SILIKON AMORF TERHIDROGENASI

Elsa Krisdiana, Devi Silfia Istiqomah, Dwi Puspitasari

ABSTRAK
Silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) merupakan campuran dari silikon dan hidrogen yang
memiliki sifat semionduktor. a-Si:H memiliki sifat-sifat yang dipengaruhi oleh struktur, defect,
doping, density of states, dan electronic transport. Salah satu teknik penumbuhan a-Si:H yaitu
menggunakan teknik PECVD. Untuk mengetahui karakterisasi hidrogen yang terdapat pada a-Si:H
dapat menggunakan gelombang inframerah yang memiliki tiga karakteristik penyerapan.
1. Struktur
Single crystal silicon berbeda dengan
amorphous
silicon.
Perbedaan
paling
mendasar terletak pada struktur dari kedua
material ini yang terlihat pada gambar 2.1.
Pada single crystal silicon, setiap atom silikon
berikatan kovalen dengan empat atom
tetangganya. Setiap ikatan memiliki jarak dan
sudut yang sama satu dengan yang lainnya.
Jumlah ikatan dari atomnya adalah empat
sehingga biasa disebut fourfold coordinated.
Sedangkan struktur dari silikon amorf tidak
memiliki keteraturan pada jarak antar ikatan
dan sudut walaupun setiap atom juga berikatan
pada empat atom tetangganya.

terlokalisasi antara pita valensi dan pita

konduksi. Ikatan yang kosong pada padatan
amorf akan mempengaruhi struktur dan sifat
material tersebut, baik sifat elektrik maupun
sifat optiknya.
3. Model Pita pada a-Si
Pada umumnya, rapat keadaan padatan
amorf tidak jauh berbeda dengan padatan
kristal tetapi keadaan material yang demikian
menyebabkan timbulnya band tail akibat
penurunan keadaan secara berangsur-angsur.

Gambar 4.1. Model pita pada silikon amorf

(Fritzsche, 1985)

Gambar 2.1 Struktur atom (a) single crystal

silicon (b) hydrogeneted amorphous silicon
(Jef Poortmans dan Vladimir Arkhipov, 2006)
2. Defect
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)
merupakan bahan silikon amorf yang di
doping hidrogen. Doping hidrogen pada a-Si
mempunyai peran penting dalam mengurangi
cacat (defect). Defect terbentuk apabila empat
elektron valensi Si tidak berikatan dengan
atom lainnya atau yang lebih dikenal dengan
dangling band.
Banyaknya ikatan kosong pada padatan
amorf membuat beberapa keadaan celah

Pada gambar 4.1, Ev dan Ec masingmasing menunjukan pita valensi (valance

band) dan pita konduksi (conduction band)
serta terdapat mobilitas celah (mobility gap)
dan keadaan cacat (defect states) di keadaan
terlokalisasi (localization sates).
Berdasarkan
penelitian
yang
telah
dilakukan Fritzsche, rapat keadaan pada
keadaan
terlokalikasi
turun
secara
eksponensial dari masing-masing ujung pita
energi.
Distribusi rapat keadaan pada keadaan
terlokalisasi terdiri dari donorlike states dan
aceptorlike states dan dapat dirumuskan
sebagai berikut [2]:
( )

( )

( )
1

4. Doping
Doping pada a-Si bertujuan untuk
memperbaiki
kekurangan
a-Si
yang
diakibatkan oleh adanya defect. Terdapat
beberapa cara untuk mengurangi kekurangan
a-Si,
salah
satunya
adalah
dengan
mendeposisikan/doping
sejumlah
atom
hidrogen ke dalam a-Si sehingga terbentuk
silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) karena
antara atom Si dan H akan membentuk ikatan
kovalen. Proses hidrogenasi dilakukan secara
langsung dalam fase uap. Jumlah hidrogen
yang didoping ke a-Si dapat menurunkan rapat
ikatan kosong dan menaikan celah pita optik.
Oleh karena itu, jumlah hidrogen yang
didoping ke
a-Si merupakan hal yang
mempengaruhi untuk mendapatkan lapisan
tipis a-Si yang baik.
5. Density of States
Density of states atau rapat muatan
mengandung informasi tentang distribusi
energi pada muatan untuk menentukan
distribusi dan konsentrasi pembawa muatan
dalam bahan semikonduktor. Untuk kristal
silikon instrintik yang ideal, pita valensi dan
pita konduksi dipisahkan oleh band gap yang
nilainya terdefinisi. Karena adanya gangguan
pada struktur atom a-Si:H, level energi dari
pita valensi dan pita konduksi menyebar ke
band gap yang disebut ekor pita (band tail).
Disamping itu, defect terletak dibagian tengah
level energi diantara pita valensi dengan pita
konduksi. Oleh karena itu, adanya distribusi
kontinu pada daerah rapat muatan di a-Si:H
yang mengakibatkan nilai band gap tidak
terdefinisi antara pita valensi dengan pita
konduksi.
Level energi dimana pembawa muatan
dianggap sebagai pembawa muatan bebas
yang dijelaskan oleh fungsi gelombang dimana
keadaan ini merupakan keadaan tidak
terlokalisasi
yang
disebut
daerah
perpanjangan. Adanya kelainan pada a-Si:H
menyebabkan fungsi gelombang pada ekor dan
daerah defect menjadi terlokalisasi dalam
jaringan atom. Sehingga, mobilitas yang
merupakan karakteristik transport pembawa
muatan yang melewati daerah terlokalisasi
berukurang. Penurunan mobilitas pembawa

pada daerah terlokalisasi dibandingkan dengan

daerah perpanjangan yang digunakan untuk
mendefinisikan band gap a-Si:H. Band gap ini
ditandai dengan mobility gap, Emob, karena
adanya rapat muatan yang besar di mobility
gap bertentangan dengan konsep klasik. Level
energi yang memisahkan daerah perpanjangan
dari daerah terlokalisai a-Si:H disebut pita
valensi, Ev, dan pita konduksi, Ec, mobility
edge. Mobility edge a-Si:H lebih besar dari
band gap silikon kristal tunggal dan memiliki
nilai khusus antara 1,7 eV dan 1,8 eV.

Gambar 8.1 (a) Skematik ilustrasi pita energi

pada c-semikonduktor (tidak terdapat elektron
bebas yang terkandung pada energi gap)
(b) level energi pada a-semikonduktor
(Jai Singh dan Koichi Shimakawa, 2003)
6. Electronic Transport
Pada dasarnya, terdapat tiga mekanisme
konduksi pada a-Si:H, dimana pengaruh
terbesar disebabkan oleh suhu dan konsentrasi
defect. Mekanisme pertama yaitu lompatan
konduksi di fermi level, lompatan konduksi di
band tail, dan daerah perpanjangan konduksi.
Mekanisme terakhir adalah mekanisme
terpenting dan penting untuk diketahui bahwa
berlangsung pada energi terendah, yaitu tepat
di tepi mobilty edge. Pada prinsipnya,
konduktivitas
termal
dapat
dihitung
menggunakan persamaan berikut :
(

)
)

Dengan, T merupakan temperatur absolut

dan k konstanta Bolztman. Berdasarkan
persamaan tersebut, konduktuvitas ditentukan
oleh energi fermi. Namun, terdapat dua
masalah: pertama, energi transpot, Etr, tidak
2

sama dengan pita konduksi pada mobility edge

dan disamping itu dipengaruhi oleh
temperatur. Permasalahan nyata lainnya adalah
variasi konduktivitas prefaktor
bergantung
pada suhu, doping, dan proses pengolahan
sampel a-Si:H.
7. Penumbuhan a-Si:H Menggunakan
Teknik PECVD
Terdapat beberapa metode yang dapat
digunakan untuk menumbuhkan lapisan tipis
semikonduktor. Teknik deposisi merupakan
salah satu metode yang sering digunakan
untuk membuat lapisan tipis silikon amorf
terhidrogenasi (a-Si:H) yang bertujuan untuk
menghasilkan bahan dengan sifat optolistrik
yang baik dan celah pita optik yang lebih
tinggi. Sistem deposisi plasma untuk
menumbuhkan
material
silikon
amorf
dikembangkan dengan menggunakan sistem
induktif, dimana plasma terjadi akibat adanya
induksi kumparan. Sistem deposisi seperti ini
pertama kali dikembangkan pada tahun 1960.
Sistem
deposisi
plasma
mengalami
perkembangan, yaitu dengan menggunakan
konfigurasi dioda, dimana plasma terbentuk
diantara dua elektron sejajar. Sistem deposisi
plasma seperti ini disebut Plasma Enhanced
Chemical Vapor Deposition (PECVD) atau
Glow
Discharge.
PECVD
merupakan
pengembangan
dari
teknik
deposisi
sebelumnya yaitu Chemical Vapor Deposition
(CVD). PECVD menggunakan frekuensi radio
(rf) sebesar 13.56 MHz. Jika gas diatomik
(hirogen) dipanaskan pada suhu tertentu, maka
semua molekul akan terurai menjadi atomatom (H2 2H) dan terionisasi membentuk
plasma.

Gambar 5.1 Komponen utama PECVD

(Jef Poortmans dan Vladimir Arkhipov, 2006)
Pada gambar 5.1 menunjukan komponenkomponen utama PECVD, yaitu:
a. Reaction Chamber, merupakan tempat
memiliki tingkat kevakuman tinggi yang
terbuat dari stainless steel serta adanya
elektroda paralel, daya rf feedthrough,
digunakan sebagai tempat penggabungan
substrat dan pemanas.
Pada reaction chamber ini, pertama-tama
substrat diletakan diantara dua elektroda
dengan jarak 1-3 cm. Gas SiH4 dan gas H2
untuk semikonduktor intrinsik dialirkan
melalui chamber untuk proses deposisi
silikon. Gas-gas tersebut akan terdisosiasi
membentuk plasma berwarna ungu yang
berperan sebagai sumber energi pada
proses deposisi.
Reaksi primer yakni gas silan dan gas
hidrogen
terdisosiasi
menghasilkan
bermacam-macam radikal, yakni radikal
netral, ion positif dan negatif serta elektron,
maka terjadilah plasma. Reaksi sekunder
yakni terjadi reaksi radikal netral yang
berdifusi dalam substrat, ion positif menuju
katoda dan ion negatif menuju anoda.
Terjadi reaksi di permukaan substrat,
kemudian sup permukaan melepaskan
hidrogen dan terjadi relaksasi struktur
jaringan silikon.
b. Gas System, terdapat pengatur aliran gas
dan katup-katup gas untuk mengatur gas
yang mengalir pada proses deposisi. Gas
system berfungsi untung mengalirkan gas
SiH4 dan gas H2 untuk proses deposisi.
3

c. Pump System, terdapat pompa turbo dan

pompa rotari yang berfungsi untuk
kevakuman chamber.
d. Exhaust System, merupakan sistem
pembuangan gas.
e. Kontrol elektronik yang terdiri dari kontrol
daya rf, kontrol tekanan dan pengaturan
suhu. Pada umumnya, proses rf PECVD di
laboratorium menggunakan temperatur

substrat 200-250 oC, aliran silan 20-50

sccm1, tekanan proses 0.5-0.7 mbar,
rapat tenaga rf 20-50 mWcm-2.
Pada proses PECVD terjadi keadaan
kuasianetral, yaitu suatu keadaan adanya
peristiwa hilangnya muatan pada plasma
secara cepat. Plasma sendiri didefinisikan
sebagai gas-gas yang terionisasi yang
kuasianetral. Adanya keadaan kuasisnetral ini
menyebabkan plasma tidak bermuatan. Plasma
diketahui memiliki konduktivitas listrik yang
tinggi yang membuat medan listrik pada
plasma kecil.

Gambar 5.3 Hasil TEM penumbuhan a-Si-H

(Jef Poortmans dan Vladimir Arkhipov, 2006)
Gambar 5.3 merupakan hasil TEM dari
penumbuhan a-Si-H menggunakan teknik
PECVD.
8. Karakterisasi Hidrogen pada a-Si:H
Spektrum
penyerapan
gelombang
inframerah digunakan secara umum untuk
memperoleh informasi mengenai konfigurasi
ikatan Si-Hx pada a-Si:H. Tiga karakteristik
pita penyerapan inframerah yang diamati pada
a-Si:H yaitu pada puncak 640 cm-1,
digandakan pada 840-890 cm-1, dan puncak
penyerapan
2000-2200 cm-1[2]. Pada
-1
puncak 640 cm merefleksikan rocking mode
pada hidrogen yang berikatan kovalen untuk
semua ikatan konfigurasi dan karena itu pada
puncak ini digunakan untuk menentukan

kandungan
hidrogen
dalam
a-Si:H.
Digandakan pada
840-890 cm-1 digunakan
untuk dihydride wagging mode. Pada puncak
sekitar 2000 cm-1 digunakan untuk stretching
mode pada ikatan Si-H yang terisolasi dan
pada puncak yang memiliki range 2060-2160
cm-1 termasuk kontribusi dari stretching mode
pada ikatan
Si-H bagian permukaan dalam.
Sebuah parameter struktur mikro yang
dilambangkan R* digunakan secara luas untuk
mengkarakterisasi jaringan struktur mikro
pada jaringan a-Si:H dipengaruhi oleh low
stretching mode (LSM : stretching mode pada
puncak 2000 cm-1 ) dan high stretching mode
(HSM : stetching mode pada puncak yang
memiliki range 2060-2160 cm-1) dengan rumus
[2]:

Dimana, IHSM dan ILSM merupakan kemampuan

absorpsi untuk HSM dan LSM. Secara umum,
a-Si:H mengandung 10% atom hidrogen dan
yang ditandai dengan nilai R* < 0,1.
Difusi hidrogen dan pengukuran evolusi
membantu
untuk
mengkarakterisasi
pergerakan hidrogen, trapping, dan evolusi
pada a-Si:H[3]. Nuclear Magnetic Resonance
(NMR) memberikan informasi tentang daerah
atom lokal dimana atom hidrogen berada.
DAFTAR PUSTAKA
[1] C. W. Tang. (1986). Two-layer organic
photovoltaic cell. Appl. Phys. Lett., 48,
183.
[2] Willey. (2006). Thin Film Solar Cells:
Fabrication,
Characteristization
and
Application. Edited by Jef Poortmans dan
Vladimir Arkhipo
[3] I. D. Parker. (1994). Carrier tunneling and
device characteristics in polymer lightemitting diodes. J. Appl. Phys., 75, 1656
Schulze, Tim Verdinand. (2011). Structural,
electronic and transport properties of
amorphous/crystalline
silicon
heterojunctions. Disertasi Doktor pada

Institut fr Silizium-Photovoltaik E-I1 :

HZB-Berichte.
Rizky Mayang Dessyntya, E. Y. (2012).
PECVD Sistem Permasalahan dan
Penyelesaiannya . Surabaya: Program Studi
Sarjana Fisika, Institut Teknologi Sepuluh
Nopember.
S. Amiruddin, I. U. (2005). Studi Optimasi
Parameter Daya RF untuk Penumbuhan
Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan
Metode Hot Wire Cell PECVD. PROC. ITB
Sains & Tek. Vol. 37 A. Bandung.