LABORATORIUM ELEKTRONIKA
JOB : KARAKTERISTIK DIODE
Nama : Arif Hidayat
NIM : 19642050
Kelas : 3B-D4
Tanggal : 13 November 2020
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
POLITEKNIK NEGERI SAMARINDA
TAHUN 2020
1. TUJUAN PERCOBAAN
- Mengukur karakteristik V - I diode germanium dan diode silikon
- Menentukan tegangan hidup (thereshold voltage), VT
- Menghitung resistansi status , Rs
- Menghitung resistansi dinamis, rd.
- Menggunakan osiloskop untuk menampilkan karakteristik V – I dioda
secara langsung
- Membandingkan parameter diode germanium dengan diode silicon
2. DASAR TEORI
Dioda adalah komponen yang bergantung polaritas, yang dapat dipasang
bias arah maju (forward biased) atau arah balik (reverse biased). Dioda
dikatakan dibias maju jika tegangan anoda (material P) dibuat lebih positip
dari pada katode (material N), arus akan mengalir dengan mudah melalui
diode. Sebaliknya, dibias balik jika anoda dibuat negative dari katode.
Anode Katode A K
P N
Simbol Diode Struktur Diode
Beberapa parameter diode dapat ditentukan dari kurva karakteristik VF - IF –
nya. Tegangan hidup VT diperoleh dengan memperpanjang bagian linier dari
kurva karakteristik maju sampai memotong sumbu tegangan. Tegangan hidup
adalah tegangan minimum yang diperlukan pada diode untuk mengatasi
tegangan difusi pada sambungan (junction) diode.
𝑉𝐹
𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑠𝑖 𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑠 𝑅𝑆 = (bias maju)
𝐼𝐹
∆𝑉𝐹
𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑠𝑖 𝑑𝑖𝑛𝑎𝑚𝑖𝑠 𝑟𝑑 =
∆𝑖𝐹
Karakteristik Bias Maju
+
+
V iF
VF
- -
3. PERALATAN DAN MATERIAL YANG DIGUNAKAN
• Dioda germanium, 10 mA, 90 V : 1 buah
• Dioda silikon, 1 A, 100 V : 1 buah
• Resistor 10 Ω/10 W : 1 buah
• Resistor 1 kΩ : 1 buah
• Resistor 10 kΩ : 1 buah
• Multimeter : 2 buah
• Oscilloscope dua saluran : 1 buah
• Power supply DC variable 0-60 V : 1 buah
• Power supply AC variable 0-12 V : 1 buah
4. DIAGRAM RANGKAIAN
R1
A
0…. + 15 V
iF
V
+
VF
-
Gambar 4.1
10 kΩ
A
0…. + 60 V IR
V +
VR
Gambar 4.2
i +
tf
-
R1
Gambar 4.3
5. LANGKAH KERJA
5.1 Buatlah rangkaian seperti pada gambar 4.1, gunakan diode germanium
dan R1 = 1kΩ
Lakukan pengukuran IF sebagai fungsi VF.
Masukkan hasilnya dalam table 1.
5.2 Buatlah rangkaian seperti gambar seperti 4.2, gunakan diode
germanium Lakukan pengukuran IR sebagai fungsi VR. Masukkan
hasilnya dalam table 1.
5.3 Gambarkan karakteristik V - I diode germanium tersebut Buatlah
skla yang berbeda untuk bias maju dan bias balik.
5.4 Analisa karakteristik V - I dan tentukan :
Tegangan hidupnya, VT.
Resistansi statisnya, Rs
pada bias maju IF = 10 mA dan
pada bias balik VR = 30 V
Resistansi dinamisnya , rd
5.5 Kerjakan seperti langkah 5-1 untuk diode silicon dengan R1 = 10Ω/10W.
(Tabel 2)
5.6 Kerjakan seperti langkah 5-2 untuk diode silicon. (Tabel 2)
5.7 Kerjakan seperti langkah 5-3 untuk diode silicon.
5.8 Kerjakan seperti langkah 5-4 untuk diode silicon.
5.9 Buatlah rangkaian seperti gambar 4.1, gunakan
diode germanium dan R1 = 1 kΩ
Hidupkan osiloskop pada oprasi X-Y/DC. Naikkan
tegangan sumber secara perlahan-lahan sampai
maksimum. Lukiskan pada kertas grafik
karakteristik tf - I diode tersebut, disertai skala
arus dan tegangan.
5.10 Kerjakan seperti langkah 5.9 untuk diode silicon dengan R1 = 10 Ω / 10
W.
5.11 Buatlah perbandingan parameter diode germanium dengan
diode silicon yang telah diperoleh
5.12 Berikan kesimpulan dari hasil percobaan.
6. TABULASI DATA
Tabel 1 (Diode Germanium)
Bias Maju Bias Balik
VF IF VR IR
(Volt) (mA) (Volt) (μA)
0,05 0,017 1 9,941
0,1 0,059 2 9,942
0,15 0,177 3 9,943
0,2 0,469 5 9,945
0,25 1,25 8 9,948
0,239 1 12 9,952
0,275 2 18 9,958
0,295 3 25 9,965
0,311 4 30 9,97
0,331 6 40 9,98
0,346 8 50 9,99
0,358 10 60 10
Tabel 2 (Diode Silikon)
Bias Maju Bias Balik
VF IF VR IR
(Volt) (mA) (Volt) (μA)
0,2 0,0008 1 0,013
0,4 0,055 2 0,014
0,6 3,8 3 0,015
0,646 10 5 0,017
0,679 20 8 0,02
0,724 50 12 0,024
0,758 100 18 0,03
0,795 200 25 0,037
0,837 400 30 0,042
0,864 600 40 0,055
0,886 800 50 0,109
0,905 1000 60 229000000
7. HASIL ANALISA
1) Gambar karakteristik V –I diode germanium (tabel 1)
a) Bias Maju
12
10
0
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.239 0.275 0.295 0.311 0.331 0.346 0.358
IF
b) Bias Balik
10.01
10
9.99
9.98
9.97
9.96
9.95
9.94
9.93
9.92
9.91
1 2 3 5 8 12 18 25 30 40 50 60
IR
2) Pada dioda germanium grafik bias maju arus berbanding lurus dengan
tegangan, ketika tegangannya semakin tinggi maka arusnya semakin
tinggi pula, dan terjadi perubahan arus yang sangat signifikan,
sedangkan pada grafik arus bias mundur arusnya juga semakin tinggi
namun tidak naik secara signifikan.
3) Dari hasil percobaan dioda germanium maka di peroleh nilai
VT, rd, RS
pada bias maju IF = 10 mA dan pada bias balik VR = 30 V
• VT = 0,239 Volt
𝑉𝐹
• 𝑅𝑆 = 𝐼𝐹
0,358 𝑉
=
10 𝑚𝐴
0,358 𝑉
=
0,01 𝐴
= 35,8 Ω (Pada bias maju)
𝑉𝐹
𝑅𝑆 =
𝐼𝐹
30 𝑉
=
9,97 µ𝐴
30 𝑉
=
9,97 × 10−6 𝐴
= 3 𝑀Ω (Pada Bias Balik)
∆𝑉𝐹
• 𝑟𝑑 = ∆𝐼𝐹
0,331 − 0,295
=
0,006 − 0,003
0,036
=
0,003
= 12 Ω
4) Gambar karakteristik V –I diode germanium (tabel 2)
a) Bias Maju
1200
1000
800
600
400
200
0
0.2 0.4 0.6 0.6460.6790.7240.7580.7950.8370.8640.8860.905
IF
b) Bias Balik
250000000
200000000
150000000
100000000
50000000
0
1 2 3 5 8 12 18 25 30 40 50 60
IR
5) Pada dioda silikon grafik bias maju arus berbanding lurus dengan
tegangan, ketika tegangannya semakin tinggi maka arusnya semakin
tinggi pula, dan terjadi perubahan arus yang sangat signifikan.
Sedangkan pada grafik arus bias mundur arusnya juga semakin tinggi
namun pada saat VR = 60 terjadi kenaikan arus yang tidak signifikan.
6) Dari hasil percobaan dioda Silikon maka di peroleh nilai VT, rd, RS
pada bias maju IF = 10 mA dan pada bias balik VR = 30 V
• VT = 0,724 Volt
𝑉𝐹
• 𝑅𝑆 = 𝐼𝐹
0,646 𝑉
=
10 𝑚𝐴
0,646 𝑉
=
0,01 𝐴
= 64,6 Ω (Pada bias maju)
𝑉𝐹
𝑅𝑆 =
𝐼𝐹
30 𝑉
=
0,042 µ𝐴
30 𝑉
=
0,042 × 10−6 𝐴
= 714,28 𝑀Ω (Pada Bias Balik)
∆𝑉𝐹
• 𝑟𝑑 = ∆𝐼𝐹
(0,864 − 0,795)𝑉
=
(0,6 − 0,2)𝐴
0,069
=
0,4
= 0,172 Ω
7) Perbandingan Parameter diode germaniun dengan silikon
Parameter Germanium Silicon
VT 0,239 Volt 0,724 Volt
RS (Bias Maju) 35,8 Ω 64,6 Ω
RS (Bias Balik) 3 𝑀Ω 714,28 𝑀Ω
rd 12 Ω 0,172 Ω
8) Grafik dioda Germanium menggunakan Osiloskop
9) Grafik dioda Silicon menggunakan Osiloskop
8. KESIMPULAN
• Semakin besar tengagan pada diode, maka akan semakin besar pula
nilai arus pada diode.
• Pada saat forward bias besar hambatan tergantung pada besar
tegangan dan arus yang melewati.
• Pada saat reverse bias besar hambatan pada diode sangat besar
sehingga arus yang mengalir menjadi sangat kecil.
• Diode merupakan komponen elektronika yang berfungsi sebagai
penyearah arus listrik.
