UV-Vis Diffuse Reflectance Spectrocopy (UV-Vis

DRS
Salah satu material semikonduktor seperti fotokatalis memiliki karakteristik energi celah pita
atau band gap energy yang khas. Mudahnya, energi celah pita adalah suatu celah yang
menyatakan besarnya jarak diantara pita valensi (VB; Valence Band) dengan pita
konduksinya (CB; Conduction Band) sebanding dengan energi (dalam eV atau elektron
volt) yang dibutuhkan untuk elektron tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi. Tentunya
energi yang dibutuhkan dapat sebanding atau lebih dari besar celah pitanya. Energi celah
pita ini dapat diilustrasikan pada Gambar 1.

Gambar 1. Ilustrasi CV dan VB pada material semikonduktor

Lebar celah pita energi semikonduktor menentukan sejumlah sifat fisis semikonduktor
tersebut. Beberapa besaran yang bergantung pada lebar celah pita energi adalah mobilitas
pembawa muatan dalam semikonduktor, kerapatan pembawa muatan, sepktrum absorpsi,
dan spektrum luminisensi. Ketika digunakan untuk menggunakan divais miktoelektrik, lebar
celah pita energi menentukan tegangan cut off persambungan semikonduktor, arus yang
mengalir dalam divais, kebergantungan arus pada suhu dan sebagainya [1]. Umumnya
perangkat atau alat yang digunakan untuk mengukur energi celah pita diantaranya adalah
UV-Vis Diffuse Reflectance Spectrocopy atau UV-Vis DRS.

Abdullah dan Khoirurrijal [1], metode DRS didasarkan pada pengkuran intensitas UV-Vis
yang direfleksikan oleh sampel. Dasar pemikiran metode tersebut cukup sederhana yakni
jika material disinari dengan gelombang elektromagnetik maka foton akan diserap oleh
elektron dalam material. Widyandari dan Budiman [2], ketika cahaya mengenai suatu bahan
maka sebagian akan diserap, dipantulkan dan ditansmisikan. Pada dasarnya terdapat tiga
proses interaksi antara foto dengan elektron dlam bahan yakni absorpsi, emisi spontan dan
emisi terimbas. Energi tiap foto atau sinar dapat dituliskan sebagai berikut [1-2]
 Fenomena eksitasi elektron dari keadaan dasar menuju keadaan transisi dapat ditunjukkan
pada Gambar 2. Ketika semikonduktor disinari maka foton diserap kemudian terbentuk
pasangan elektron-hole (a), apabila keadaan yang terjadi adalah hv = Eg. Namun, ketika
hv > Eg maka pasangan elektron-hole terbentuk dan kelebihan energi yang tidak digunakan
(hv = Eg) diubah dalam bentuk panas (b). Proses (a) dan (b) ini disebut sebagai transisi
intrinsik (band to band transition). Saat hv < Eg maka foton akan diserap, jika terdapat
keadaan energi dalam celah terlarang akibat dari adanya cacat, terjadi transisi ekstrinsik
(c). Proses adsorbsi foton menyebabkan transisi elektron dari pita valensi ke pita konduksi
dengan energi foton harus sama atau lebih besar dari energi gap-nya, dengan frekuensi v,
sebagai berikut:

frekuensi vo=Eg/h berkaitan dengan tepi absorpsi  (absorpstion edge) [2].

Gambar 2. Transisi dasar dari semikonduktor [2]

Spektrum UV−Vis yang dihasilkan oleh sampel semikonduktor memberikan korelasi antara
sisi absorpsi fundamental dan energi foton yang dibutuhkan untuk mengeksitasi elektron-
elektron dari pita valensi ke level energi yang lebih tinggi yaitu pita konduksi [3]. Hubungan
antara energi foton sinar pengeksitasi dan energi celah pita (band gap energy, Eg)
diberikan oleh persamaan Tauc [4-5]:

dimana ao adalah koefisien absorpsi linier; hv adalah energi foton yang datang; A adalah

parameter lebar sisi; dan Eg adalah energi celah pita optis. Koefisien absorpsi pada sisi
energi yang lebih tinggi dapat digunakan untuk memperoleh energi celah pita
optis Eg dengan mengekstrapolasi (aohv)n yang telah diplot sebagai suatu garis lurus
terhadap perpotongan dengan sumbu hv axis [(aohv)n = 0]. Nilai n dapat diasumsikan
bergantung pada sifat alamiah transisi elektronik yang bertanggung jawab untuk absorpsi.
Nilai n setara ½ dan 2 masing-masing untuk celah pita tidak langsung (indirect) dan
langsung (direct) [3].

Daftar Pustaka
1.       M. Abdullah dan Khairurrijal, 2009, Jurnal Nanosains & Nanoteknologi, 2(1): 1-9.
2.       H. Widyandari dan M. Budiman, 2004, Berkala Fisika, 7(1): 28-34.
3.       A.H. Yuwono, A.H., D.D Neswara, A. Ferdiansyah, A. Rahman, 2011, Jurnal Material dan Energi Indonesia, 1(3): 127-140.

4.       J. Tauc, R. Grigorovici dan A. Vancu, 1966, Phys.Stat.Sol., 15: 627-637.

5.       I. Nurmawarti, M. Abdullah dan Khoirurrijal, 2009, Jurnal Nanosains & Nanoteknologi, ISSN 1979-0880: 38-42.