PHOTORESIST

Helmi Faisal Rasyad (1806195085)

Baskoro Arif Rianto (1806195324)
Farell Adiputar (1806195103)
Farah Salsabila (1806147874)
Heddy Erizal (1706071421)
Photoresis
t
Material sensitif terhadap cahaya yang dipakai
dalam proses photolithography untuk membuat pola
coating pada permukaan substrat
Photoresist Component
■ Polymer
Bahan dasar dari photoresist (Carbon, Hidrogen, Oksigen)
■ Solvent
Sebagai pelarut untuk membuat layer tipis melalui spinning
■ Sensitizers
Membuat Photoresist peka terhadap cahaya
■ Aditives
Sebagai pengontrol banyaknya cahaya yang masuk ke photoresist
Photoresist Composition
■ Mudah larut sehingga saat dilakukan spin coating dapat terdistribusi
secara merata
■ Bahan harus memiliki sifat adhesi yang bagus sehingga meminimalisir
under cutting, mempertahankan tepi sudut, dan mengatur ukuran
bahan photoresist
■ Harus tahan terhadap bahan kimia
■ Harus sensitif terhadap cahaya supaya fungsi dari photoresist dapat
bekerja secara maksimal
■ Kecepatan reaksi kimia dari photoresist tergantung dari seberapa
ideal polimer tersebut.
Comparison Negative & Positive
Photoresist
Characteristic Positive Negative

Adhesion to silicon Fair Excellent

Relative cost More expensive Less expensive
Developer base Aqueous Organic
Solubility in the developer Exposed region is soluble Exposed region is insoluble
Minimum feature 0.5 µm 2 µm
Step coverage Better Lower
Wet chemical resistance Fair Excellent