4.2.

teknik pembuatan

Kristal tunggal tidak bekerja sebagai komponen atau alat. Dalam bab ini akan
dibicarakan teknologi pembuatan komponen semikonduktor, kususnya pembuatan hubungan
p-n

4.2.1. pengolahan permukaan semikonduktor

Sifat yang sangat penting dari semikonduktor kristal adalah “ peka terhadap struktur”.
Karena sifat yang sangat penting itu, ketika membuat komponen semikonduktor, permukaan
kristal harus dijaga dengan tetap kesempurnaannya terhadap sifat kimia dan fisisnya. Sebagai
contoh, difusi dari ketidak murnian ke dalam kristal, yang akan dibicarakan kemudian,
dilakukan melalui permukaan, maka setiap pengotoran permukaan langsung mempengaruhi
distribusi ketidakmurnian di dalam kristal. Selanjutnya, komponen seperti dioda dengan
hubungan p-n dibuat dengan jalan metoda pemaduan , bila pengolahan permukaan tidak
sempurna mungkin terdapat arus bocor biarpun dalam komponen yang baru dibuat,
mengakibatkan kenaikan dari arus mundur.

Pengolahan permukaan sangat penting dan sangat menentukan sifat komponen yang
dibuatnya. Berikut ini akan dibicarakan prosedur pengolahan permukaan pada tingkat
fabrikasi hubungan p-n sesuai dengan pesanan yang akan diproses.

Pada permulaan dari fabrikasi dioda p-n atau transistor, dimulai dengan memotong
balok bahan semikonduktor (kristal tunggal bentuk batang), menjadi kepingan, dan
selanjutnya dipotong lagi menjadi bentuk pelet-pelet. Pemotongan dilakukan dengan sebuah
piringan yang mengandung serbuk intan, yang berputar dengan kecepatan tinggi, piringan ini
disebut pemotong intan. Selain dari pada itu untuk memotong kristal menjadi pelet kecil,
untuk memotong kristal yang mahal dilakukan dengan pemotong ultrasonik dan pemotong
kawat.

Permukaan yang dipotong sering mendapat kerusakan karena adanya gosokan dari
intan atau serbuk gosok dari pemotong. Terutama pada kristal yang rapuh terdapat banyak
rengat yang mempengaruhi bagian dalam dari kepingan kristal. Untuk memperbaiki ini
dipergunakan gerinda permukaan untuk membuang lapisan yang rusak. Biasanya dilakukan
dengan mempergunakan serbuk SiC. Banyak macam-macamnya ukuran yang tergantung
pada ukuran serbuk. Dimulai dengan serbuk yang paling kasar kemudian dengan yang halus
dan diakhiri dengan serbuk yang sangat halus untuk finishing.proses ini disebut
penggerindaan, penggosokan dan menggosok mengkilat, yaitu dilakukan secara bertingkat
mulai dari bahan dasar, walaupun tidak selamanya memakai proses ini. Pada waktu
melaksanakan penggosokan, serbuk SiC dicampur dengan air diatas pelat gelas yang agak
tebal (sedatar mungkin) dan kepingan dan/atau pelet digosok dengan menggerakkan berputar-
putar diatas pelat gelas. Air yang dipergunakan untuk melarutkan SiC harus sangat murni.
Bila dikehendaki ketebalan keping yang uniform, dipergunakan jig gosok.

gamabar 4.9. bagian dari jig penggosok dan alat penggosok sebenarnya

Untuk menghindarkan pengaruh dari besarnya butiran SiC yang dipergunakan dalam
proses finishing kasar sebelumnya, yang berpengaruh pada finishing halus, maka dibutuhkan
pencucian yang cermat. Bila pencucian tidak cermat maka butir yang kasar merusak
permukaan pada waktu finishing halus. Untuk menyempurnakan pencucian dipergunakan
alat ultrasonik. Untuk mendapatkan finishing yang sangat mengkilat/halus dengan cara
menggosok, dipergunakan kain gosok yang diletakkan di atas plat kaca, dan keping digosok
dengan kain gosok. Maka didapatkan permukaan yang halus mengkilat, tetapi ujung dari
keping menjadi tumpul. Dalam hal ini penggosokan menggunakan serbuk alumina dengan
ukuran butiran antara 0,5 – 0,1 μm .

Dalam tabel di bawah menyatakan besarnya kekasaran dari permukaan setelah

mengalami bebrapa macam pengolahan permukaan.
Tabel 4.1 kedalaman dari lapisan permukaan yang dikasarkan

Pengerjaan Ukuran butir Tebal dari lapisan yang

dikasarkan
Semprotan pasir 180 mesh 125 μm 32-34 μm
Penggosokan SiC 600 mesh 25 μm 17-18 μm
Pemotongan dengan intan - 12-13 μm
Digosok mengkilat dengan 0,5 μm 1-2 μm
intan
Ultrasonik SiC 600 mesh 25 μm 1-2 μm

Data – data berguna dalam saat esta, yang menyambung langkah proses berikutnya.
Pengolahan permukaan yang telah di uraikan merupakan langkah mekanis, dan langkah
langkah berikut ini dengan bahan bakar kimia. Ini disebut etsa. Maksud dari etsa untuk
mengilangkan permukaan yang rusak yang tidak dapat dibuang dengan cara mekanis.

Pada dasarnya proses etsa dimulai dengan “oksidasi”. Sebagai contoh pada bahan Ge,
biarpun Ge dicelupkam dalam larutan HNO3, tidak akan terjadi proses etsa. Dalam hal ini
HNO3 hanya mengoksidasi permukaan. Tetapi bila ditambah HF dengan jumlah yang cukup
pada larutan itu , kecepatan proses etsa tiba-tiba meningkat. Hal ini disebabkan karena HF
melarutkan oksida. Maka etsa, merupakan dua langkah proses dimana mula-mula permukaan
dioksidasi dan lapisan oksida dilarutkan.

Bila melakukan etsa, bahan kimia yang beracun dan sangat berbahaya yang
dipergunakan, membutuhkan perlakuan yang hati-hati. Pertama, dibutuhkan instalasi lemari
asam yang cukup, tempat pencelup yang dipergunakan harus tahan asam, ventilator dan air
yang baik (dengan keran terbuat dari bahan khlorida vinyl) dan jendela pengamat dengan
kaca dari bahan resin (plastik). Pada saat ini bahan yang sering digunakan adalah tipe
khlorida vinyl, tetapi karena tidak tahan temperatur tinggi maka dihindarkan panas yyang
melebihi 1000C.

Selanjutnya karena instrumen-instrumen yang digunakan dalam etsa akan terkena

asam, maka instrumen dari metal tidak tepat dipakai, maka, gelas dan botol bahan, gelas ukur,
pinset dan instrumen yang lain juga harus dibuat dari khlorida vinyl. Berikut diuraikan cara
yang hati-hati dalam menjalankan etsa:
 1. Jauhkan logam-logam (arloji tangan dan sebagainya). Kaca mata dari gelas (gelas dan
sebagainya) dari lemari asam.
2. Jangan menggunakan bahan kimia yang sudah lama.
3. Penggunaan larutan etsa dalam jumlah besar supaya menghindarkan terjainya panas
pada waktu reaksi berlangsung.
4. Jangan lupa mengaduk larutan.
5. Eping yang dietsa jangan sampai terkena udara. Bila reaksi berjalan sangat cepat
keping yang dietsa jangan diangkat, encerkan larutan dengan menambahkan air murni
dalam larutan itu.
6. Cuci dengan sempurna dalam air setelah etsa.
7. Bila kulit operator terkena larutan etsa, cepat cuci dengan air dan berikan asam yang
pertama. Bila lukanya parah pergilah kedokter.

Sebagai obat pertama luka bakar karena HF gunakan adonan kapur yang diremas
dalam air, larutan air yang jenuh oleh magnesium sulfida, atau alkohol 70 % dalam air
dingin. Terutama bila asam HF mengenai mata, pertama cuci baik-baik dengan air lalu
cuci dengan larutan 2% larutan acidum borcium.

4.2.2 pembuatan hubungan p-n/Junction p-n

1. Metoda paduan

Dalam metoda paduan sepotong kecil bahan logam untuk memberi ketidakmurnian
yang akan bekerja sebagai donor atau aseptor, ditempatkan diatas bahan kristal
semikonduktor yang akan bertindak sebagi substrat, kemudian dipanaskan dan terbentuklah
hubungan p-n. Cara ini sangat efektif pada pembuatan hubungan p-n dari Ge. Hal ini karena
adanya In yang merupakan bahan dengan titik leleh yang rendah, bekerja sebagai aseptor. Itu
adalah sebuah contoh yang menggambarkan fabrikasi dari hubungan p-n dengan metoda
paduan.

Karakteristik dari hubungan/ junction yang dihasilakn dengan metoda paduan yaitu
merupakan hubungan dengan langkah mendadak (gradien konsentrasi donor dan aseptorpada
hubungan berubah secara mendadak) dan proses ini relatif sederhana. Tapi sebaliknya
terdapat banyak kesukaran untuk mengatur ketebalan dari junction/ hubungan dan sukar
mendapatkan bidang yang rata dari hubungan itu. Untuk membuat transistor (terutama daerah
basis) hal tersebut tidak dikehendaki. Ttetapi dengan adanya pengolahan mula yang
dilakukan sebelum paduan, yang disebut “pembasahan”, setelah ini dijalankan maka didapat
permukaan hubungan yang relatif rata.
 2. Metoda difusi

Dalam metoda ini ketidakmurnian yang ditambahkan didifusikan pada permukaan

dari kristal semikonduktor yang dipanaskan dalam temperatur tinggi, maka terbentuklah
hubungan p-n. Di laboratoriun Bell, dilakukan penyelidikan dari teknologi hubungan p-n
pada kedalam sampai sinar dapat menimbulkan efek, tujuannya untuk membuat baterai
matahari. Metoda difusi diketemukan sejak penelitian itu. Maka, lapisan p-n yang dihasilkan
dengan metoda ini mempunyai sifat yang sangat dangkal/tipis.

Gambar 4.14 alat difusi ketidakmurnian

Dalam hal ini ketidakmurnian tipe p di difusikan kedalam kristal substrat tipe n.
Hubungan p-n terbentuk pada posisi dimana konsentrasi donor yang berasal dari substrat
kristal tipe p-n dan konsentrasi aseptor yang ditambahkan wakitu difusi, besarnya menjadi
sama.
 Posisi x1 ini diberikan dalam persamaan berikut ;

Gambar : 4.15 distribusi dari ketidak murnian yang telah di difusikan.

{
x 1 = 2 √ Dt ln
ND
NO
− ln √ π ( )}
x1
2 √ Dt
2

Dimana :

D = konstanta difusi

ND = konsentrasi aseptor pada permukaan

NO = konsentrasi donor pada kristal substrat tipe-n

Metoda difusi yang lain adalah dengan cara mengendapkan ketidakmurnian langsung
diatas permukaan dari substrat kristal tunggal, dan kemudian didifusikan dengan panas.
Ketidakmurnian dapat diendapkan dengan penempelan, pelapisan atau dengan penguapan
vakum. Dalam metoda ini bahan yang diendapi menjadi rusak, makanya cara ini tidak
dipergunakan pada fabrikasi intergrated circuit; sedangkan untuk pengendapan lapisan emas
mempergunakan metoda ini (metoda penguapan vakum). P2O5 dipergunakan untuk metoda
diatas, bahan dilarutkan kedalam air dan dilapiskan pada permukaan.

Perbedaan yang sangat penting dari dua difusi diatas yaitu pada penggunaan sumber
ketidakmurniannya, keadaan yang pertama kristal dikenakan pada sumber yang tidak
terbatas, sedangkan dalam metoda kedua dimana ketidakmurnian diendapkan pada
permukaan, keadaanya sama dengan difusi yang dijalankan dengan jumlah ketidak murnian
yang terbatas. Karena perbedaan tersebut, maka pola distribusi dan ketidakmurnian yang
didifusikan adalah berbeda satu sama lain, hal ini dapat diterangkan dengan teori difusi.

Menurut hukum fick pertama, laju dari aliran atom ketidakmurnian sebanding dengan
gradien dari konsentrasi, yang dalam satu dimensi dapat dinyatakan sebagai berikut

∂N
f =− D
∂X

Dimana :

f = fluksi dari atom ketidak murnian yang melalui permukaan, dimensi : (m2sek-1)

D = konstanta difusi dimensi : (m2sek-1)

N = konsentrasi atom ketidak murnian per satuan volume

x = jarak dari permukaan .

3. Metoda epitaksi

Metoda epitaksi juga merupakan pembentukan hubungan p-n, metoda itu pula
dipergunakan pula untuk membuat kristal tunggal. Dalam bahasa yunani epi berarti “di atas”
dan taxial adalah kata kerja waktu lampau yang berarti “menyusun”. Maka , epitaksi dapat di
defenisikan sebagai penyusunan atom-atom diatas substrat kristal tunggal, dengan distribusi
yang sama dengan substratnya, dengan susunan lapisan yang dihasilkan merupakan
perpanjangan / sambungan dari garis struktur kristal substrat.

Pada metoda ini, dengan merubah perbandingan antara Si dengan ketidakmurnian

yang dalam bentuk gas, maka jumlah ketidakmurnian pada lapisan bisa di rubah
sembarang/semuanya, maka dengan merubah tipe dan konsentrasi ketidak murnian dalam
bentuk gas itu, karakteristik dari lapisan epitaksi dapat dirubah sangat bebas.

Proses epitaksi yang sesesungguhnya, gambar 4.22 menunjukan peralatan yang

dipergunakan untuk membentuk lapisan Si epitaksi .
Gambar 4.22 tabung reaksi untuk pertumbuhan lapisan epitaksi

Sebuah tabung kwarsa yang panjang mempunyai pintu masuk dan keluar pada ujung-
ujungnya, kumparan pemanas dengan frekwensi tinggi dililitkan pada tabung itu. Mula-mula
keping-keping substrat yang telah diolah secara mekanis dan kimia permukaannya, dan juga
telah dicuci akhir, ditempatkan dalam cawan berbentuk perahu, dan perahu itu ditempatkan
dalam tungku reaksi ( daerah yang dipanaskan pada tabung kwarsa).

4. Metoda pencangkokan ion

Dalam metoda pencangkokan ion , ketidakmurnian yang aktif di ionkan dan

dipercepat dengan energi yang tinggi dan dicangkokan langsung kedalam substrat. Sebagai
substrat dapat digunakan bukan saja semi konduktor tetapi juga logam atau isolator. Karena
metoda penambahan ketidakmurnian itu dilakukan dalam keadaan tidak setimbang , maka
karakteristiknya sangat berbeda dengan pertumbuhan kristal epitaksi dan difusi.

Gambar 4.25 memberikan gambaran konsep dari metoda pencangkokan ionitu. Pada
bagian sumber ion ketidakmurnian yang akan dicangkokkan diionisasikan (memakai eksitasi
frekwensi tinggi) dan ketidakmurnian yang diionkan dipercepat sampai tingkat energi
beberapa puluh hingga beberapa ratus ke V , dengan menggunakan medan listrik yang sangat
kuat.
Gambar 4.25 gambaran skematis dari alat pencangkokan ion

Prinsip dari pencangkokan ion telah dijelaskan diatas. Sebagai metoda fabrikasi dari
komponen, pencangkokan ion mempunyai karakteristik sebagai berikut:

(1) Mempunyai kemurnian yang sangat tinggi pada bahan yang didopkan. Seperti
diterangkan diatas, berkas ion dianalisa dengan spectrometer masa yang menaikkan resolusi
dari ketelitian, hal ini memungkinkan mencangkok hanya ketidak murnian yang dikehendaki
saja pada substrat, maka kehadiran ketidak murnian yang tidak dikehendaki dapat diabaikan,
tidak demikian halnya pada metoda difusi.

(2) Jumlah dari ketidak murnian yang ditambahkan dapat diamati dari besarnya arus
berkas ion dan jumlah dari ketidak murnian yang ditambahkan berbanding lurus dengan arus
itu; pengaturannya dapat sangat lebar, yaitu dari konsentrasi pencangkokan yang tinggi
hingga konsentrasi ketidak murnian yang rendah dapat dihasilkan dengan cara ini. Khususnya
untuk mencangkok dengan konsentrasi yang rendah sangat sukar dikerjakan dengan metoda
difusi konvensionil, lebih lanjut, karena pencangkokan dengan konsentrasi rendah
menghasilkan resistansi yang tinggi, maka metoda ini dapat dipergunakan dalam teknologi
pembuatan isolasi pada integrated circuit/ rangkaian terintegrasi.

(3) Konsentrasi dari ketidak murnian yang dicangkok sangat uniform.

(4) Kedalaman dari hubungan/junction dapat diatur sangat teliti. Kedalaman

hubungan dapat diatur dengan mengatur besarnya energy pencangkokan, jumlah yang
dicangkokan, dan kondisi pemudaan (annealing) pada waktu pencangkokan. Semua
parameter itu dapat diatur dari luar.
 (5) Dapat dimungkinkan membuat hubungan/junction yang dalam. Kedalaman dari
hubungan dapat diatur, tetapi karena keterbatasan dari besarnya energy percepatan ionisasi,
maka kedalaman maksimum terbatas hanya hingga 1 μ m.

(6) Temperatur yang sangat panas tidak dibutuhkan.

(7) Alat yang dipergunakan sangat besar, sangat susah menjalankannya dan mahal.

(8) Jumlah keeping yang diproses terbatas. Pada waktu ini tidak mungkin diproses
beberapa keeping sekaligus.

(9) Terdapat kerusakan yang tersisa pada lapisan yang dicangkok. Ini adalah sifat
yang pada metoda pencangkokan ion, tetapi kerusakan ini dapat dikompensasi sampai batas-
batas tertentu dengan memanaskannya pada 600 ℃ - 1000 ℃ . Di antara macam-
macam komponen yang dapat dibuat dengan pencangkokan ion mengingat sifat-sifat baiknya
seperti disebut diatas, sangat tepat untuk membuat struktur integrated circuit/rangkaian
terintegrasi jenis MOS. Dan lebih lanjut lagi untuk fabrikasi diode variabel kapasitansi, diode
Schottky dan bateri matahari.

4.2.3 Penilaian Lapisan Permukaan

Seperti dijelaskan dalam bab-bab sebelumnya, hubungan p-n dapat dibuat dengan
penambahan ketidak murnian dengan berbagai cara. Untuk dapat mengetahui sifat dari
hubungan p-n yang telah dibuat, sangat penting untuk meneliti kedalaman (dari permukaan)
dimana terbentuk hubungan/junction, resitivitas dari lapisan dan konsentrasi dari ketidak
murnian pada permukaan, dan juga mengevaluasi data-data yang telag didapat. Pada bab ini
metoda evolusi akan ita pelajari.

(1) Pengukuran ketebalan dari hubungan p-n : Kedalaman dari hubungan (junction)
biasanya dianggap sebagai jarak dari permukaan sampai titik dimana konsentrasi dari ketidak
murnian yang ditambah dari permukaan, dan konsntrasi dari tipe konduksi yang berlawanan
yang berasal dari yang didapat dalam substat, menjadi sama. Tetapi hubungan yang dibentuk
dengan metode epitaksi dan metoda difusi berada sangat dekat dari permukaan maka
menghasilkan hubungan yang sangat tipis.
 Akibatnya, pengukuran kedalaman secara langsung sangat sukar dikerjakan. Maka
pertama-tama harus kita perhatikan metoda yang dapat melakukan penambahan tebal yang
efektif dari lapisan permukaan.

Salah satu metoda itu dengan cara menggosok miring, dimana lapisan yang terbentuk
dimiringkan dengan sudut 5 ° -3 ° terhadap permukaan, menghasilkan kenaikan
ketebalan yang dapat diukur. Gbr.4.26 menunjukkan prinsip dari metoda itu dan jig untuk
menggosoknya.

Seperti terlihat pada gambar ketebalan dari lapisan bertambah dengan :

x = 1 tan θ (4.31)

Dari persamaan 4.31 ini, ketelitian sudut penggosokan menentukan 1 dan θ . Bila 1 dapat
dibuat tambah panjang, pengukuran lebih mudah dilakukan, dan kesalahannya dikurangi.
Untuk membuat 1 lebih panjang, sudut θ harus dikecilkan, tetapi di sini diperlukan
penggosokan yang teliti, karena kalau tidak akan terjadi “pembuatan” pada titik A, yang
menimbulkan kesalahan pengakuan 1 (Gbr. 4.27) dan θ tidak dapat dikecilkan terlalu
banyak.

Lebih lanjut, seperti terlihat pada Gbr. 4.26(b) bahan yang akan digosok dipegang
pada torak dengan bantuan perekat, dan sudutnya tidak perlu berimpit dengan sudut dari jig,
menuruti pembagian dari perekat saja. Dalam hal ini sudut θ diukur terpisah dari langkah
yang dilakukan itu.

Di samping sudut penggosokan, ada penggosolk alur yang lebih teliti. Gbr. 4.28
memperlihatkan alat untuk keperluan itu dan hasil yang telah digosok.

Tebal dari lapisan dalam hal ini dinyatakan sebagai berikut :

y ₁. y ₂
xj
D

Metoda ini mempunyai keuntungan ketelitian yang tinggi pada lapisan yang tipis,
tanpa membutuhkan perlakuan yang hati-hati dari bahan itu.
 Bila dengan cara penggosokan saja tidak dihasilkan garis hubungan yang jelas, maka
dilakukan langkah kedua dengan cara mengetsa untuk mendapatkan garis hubungan yang
jelas. Etsa bintik daro Si merupakan salah satu contohnya. Proses ini membuat Si mudah
dioksidasi, dan bahan yang telah digosok dicelupkan ke dalam HF 50 cc yang diberi 1-2 tetes
HNO3. Lebih lanjut, larutan disinari dengan sinar putih, setelah 10 detik hingga 1 menit
bagian tipe-p menjadi agak hitam. Ini mungkin disebabkan karena, selama penyinaran dari
sinar putih, terbentu pasangan electron-hole yang menyebabkan reaksi elektro kimia, hole-
hole mempunyai efek yang leih kuat.

Ge pada umumnya dipakai untuk fabrikasi dari hubungan p-n jenis paduan (alloy).
Hubungan-paduan ini terbentuk pada titik yang lebih dalam dari permukaan bila dbandingkan
dengan hubungan difusi (diffused junction), maka ini tidak membutuhkan penggosok dengan
sudut. Penggosokan tegak lurus dan etsa dalam beberapa detik sampai beberapa puluh detik
dengan CP4 terbentuk tingkat-tingkat karena perbedaan konsentrasi ketidak murnian, dan
memudahkan pengamatan.

Metoda lain yang menghasilkan pengamatan yang jelas dari tipe hubungan-paduan
adalah dengan metoda pelapisan. Dengan melapiskan suatu tipe logam, pada salah satu sisi
dari hubungan, sehingga garis hubungan akan dapat diamati dengan jelas.

Gbr 4.29 menunjukkan prinsip ini. Larutan pelapisan terdiri dari 25 g Cu(NH 3)4
(OH)2, 500 g H2) dan NH4OH. Dalam larutan tembaga, NH4OH ditambahkan sampai endapan
putih dari Cu(OH)2 melarut, larutan menjadi warna biru. Metoda ini dilakukan dengan
menutup switch S1, membuka dan menutup beberapa kali switch S2, dengan interval waktu
kira-kira 1 detik. Hasilnya, Cu diendapkan secara proses pelapisan pada bagian tipe-p. seperti
terlihat pada gambar, keadaan bagian tipe-p dan tipe-n diberi prategangan terbalik (tegangan
bias mundur). Maksudnya untuk mendapatkan variasi yang mendadak dari tegangan pada
hubungan, untuk melapisi hanya pada tipe-p saja. Sebelum pelapisan lebih baik bila
sebelumnya dietsa beberapa detik dalam larutan HNO3 dan HF yang berbanding 1:1, untuk
memperbaiki karakteristik bias mundur (menghindarkan kebocoran arus melalui permukaan),
mendapatkan hasil-hasil yang lebih baik. Seperti diterangkan di atas, bila hubungan dengan
mudah dapat diamati, maka panjang lapisan dapat pula diukur, dan ini biasanya dilakukan
memakai mikroskop metalurgi dengan skala yang telah berada di dalamnya.
 Pengukuran 1 seperti dinyatakan dalam persamaan (4.31) dilakukan dengan menaruh
secara horizontal seperti pada Gbr. 4.26 (a), permukaan dan mikroskop dan pengukuran dari
jarak yang diproyeksikan AB (yaitu 1) pada bidang horizontal. Tetapi bila sudut penggosokan
tidak besar, persamaan (4.31) dapat di dekati dan dinyatakan sebagai :

x = 1 sin θ (4.33)

Ini berarti bahwa meskipun mikroskop tidak tepat horizontal terhadap permukaan,
pengukuran dapat dilakukan tana kesalahan besar. Selanjutnya, bila bahan serbuk penggosok
tidak begitu bagus, menimbulkan ujung yang bulat, atau sudut tidak tepat, cukup baik bila
menggunakan mikroskop interferensi. Bila penyetelan untuk mendapatkan rumbai-rumbai
interferensi seperti dalam Gbr. 4.30, rumbai-rumbai pada permukaan dan pada hubungan
kemudian dihitung. Bila jumlah rumbai adalah n, kedalaman dari hubungan (junction)
menjadi:
 λ
Kedalaman hubungan = n x
2

Dimana λ adalah panjang gelombang dari cahaya yang diradiasikan, dan dalam hal
menggunakan lampu Na, λ = 0,589 μ m

Di samping hal diatas yang menggunakan mikroskop, masih ada metode dengan
mempergunakan metoda listrik untuk mengukur kedalaman dari hubungan. Metoda ini
berdasarkan pada daya listrik thermo dan daya foto elektrik. Dalam metoda daya listrik
thermo, seperti terlihat pada Gbr. 4.31, sebuah probe yang tipis, yang mempunyai pemanas
sekitar probe itu, diletakkan pada bahan yang telah digosok miring permukaannya. Sebuah
ditektor arus (macam indicator yang mempunyai angka nol ditengah skala, ini lebih baik)
diletakkan, dengan terminal negative dihubungkan pada pemanas, dan terminal positifnya
pada lapisan tipe-n dan seluruh system dipanaskan.
 Hasil dari cara ini, seperti telah dipelajari pada bab I, arus disebabkan dari gaya
elektromotif-termo. Bila tipe konduksi dari bahan itu adalah p, maka arus mengalir pada arah
positif dan dalam hal tipe-n mengalir pada arah negative. Dengan menggeserkan probe dari A
ke B, arah arus akan berubah pada titik hubungan. Dengan mengukur pada arah horizontal
sampai pada hubungan, dan dengan mengetahui sudut penggosokan, maka kedalaman lapisan
dapat diketahui dengan perantaraan rumus (4.31). Metoda foto-elektrik mempunyai cara yang
serupa dengan yang telah diuraikan, hanya saja disini dipergunakan sinar yang dipancarkan
sebagai pengganti panas (Gbr. 4.32).

Bila probe melewati hubungan, tegangan listrik akan naik, dan kedalaman dapat
dihitung analog dengan prosedur diatas.
 (2) Resistansi lapisan : Seperti digambarkan pada Gbr. 4.33, dengan menganggap
bahwa arus I mengalir melalui ruang semikonduktor dengan panjang rusuk 1 cm. anggaplah
resistansi dari semikonduktor ini adalah R, harga ini sama dengan resistansi jenis ρ o. Ini
disebabkan karena resistansi jenis didefinisikan sebagai resistansi ruang dari berbentuk kubus
dengan rusuk 1 cm. telah dikenal hubungan antara resistansi dan resistansi jenis seperti
berikut :

bc
ρo= R (4.35)
a

Bila R dinyatakan dalam Ω dan a, b, c dalam cm, maka ρ o dinyatakan dalam Ω -

cm. resistansi lapisan didefinisikan sebagai resistansi jenis ρ o dibagi oleh tebal dari kubus.
Maka resistansi lapisan ρ s menjadi :

1 c
ρ s= . ρ o=¿ R (4.36)
b a

Mempunyai dimensi Ω . Ini tidak tergantung pada tebal dan ukuran yang lain, walaupun
bila c dan a tidak 1 cm, bila ini dibuat konstan, yaitu bila permukaan yang sejajar dengan
arah arus adalah bujur sangkar, ρ s akan selalu tetap. Seperti dapat dilihat pada persamaan
(4.36) untuk dapat mengetahui tahanan lapisan perlu diketahui resistansi jenisnya.

Seperti diterangkan dalam Bab 1, suatu cara khas untuk mengukur tahanan jenis
menggunakan metoda probe-empat seperti terlihat pada Gbr. 4.34, dalam metoda ini 4 probe
diletakkan pada garis lurus diatas permukaan dari semikonduktor, dengan arus I mengalir
antara kedua elektroda terluar, dan tegangan jatuh V diukur melalui kedua elektroda di dalam.
 Hasil yang telah didapat dianalisa berdasarkan persamaan diferensial elektostatis yang
ekuivalen dengan aliran arus listrik yang mengikuti hukum Ohm, dan dalam hal bila contoh
yang diukur mempunyai ukuran yang tidak terbatas, atau bila tebalnya cukup besar
dibandingkan dengan jarak s antara probe-probe, dapat dinyatakan sebagai berikut :

V
ρ=2 πs (4.37)
I

Lebih lanjut, luas permukaan dianggap tidak berhingga, tetapi bila tebal lapisan yang
diukur lebih kecil dibandingkan dengan s, maka persamaannya menjadi :

V
ρ= x ln 2 (4.38)
I

Dimana x adalah tebal lapisan, dan diandalkan x <<s. kita sekarang mempersoalkan evaluasi
dari lapisan permukaan, tetapi biasanya tebal dari permukan hanya beberapa μ m, dan s
adalah 0.5-1 mm, dan kondisi x << s dipenuhi. Maka persamaan (4.38) sudah cukup untuk
menyatakan resitivitas, dari persamaan (4.38) dan (4.36), resistansi lapisan menjadi :

V V
ρ=ln 2 =4,5324 (4.39)
I I

Dalam hal sesungguhnya permukaan dari contoh luasnya terbatas, dan dalam hal ini
bila luas menjadi kecil sampai batas tertentu, maka harus ada koreksi dari koefisien 4,5324
itu. Pada Gbr. 4.35 ditunjukkan koefisien untuk permukaan yang bundar dan persegi, untuk
mengkoreksi resitansi lapisan.
 (3) Konsentrasi pada lapisan permukaan : Untuk menentukan konsentrasi pada
lapisan permukaan dari metoda difusi, harga-harga seperti factor di bawah ini dibutuhkan :

(i) Kedalaman hubungan (junction),

(ii) Resistansi lapisan dari lapisan itu

(iii) Distribusi dari konsentrasi ketidak murnian

(iv) Resistansi dari subtract sebelum difusi

(v) Mobilitas dari pembawa mayoritas.

Ini disebabkan karena hubungan dimensi-satu antara konsentrasi lapisan permukaan

dan parameter-parameter di atas, yang dihubungkan sebagai berikut, dengan menganggap
semua ketidak murnian diionisasikan :

x˳
1 1
σ= = q∫ μ ( N ) [ N ( x )−N ˳ ] dx
ρ s. x ˳ x ˳ o

dimana :

σ = konduktivitas lapisan permukaan

ρ s = resistansi lapisan

x˳ = jarak dari permukaan ke hubungan (junction)

μ (N ) = Mobilitas dari pembawa mayoritas yang tergantung dari konsentrasi

ketidak murnian

N˳ = Konsentrasi ketidak murnian dari subtar sebelum difusi.

Syarat batasnya adalah :

N (0) = Ns dan
 N ( x ˳¿ = N˳

Di mana :

Ns = konsentrasi permukaan, adalah besaran yang dikehendaki.

Kedalaman hubungan xo dan resistansi lapisan ps adalah di dapat dari Bab 4.2.3 (1) dan (2).
Bila difusi telah dihasilkan dari salah satu metoda pada (2) dari Bab 4.2.2, macam fungsi
yang menyatakan distribusi dari konsentrasi ketidak murnian dapat diketahui (sebagai contoh
distribusi erfc atau distribusi Gauss).

Lebih jauh, resistansi dari substrat sebelum difusi dapat diukur dengan metoda probe-
empat. Sekarang sudah cukuo dengan mengetahui mobilitas pembawa mayoritas yang
berhubungan pada konsentrasi ketidak murnian. Telah diketahui bahwa antara mobilitas dan
konsentrasi ketidak murnian ada hubungan sebagai berikut:

Dalam hal electron :

μ n(N) = 300 x (19 – ln N) (cm2 /V. det)

(dalam batas 1016 < N < 5 x 1018 cm-3)

μ n(N) = 80 (cm2 /V. det)

(dalam batas 5 x 1018 < N < 1020 cm-3) (4.41)

Dalam hal hole :

μ p (N) = 180 x (18,2 – ln N) (cm2 /V. det)

(dalam batas 1016 < N < 8 x 1017 cm-3)

μ p (N) = 40 (cm2 /V. det)

(dalam batas 8 x 1017 < N < 1020 cm-3) (4.42)

 Sebagai hasilnya, bila besaran-besaran yang didapat dalam persamaan (4.40)
diketahui, maka konsentrasi permukaan Ns dapat diketahui pula, tetapi karena μ (N)
seperti terlihat pada hal-hal diatas berubah, maka solusi umum tidak bisa di dapatkan, dan
harganya dinyatakan dalam bentuk grafik.

4.2.4 Kontak Untuk Bahan Contoh

Diperlukan elektroda-elektroda pada komponen / alat yang dihasilkan untuk

menghubungkan ke terminal-terminal. Tetapi karakteristik dari komponen-komponen tidak
boleh berubah dengan adanya kontak-kontak itu. Terdapat kesukaran untuk menempelkan
elektoda yang tepat. Sebagai contoh, karakteristik penyearahan dan karakteristik foto elektrik
dari dioda hubungan p-n mungkin terbentuk pada kontak sambungan, dan memberikan efek
yang tidak dikehendaki. Dengan menyambung logam pada permukaan semikonduktor, akan
terjadi efek penyearahan karena adanya kenaikan level permukaan seperti gas yang
diadsorbsikan pada permukaan semikonduktor.

Disini akan dibicarakan prinsip dan teknologi bagaimana membentuk yang disebut
kontak-ohmik, yang tanpa memberikan sifat penyerahan, dan bahan kontak tidak
menginjeksikan electron atau hole. Seperti terlihat pada Gbr. 4.36, anggaplah bahwa diatas
permukaan semikonduktor terdapat lapisan dengan ketebalan beberapa puluh μ m, digosok
secara mekanis dengan serbuk gosok yang mempunyai ukuran 5 μ m,dan dengan elektroda
logam menempel pada permukaan. Sudah barang tentu, pada permukaan yang telah digosok,
terdapat banyak pusat rekombinasi yang terbentuk. Misalkan substrat mempunyai konduksi
tipe-n dan hole sebagai pembawa minoritas berekombinasi sangat cepat dengan electron-
elektron yang terbentuk pada permukaan yang telah digosok, sehingga tidak terjadi sifat
penyearahan.
 Tetapi, pada daerah dengan kecepatan rekombinasi yang tinggi akan timbul / generasi
pasangan electron-hole yang besar, dan ini dapat mengakibatkan injeksi dari pembawa
minoritas pada semikonduktor. Maka, ditempat di mana seharusnya injeksi itu diabaikan,
misalnya pada bagian basis dari transistor penempatan elektroda semacam itu tidak
dikehendaki. Lebih lanjut, menaikkan resistansi penempatan elektroda semacam itu tidak
dikehendaki. Lebih lanjut, menaikkan resistansi seri akibat dari adanya lapisan yang digosok,
ini merupakan kerugian dari elektroda tersebut.

Dioda Monolitik

1. Rangkaian Terintegrasi Monolitik

Rangkaian terintegrasi (integrated circuit) didefinisikan sebagai : “Realisasi secara

fisik dari elemen-elemen rangkaian yang secara terpisah tetapi merupakan kesatuan yang
berada di atas atau di dalam sebuah badan yang kontinu untuk membentuk satu rangkaian”.
Seperti, dalam sebuah potongan Kristal tinggal Si di atasnya terbentuk rangkaian dengan
fungsi tertetu dengan, transistor, diode, resistor, kapasitor dan lain-lain, di sebut rangkaian
terintegrasi (integrated circuit).

Maka rangkaian terintegrasi mempunyai karakteristik sebagai berikut :

(1) ukuran kecil

(2) harganya murah

(3) keandalan tinggi

(4) tepat untuk mempertinggi performance (sifat kegunaan)

Rangkaian terintegrasi (IC), meskipun diklasifikasikan menjadi beberapa macam, dapat

dibeda-bedakan terutama menurut :

(a) struktur

(b) fungsi

(c) tingkat dari integrasi

Perbedaan yang khas diperlihatkan pada Gbr. 5.1. Pada klasifikasi yang berdasarkan pada
tingkat integrasi dalam Gbr. 5.1 (c), sebuah integrasi skala kecil (small scale integration atau
SSI), umumnya didefiniskian yang mengandung kurang dari 24 gerbang (gates), integrasi
skala medium ( a middle scale integration atau MSI) yang memuat lebih dari 24 dan kurang
dari 100 gerbang (gates), dan integrasi skala besar (large scale integration atau LSI) yang
mengandung lebih dari 100 buah gerbang.
Isolasi : Sejumlah komponen seperti transistor, diode, kapasitor, resistor, dan sebagainya
dibuat dalam satu chip (butir) silicon dari rangkaian terintegrasi. Tetapi, komponen atau
elemen-elemen itu harus di isolasi satu sama lain dan tidak boleh saling mengganggu. Untuk
ini dipergunakan hubungan p-n dengan tegangan bias mundur seperti yang pernah dijelaskan.
Sebuah contoh digambarkan pada Gbr. 5.9. Di atas keping (wafer) epitaksi tipe-n dibuat
lapisan oksida untuk masker difusi, dan lalu sebuah pulau (island) daerah tipe-n dibuat
dengan difusi tipe-p pada daerah yang dipilih. Pulau ini secara listrik terisolasi dengan jalan
memnerikan bias mundur terus menerus antara kedua daerah itu. Dalam pulau ini elemen/
komponen yang perlu seperti transistor, diode dan sebagainya dibentuk. Maka tegangan pada
daerah tipe-p ini harus dibuat paling rendah dalam rangkaian yang dpergunakan.

Di samping contoh itu ada struktur lapisan-multi yang mempergunakan isolator

seperti SiO2 untuk barrier isolasi; dan ada juga rangkaian dengan lapisan epitaksi silicon
dibentuk di atas kristal tunggal safir (sapphire), dimana bagian-bagian yang tidak diperlukan
dibuang dengan etsa-mesa, sedangkan komponen yang diperlukan kemudian dibuat dengan
tekonologi monolitik.