh puncak foto listrik, daerah
compton, compton edge maupun puncak hambaur balik.
Apabila menggunakan detektor dengan resolusi tinggi
(baik) akan diperoleh puncak single escape dan double
ecsape

• Puncak foto adalah hasil efek foto listrik;

• Daerah compton dan compton edge hasil efek
compton
• Single dan Double escape adalah hasil adanya
produksi pasangan
Contoh :
Jika energi suatu sumber radiasi adalah 1,274 MeV,
maka dengan menggunakan rumus :

Akan diperoleh nilai sebesar 1,0612 MeV,

Sedangkan single escape diperoleh energi puncak

dikurang 0,511 MeV, double ecsape energi puncak
dikurangi 2 x 0,511 MeV.
Detektor Semi Konduktor p-i-n