PENGUAT DIFERENSIAL

DAN IC

Oleh :
M. Rahmad
Mata Kuliah
Elektronika Lanjut
E-mail: rahmad.edmodo@gmail.com
https://new.edmodo.com/groups/elektronika-lanjut-7a-19-30189689

M.Rahmad 1
PERTANYAAN
+Vcc

Rc
Vo

Vin(CM) Vin(CM)

RE

-VEE

Bagaimanakah Karakterisrik Bagaimanakah pembuatan

Masukan rangkaian gambar 1? dari gambar 2?

Differential Amplifier by M.Rahmad 2

PERMASALAHAN

Saat ini dan masa akan datang manusia cenderung

bergantung kepada yang namanya dunia elektronik. Misalnya
penggunaan handphone penggunaan peralatan amplifier.
1. Prinsip apakah yang digunakan peralatan tersebut?
2. Bagaimanakah rangkaian dasar dari sebuah penguat?
Bagaimanakah karakteristik masukan &n keluaran penguat
diferensial?
3. Apakah rangkaian penguat diferensial dapat dibangun dari
suatu rangkaian terintegrasi?
4. Bagaimanakah mengklasifikasikan rangkaian terpadu?

3
Differential Amplifier by M.Rahmad
TUJUAN PERKULIAHAN

1. Dapat menganalisis rangkaian penguat

diferensial
2. Memahami karakteristik penguat diferensial
3. Mengidentifikasi rangkaian terpadu

Differential Amplifier by M.Rahmad 4

ANALISIS DC PENGUAT DIFERENSIAL
Penguat diferensial = penguat pasangan ekor panjang (long tail pair), sebab
terdiri dari sepasang transistor yang sama (identik) dimana dihubungkan ke
resistor emiter bersama kedua transistor
+Vcc Arus yang mengalir melalui resistor emiter (RE)
disebut arus ekor (current tail), diberi lambang
IT
Rc Rc VEE IT
IT  dan IE 
RE 2
secara pendekatan antara IE dan IC
memenuhi hubungan

IE  I C
RE

-V EE
Gambar 3 Rangkaian DC enguat diferensial.
5
Differential Amplifier by M.Rahmad
Besar tegangan dc dari kolektor transistor Q1

VC1 = VCC – ICRC

Jika tahanan diantara kedua kolektor transistor juga identik, maka VC1 = VC2, dan
sebagai akibatnya antara kedua kolektor tidak terdapat beda tegangan.

Aproksimasi kedua arus IT yaitu dengan memasukkan penurunan

tegangan pada basis-emiter transistor (VBE)

VEE  VBE
IT 
RE

6
Differential Amplifier by M.Rahmad
ANALISIS AC PENGUAT DIFERENSIAL
Penguat diferensial dikelompokkan menurut masukan dan keluaran
1. masukan & keluaran berujung tunggal (single-ended),
2. masukan berujung tunggal (single-ended) & keluaran diferensial (differential),
3. masukan diferensial & keluaran berujung tunggal (singgle-ended), dan
4. konfigurasi dengan masukan dan keluaran diferensial.
+Vcc
RC
ic

Rc
Vo
Vo ie ic
Q1 Q2 V1 r’e

ie r’e
v1
RE Untuk masukan non pembalik dengan
tegangan masukan V1
-VEE
Vo =Av.V1
Masukan tidak membalik dan Vo = -Av.V2
masukan membalik di V2
keluaran single-ended
Differential Amplifier by M.Rahmad 7
 MASUKAN SINGLE-ENDED DAN KELUARAN DIFERENSIAL

+Vcc
Tegangan masukannya
RC RC

VC1 - + VC2
v in  2ie re'
Rc Rc Vo
- Vo + hubungan kedua persamaan
ic
diperoleh penguatan
tegangannya
ic
V1 r’e
A R C
v1 '
RE
r
e
r’e

-VEE Rangkaian ekivalen

Rangkaian se-diff

Tegangan keluaran: Tegangan keluaran jika menggunakan

masukan tidak membalik memenuhi
VO = VC2-VC1 = ICRC - (-ICRC) = 2ICRC
Vo =AV1
VC1 bertanda minus, karena berbeda fase dan jika menggunakan masukan
180o terhadap VC2 membalik di V2 maka Vo = -AV2

Differential Amplifier by M.Rahmad 8

MASUKAN DIFERENSIAL DAN KELUARAN
SINGLE-ENDED
+Vcc

Rc
Vo

v1 v2 hubungan kedua persamaan

RE

-VEE
Penguat diferensial dengan masukan
diferensial dan keluaran single-ended

Differential Amplifier by M.Rahmad 9

.
.
MASUKAN DIFERENSIAL DAN KELUARAN
DIFERENSIAL
+Vcc
tegangan keluaran berdasarkan Gambar
memenuhi:
Rc Rc
vc1 - Vo+ vc2
VO = VC2-VC1 atau VO = Av (V1 – V2)

v1 v2
RE

-VEE

Penguat diferensial dengan

masukan dan keluaran
diferensial

Impedansi masukan sebuah penguat tingkatan CE (common emiter)

sebanding dengan penguatan transistor dan resistansi emiter dalam notasi
parameter hybrid
, dan memenuhi Zin = 

Differential Amplifier by M.Rahmad 10

 C. KARAKTERISTIK MASUKAN PENGUAT DIFERENSIAL
 IMPEDANSI MASUKAN
Sebuah tingkatan Coomon emiter, impedansi masukan basisnya adalah Zin =  re’,
sehingga Impedansi masukan satu basis penguat diferensial menjadi dua kalinya
yaitu:
+Vcc
Zin = 2 re’
 Hal ini karena terdapat dua hambatan emiter ac yaitu re’ dalam rangkaian ekuivalen
ac.yang berlaku pada semua konfigurasi

 ARUS BIAS MASUKAN Rc Rc

Setiap transistor cenderung sedikit berbeda dc nya, sehingga akan memberikan Arus - Verr +
bias masukan sebagai rata-rata arus basis dc yang memenuhi
I B1  I B 2
I in(bias) 
 Arus offset masukan 2 I B1 I B2
Ditentukan sebagai perbedaan arus basis dc untuk mengidentifikasi seberapa dekat kecocokan
transistor, sesuai persalmaan
Iin(off) = IB1-IB2
RE
 HUBUNGAN ARUS BASIS DAN OFFSET
 arus basis pada setiap transistor dalam penguat diferensial dengan
menurunkan dari persamaan sebelumnya, memenuhi. -VEE
I in( off ) I in( off )
I B1  I in(bias)  dan
I B 2  I in(bias) 
2 2
 Persamaan tersebut mengasumsikan bahwa IB1> IB2

11
Differential Amplifier by M.Rahmad
 Tegangan offset masukan
Adalah teg. masukan yang menghasilkan teg. Verror
Kesalahan keluaran penguat diferensial yang Vin( off ) 
memenuhi. A
Verr disini tidak memasukkan efek bias
masukan dan arus offset karena kedua basis
digroundkan ketika Verr diukur.
V1err  ( RB1  RB 2 ) I in(bias)
 Tegangan kesalahan dc pada penguat
I in( off )
diferensial terdiri dari tiga dengan V2err  ( RB1  RB 2 )
mengacu pada persamaan arus basis IB1 2
dan IB2 yaitu:
V3err  Vin ( off )
 Iinbias dan Iinof dari persamaan Jika hambatan basis
tesebut selalu ditentukan nilainya dari sama maka memenuhi
data sheet, sehingga tegangan V1err  I in(bias)
kesalahan keluaran keseluruhan yaitu:
V2err  RB Iin (off )
Verr  A(V1err  V2err  V3err )
V3err  Vin ( off )
12
Differential Amplifier by M.Rahmad
D. PEROLEHAN MODE BERSAMA
+Vcc +Vcc

Rc Rc
Vo Vo

Vin(CM) Vin(CM) Vin(CM) Vin(CM)

RE 2RE 2RE

-VEE -VEE

• Dari gambar rangkaian dengan masukan Diferensial dan keluaran

single ended. Tegangan masukan Vin(cm) pada setiap basis dan
disebut sinyal mode bersama.
• Jika penguat simetri sempurna, tidak ada tegangan keluaran ac
karna V1 dan V2 sama.
13
Differential Amplifier by M.Rahmad
PEROLEHAN TEGANGAN SINYAL MODE
BERSAMANYA ADALAH

Rc
ACM  dengan ACM < 1
2 RE

Dari hubungan tersebut dapat ditentukan rasio

perolehan tegangan terhadap perolehan tegangan
mode bersamanya yang dikenal Common Mode
Rejection Ratio (CMRR)
A atau A.Vin(CM)
CMRR  CMRR 
ACM Vout(CM)

14
Differential Amplifier by M.Rahmad
CMRR DAPAT DINYATAKAN DALAM DESIBELL (DB)

CMRRdB = 20 log CMRR

Contoh
Jika diketahui A =200 dan ACM = 0,5 maka
CMRR = 400 dan
CMRRdB = 52dB

Semakin tinggi nilai CMRR semakin baik sifat

penguat Diferensial terebut, karena penguat
Diferensial memperkuat sinyal yang diharapkan
untuk melawan sinyal mode bersama.

15
Differential Amplifier by M.Rahmad
TABEL KONFIGURASI PENGUAT DIFERENSSIAL

Perolehan
No Input Output Vin Vout (A)
1 S.E S.E. V1 atau -V2 AV1 atau AV2 Rc/2Re’

2 S.E. DIFF V1 atau V2 AV1 atau AV2 Rc/Re’

3 DIFF S.E. V1 dan V2 A(V1 - V2) Rc/2Re’

4 DIFF DIFF V1 dan V2 A(V1 - V2) Rc/Re’

16
Differential Amplifier by M.Rahmad
LATIHAN
 Sebuah penguat diferensial mempunyai
Iinbias= 2uA, Iinoff = 0,4uA, A=150, Vin(off) =1,5mV,
Rc=10K, RE= 15K, RB1=1K, V1ac = 10mV.
A). Buat gambar rangkaian lengkapnya
B). Tentukan tegangan kesalahannya.
C). Tentukan teg. kesalahan jika resistor
basis yang digunakan sesuai (eqivalen).

17
Differential Amplifier by M.Rahmad
E. RANGKAIAN TERINTEGRASI

 IC adalah gabungan dari

elemen-elemen rangkaian yang
merupakan kesatuan dalam
satu badan dan membentuk
satu rangkaian.
 IC menghilangkan pekerjaan
membosankan dalam elektronik
karena menyederhanakan
suatu rangkaian.

18
Differential Amplifier by M.Rahmad
BEBERAPA BENTUK RANGKAIAN TERPADU

19
Differential Amplifier by M.Rahmad
SIFAT-SIFAT IC ANTARA LAIN:

1. Ukuran cenderung lebih kecil (dalam kotak

hitam
2. Harga relatif murah
3. Keandalan tinggi
4. Mempertinggi performance (daya guna)

20
Differential Amplifier by M.Rahmad
KLASIFIKASI IC

21
Differential Amplifier by M.Rahmad
 JENIS IC TANSISTOR

IC TANSISTOR BOPOLAR IC CMOS

Differential Amplifier by M.Rahmad 22

HYBRID INTEGRATED CIRCUIT TYPE
A hybrid integrated circuit, HIC, hybrid microcircuit, or simply hybrid is a
miniaturized electronic circuit constructed of individual devices, such as
semiconductor devices (e.g. transistors and diodes) and passive components (e.g.
resistors, inductors, transformers, and capacitors), bonded to a substrate or printed
circuit board (PCB).

Thin Film Hybrid IC Thick Film Hybrid IC

23
Differential Amplifier by M.Rahmad
 JENIS IC DIGITAL

IC TTL IC DTL IC CML

24
Differential Amplifier by M.Rahmad
 TINGKAT INTEGRASI IC

IC ULSI
IC VLSI

IC LSI

IC MSI

IC SSI 25
Differential Amplifier by M.Rahmad
TAHAP PEMBUATAN IC
1. Substrat p
- Membuat kristal p dengan diameter 1” - 2”
- Kristal diiris tipis (wafer), dibebat (lapped) dan digosok
(polished) untuk menghilangkan cacat permukaan.
- Bahan ini disebut substrat p sebagai casis komponen
terintegrasi.
2. Lapisan n epiktasi
- lapisan tipis dimasukkan ke tungku pembakaran (furnance).
- Kemudian dialirkan atom bervalensi 5 pada keping tipis ini dan
disebut lapisan epiktasi (0,1 - 1 m)
3. Lapisan Isolasi
- Lapisan isolasi diletakkan di atas lapisan epiktasi yang terbuat
dari silikon dioksida SiO2,
- Lapisan ini berfungsi sebagai pemasifan (passivation) yang
mencegah terjadinya reaksi kimia.
4. Keping yang sudah jadi dibagi-bagi menjadi sebuah chip (keping)
dan di dalam keping inilah terdapat beratus rangkaian elektronika.
26
Differential Amplifier by M.Rahmad
 PROSES PEMBUATAN IC
1. Pembentukan Oksida
Oksida SiO2 lapisan masker
2. Etsa Foto
Melapiskan foto resist pada SiO2, masker foto yang sangat
rapat, penyinaran dan pencetakan, etsa SiO2,
Pembuangan foto resist sisa, alat spinner (pemutar) dab
alignment (meluruskan masker)
3. Difusi planar ketidakmurnian
4. Interkoneksi menggunakan Al
5. Pembersihan/Pencucian
6. Metoda VCD (Chemical Vapor Deposition) untuk
membentuk lapisan oksida iatas kristal.
Differential Amplifier by M.Rahmad 27
FLOW CHART PEMBENTUKAN IC TRANSISTOR
Epiktasi Si Pembersihan lapisan Oksidasi dan
epitaksi Etsa foto

Difusi dari lapisan

terpedam Difusi isolasi

Oksidasi dan Oksidasi dan

Difusi basis
Etsa foto Etsa foto

Oksidasi dan Pembentukan

Difusi emiter Etsa foto Lapisan u/ inter
koneksi Al
Difusi emas

Etsa foto

skrab Bonding Bonding

butiran terminal

penutupan IC Komplit Differential Amplifier by M.Rahmad 28

EARLY INTEGRATION

Jack Kilby, working at Texas Instruments,

invented a monolithic “integrated circuit” in July
1959.
He had constructed the flip-flop shown in the
patent drawing above.
PENEMUAN IC
IC pada awalnya dibuat oleh
J.S. Kilby tahun 1958 dengan membuat rangkaian
terintegrasi:
- pada serpih semikonduktor monolitik tunggal
- mengandung rangkaian aktif dan pasif
- melalui proses difusi dan pengendapan beruntun.

dilanjutkan Robert Noyce:

- membuat suatu rangkaian lengkap
- disertai interkoneksinya pada sebuah serpih tunggal.
Dari dasar ini berkembanglah teknologi pembuatan IC
hingga ke tingkat canggih yang dapat diproduksi
secara massal.

30
Differential Amplifier by M.Rahmad
SEJARAH PEMBUATAN IC (LEBIH DETAIL)
Akhir 1950-an: Penemuan-2 Kunci IC
 1958 IC silikon pertama dikembangkan (Texas Instrument's Jack
Kilby).
 1959 Planar process u/ mendistribusi transistor pda Siilikon, dgn
lapisan oksida pasif u/ memproteksi persambungan (junctions),
dikembangkan (Fairchild Semiconductor's Noyce and Moore.
 A modern version of this process is used today.

1960's: Small Scale Integration (SSI), termuat sampai 20

gates per chip.
 1960 Transistor Metal-Oxide-Silicon (MOS) transistor ditemukan.
 1962 Logik Transistor-transistor (TTL) dikem-bangkan
 1963 Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS) ditemukan.

Differential Amplifier by M.Rahmad 31

Akhir 1960-an: Medium Scale Integration (MSI), 20-200
gates per chip.
 1968 MOS memory circuits diperkenalkan.

1970-an: Large Scale Integration (LSI), 200-5000 gates

per chip.
 1970 8-bit MOS calculator chips diperkenalkan (7 micrometer
chip geometries).
 1971 16-bit Microprocessors diperkenalkan.

1980's: Very Large Scale Integration (VLSI), > 5000

gates per chip.
 1981 Very High Speed Integration (VHSIC), tens's of thousands of
gates per chip (1.5 micrometer chip geometries).
 1984 0.5 micrometer chip geometries.

32
Differential Amplifier by M.Rahmad
Akhir 1960-an: Medium Scale Integration (MSI), 20-200
gates per chip.
 1968 MOS memory circuits diperkenalkan.

1970-an: Large Scale Integration (LSI), 200-5000 gates

per chip.
 1970 8-bit MOS calculator chips diperkenalkan (7 micrometer
chip geometries).
 1971 16-bit Microprocessors diperkenalkan.

1980's: Very Large Scale Integration (VLSI), > 5000

gates per chip.
 1981 Very High Speed Integration (VHSIC), tens's of thousands of
gates per chip (1.5 micrometer chip geometries).
 1984 0.5 micrometer chip geometries.

Differential Amplifier by M.Rahmad 33

 ECL (emmitter-coupled logic)
 Devais dikembangkan untuk aplikasi-2 yg membutuhkan kecepatan
yang sangat tinggi (extremely high speed).
 Mengkonsumi lebih banyak energi/power,

 digunakan secara ekslusif pada komputer-2 Cray

Teknologi MOS
 Menawarkan reduksi dalam hala persyaratan ruang yang besar dan
konsumsi daya/energi yang tinggi dari devais-2 bipolar.
 Rangkaian elektronik MOS pertama  devais MOS p-channel (PMOS)
karena paling mudah dibuat.
 Tek. MOS lebih maju, devais MOS n-channel (NMOS) menggantikan
devais PMOS karena teknologinya menawarkan kinerja kec. yg lebih
tinggi untk kerapatan, kompleksitas dan biaya yg sama.
 Kebutuhan akan konsumsi daya yg lebih rendah  pengembangan
devais-2 complementary MOS (CMOS) devices yg lebih besar tapi
konsumsi dayanya lebih efisien
Differential Amplifier by M.Rahmad 34
 Definisi Monolitik:
 Mono: tunggal; lithos: batu  batu tunggal
 Pada IC monolitik  sejumlah komponen aktif (mis transistor) dan
komponen pasif (mis. resistor, kapasitor, dll) berada dalam sekerat Si
(biasa disebut CHIP, DIE, atau PELLET)
 Dalam fabrikasi:
 Basis-basis dan emitor-emitor dari transistor-2 dan komponen-2 lain
dibentuk bersamaan

• Dalam hal transistor planar

tunggal :
 sejumlah transistor mempunyai “common collector” (kolletor yg
bersama-sama) dibentuk pada keping (wafer), kemudian dipotong-potong
menjadi satu persatu
• Dalam hal IC monolitik:
 isolasi dan interkoneksi setelah dibentuk kemudian dipotong-potong
dari wafer yang sudah dihasilkan
Differential Amplifier by M.Rahmad 35
Catatan:
 IC Hybrid: komponen-2 (spt transistor) dibuat diatas
substrat keramik yg terhubung satu sama lain
membentuk rangkaian dgn jalur kawat logam dsb.
 IC monolitik

 sangat baik u/ rangkain yg memiliki fungsi yg

sama
 Interkoneksi dilakukan hanya dgn 1 atau proses
 harganya lebih murah dan reabilitasnya lebih
tinggi, ketimbang IC-hybrid

Differential Amplifier by M.Rahmad 36

IC PENTIUM 4

 Introduction date: November 20,

2000
 1.4 GHz clock
 fabricated in 180 nm process,

 42 mln transistors)

 In 2002 (2 GHz in 130 nm, 55

mln transistors)
 In 2005 (3.8 GHz in 90 nm, 125
mln transistors)
 Typical Use: Desktops and entry-
level workstations
APLICATION: NOT ONLY MICROPROCESSORS

Cell
Phones iTablet

Video games
iPad

dll
UNTUK PEDALAMAN MATERI BAIK KONSEP MAUPUN
CONTOH SOAL DAPAT MENGGUNAKAN REFERENSI
YANG RELEVAN

 Sekian
 Selamat Belajar

 Smoga Sukses

39
Differential Amplifier by M.Rahmad