Karakteristik Transistor Efek Medan

Tujuan Percobaan
1. Menggambarkan kurva karakteristik output JFET kanal-N dengan cara mengukur arus
drain ID dan tegangan drain-source VDS dengan mempertahankan tegangan gatesource VGS tetap konstan.
2. Menggambarkan karakteristik transfer JFET kanal-N yaitu kurva arus arus drian ID
sebagai fungsi tegangan gate-source VGS pada tegangan drain-sorce VDS yang tetap
konstan.
3. Menentukan transkonduktansi gm berdasarkan hasil pengukuran karakteristik transfer
pada VDS = 7 Volt.
Ringkasan Teori
Transistor bipolar bekerja berdasarkan gerakan dua jenis muatan yaitu muatan
positif (hole) dan muatan negatif (elektron) sedangkan operasi field effect transistor
(FET) atau transistor efek medan mengacu pada gerakan satu jenis muatan (hole atau
elektron) sehingga FET dapat disebut transistor unipolar (satu polar).
FET memiliki elektroda yang disebut gate (gerbang), drain (cerat) dan source (sumber).
Gate dihubungkan pada bahan untuk gate sedangkan drain dan source diubungkan
ke bahan channel (kanal atau saluran). Bahan untuk kanal dapat berupa bahan
tipe-n atau tipe-p, sehingga FET dibedakan berdasarkan tipe bahan kanalnya yaitu
kanal-n dan kanal-p.
Berdasarkan cara menempelkan bahan gate pada bahan kanal, FET dibedakan atas
dua jenis yaitu JFET (Junction FET) dan MOSFET (Metal-oxide semiconductor FET).
Pada JFET, bahan gate ditempelkan secara langsung pada bahan kanal dan pada
MOSFET, antara bahan gate dengan bahan kanal diisolasi dengan menggunakan bahan
oksida logam yang tipis sehingga MOSFET juga disebut IGFET (Insulated Gate FET)
atau FET gerbang terisolasi.
Pada pengoperasiannya JFET harus menggunakan tegangan gerbang negatif dan
MOSFET dapat menggunakan tegangan gerbang positif.

Cara kerja FET dapat dipahami dari kurva karakteristiknya yaitu :

Kurva karakteristik output disebut juga kurva drain yang menunjukkan hubungan
ID sebagai fungsi VDS pada VGS yang konstan.
Kurva karakteristik transfer yang menunjukkan hubungan ID sebagai fungsi VGS
pada VDS yang konstan.

Gambar Rangkaian
15 V
15 V
BF 244
2,2 k

ID

P2
200

S
P1

VGS

VDS

1 k
0V

Peralatan dan Komponen

1 papan panel percobaan
1 resistor = 2,2 k
2 resistor variabel = 200 , 1 k
1 N-channel JFET = BF 244
1 Power Supply Unit
1 osiloskop dual trace
1 multimeter analog
2 kabel probe BNC to banana
kabel banana to banana dan jumper secukupnya

Langkah Pecobaan
1. Menyusun rangkaian seperti pada gambar.
2. Mengukur arus ID pada setiap perubahan tegangan VDS yang ditetapkan pada tabel 1
dengan mempertahan tegangan bias gate-source VGS = 0 Volt. Catat nilainya ke dalam
tabel tersebut. VGS dan VDS harus diukur dengan osiloskop atau multimeter digital.
3. Mengulang langkah 2 untuk tegangan VGS = -0,25 ; -0,5; -0,75; -1,0; dan -1,25 Volt
dengan mengatur potensiometer P1.
4. Mengukur arus ID pada tegangan VGS = 0;-0,25 ; -0,5; -0,75; -1,0; -1,25; -1,5; -1,75;
dan -2,0 Volt dengan mempertahan tegangan VDS = 7 Volt. Catat hasilnya ke dalam
tabel 2.
5. Mengulang langkah 4 untuk tegangan VDS = 1 Volt.
6. Menggambarkan kurva karaktersitik output berdasarkan hasil pengukuran tabel 1 dan
kurva karakteristik transfer berdasarkan tabel 2.
Hasil Pengukuran
Tabel 1. Pengukuran karaktersitik output
VGS (V)

VDS (V)

ID(mA)

-0,25

ID(mA)

-0,50

ID(mA)

-0,75

ID(mA)

-1,0

ID(mA)

-1,25

ID(mA)

0,5

1,5

-1,0

-1,25

10

15

-1,75

-2,0

Tabel 2. Pengukuran karaktersitik transfer

VDS
(V)

VGS (V)

ID(mA)

-0,25 -0,50 -0,75

-1,50

ID(mA)