MAKALAH

FISIKA ZAT PADAT

Diajukan untuk memenuhi salah satu tugas Mata Kuliah Fisika Modern yang di ampu
oleh :
Hj. Hunaidah M., Dra.

Oleh : Kelompok 6

Santri Adi Putri A1K117095

Dwi Arni Anggraeni A1K117037
Like Herawati A1K117015
Fani Helmianti A1K117067
Indah Lestari Yastuti A1K117071

JURUSAN PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN
UNIVERSITAS HALU OLEO
KENDARI
2019
i
 KATA PENGANTAR

Assalamu’alaikum warahmatullahi wabarokatuh

Puji syukur kami panjatkan kehadirat Allah SWT karena hanya berkat
rahmat dan taufik-Nya, sehingga kami dapat menyelesaikan makalah ini pada
waktunya. Shalawat serta salam tidak lupa kami sampaikan kepada junjungan kita
Nabi besar Muhammad SAW yang telah memberikan syafa’at bagi kita
membimbing dari zaman kegelapan menuju jalan yang terang benderang.
Kami sadar dalam penyusunan makalah ini masih jauh dari
sempurna.Untuk perbaikan pada pembuatan makalah selanjutnya, kami
mengharapkan kritik dan saran yang sifatnya membangun kepada para pembaca
karena dalam pembuatan laporan ini masih jauh dari kata sempurna.
Ucapan terima kasih kami sampaikan kepada dosen pembimbing dan
segenap teman-teman yang telah membantu baik secara moral maupun tenaga
guna penyelesaian makalah ini.
Akhir kata kami selaku penyusun laporan ini mengucapkan permohonan
maaf yang sebesar-besarnya apabila dalam penyusunan laporan ini masih jauh
dari kesempurnaan dan semoga laporan ini dapat bermanfaat bagi para pembaca.
Wassalamu’alaikum warahmatullahi wabarokatuh

Kendari, 5 Juni 2019

Penyusun

ii
 DAFTAR ISI

HALAMAN JUDUL............................................................................................ i
KATA PENGANTAR ......................................................................................... ii
DAFTAR ISI ........................................................................................................ iii
DAFTAR TABEL ................................................................................................ iv
DAFTAR GAMBAR ........................................................................................... v

BAB I PENDAHULUAN
A. Latar Belakang ......................................................................................... 1
B. Rumusan Masalah ................................................................................... 2
C. Tujuan ...................................................................................................... 2

BAB II PEMBAHASAN
A. Zat Padat Ionik ......................................................................................... 3
B. Zat Padat Kovalen .................................................................................... 9
C. Ikatan Zat Padat Lainya ........................................................................... 11
D. Teori Pita Zat Padat .................................................................................. 15
E. Pembenaran teori pita ............................................................................... 21
F. Beberapa Sifat Logam .............................................................................. 25
G. Semikonduktor Intrinsik dan Takmurni ................................................... 32
H. Beberapa Piranti Semi Konduktor ........................................................... 37

BAB III PENUTUP

A. Kesimpulan .............................................................................................. 44
B. Saran ......................................................................................................... 44

DAFTAR PUSTAKA .......................................................................................... 45

iii
 DAFTAR TABEL

Tabel 1 Sifat-sifat kristal ionik.............................................................................. 9

Tabel 2 Beberapa Zat Padat Kovalen .................................................................... 11

iv
 DAFTAR GAMBAR

Gambar 1 Susunan atom dalam sebuah kristal kubik sederhana .......................... 4

Gambar 2 Susunan atom dalam sebuah kristal kubik pusat sisi............................ 4
Gambar 3 Susunan atom dalam sebuah kristal kubik pusat benda ....................... 5
Gambar 4 Pemadatan NaCl ................................................................................... 5
Gambar 5 Pemadatan CsCl ................................................................................... 6
Gambar 6 Paham bagi energi sebuah kristal ionik ................................................ 8
Gambar 7 Struktur tethrahedral karbon ................................................................ 10
Gambar 8 Struktur kisi dari intan .......................................................................... 10
Gambar 9 Susunan atom dalam sebuah kristal heksagonal .................................. 13
Gambar 10 Pemisahan dua tingkat 3s ................................................................... 16
Gambar 11 Pemisahan lima buah tingkat 3s ......................................................... 17
Gambar 12 Pembentukan pita 3s........................................................................... 17
Gambar 13 Pita-pita energi dalam logam natrium ................................................ 17
Gambar 14 Populasi pita energi dakam natrium ................................................... 19
Gambar 15 Struktur pita dengan Ef ....................................................................... 20
Gambar 16 Apabila Eg>Kt ................................................................................... 20
Gambar 17 Struktur pita semikonduktor ............................................................... 20
Gambar 18 Energi potensial .................................................................................. 22
Gambar 19 Versi sederhana dari potensial............................................................ 22
Gambar 20 Pita energi tidak terlarang dari model kisi satu dimensi .................... 24
Gambar 21 Hubungan antara energi dan bilangan gelombang ............................. 25
Gambar 22 Dua logam berbeda dengan kerja yang berbeda................................. 28
Gambar 23 Dua logam yang bersentuhan ............................................................. 28
Gambar 24 Resistivitas sebuah konduktor biasa ................................................... 29
Gambar 25 Resistivitas sebuah superkonduktor ................................................... 29
Gambar 26 Kekuatan interaksi spin-spin .............................................................. 31
Gambar 27 Ekor fungsi distribusi Fermi-Dirac .................................................... 33
Gambar 28 Ikatan kovalen dalam Ge atau Si ........................................................ 35
Gambar 29 Tingkat energi atom-atom donor ........................................................ 35

v
Gambar 30 Apabila sebuah atom Ge atau Si ........................................................ 36
Gambar 31 Tingkat energi atom-atom akseptor.................................................... 36
Gambar 32 Arus rekombinasi dan termal ............................................................. 39
Gambar 33 Penurunan potensial dan penaikan arus termal .................................. 39
Gambar 34 Sambungan p-n ................................................................................... 39
Gambar 35 Sambungan semikonduktor p-n .......................................................... 40
Gambar 36 Hubungan arus tegangan dioda terowong .......................................... 41
Gambar 37 Transistor sambungan npn ................................................................. 43
Gambar 38 Susunan transistor npn ....................................................................... 43

vi
 BAB I
PENDAHULUAN

A. Latar Belakang
Fisika zat padat adalah bagian dari ilmu fisika yang mempelajari
struktur dan berbagai sifat fisika dari suatu bahan (zat) dalam fasa padat. Fasa
padat adalah suatu fasa dimana atom-atomnya menempati posisi tetap.
Kebanyakan elemen kimia pada suhu ruang adalah bahan dengan fase padat.
Dalam makalah ini akan dibahas lebih rinci mengenai fisika zat padat.
Berbagai produk teknologi berbasis fisika material dan elektronik
yang dapat kita jumpai dalam kehidupan sehari-hari. Seperti computer ,
jaringan serat optik pita lebar, temografi computer dan lainnya sebagainya
merupakan produk teknologi nyata dari kegiatan riset dasar fisika dalam
kurun waktu 40-50 tahun terakhir. Laju lompatan yang spetakuler dibidang
teknologi informasi dan komunikasi modern saat ini tidak terlepas dari
gencarnya riset dibidang fisika zat padat seperti penemuan metode-metode
baru dan pembuatan material semikonduktor, berbagai jenis transistor dengan
kinerja timggi, integrasi komponen menjadi chip tunggal, laser
semikonduktor, media penyimpanan data dengan densitas tinggi, dan lain
sebagainya.dengan kata lain, teknologi menjadi tenaga penggerak (driving
force) dalam perubahan perilaku manusia dari masyarakat industri menjadi
masyarakat berbasis pengetahuan dan informasi. Tidak pungkiri bahwa riset
dasar khususnya fisika material telah banyak memberikan kontribusi nyata
dalamkemjuan teknologi suatu negara yang pada gilirannya akan bermuara
pada kemajuan di bidang ekonomi sekaligus menjadi bangsa yang disegani di
kancah internasional (sembiring, 2008).
Dengan adanya makalah ini diharapkan mahasiswa dapat
mengetahui materi yang berhubungan dengan fisika zat padat yang akan
dibahas pada makalah ini, karena menjadi sangat penting untuk dipahami
dan dipelajari.

1
B. Rumusan Masalah
1. Bagaimana konsep zat padat ionik?
2. Bagaimana konsep zat padat kovalen?
3. Bagaimana konsep ikatan zat padat lainnya?
4. Apa itu teori pita zat padat?
5. Bagaimana pembenaran teori pita?
6. Apasajakah sifat-sifat dari logam?
7. Bagaimana konsep semikonduktor intrinsik dan tak murni?
8. Bagaimana konsep beberapa piranti dari semikonduktor?

C. Tujuan
Adapun tujuan dari pembuatan makalah ini adalah sebagai berikut:
1. Untuk mengetahui konsep zat padat ionik.
2. Untuk mengetahui konsep zat padat kovalen.
3. Untuk mengetahui konsep ikatan zat padat lainnya
4. Untuk mengetahui teori pita zat padat.
5. Untuk mengetahui pembenaran teori pita.
6. Untuk mengetahui sifat-sifat dari logam.
7. Untuk mengetahui konsep semikonduktor intrinsik dan tak murni.
8. Untuk mengetahui konsep beberapa piranti dari semikonduktor.

2
 BAB II
PEMBAHASAN

A. Zat Padat Ionik

Dalam kajian kita mengenai ikatan ionik dalam molekul, kita pelajari
bahwa gaya kohesif dalam molekul ionik berasal dari tarikan elektrostarik
antara sebuah ion berkulit-penuh seperti Na+ , dan ion berkulit-penuh lain,
seperti CI‾. Bahan-bahan seperti itu diperkirakan mudah membentuk zat
padat, karena ion Na+ dapat langsung menarik banyak ion CI‾ , yang dengan
demikian membangun suatu struktur molekul. Ikatan ionik adalah suatu jenis
ikatan yang istimewa kuat. Karena sumbernya adalah elektrostarik, dapat
anggap bahwa semakin negatif ion-ion yang mengelilingi sebuah ion positif,
semakin stabil dan kuat zat padatnya. (ikatan kovalen, sebaliknya, melibatkan
fungsi-fungsi gelembang tertentu, dan karena itu terbatas pada jumlah
tetangga dekat yang dapat berperan serta dalam pembentukan ikatan).
Zat padat ionik memiliki struktur kristal karena kita dapat
mendapatkan ion-oin secara lebih efisien dalam suatu susunan teratur.
(kumpulan batu-bata dapat pula kita tumpuk secara lebih efisien dalam
deretan yang teratur ketimbang dalam suatu tumpukan acak. Pada deretan
yang teratur terdapat lebih banyak bata per satuan volume dan mereka lebih
saling berdekatan). Juga, karena semua kulit penuh dari ion-ion adalah
simetris bola, ikatan ionik dalam sebuah zat padat mereka dalam semua
arah—semua arah adalah sama bagi sebuah ion, dan karena itu kita
memperkirakan bahwa zat padat ionik juga tidak mengistimewakan suatu
arah tertentu.
Tipe kisi kristal yang merata ke semua arah ruang adalah kisi kubik,
dimana atomnya kita bayangkan ditempatkan pada titik-titik sudut kubus
yang mengisi voluime kristal. Perhatikan Gambar 1 berikut ini.

3
 Gambar 1 Susunan atom dalam sebuah kristal kubik sederhana.
Bagian (a) memperlihatlkan hubungan ikatan antara
atom dan bagian (b) memperlihatkan atom-atom
yang dipadatkan.

Gambar .1 memperlihatkan pola susunan ini jika atom-atomnya kita

bayangkan bertumpukan seperti bola-bola keras. Jenis tumpukan ini bukanlah
yang paling efisien, karena masi terdapat ruang kosong yang besar pada pusat
setiap sisi kubus, dan juga pada pusat kubus. Kita peroleh susunan tumpukan
yang lebih baik, yakni yang memiliki lebih banyak atom per satuan volume,
jika kita tempatkan pula bola lain pada ruang kosong di pusat pada setiap sisi,
atau di pusat kubus (meskipun pada kedua kasus ini, bola-bola pada setiap
titik sudut tidak lagi berinteraksi langsung). Kedua sisi ini dikenal sebagai
kubik pusat-sisi (face-centered cubic [fcc]) dan kubik pusat-benda (body-
centered cubic [fcc]). Kedua sisi ini diilustrasikan pada gambar .2 dan .3
berikut.

Gambar 2 Susunan atom dalam sebuah kristal kubik pusat-sisi

4
 Gambar 3 Susunan atom dalam sebuah kristal kubik pusat-benda

Kisi fcc memberikan pemadatan yang agak lebih efisien (lebih

banyak atom per satuan voleme) dan dengan demikian biasanya merupakan
struktur yang lebih stabil. Tetapi, atom-atom tidaklah bertumpuk seperti
halnya bola-bola keras, dan seringkali struktur bcc yang lebih disukai. Kedua
tipe kristal ini, fcc dan bcc, juga terjadi pada zat padat lain yang tidak ionik,
dan memang beberapa zat padat akan mengubah strukturnya dari fcc ke bcc
jika suhu diubah.
Kisi fcc yang paling dikenal adalah NaCI, dan karena alasan itulah
kisi fcc sering kali disebut strukturNaCI. Agar atomnya dapat saling menarik,
kita harus menyusun secara bergantian ion Na+ dan CI‾, seperti diperlihatkan
pada gambar 4 berikut.

Gambar 4 Pemadatan Na (bola kecil) dan Cl

(bola besar) dalam sebuah kristal NaCl

5
 perhatikan bahwa satu ion Na+ ditarik oleh 6 buah ion CI‾ tetangga,
“bukan” hanya oileh satu ion CI‾. Oleh karena itu, keliru memandang zat
padat ionik tersusun dari molekul-molekul.
Struktur bcc yang khas adalah CsCI, seperti diperlihatkan pada
gambar 5, dan karena itu kisi bcc seringkali disebut struktur CsCI. Pada kasus
ini, setiap ion dikelilingi oleh 8 tetangga dengan muatan berlawanan.

Gambar 5 Pemadatan Cs (bola besar) dan Cl

(bola kecil) dalam sebuah kristal CsCl

Gaya-gaya yang mengikat zat pada ionik, seperti yang mengikat

mplekul ionik, bersifat elektrostatik—setiap ion Na+ dalam struktur NaCI
merasakan suatu potensial tarikan dari 6 bulan ion CI‾ disekitarnya. Oleh
karena itu, kita perkirakan energy potensial tariknya:
e2
V  6 .......................................................( 1 )
40

Dengan r adalah jarak pisah ion Na+ dan CI‾. Tetapi, pada jarak
setelah ke-6 ion CI‾ itu terdapat lagi 12 buah ion Na+ yang mengenakan gaya
elektrostatik tolak padas ion Na+ semula, dan karena itu cenderung membuat
kedudukan setimbang menjadi kurang stabil. Setelah ke-12 ion Na+ tadi masi
terdapat lagi ion-ion CI‾, dengan potensi tarik, dan seterusnya. Efek total
dari gaya tarik dan tolak ini adalah suatu potensial elektrotastik tarik resultan.
e2 1
Vtarik   .............................................( 2 )
40 r

6
 Besaran ɑ, yang disebut tetapan modelung, memberikan kekuatan
neto tarikan elektrostatik yang dihitung dengan menjumlahkan deret dari
saham berbagain tarikan dan tolakkan. (konvergensi deret ini ternyata sangat
hambat, jadi digunakan beberapa kiat untuk melakukan penjumlahan ini).
Tetapan mandelungsemata-mata adalahg cirri-khas dari struktur dasar kisi
dan sama sekali tidak bergantung pada jenis atom yang menyusun kisi. Zat
padat ionik memiliki nilai-nilai berikut:
Fcc (struktur NaCI ): α = 1,7476
Bcc (struktur CsCI): α = 1,7627
Seperti halnya pada molekul ionik, terdapat gaya tolak tambahan
yang mencegah atom-atom menjadi terlalu berdekatan. Munculnya gaya ini
disebapkan oleh subkulit elektronik terisi dari ion-ion; asas pauli mencegah
semua subkulit terisi tersebut bertumpang-tindih. Gaya ini sangat rumit untuk
dihitung secara tepat, tetapi potensial tolakannya dapat dihampiri cukup baik
dengan pernyataan.
Vtolak  Ar  n ......................................................( 3 )

A adalah kukuatan tarikan dan n mennentuksan bagaimana cepatnya

potensi bertambah jika r berkurang. Dengan demikian, interaksi total ion
adalah jumlah saham tarik dan total:
e2 1 A
Vtotal    .....................................( 4 )
40 r r n

Jarak pisah seimbang antarion terjadi ketika V mencapai nilai

minimumnya V0 (Gambar .6). dengan memaksakan persyaratan minimum
ini, yaituh dengan mengambil dV/dr = 0 di r = r0. Kita peroleh hubungan
antara A, ro, dan n berikut:
e 2 r0 n 1
A .....................................................( 5 )
4 0 n

Dan energy potensial yang diperoleh di r = ro

adalah

7
 e 2  1 
V0  Vtotal (r0 )   1  .......................( 6 )
40 r0  n 

Energy –V0 adalah energo kohesif ionik zat padat; energy inilah
yang diperlukan untuk memisahkan zat padat atas ion-ion positif dan
negatifnya, bukan atas atom-atomnya netral.
Nilai n bagi kebanyakan zat padat ionik adalah dalam rentang 8
hingga 10, jadi nilai sebenarnya daru n tidaklah tertalalu mempengaruhi nilai
Vo. Perbedaan antara (1- 1/8) dan (1- 1/10) hanyalah 2,5 persen.

Gambar 6 Paham bagi energi sebuah kristal

Ionik

Tabel 1 menyajikan sifat beberapa zat padat ionik. Energy kohesif

atromik yang diberikan dalam Tabel 14.1 ini adalah “energy ikat” zat padat
relative terhadap ato-atom netral!, bukan relative terhadap ion positif dan
negatif. Contoh berikut mengulistrasikan hubungan antara energy kohesif
ionik dan atomic.

8
 Table 1 Sifat-sifat kristak ionic
Jarak-pisah Energi
Tetangga Terdekat Kohensif
Kristal (mm) Atomik (Ev) n Struktur
LiF 0,201 8,52 6 Fcc
LiCl 0,257 6,85 7 Fcc
NaCl 0,281 6,39 8 Fcc
Nal 0,324 5,00 9,5 Fcc
KCl 0,315 6,46 9 Fcc
KBr 0,330 5,89 9,5 Fcc
RbF 0,282 7,09 8,5 Fcc
RbCl 0,329 6,34 9,5 Fcc
CsCl 0,356 6,46 10,5 Bcc
Csl 0,395 5,35 12,0 Bcc
MgO 0,210 9,34 7,0 Fcc
BaO 0,275 8,90 9,5 Fcc

B. Zat Padat Kovalen

Karbon membentuk molekul dengan mengikat keempat elektron
terluarnya dalam orbit hibrida sp3 secara kovalen. Karbon padat, dalam
bentuk intan, adalah salah satu contoh zat padat yang gaya antaratomnya juga
bersifat kovalen. Seperti halnya alam sebuah molekul keempat orbital
hobrida sp3berperan serta dalam ikatan kovalen, dan karena mereka setara
sudut ikat antara mereka haruslah sama. Susunan ini diperlihatkan pada
Gambar 7 berikut ini.

9
 Gambar 7 Strktur tetrahedral dari karbon

Sebuah atom karbon di pusat sebuah kubus terikat secara kovalen

dengan empat karbon lainya yang menempati keempat titik sudut kubus.
Sudut ikat atara keempat ikatan ini adalah 109,5o, seperti dalam molekul-
molekul ikatan kovalen.

Gambar 8 Struktur kisi dari intan

Gambar 8 mengilustrasikan bagaimana struktur zat padat ber ciri

khas intan dibangun oleh ikatan-ikatan seperti itu. Setiap karbon memiliki
empat tetangga dekat yang denganya ia membagi rata elektron-elektron
dalam ikatan kovalen. Struktur dasarnya dikenal sebagai tetrahedral, dan
banyak senyawa memiliki struktur serupa sebagai hasil ikatan kovalen.
Struktur ini juga dikenal dengan nama struktur sulfida seng atau zinc blende.

10
 Tabel 2 Beberapa Zat Padat Kovalen
Jarak-antara
Tetangga Energi
Kristal Terdekat Kohensif (Ev)
(mm)
ZnS 0,235 6,32
C(intan) 0,154 7,37
Si 0,234 4,63
Ge 0,244 3,85
Sn 0,280 3,14
CuCl 0,236 9,24
GaSb 0,265 6,02
LnAs 0,262 5,70
SiC 0,189 12,3

Beberapa zat padat kovalen yang didaftarkan dalam Tabel 2.2

memiliki energi ikat yang lebih besar daripada yang dimiliki zat padat ionik.
Bahan-bahan seperti intan dan silikon karbida luar biasa keras. Zat padat
kovalen lain dengan struktur yang sama seperti karbon adalah silikon dan
germanium. Struktur zat padat inilah yang bertanggung jawab bagi perilaku
mereka sebagai semikonduktor.

C. Ikatan Zat Padat Lainnya

1. Ikatan logam
Ikatan elektron-elektron valensi dalam logam biasanya agak lemah,
dan kerapkali kulit-kulit elektronnya hanya terisi sebagian. Jadi, logam
cenderung membentuk ikatan kovalen. Struktur dasar logam adalah “lautan”
atau “gas” elektron hampir bebas yang mengelilingi sebuah kisi atau ion-ion

11
positif. Logamnya terpadu oleh gaya tarik antara setiap ion logam dan gas
elektron.
Struktur kristal logam paling umum adalah fcc, bcc, atau jenis ketiga
yang dikenal sebagai heksagonal terpadatkan rapat (hcp, hexagonal close
pocked). Struktur hcp ini diperlihatkan pada Gambar .9; seperti pada struktur
fcc, hcp merupakan suatu cara yang sangat efisien untuk memadatkan atom.
Beberapa logam dan ciri khasnya diperlihatkan dalam Tabel .3. Energi
kohesif ikatan logam cenderung berada dalam rentang 1 hingga 3 eV, yang
menyebabkan logam kurang terikat kuat dibandingkan dengan zat padat ionik
dan kovalen. Hasilnya, logam berinteraksi kuat dengan cahaya tampak, yang
menyebabkan logam menjadi tidak tembus cahaya. Dan memang, karena
elektron-elektron berperilaku secara bersama, logam menjadi sangat reflektif.
Elektron-elektron bebaslah yang bertanggung jawab bagi tingginya sifat
konduktivitas elektrik dan termal logam. Ikatan logam tidak bergantung pada
pertukaran elektron tertentu antara atom-atom, hakikat sebenarnya dari atom
logam tidaklah sepenting pada kasus zat padat ionik dan kovalen; akibatnya
kita dapat membuat bermacam-macam campuran logam dengan kadar yang
berbeda.
2. Zat padat molekuler
Tidak satu pun dari zat padat yang dapat dipandang sebagai tersusun
atas molekul-molekul. Tetapi, adalah mungkin bagi molekul-molekul untuk
saling mengenakan gaya dan membentuk ikatan dalam zat padat. Molekul
memiliki elektron-elektron yang telah digunakan bersama dalam ikatan
molekul, tidak elektron tersisa yang berperan dalam ikatan ionik, kovalen,
atau logam molekul lainnya. Zat padat molekuler terpadukan oleh gaya-gaya
yang lebih lemah, yang pada umumnya bergantung pada momen dipol
elektrik molekul. Gaya-gaya ini, jauh lebih lama daripada gaya dalam yang
mengikat sebuah molekul. Jadi, sebuah molekul dalam suatu zat padat
molekuler dapat tetap mempertahankan identitasnya.

12
 Gambar 9 Susunan Atom dalam Sebuah Kristal
Heksagonal Terpadatkan Rapat

Tabel 3 Struktur Kristal Logam

Jarak antara
Energi
Logam Jenis Kristal Tetangga Molekul
Kohesif
(nm)
Fe Bcc 0,248 4,32
Li Bcc 0,304 1,66
Na Bcc 0,372 1,13
Cu Fcc 0,256 3,52
Ag Fcc 0,289 2,97
Pb Fcc 0,350 2,04
Co Hcp 0,251 4,43
Zn Hcp 0,266 1,35
Cd Hcp 0,298 1,17

Zat padat ionik, kovalen, dan logam semuanya terikat jadi satu oleh
gaya Coulomb biasa 1/r2, dalam zat padat ionik, gaya itu bekerja antara ion
positif dan negatif, sedangkan dalam ion zat padat kovalen dan logam, antara
ion positif dan elektron yang digunakan secara bersama. Dalam sebuag zat
padat molekuler, molekulnya bermuatan elektrik netral, dan karena itu tidak
mungkin bekerja gaya Coulomb. Tetapi, momen dipol molekul yang satu
dapat melakukan gaya tarik pada momen dipol molekul lain. Gaya kohesif ini
sebanding dengan 1/r3, sehingga umumnya lebih lemah daripada gaya
Coulomb. Dengan demikian ikatan zat padat molekuler lebih lemah dan
memiliki titik lebur yang lebih rendah daripada zat padat ionik, kovalen atau
logam, karena dibutuhkan energi termal yang rendah untuk melepaskan
ikatan sebuah zat padat molekuler.

13
 Bagi semua molekul yang memiliki momen dipol elektrik permanen
(molekul kutub), gaya elektrik dipol ini sangat penting. Bekerjanya gaya ini
dapat terjadi apabila ujung positif salah satu dipol melakukan gaya tarik pada
ujung negatif dipol berikutnya, seperti yang diperlihatkan pada Gambar 9.
Molekul air adalah contoh kasus dalam mana bekerja gaya dipol ini.
Atom oksigen dalam air cenderung menarik semua elektron molekul
sehingga tampak seperti ujung negatif dari dipol, kedua proton “murni”
mebentuk ujung positif dipol dan masing-masingnya dapat menarik oksigen
negatif dari molekul air di dekatnya (Gambar 14. 11). Meskipun tidaklah
jelas dari penjelasan yang sangat sederhana ini, jenis ikatan inilah yang
menyebabkan struktur kristal es berciri khas heksagonal dan oleh karena itu
bertanggung jawab bagi pola heksagonal indah dari kepingan salju(snow
flakes). Apabila jenis ikatan ini melibatkan atom-atom hidrogen, seperti pada
air, ikatannya dikenal sebagai ikatan hidrogen.
Dapat pula terjadi bahwa dipol bekerja antara molekul-molekuk yang tidak
memiliki momen dipol permanen. Tinjaulah sebuah helium. Dua elektron
atom helium berada pada keadaan 1s, jadi atom helium bersifat simetri bola
secara rata-rata, ia tampak sebagai sebuah inti bermuatan +2e yang dikeliling
oleh sebuah bola bermuatan -2e dengan jari-jari 0, 1 nm. r “sesaat’ sebuah
atom helium akan tampak seperti yang ditampilkan pada Andaikanlah
menggunakan sebuah kamera yang dapat melanggar asas ketidakpastian
untuk memperlihatkan kedudukan kedua elektronnnya secara pasti, hasil
gambar potret atom helium yang diperoleh. Sebuah atom seperti itu dapat
memiliki memon dipol elektrik sesaat, meskipun secara rata-rata momen
dipol elektriknya adalah nol. Semua pengukuran laboratoris yang dilakukan
mengungkapkan nilai rata-rata ini (nol), bukan nilai sesaat. Tetapi sebuah
atom tetangga tidak tunduk pada persyaratannya tadi, dan dapat merasakan
medan elektrik yang ditimbulkan oleh momen elektrik sesaat itu.
Pengaruhnya pada atom tetangga dapat beruapa tarikan terhadap muatan
negatifnya dan tolakan terhadap muatan positifnya, Dengan demikian, setiap
atom tetangga memiliki momen dipol imbas, yang mengakibatkan dua atom

14
 kini dapat saling tarik-menarik melaui gaya antar dipol. (penarikan sekeping
besi tidak termagnetkan oleh sebuah magnet bekerja melaui proses yang
sama). Gambar potret sesaat yang diambil sesaat kemudian, mungkin
memperlihatkan kedudukan elektron-elektron yang tidak lagi sama seperti
semula dan suatu momen dipom imbas yang berbeda dari atom tetangganya,
namun demikian antara atom-atom tetangga tetap bekerja suatu gaya tarik.
Gaya tarik antara molekul yang tidak memiliki momen dipol elektrik
permanen seperti ini disebut gaya van der walls. Gaya inilah yang menjadi
sumber gaya kohesi zat padat yang mengandung molekul-molekul tak polar.
(gejala fisika seperti tegangan permukaan dan gesekan bersumber dari gaya
ini). Contoh berbagai zat padat yang terikat oleh gaya ini adalah yang atom-
atomnya gas lembam, halogen, gas lainnya seperti H2, N2, atau O2, dan juga
molekul simetris seperti CH4 atau GeCl4. Ketergantungan gaya van der walls
pada jarak adalah menurut 1/r7, karena itu sangatlah lemah. Dengan
demikian, zat padat yang terikat oleh gaya ini memiliki titik lebur yang
rendah (lebih rendah daripada yang dimiliki zat padat ikatan hidrogen), sekali
lagi karena dibutuhkan energi termal yang sangat rendah untuk memisahkan
ikatannya. Jadi, karena momen dipol imbas sebuah atom harus sebanding
dengan jumlah total elektron dalam atom, diperkiran bahwa titik lebur zat
padat molekuler tak polar haruslah kurang lebih bergantung pada jumlah
elektron dalam setiap molekul.
D. Teori Pita Zat Padat
Apabila jarak dua atom yang identik, seperti natrium jauh sekali
maka tingkat energi masing-masing tidak terpengaruh oleh kehadiran tingkat
energi lainnya, dan kita dapat membayangkan atom-atomnya berdiri sendiri.
Elektron dari 3s dari setiap atom akan memiliki energi tunggal terhdap
intinya. Jikakedua atomnya kita dekatkan fungsi gelombang mereka mulai
bertimpah-tindih dan interaksi antara kedua atom akan menyebabkan
terbentuk dua tingkat 3s, bergantung pada apakah kedua fungsi gelombang
dijumlahkan atau dikurangkan.

15
 Jika kita dekatkan sejumlah besar atom untuk membentuk suatu
atom zat padat, akan terjadi efek yang sama. Apabila atom-atom natrium
masih berjauhan, semua electron 3s akan memiliki energi yang sama. Begitu
kita dekatkan mereka, tingkat-tingkat energi mereka mulai memisah. Keadaan
untuk lima buah atom diperlihatkan pada Gambar 11. kini terdapat lima
tingkat energi yang dihasilkan oleh lima fungsi gelombang electron yang
bertumpah-tindih bagi system ganbungan. Jika jumlah atomnya diperbanyak
menjadi banyak sekali, yang khas terdapat dalam sekeping logam (sekitar
1022 buah), maka jumlah tingkat energinya meningkat menadi luar biasa
bayak dan sangat rapat sehingga kita tidak dapat lagi membedakan masing-
masing tingkat, seperti diperlihatkan pada Gambar 12. Ke-N buah atomnya
dapat kita anggap membentuk suatu pita energi yang hampir kontinu.karena
tingkat-tingkat tersebut dicirikan dengan tingkat atomic 3s dari atom natrium,
pita energi dinamakan pita 3s.

Gambar 10 pemisahan dua tingkat 3s apabila

dua buah atom didekatkan
Setiap pita energi memiliki N tingkat energi. Karena setiap tingkat
energi ini dapat menampung 2 x (2l + 1) buah electron (berkaitan dengan dua
arah berlawanan spin elektron dan 2l + 1 arah momentum sudut orbital
elektron), maka daya tamping setiap pita adalah 2(2l + 1)N buah electron.

16
 Gambar 11. pemisahan lima buah tingkat 3sapabila
lima buah atom didekatkan

Gambar 12 Pembentukan pita 3s oleh gabungan atom

yang banyak sekali jumlahnya.

Gambar 13 Pita-pita energi dalam logam natrium

Gambar 13 memperlihatkan secara lebih lengkap beberapa pita energi

dalam logam natrium. Pita 1s, 2s dan 2p masing-masing terisi penuh. Pita 1s
dan 2s masing-masing mengandung 2N buah elektron, dan pita 2p
mengandung 6N buah elektron tetapi setiap atom dari ke-N buah atom itu

17
hanya dapat menyumbang satu elektron 3s bagi zat padat, jadi total hanya ada
N buah elektron 3s yang tersedia. Oleh karena itu, hanya sebagian saja dari
pita 3s yang terisi. Di atas pita 3s adalah pita 3p yang sebenarnya dapat
menampung 6N buah elektron,tetapi sama sekali kosong.
Tentu saja keadaan yang kita berikan di atas adalah keadaan dasar
logam natrium. Apabila kita menambahkan energi pada system ini (misalnya,
energi thermal atau elektrik) elektron-elektron dapat berpindah dari keadaan
yang terisi penuh ke sebaang keadaan kosong di atasnya. Pada kasus ini
elektron-elektron dari pita 3s yang tidak dapat terisi penuh dapat menyerap
sejumlah kecil energi dan berpindah ketingkat-tingkat 3s yang lebih tinggi
dari pita 3s atau menyerap energi yang lebih besar dan berpindah ke pita 3p.
pada kasus natrium, energi Fermi akan berada ditengah-tengah pita 3s,
karena di bawah energi itu semua tingkat elektron dengan energi Fermi
memiliki probabilitas ditempati sebesar 50 persen jika menaikkan suhu,
perubahan energi Fermi memang tidaklah terlalu mencolok, tetapi
probabilitas menempati tingkat-tingkat di atas EF tidak lagi nol. Gambar 2.21
memperlihatkan suatu kedaan dalam mana eksitasi termal dari electron
menempati sebagian kecil dari pita 3p.
Natrium adalah salah satu contoh bahan yang bersifat konduktor
elektrik baik. Apabila kita kenakan suatu beda potensial kecil, dalam orde1 V,
electron dapat dengan mudah menyerap energi karena ada terdapat N buah
keadaan yang tidak tertempati di dalam pita 3s, semuanya berenergi 1eV.
Energi ini diserap electron ketika mereka dipercepat oleh potensial yang
dikenakan dan merekabebas berpindah tingkat selama terdapat banyak tingkat
energi yang tidak tertempati dalam rentang energi yang dapat mereka capai.
Dalam natrium terdapat N buah elektron telatif bebas yang dapat berpindah
dengan mudah ke N buah keadaan energi kosong, sehingga dengan demikian
natrium bersifat sebagai suatu konduktor baik.

18
 Gambar 14 Populasi pita energi dalam natrium pada T ˃ 0.
Pita 2p tidak lagi terisi penuh dan pita 3p
tidak lagi seluruhnya kosong

Sebaliknya, bahan yang salah satu pitanya penuh dan tingkat

berikut di atasnya sama sekali kosong akan bersifat sebagai konduktor jelek.
Dalam kasus ini kita jumpai celah diantara pita-pita energi, dan energi Fermi
terletak di suatu tingkat dalam celah ini seperti diperlihatkan pada gambar 15
sekali lagi, T = 0, semua keadaan EF terisi penuh. Begitu suhu dinaikkan,
bentuk fungsi distribusi Fermi-Dirac berubah. Namun, jika orde lebar celah
antar pita tadi besar sekali dibandingkan terhadap kT, akan terdapat sedikit
sekali elektron yang tereksitasi secara itermal dari pita yang lebih rendah
yang disebut pita valensi, ke pita atasnya disebut pita konduksi. Keadaan ini
diperlihtkan pada gambar 16. dalam pita valensi memang terdapat banyak
sekali elektron, tetapi tersedia sedikit sekali keadaan kosong bagi mereka
untuk berpindah keadaan sehingga saham mereka pada konduktivitas elektrik
juga sangat kecil. Bahan-bahan ini dikelaskan sebagai isolatordan umumnya
mereka memilki dua sifat yaitu celah di antara dua pita valensi dan konduksi
yang sangat lebar (beberapa elektron-volt), dan tingkat energi Fermi berada
dalam celah di antara pita valensi yang terisi penuh dan pita konduksi yang
kosong.
Apabila sebuah bahan memiliki struktur sebuah isolator, tetapi
dengan celah energi yang lebih kecil (1 eVatau kurang), perilakunya menjadi
berbeda sekali dan bahan seperti ini dikenal semikonduktor. Gambar 17
memperlihatkan struktur pitadari bahan ini pada suhu ruang.

19
 Gambar 15 Struktur pita dengan EF terletak di dalam celah
diantara kedua pita

Gambar 16 Apabila Eg ˃ kT, pita konduksi tetap tidak terisi.

Keadaan ini merupakan cirri kha sebuah
isolator

Gambar 17 Struktur pita sebuah semikonduktor. Celahnya

lebih kecil daripada celah dalam sebuah
isolator, sehingga kini tedapat sejumlah kecil
electron dalam pita konduksi

Di sini terdapat jumlah elektron yang lumayan banyak dalam pita

konduksi dan tentu saja banyak tersedia keadaan kosong yang dapat mereka
capai sehingga mereka relatif mudah berkonduksi. Di samping itu, tedapat
pula sejumlah keadaan kosong dalam pita valensi seehingga dapat pula

20
 memberi saham pada konduktivitas elektrik dengan berpindah dari satu
keadaan ke keadaan lain. Kedua mekanisme konduksi elektrik ini akan kita
tinjau secara terinci dalam pasal 2.7. untuk sementara kita mencatat dua sifat
khas semikonduktor yang berhubungan langung dengan struktur pita seperti
diperlihatkan pada Gambar 17. (1) karena peluang eksitasi termal melewati
celah pita bahan semikonduktor relatif besar, mka konduktivitas elektriknya
sangat dipengaruhi oleh suhu, berbeda dengan konduktivitas elektrik bahan
isolator atau konduktor. (2) struktur bahan semikonduktor dapat diubah,
dengan menambahkan bahan tidak murni dengan konsentrasi sangat rendah
sehingga energi Fermi berubah dan mungkin berpindah ke atas menuju pita
konduksi atau ke bawah menuju pita valensi. Proses ini dikenal sebagai
doping, yang jelas dapat memberikan pengaruh besar pada konduktivitas
bahan semikonduktor.

E. Pembenaran Teori Pita

Telah kita lihat bahwa teori pita zat padat sangat berhasil dalam
menerangkan berbagai sifat logam, isolator dan semikonduktor. Tetapi,
penjelasan kita mengenai pembentukan pita energi ini hanyalah skematis
bagaimanapun, tindakan mendekatkan atom-atom adalah penyebab utama
kehadiran pita energi, sebagai akibat bertumpah tindihnya fungsi gelombang
elektron. Dalam pasal ini kita akan meninjau suatu pendekatan yang sangat
berbeda yang juga meramalkan kehadiran pita energi. Pendekatan kita di sini
adalah kita akan memecahkan persamaan schrodinger bagi elektron yang
bergerak dalam kisi atom. Untuk kasus atom hidrogen telah kita dapat bahwa
nilai-nilai diskret sajalah yang diperkenankan. Pada kasus ini, akan kita dapati
bahwa hanya pita-pita energi tertentu sajalah yang diperkenankan.
Memecahkan persamaan schrodinger tiga dimensi bagi sebuah kisi
yang terdiri atas sejumlah besar atom atau ion yang semuanya menggunakan
gaya Coulomb pada elektron. (Gambar 18) memperlihatkan potensial yang
dirasakan elektron-elektron untuk kasus satu dimensi). Karena kita hanya
tertarik untuk memperlihatkan bagimana pita-pita energi muncul dalam

21
situasi seperti ini, kita melakukan bebrapa penyederhanaan. Pertama kita
hanya akan meninjau persoalan satu dimensi. Kedua, kita menggantikan
potensial Coulomb dengan potensial sumur persegi atau atom hidrogen.
Penggantian ini membantu kita akan menyederhanakan perhitungan tanpa
mengorbankan efek fisikanya. Kita dapat membuat pengahampiran yang lebih
baik lagi bagi potensial Coulomb dalam mana V   bila r  0, dengan
memilih sebuah potensial sumur dengan lebar b dan V0 kemudian mengambil
b  0 dan V0  . ini berarti sumurnya menjadi lebih dalam dan lebih
sempit secara serentak tetapi “luasnya” bV0 tidak berubah.

Gambar 18 Energi potensial yang dihasilkan oleh ion-ion pada

kisi satu dimensi

Gambar 19 memperlihatkan potensial yang kita pilih untuk

memecahkan persamaan schrodinger suatu deretan sumur potensial, masing-
masing dengan lebar b an kedalaman V0, dengan jarak antara pusatnya adalah
a. setiap sumur mewakili satu ion pada kisi.

Gambar 19 Versi sederhana dari potensial pada Gambar 18

22
 Pemecahan persoalan dengan potensial periodik seperti ini dapat
dicari dengan bantuan teorema Bloch yang mengatakan bahwaterhadap
petensial periodik, fungsi gelombang elektron bebas (ψ(x) ~ cos kx, misalnya
diubah menjadi
ψ (x) ~ u(x) cos kx................................................( 7 )
dengan fungsi amplitude u(x) adalah periodik terhadap periode potensial:
u(x + a) = u(x)......................................................( 8 )
Pada pertengahan jarak antara dua buah ion, u(x) ͠= 1, jadi electron
praktis berperilaku sebagai partikel bebas. Hanyalah di dekat sebuah ion, u(x)
berubah secara mencolok dari satu.
Kita tidak akan meninjau secara terinci matematika pemecahan
persoalan ini, tetapi sebelum membahas pemecahannya kita harus mengingat
kembali dua hasil berikut dari Bab 5. (1) bagi partikel bebas, E   2 k 2 2m,
semua nilai k dan karena itu nilai E diperkenankan jadi energinya kontinu. (2)
ketika kita memecahkan persoalan sumur persegi dalam Bab 5, nilai-nilai
energi ini diskret kita peroleh dari penerapan syarat batas bahwa ψ(x)
harusnya kontinu pada batas sumur. Persyaratan ini membatasi nilai-nilai k
tertentu sajalah yang diperkenankan dan juga nilai E.
Pemecahan persolan “kisi satu dimensi” juga sama. Apabila kita
menerapkan syarat batasnya, kita peroleh persamaan berikut:
maV0 b sin a
cos ka   cos a.........................( 9 )
2 a
Dengan

2mE

2
Persamaan inilah yang memberikan pita energi.
Karena ruas kiri persamaan hanya boleh bernilai +1 atau  (jadi pula
E) daapat terjadi bernilai lebih besar daripada +1 atau lebih kecil daripaa -1.
Karena persamaan ( 9 ) tidak mempunyai arti kasus seperti itu (dengan
anggapan semua besaran dalam persamaan bernilai real), maka nilai-nilai
tersebut tidak boleh terjadi. Nilai-nilai energi ini terlarang dan merekalah

23
yang menghadirkan pita-pita atau celah-celah energi terlarang yang kita bahas
di depan.
Gambar 20 adalah grafik dari ruas kanan persamaan ( 9 ). fungsinya
berosilasi, dan untuk nilai a antara +1 atau lebih kecil daripada -1, tidak
ada batasan dari nilai k atau E. karena daerah yang diperkenankan melebar
dari +1 hingga -1, maka cos ka dapat bernilai berapa saja antara +1 hingga -1.
Jadi k tidak hanya dibatasi, tetapi mengambil suatu rentang nilai kontinu.
Ada cara lebih langsung untuk menafsirkan semua pemecahan ini,
yang melibatkan hakikat gelombang elektron. Dalam penafsiran ini kita
meninjau hubungan antara energi E dan bilangan gelombang k. bagi partikel
bebas, E   2 k 2 2m, jadi hubungannya berupa sebuah parabola seperti
diperlihatkan pada Gambar 21. Hubungan antara E dan k yang diperoleh dari
pemecahan potensial periodik diperlihtkan pada ruas kurva bentuk –S pada
Gambar 21. pita energi yang diperkenankan dan daerah terlarang juga tampak
dari ilustrasi ini. Perhatikan banwa elektron kadang-kadang berperilaku
sebagai sebuah partikel bebas yakni hampir seluruh ruas bentuk S berimpit
dengan parabola. Hanyalah bilangan gelombang k menghampiri nilai
 a, 2 a, 3 a,..., penyimpangan dari partikel bebas menjadi tampak.

Gambar 20 Pita energi tidak terlarang dari model kisi satu

dimensi.Kurva tebalmenyatakan ruas kanan
persamaan ( 9 ). pita-pita yang diperkenankan
berkaitan dengan daerah di mana kurvanya
terletak antara +1 dan -1.

24
 Gambar 21 Hubungan antara energi dan bilangan gelombang
bagi kisi satu dimensi.

Kurva putus-putus adalah parabola partikel bebas. Kurva tebal adalah

pemecahan persoalan satu dimensi.

F. Beberapa Sifat Logam

1. Konduktivitas Elektrik
apabila sebuah medan elektrik dikenakan pada sebuah logam, maka
mengalirlah arus elektrik. pada logam biasa, kerapatan arus elektrik j (Arus
persatuan luas penampang) sebanding dengan medan elektrik yang
dikenakan semakin kuat medannya, semakin besar pula arusnya. tetapan
sebanding adalah  , yakni konduktivitas elektrik. pernyataan yang
mengaitkan j dengan medan elektrik E sebenarnya adalah bentuk lain dari
hukum Ohm:
J  E ..............................................................( 10 )
Apabila sebuah medan elektrik dikenakan pada sekumpulan
elektron, seperti yang terdapat dalam logam, maka elektron-elektron
tersebut akan mengalami percepatan oleh gaya F = Ee. jika kita mengukur
arus elektrik melalui sebarang titik pada logam yang dikenakan medan
elektrik tersebut, maka besar arus seharusnya makin lama semakin
meningkat, karena harus bergantung pada laju elektron yang terus
bertambah secara beraturan oleh percepatan. Tetapi, yang kita amati
ternyata adalah suatu arus mantap yang tidak berubah terhadap waktu;
elektron-elektron yang bergerak dengan kecepatan  yang hampir tidak
berubah, yang dikenal sebagai kecepatan hanyut (drift velocity).

25
penjelasanya adalah bahwa, meskipun elektron dipercepat oleh medan
elektrik, percepatan tersebut hanyalah dirasakan elektron elektron selama
selang waktu singkat  . dan setelah itu mereka diperlambat akibat
tumbukannya dengan atom-atom logam. Dengan demikian, aliran elektron
dapat digambarkan sebagai rentetan percepatan oleh medan elektrik diikuti
dengan perlambatan oleh tumbukan, yan hasil netonya adalah kecepatan
hanyut  . laju rata-rata yang dimiliki elektron adalah tidak lain dari pada
percepatan dikalikan dengan selang waktu selama terjadi percepatan. jadi
eE
   .............................................................( 11 )
m
jika n adalah kerapatan elektron dalam pita konduktivitas logam, maka
kerapatan arusnya adalah

j  ne v ..............................................................( 12 )

ne 2
 E...........................................................( 13 )
m
Dengan demikian, konduktivitasnya adalah
ne 2
 ..............................................................( 14 )
m
jika kita mengetahui selang waktu  antara tumbukan, kita dapat
menghitung konduktivitas elektrik. kita dapat menyatakan  dalam laju
gerak elektron dan jarak tempuhnya antara tumbukan
1
  ..................................................................( 15 )
v
dengan I dikenal sebagai jalan bebas rataan (mean free fath). karena
hanyalah elektron disekitar tingkat fermi yang memberi saham pada
konduktivitas, kita dapat mengambil v sebagai laju elektron yang energi
kinetiknya sama dengan energi Fermi.

26
2. Konduktivitas Termal
elektron-elektron dalam logam juga memberi saham pada
konduktivitas termalnya. konduktivitas termal K sebuah gas, menurut teori
kinetik klasik, diberikan oleh

1
K  CvI............................................................( 16 )
3
C adalah kapasitas panas persatuan volume, laju molekul, dan I
jalan bebas rataan. seperti biasannya, jika kita membayangkan logam
sebagai suatu gas elektron, kita dapat menggunakan taksiran dari pasal
12.7 bagi kapasitas panas molar gas elektron, C  27 / 32 RKT/E F .

Perhitungan yang lebih eksak memberi faktor pengali bernilai  2 / 2,

ketimbang 27/33. karena itu,
 2 RKTvIn
K ......................................................( 17 )
6 N AE F

Faktor n/NA sebagai fakor pengalih dari kapasitas panas molar

1
kekapasitas panas per satuan volume. Dengan R = NAK dan EF = mv 2
2
kita peroleh
 2 k 2 nIT
K .....................................................( 18 )
3 mv
jika kita mencoba menghitung K dengan mengunakan taksiran
yang sama seperti yang kita lakukan pada konduktivitas elektrik, kita akan
menghadapi persoalan yang sama dalam menaksir jalan bebas rataan I .
persoalan ini dapat kita eliminasika dengan meninjau nisbah konduktivitas
termal dan elektrik:
 2K 2
K T .........................................................( 19 )
3e 2
3. Potensial Sentuh
Tinjaulah apa yang terjadi apabiala dua logam,dengan energi fermi
berbeda disentuhkan, seperti pada Gambar 2.33 berikut.

27
 Gambar 22 Dua logam berbeda dengan energi Fermi
dam fungsi kerja yang berbeda

misalnya W adalah energi yang diperlukan untuk membebaskan

sebuah elektron dari tingkat Fermi keluar logam . ini adalah fungsi kinerja
(work function). Dari Gambar 23 dapat dilihat bahwa potensial sentuh V
ditentukan oleh beda fungsi kerja kedua logam :

Gambar 23 Apabila dua logam berbeda bersentuhan, maka

elektron-elektronya akan mengalir untuk
menyamakan tingkat energi Fermi ; pada batas
kedua logam tercipta suatu beda potensial

4. Superkonduktivitas
Pada suhu renfdah, resistivitas sebuah logam (kebalikan
konduktivitas) hampir tetap. Bila suhu benda diturunkan, saham kisi pada
resistivitas juga menurun, sedangkan saham bahan tidak murni hampir
tidak berubah. jadi, bila kita menghampiri suhu T = 0 K, resistivitas logam
seharusnya menghampiri suatu nilai tetap. Dan memang, banyak, logam,

28
 yang dikenal sebagai logam normal, berperilaku demikian Seperti
diilustrasikan pada Gambar 24 berikut.

Gambar 24 Resistivitas sebuah konduktor biasa

Bahan-bahan ini tetap berperilaku normal sewaktu suhu

diturunkan, namun pada suatu suhu kritis, Tc (yang bergantung pada sifat
logamnya), resistivitasnya secara tiba-tiba meloncat ke nol, seperti
diperlihatkan pada Gambar 25 berikut ini.

.
Gambar 25 Resistivitas sebuah superkonduktor

Bahan-bahan ini dikenal sebagai superkonduktor. resistivitas

sebuah super konduktor bukanya kecil lenyap, bahan-bahan seperti itu
dapat menghantarkan arus elektrik meskipun tidak dikenakan beda
potensial, dan hantaranya berlangsung tanpa mengalami kehilangan energi
I2R (pemanasan joule)

29
 Dalam bahasan mengenai konduktivitas, kita mencatat bahwa
sebuah elektron di dekat ke pertengahan pita konduksi hampir tidak
berinteraksi sama sekali dengan kisi (hampir bebas) dan bahwa mereka
menghasilkan konduktivitas elektrik takhingga. pada superkonduktor.
konduktivitas memang takhingga, juga disebabkan karena elektron tidak
berinteraksi dengan kisi, tetapi bukan karena kisinya sempurna:
superkonduktor terjadi karena gerak berpasangan elektron-elektronnya
yang walaupun berinteraksi dengan kisi, mereka tidak mengalami
kehilangan energi.
Logam biasa dapat menjadi konduktor baik apabila interaksi
elektronnya dengan kisi sangat lemah. suhu kritis superkonduktor Tc
ditentukan oleh “energi ikat” pasangan elektron. (meskipun kedua elektron
memiliki fungsi gelombang yang saling berkaitan.karena, itu tidaklah tepat
mengambarkannya sebagai sepasang elektron, secara berdampingan, yang
bergerak bersama. Nilai khas Tc adalah dalam orde 10 K, yang berkaitan
dengan nilai energi ikat pasangan elektron 10-3eV.
Keungulan bahan superkonduktor dalam menghantarkan arus
elektrik tanpa hambatan, membuatnya memiliki segi terapan yang luas.
dalam salah satu penerapannya, bahan superkonduktor digunakan untuk
membuat alat magnet-elektrik yang mampu menghantarkan arus besar
sehingga mampu pula menghasilkan medan magnet yang sangat besar
(berorde 5 hingga 10 T). Jika kita menggunakan kawat superkonduktor,
arus sebesar 100 A dapat dihantar oleh kawat yang sangat halus, dengan
orde diameter 0,1 mm. dengan demikian magnet elektrik seperti itu dapat
dibuat dalam volume ruang yang sangat kecil, dengan menggunakan bahan
yang lebih sedikit, ketimbang bila menggunakan konduktor biasa.
5. Feromagnet
seperti sifat zat padat lainnya, feromagnet haruslah ditafsirkan
berdasarkan, pertama sifat atom-atom secara tunggal, dan kedua, interaksi
antara atom-atom tersebut apabila mereka didekatkan untuk membuat zat
padat. dalam bab ini kita akan membahas sifat magnet atom tunggal, dan

30
mempelajari bahwa baik momentum spin S maupun momentum sudut
orbit L kedua-duannya bertanggung jawab bagi sifat magnet atom. tetapi
dalam zat padat, hal ini kadang-kadang tidak berlaku, malah sering kali
kita dapati bahwa spin S dari atomlah yang menimbulkan perilaku magnet
zat padat.
Apabila kita mengenakan medan magnet pada suatu bahan
paramgnet momen magnet atomnya akan mengatur diri searah medan
magnet itu; apabila medannya dihilangkan, gerak termal acak segera
merusakkan keteraturan penyusunan spin tadi. dalam beberapa bahan,
yang dikenal sebagai feromagnet, walaupun medan magnet telah
dihilangkan, masih terhadap gaya tambahan yang mempertahankan spin
atom-atom nya tetaop searah . gaya ini dapat kita bayangkan sebagai
akibat bertumpang tindihnya. fungsi gelombang atom-atom tetangga yang
mencoba mempertahankan spin mereka searah. energi interaksi ini dapat
kita nyatakan sebagai U= - ASiSj, dengan Si dan Sj adalah vektor spin
elektron dari atom ke-i dan atom ke-j; A adalah sebuah parameter yang
memberikan kekuatan interaksi. Tanda aljabar A bergantung pada jarak
antar atom tetangga zat padat yang bersangkutan. Apabila A positif, energi
interaksinya lebih rendah jika semua spin searah, dan kondisi ini
menghasilkan keadaan feromagnet. Ketergantungan A pada jarak antara
atom diperlihatkan pada gambar 26 berikut ini.

Gambar 26 Kekuatan interaksi A spin-spin atom tetangga

31
 A bernilai positif bagi besi, kobalt, dan nikel pada; jadi, ketika
bahan ini bersifat feromagnet pada suhu ruang. kromium dan mangan,
yang bersifat besi, memiliki struktur elektron 3d, memilikiA yang bernilai
negatif; jadi mereka tidak bersifat feromagnet. tetapi adalah mungkin
untuk mengubah jarak antaratom Cr, atau Mn, dalam senyawannya
sehungga memungkinkan mereka bersifat feromagnet.
Apabila suhu sebuah bahan feromagnet dinaikan cukup tinggi
sehingga kT  A, energi termal akan cukup kuat melepaskan gandengan
antara atom-atom tetangganya sehingga merusak kan sifat
feromagnetberubah menjadi paramgnet. Besi , ,misalnya, memiliki suhu
Curie 1043 K; diatas :1043 K besi tidak lagi bersifat feromagnet. Beberapa
bahan memiliki suhu Curie dibawah suhu ruang sehingga harus
didinginkan agar menjadi feromagnet, logam-logam tanah langkah adalah
contohnya.

G. Semikonduktor Intristik Dan Tak murni

Semikonduktor adalah bahan dengan celah energi Eg antara pita
valensi dan pita konduksi berorde 1 eV. pada T = 0, semua keadaan dalam
pita konduksi kosong. ingat kembali bahwa untuk T =0, distribusi fermi Dirac
berbentuk suatu fungsi tangga yang memberikan probabilitas pengisian 1 bagi
semua keadaan dibawah EP dan 0 untuk semua keadaan diatas Ef. tetapi bila
suhu dinaikan, beberapa keadaan diatas Ef akan terisi dan beberapa keadaan
dibawah Ef akan kosong. Pada suhu ruang, hubungan antara energi Fermi,
pita valensi dan pita konduksi, dan distribusi energi elektro mungkin menjadi
seperti yang terlihat pada Gambar 27 berikut.

32
 Gambar 27 Ekor fungsi distribusi Fermi-Dirac di dekat dasar pita
konduksi. Pada skala diagram ini, nilai “1” dari f(E)
berada 1.000 km ke kanan, dan Ep berada sekitar 1m
dari tepi bawah halaman buku ini

Meskipun nilai fungsi distribusi Fermi-Dirac f(E) dalam pita konduksi

pada suhu ruang hampir nol (memang, nilainnya begitu dekat ke nol sehingga
tidak dapat dilihat pada skala Gambar 27) namun tidak sama sekali nol.
Gambar 27 memperlihatkan perbesaran mencolok dari f(E) dekat dasar pita
konduksi. jika Ep terletak dekat kepertengahan celah energi 1 Ev, nilai E –
EFakan sekitar 0,5 Ev ; karena pada suhu ruang Kt  0,025 Ev, maka E – EF
KT. dengan demikian suku 1 pada penyebut distribusi fermi-Dirac yang
bersangkutan dapat diabaikan, dan f(E) menghampiri bentuk eksponensial.
Apabila kita mengenakan medan elektrik pada sebuah semi konduktor
, elektron – elektron dalam pita konduksinya akan mencoba bergerak menuju
arah berlawanan medan , yang dengan demikian memberikan arus elektrik .
Elektron – elektron dalam pita valensi juga mencoba bergerak menuju arah
berlawanan medan , tetapi untuk melakukanya setiap elektronya harus
berpindah dari suatu keadaan terisi kesalah satu keadaan kosong pita valensi
yang sedikit itu . Sewaktu medan elektrik menarik elektron – elektron
kesalasatu ujung bahan semua kekosongan akhirnya akan terpusatkan ada
ujung lainya . Jika kita mengikuti gerak elektron – elektron dalam pita valensi
ketika mereka meloncat dari satu kekosongan ke kekosongan berikutnya ,kita
akan melihat bahwa tanpa kekosongan bergerak menurut arah sebaliknya.
Bahan yang kita bicarakan tadi adalah semikonduktor intrinsik yang
dicirikan oleh beberapa kekhasan berikut :

33
 1. jumlah elektron dalam pita konduksi sama dengan jumlah lubang dalam
pita pita valensi.
2. energi Fermi terletak ditengah celah energi.
3. saham elektron pada arus lebih banyak dari pada saham lubang.
4. sekitar 1 dari 109 buah atom memberi saham pada konduksi.
Semikonduktor intrinsik tidak banyak manfaat prktisnya,. karena
hanya 1 dari 109buah atom yang memberi saham pada konduksi, kehadiran
bahan-bahan takmurni pada tingkat 1 dari 109 dapatlah memberi perubahan
menolok pada sifat-sifat semikonduktor, namun tidaklah praktis membuat
bahan dengan tingkat ketidakmurnian setinggi itu. yang terbaik adalah bila
kita dapat mengendalikan pemasukan bahan takmurni kedalam
semikonduktor. bahan takmurni ini memiliki sejumlah sifat terkenal dan
dapat dimasukan dalam jumlah yang terkenal sehati-hati mungkin sehinggga
saham mereka pada konduksi semikonduktor dapat ditentukan secara tepat.
jika tingkat ketidakmurnian hanyalah 1 dari 109 atau 107, maka saham bahan
takmurni akan melebihi saham intristik.
Bahan-bahan seperti itu dikenal sebagai semikonduktor takmurni. dan
proses memasukan bahan takmurni ini disebut doping. ada dua jenis
semikonduktor takmurni yakni: yang saham bahan takmurninya menambah
jumlah elektron pada pita konduksi, dabn yang saham banyak takmurninya
menambah jumlah lunbang pada pita valensi.
Kita meninjau sebuah bahan elektron valensi dalam orbitakl
hibrida.dari sudut teori pita, mereka mengisi ke-4N buah keadaan pita
valensi; dari sudutv teori atom , kisi mengalami penyiu sunan sedemikian
rupa sehingga setiap atom tetangga Ge atau Sii memikliki empat atom
tetangga yang secara bersama-sama memanfaatkan satu elektron; jadi semua
elektron berperan dalam ikatan konvalen.( Gambar 28 )

34
 Gambar 28 Ikatan kovalen dalam Ge atau Si. Setiap atom memiliki
bersama empat elektron dalam setiap ikatan kovalen.

Pada diagram tingkat energi, energi elektron-elektron yang terikat

lemah ini muncul sebagai tingkat energi diskret dalam celah energi tepat
dibawah pita konduksi, seperti Gambar 29

Gambar 29 Tingkat energi atom-atom donor

.karena energi yang diperlukan elektron-elektron ini untuk memasuki
pita konduksi relatif kecil, sekitar 0,01 eV bagi Ge dan 0,05 Ev bagi Si, maka
eksitasi ini dapat terjadi dengan mudah pada suhu ruang ( kT – 0,025 Ev ).
Tingkat energi ini disebut keadaan donor dan bahan takmurninya disebut
donor ,karena elektron “disumbangkan” kepada pita konduksi .
semikonduktor yang telah didop dengan donor disebutsemikonduktor tipe-n,
karena konduktivitasnya lebih banyak disebabkan oleh elektr on bermuatan
negatif.
Selain itu , kita dapat pula menggunakan atombervalensi 3 seperti
boron, aluminium, galium atau indium. Apabila salah satu atom ini
menggantikan sebuah atom Si atau Ge pada kisinnya, ketiga elektronnya
membentuk ikatan kovalen dengan atom-atom Si atau Ge disekitarnya. Tetapi
karena atom bahan takmurni itu dikelilingi oleh empat buah atom dalam kisi

35
maka salah satu dari atom Si atau Ge disekitarnya memiliki satu elektron
tidak terika (Gambar 30 ).

Gambar 30 Apabila sebuah atom Ge atau Si diganti dengan sebuah

atom bervalensi 3, maka hanya tiga ikatan kovalenyang
terbentuk, sisa satu ikatan kovalennya lagi tidak terbentuk.
Karena kecenderungan pembentukan keempat pasangan ikatan
konvalen lebih besar, sebuah elektron akan lebih mudah ditangkap untuk
melengkapi simentri kisi. penengkapan elektron ini menciptakan sebuah
lubang dalam pita valensi dan karena itu memberi saham pada konduktivitas

Gambar 31 Tingkat energi atom-atom akseptor

Tingkat energi yang dibentuk semua atom bahan takmurni tepat diatas
pita valensi , disebut keadaan akseptor. pada suhu ruang, elektron-elektron
pada pita valensi bereksitasi dengan mudah dari pita valensi ke keadaan
akseptor .Bahan yang didop dengan bahan takmurni akseptor disebut
semikonduktor tipe-p, karena konduktivitasnya lebih banyak disebabkan oleh

36
 lubang bermuatan positif. (ingatlah bahwa baik bahan tipe-n maupun tipe-p
keduannya bermuatan netral karena dibuat dari atom netral. penamaan n
atau p hanyalah mengacu kemuatan pembawa arus elektriknya, bukan
bahanya. misalanya, jika kita mengambil beberapa elektron dari
semikonduktor tipe –n , maka barulah bahannya bermuatan positif).

H. Beberapa Piranti Semikonduktor

1. Sambungan p-n
Apabila sebuah semikonduktor tipe-p disentuhkan dengan
semikonduktor tipe-n electron akan mengalir dari bahan tipe-p hingga
tercapai kesetimbangan. Sama halnya dengan pada kasus dua logam yang
bersentuhan kesetimbangan ini terjadi apabila tingkat Fermi dalam kedua
bahan menjadi sama. Tetapi, berbeda dari kasus logam, electron tidak dpat
bergerak lebih jauh dari daerah sambungan, karena semikonduktor tidak
mengkonduksi dengan baik.
Pembuatan piranti ini sebenarnya bukanlah dilakukan
dengan menyentuhkan kedua bahan di atas, tetapi dengan mendop salah
satu sisi bahan sehingga menjadi tipe-p. proses doping ini dikendalikan
secara hati-hati, dan lapisan deplesi khasnya memilki orde ketebalan 1 m .
Elektron lebih yang memasuki bahan tipe-p menyebabkan sisi
daerah deplesi bermuatan negtif, yang cenderung menarik elektron lainnya
dari daerah n. Dalam keadaan setimbang, tumpukan elektron yang cukup
banyak akan menghentikan sama sekali aliran elektron dengan akibat
tercipta suatu neto medan elektrik dalam daerah sambungan itu. (karena
arah medan elektrk didefinisikan searah gaya pada muatan positif, maka
elektron meengalami gaya dalam arah sebaliknya). Adalah bermanfaat
untuk membayangkan keadaan ini sebagai penetralan dua arus dalam arah
berlawanan. (Hal ini berlaku bagi electron dan lubang secra terpisah dua
arus elektron berlawanan saling menghapuskan dua begitu pula dengan
dua arus lubang yang berlawanan. Ketika hanya akan membahas arus
elektron, namun semua bahasan kita ini berlaku pula bagi arus lubang.

37
 Pada ekor distribusi Fermi terdapat sejumlah kecil elektron dalam
pita konduksi dari daerah n yang energinya di atas dasar pita konduksi
dalam daerah p. elektron-elektron ini memiliki energi yang cukup untuk
mendaki bukit potensial ke dalam daerah p dimana mereka bergabung
kembali (berkombinasi) dengan lubang-lubang (yakni mereka turun ke
dalam pita valensi), ini adalah arus rekombinasi elektron. Arus
rekombinasi ini diimbangi oleh arus elektron termal p ke n, electron
dieksitasikan dari pita valensi ke pita konduksi bahan tipe-p, di mana
mereka kemudian dipercepat oleh medan elektrik ke dalam bahan tipe –n.
Kedua arus ini ditunjukkan secara skematis pada Gambar 32.
marilah kitakenakansuatu tegangan luar Veksi melalui daerah sambungan.
Pertama kita akan melakukannya sedemikian rupa sehingga bahan tipe-p
dibuat lebih positif daripadabahan tipe-n yaitu dengan menghubungkan
kutub + sebuah baterai ke sisi p an kutub – ke sisi n. pengaruh baterai luar
di sini adalah menurunkan bukit potensial sebanyak Veksi. Keadaan ini
disebut suatu tegangan maju (forward voltage) atau pembiasan maju
(forward biasing) dan diilustrasikan paada Gambar 33. Arus termal
elektron dari pita valensi p ke pita konduksi n sama sekali tidak
dipengaruhi oleh tegangan ini, arus ini hanya bergantung pada jumlah
elektron pada sisi p dapat menuruni bukit potenisal ke bawah. Tetapi,
kemampuan untuk elektron untuk mengalir kembali dari pita konduksi
tipe-n ke tipe-p lebih tinggi. Keseimbangan aliran kedua arus dalam arah
yang berlawanan ini dengan demikian terganggu, dan saham arus dari n ke
p lah yang akan dominan.

38
 Gambar 32 Arus rekombinasi dan termal saling
mengimbanggi dalam sambungan tidak
berat sebelah

Gambar 33 Pembiasan maju menurunkan potensial

dan menaikkan arus termal tidak
terpengaruh oleh pembiasan

2. Dioda Terowong.
Apabila daerah p dam n di dop dengan konsentrasi tinggi, lapisan
deplesi menjadi seperti pada Gambar 34

Gambar 34 Sebuah sambungan p-n dapat

menyerahkan sebuah tegangan ac

39
 Gambar 35 Sambungan semikonduktor p-n
dengan doping berkonsentrasi
tinggi. Elektron dapat menerowong
melewti celah sempit

Apabila suatu teganganbias maju dikenakan, maka kini terdapat

saham ketiga pada arus-sebuah electron dari pita konduksi dari daerah n
dapat “menerowong” langsung melalui daerah terlarang masuk kedalam
pita valensi dari daerah p. proses ini tentu saja bergantung pada hakikat
gelombang dari electron dan merupakan salah satu contoh dari proses
penerobosan penghalang yang telah kita bahas dalam pasal 5.7. lapisan
deplesi memungkinkan terjadinya proses ini. Panjang gelombang sebuah
electron dekat permukaan Fermi adalah sekitar 1 nm, dan jika ketebalan
lapisan deplesi adalah beribu kali atau lebih daripada ketebalan ini, maka
proses penerowongan ini tidak akan terjadi.
Jika tegangan maju diperbesar, bukit potensial direndahkan, dan
segera menjadi tidak mungkin bagi sebuah electron untuk “menerowong”
langsung melewati daerah terlarang. Untuk tegangann sekitar beberapa
pulu volt, arus “penerowongan” menjadi nol. Pada saat itu diode terowong
berperilaku seperti diode biasa
Gambar 36 mengilustrasikan hubungan khas arus-tegangan bagi
sebuah diode terowong.

40
 Gambar 36 Hubungan khas arus tegangan sebuah dioda
Terowong. Kurva putus-putus memperlihatkan
Kurva khas sebuah dioda sambungan p-n biasa

Dioda terowong bermanfaat dalam rangkaian elektrik sebagai

elemen laju-tinggi (high-sped), karena kekhasan pirantinya dapat berubah
secepat perubahan ttegangan bias. Mereka dapat pula digunakan sebagai
sakelar (switches). Jika arus yang kita lewatkan melalui diode terowong
berada pada puncak kurva khas, maka peningkatan arus sedikit saja akan
menyebabkan tegangan meloncat dengan segera kenilai yang besar sekali.
3. Fotodioda
fotodioda adalah sebuah sambungan p-n yang bekerjanya
melibatkan pemancaran dan penyerapan cahaya. Piranti ini bekerja
berdasarkan asas yang sama seperti pada atom biasa. Sebuah electron
dalam pita valensi dapat menyerang sebuah foton dan bertransisi kepita
konduksi. Karena foton cahaya tampak memiliki energy dalam orde 2 atau
3 eV, maka semikonduktor dengan energy celah berorde 1 eV cocok untuk
transisi seperti itu. Sebaliknya, sebuah electron yang tereksitasi dari pita
konduksi dapat turun kembali kepita valensi, dengan memancarkan
sebuah foton.
Piranti pemancar cahaya tampak yang lazim dikenal adalah LED,
atau light-emitting-diode. Sebuah arus luar memasok energy yang
diperlukan untuk mengeksitasikan electron ke piya konduksi, lalu ketika
electron turun kembali dan bergabung dengan lubang, sebuah foton
dipancarkan. Energinya tentu saja sama dengan beda energy keadaan

41
 elektronik. Bahan yang lazim digunakan bagi piranti ini, yang digunakan
bagi indikator cahaya, penayang kalkulator, dan sebagainya, adalah
gallium arsenide fosfida, GaAsP, yang memancarkan foton dalam daerah
merah spectrum eleektromagnet.
Contoh lain piranti seperti itu adalah laser semikonduktor, di mana
arus yang cukup tinggi menghasilkan populasi terbaik; kedua ujung
semikonduktor dapat dikilapkan sekilap mungkin sehingga berperan
sebagai cermin, dan piranti ini bekerja dengan cara yang sangat mirip
dengan laser atom biasa. (Lihat Pasal 8.8).
4. Transistor Sambung
Sebuah transistor terdiri atas suatu daerah tipis dari salah satu tipe
semikonduktor yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe lain yang
lebih tebal. Menurut jenis semikonduktor yang digunakan, transistor
seperti ini dikenal sebagai transistor npn atau pnp. Pada dasarnya tidak ada
perbedaan antara kedua tipe transistor ini, perbedaannya hanyalah pada
pembalikkan semua tegangan biasnya.
Pada Gambar 37 diilustrasikan sebuah transistor npn tidak
terbiaskan. Seperti sambungan p-n, electron dan lubang mengalir melalui
setiap daerah sentuh hingga tecipta kesetimbangan. Ketiga daerah ini
masing-masing dihubungkan dengan tegangan luar. Daerah tengah disebut
basis (B), kedua daerah lainnya disebut emitter (E) dan kolektor (C).
kadang-kadang ada gunanya untuk membayangkan transistor sebagai
gabungan dua sambungan p-n, walaupun ketebalan basis mempunyai
akibat yang penting. Dalam praktik, sambungan EB dibiaskan maju dan
sambungan BC dibiaskan balik, seperti diperlihatkan pada Gambar 38
sama halnya dengan sambungan p-n, aliran electron dari E ke B
dipertinggi dengan pembiasan ke depan. Begitu memasuki basis, elektron
berdifusi melalui daerah sempitnya dan dipercepat menuju kolektor oleh
tegangan antara kedua ujung sambungan BC.

42
 Gambar 37 Transistor sambungan npn

Gambar 38 Susunan transistor npn dengan

pembiasan khas

Tidak semua elektron dari emiter memasuki rangkaian luar melaui

kolektor, ada pula sebagian kecil yang melalui basis.

43
 BAB III
PENUTUP

A. Kesimpulan
1. Ikatan ionik adalah suatu jenis ikatan yang istimewa kuat. Karena
sumbernya adalah elektrostarik, dapat anggap bahwa semakin negatif ion-
ion yang mengelilingi sebuah ion positif, semakin stabil dan kuat zat
padatnya.
2. Ikatan kovaeln adalah ikatan kimia yang mengikat karbon ketika
membentuk senyawa organik.
3. Apabila jarak dua atom yang identik, seperti natrium jauh sekali maka
tingkat energi masing-masing tidak terpengaruh oleh kehadiran tingkat
energi lainnya, dan kita dapat membayangkan atom-atomnya berdiri
sendiri.
4. teori pita zat padat sangat berhasil dalam menerangkan berbagai sifat
logam, isolator dan semikonduktor. Tetapi, penjelasan kita mengenai
pembentukan pita energi ini hanyalah skematis bagaimanapun, tindakan
mendekatkan atom-atom adalah penyebab utama kehadiran pita energi,
sebagai akibat bertumpah tindihnya fungsi gelombang elektron.
5. Sifat-sifat logam terdiri atas: Konduktivitas elektrik, konduktivitas termal,
potensial sentuh, superkonduktivitas, dan feromagnetik
6. Semikonduktor adalah bahan dengan celah energi Eg antara pita valensi
dan pita konduksi berorde 1 eV.
7. Sifat-sifat piranti semikoduktor terdiri atas: sambungan p-n, dioda
terowong, fotodioda, dan transistor sambung.

B. Saran
Setelah membaca makalah ini jika aa kesalahan padapenulisan
maupun berkaitan dengan materinya, silahkan dikoreski. Kritik dan saran dari
pembaca sangat diharapkan demikesempurnaan makalah ini.

44
 DAFTAR PUSTAKA

Krane Kenneth S,1992. Fisika Modern. Jakarta : Universitas Indonesia (UI-Press)

45