Tugas Ii Devais Semikonduktor
Tugas Ii Devais Semikonduktor
NIM : 13214049
A. Lebar Deplesi (W) dengan menggunakan material SiO2 dengan εr = 3.9 dan ε0 =
8,854188 × 10-12 F/m ketika Nd tetap Na Berubah-ubah.
ND (cm-
No NA (cm-3) 3 Vbi (V) W (um)
)
1 1E+15 1E+15 0,59040138 0,000713476
2 2E+15 1E+15 0,60832259 0,000627196
3 3E+15 1E+15 0,61880583 0,000596399
4 4E+15 1E+15 0,62624381 0,000580921
5 5E+15 1E+15 0,63201315 0,0005718
6 6E+15 1E+15 0,63672705 0,000565901
7 7E+15 1E+15 0,64071259 0,000561847
8 8E+15 1E+15 0,64416502 0,00055894
9 9E+15 1E+15 0,64721028 0,000556791
10 1E+16 1E+15 0,64993436 0,000555164
Vbi
B. Lebar Deplesi (W) dengan menggunakan material SiO2 dengan εr = 3.9 dan ε0 =
8,854188 × 10-12 F/m ketika Na tetap Nd Berubah-ubah.
0.0004
0.0003
0.0002
0.0001
0
Vbi
Kesimpulan yang didapat dari kedua grafik diatas adalah, untuk grafik pertama pengaruh
perubahan NA terhadap daerah deplesi (w) adalah semakin besar nilai Vbi yang dihasilkan, maka
nilai W yang didapatkan semaikn kecil. Begitu juga dengan plot grafik 2, pengaruh perubahan
nilai ND terhadap daerah deplesi (w) adalah semakin besar nilai Vbi yang dihasilkan, maka nilai
W yang didapatkan semaikn kecil juga.
NAMA : Gatut Agung Priandoko
NIM : 13214049
LAMPIRAN