MAKALAH TEKNIK LISTRIK DAN

ELEKTRONIKA
“TRANSISTOR”

Dosen Pembimbing :
Drs.H. Emilly Dardi, M.Kes.

Disusun Oleh :

Rio Naviano K2511042

PENDIDIKAN TEKNIK MESIN

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN

UNIVERSITAS SEBELAS MARET

SURAKARTA

2012
KATA PENGANTAR

Puji syukur kita panjatkan kepada Tuhan Yang Maha Esa atas limpahan
rahmat dan karunianya sehingga penyusunan makalah yang berjudul “Transistor”
ini dapat terselesaikan.
Penulisan makalah ini merupakan salah satu tugas dan persyaratan
untuk menyelesaikan tugas mata kuliah Teknik listrik dan elektronika di FKIP
PTK PTM Universitas Sebelas Maret Surakarta.
Dalam penulisan makalah ini kami merasa masih memiliki banyak
kekurangan baik segi materi maupun dari segi penulisan, mengingat kemampuan
yang kami miliki. Untuk itu kami mengharapkan kritik dan saran dari semua
pihak demi penyempurnaan penulisan makalah ini.
Dalam penulisan makalah ini kami menyampaikan terima kasih yang
tak terhingga kepada pihak-pihak yang telah membantu dalam proses penulisan
makalah ini, semoga Tuhan memberi imbalan yang setimpal atas bantuan dan
semoga dapat menjadikan bantuan ini sebagai ibadah, Amin.

Surakarta, 22 Desember 2012

Penulis

ii
DAFTAR ISI

Judul........................................................................................................................i
Kata Pengantar........................................................................................................ii
Daftar Isi.................................................................................................................iii
I. Pengertian Transistor......................................................................................1
II. Jenis Transistor...............................................................................................3
III. Cara kerja Transistor.......................................................................................7
IV. Pengujian Transistor.......................................................................................8
V. Fungsi Transistor...........................................................................................11
VI. Kesimpulan...................................................................................................12
VII. Daftar Pustaka..............................................................................................13

iii
TRANSISITOR

Transistor berasal dari kata transfer resistor. Piranti elektronik jenis ini
dikembangkan oleh Berdeen, Schokley dan Brittam pada tahun 1948 di
perusahaan elektronik Bell Telephone Laboratories. Penamaan ini berdasarkan
pada prinsip kerjanya yakni mentransfer atau memindahkan arus.
Sebuah transistor digambar dalam bentuk symbol :

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, pemotong

(switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Transistor
dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT)
atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat
akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Transistor memiliki 3 kaki, yakni: Basis ( B ), Collector ( C ) dan Emitor ( E ).

Kaki kolektor pada transistor NPN selalu berada pada kutub positip, sedang kaki
kolektor pada transistor PNP selalu pada kutub negatif. Sebuah transistor selalu
diberikan kode – kode tertentu sesuai dengan pabrik pembuatnya maupun fungsi
transistor. Huruf pertama menyatakan bahan semikonduktor yang digunakan
untuk membuat transistor.

1
A = Germanium B = Silicon C = Arsenida Galium
D = Antimonida Indium R = Sulfida Cadmium

Huruf kedua menyatakan fungsi penerapannya pada rangkaian elektronika.

A = dioda detector, dioda pencampur , dioda kecepatan tinggi.
B = dioda kapasitas variable
C = transistor frekuensi renadah
D = transistor daya frekuensi rendah
E = dioda terobosan
F = transistor frekuensi radio, bukan daya
G = macam ragam keperluan ( multiperpose )
L = transistor daya frekuensi rendah
N = kopling foto
P = dioda radiasi seperti dioda foto, transistor foto
Q = generator radiasi seperti LED
R = piranti kemudi dan saklar seperti TRIAC
S = transistor sakalr daya rendah
T = piranti kemudi dan switching seperti TRIAC
U = transistor saklar daya tinggi
X = dioda pengganda
Y = penyearah,dioda efisiensi atau penyondol (booster)
Z = dioda Zener, pengatur ( regulator )
Huruf atau angka yang lain menyatakan nomor seri.
Untuk transistor buatan Amerika kode yang biasa digunakan adalah :
1N , 2N , dlsb. Sedang buatan Jepang menggunakan kode : 2SA , 2SB , 2SC.
Secara phisik bentuk sebuah transistor seperti gambar di bawah ini :

2
Jenis-jenis transistor
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

1. Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide

2. Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface
Mount, IC, dan lain-lain
3. Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET,
VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor
yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
4. Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
5. Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
6. Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF
transistor, Microwave, dan lain-lain
7. plikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan
lain-lain

BJT

BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara
kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau
negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah
emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).

Perubahan arus listrik dalam jumlah

kecil pada terminal basis dapat
menghasilkan perubahan arus listrik
dalam jumlah besar pada terminal
kolektor. Prinsip inilah yang
mendasari penggunaan transistor
sebagai penguat elektronik.

GAMBAR BJT

3
Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan
dengan ß atau hFE. ß biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.

FET

FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET
(IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor)
FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk
sebuah dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain).
Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state
dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara antara grid dan
katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di “depletion
mode”, keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan
arus listrik dibawah kontrol tegangan input. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi
tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari
tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika
kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah
negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate
adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran
arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-
polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode,
dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.

GAMBAR JFET GAMBAR IGFET

4
MOSFET

MOSFET, singkatan dari Metal Oxyde Semi Conductor atau Transistor efek
medan, adalah jenis transistor yang bekerja dengan adanya modulasi dari medan
listrik di dalam bahan semikonduktor. Antara FET dan MOSFET tidak ada
perbedaan, hanya yang membedakan:

Adanya lapisan S1O2 yang

mambatasi gate dan channel.
Arus listrik yang masuk sangat kecil
sekali. Jenis-jenis transistor efek
medan adalah MOSFET, JFET,
MESFET, HEMT, dan TFT.
GAMBAR MOSFET

IGBT

Transistor IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) adalah piranti

semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah transistor bipolar (BJT) dan
sebuah transistor efek medan (MOSFET).

Input dari IGBT adalah terminal Gate dari MOSFET, sedang terminal Source dari
MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. Dengan demikian, arus drain
keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya
tahanan masuk dari MOSFET, maka terminal input IGBT hanya akan menarik
arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus drain sebagai arus keluaran dari
MOSFET akan cukuo besar untuk membuat BJT mencapai keadaan saturasi.
Dengan gabungan sifat kedua elemen tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang
cukup ideal sebagai sebuah sakelar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu
membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi
beban listrik yang dikendalikannya.

Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya (power electronics) dewasa

ini adalah sakelar zat padat (solid-state switches) yang diwujudkan dengan

5
peralatan semikonduktor seperti transistor bipolar (BJT),transistor efek medan
(MOSFET), maupun Thyristor. Sebuah sakelar ideal di dalam aplikasi elektronika
daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:

pada saat keadaan tidak menghantar (OFF), sakelar mempunyai tahanan yang
besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor
struktur sakelar sangat kecil. Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (ON),
sakelar mempunyai tahanan menghantar (R_on) yang sekecil mungkin. Ini akan
membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil
mungkin, demikian pula dengan besarnya daya lesapan (power dissipation) yang
terjadi, dan kecepatan pensakelaran (switching speed) yang tinggi.
Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan
semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan semikonduktor
komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil.
Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan jatuh
pada terminal kolektor-emitter, VCE pada keadaan menghantar (ON) dapat dibuat
sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh
(saturasi). Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan switching,
MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai divais yang bekerja berdasarkan
aliran pembawa muatan mayoritas (majority carrier), pada MOSFET tidak
dijumpai aruh penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses
pensakelaran, yang cenderung memperlamnat proses pensakelaran tersebut.
Sejak tahun 1980-an telah muncul jenis divais baru sebagai komponen sakelar
untuk aplikasi elektronika daya yang disebut sebagai Insulated Gate Bipolar
Transistor (IGBT).

Sesuai dengan yang tercermin dari namanya, divais baru ini merupakan divais
yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di
atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang
menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Terminal
gate dari IGBT, sebagai terminal kendali juga mempunyai struktur bahan
penyekat (insulator) sebagaimana pada MOSFET.

6
Dengan demikian, terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang
sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang
umumnya terdiri dari rangkaian logika. Ini akan menyederhanakan rancangan
rangkaian pengendali (controller) dan penggerak (driver) dari IGBT.

Di samping itu, kecepatan pensakelaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan

divais BJT, meskipun lebih rendah dari divais MOSFET yang setara. Di lain
pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal
keluaran (kolektor-emitter) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar,
nilai tahanan menghantar (R_on) dari IGBT sangat kecil, menyerupai R_on pada
BJT.

Dengan demikian bila tegangan jatuh serta resapan dayanya pada saat keadaan
menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk
dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan amper, tanpa terjadi kerugian
daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter
maupun Kendali Motor Listrik (Drive).

GAMBAR IGBT SKEMA IGBT

CARA KERJA TRANSISTOR

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar
transistor,bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect
transistor (FET), yangmasing-masing bekerja secara berbeda. Transistor bipolar
dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakandua polaritas
pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam

7
BJT,arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan
depletion zone, danketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi
dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.

Pengujian Transistor

Pada dasarnya transistor merupakan dua dioda yang dipertemukan, sehingga cara
pengujian transistor hampir sama dengan pengujian dioda. Pengujian transistor
dibedakan menjadi dua, yakni jenis NPN dan jenis PNP.
Berikut ini diberikan table tentang hasil pengujian transistor yang dinyatakan
baik.

Adapun langkah – langkah pengujian transistror NPN adalah :

 Menyiapkan alat dan bahan yang dibutuhkan .

 Mengarahkan saklar jangkah pada posisi ohm, misal pada posisi X1.
 Menempelkan colok hitam pada kaki Basis ( B ) dan colok merah pada
kaki Emiter ( E ).
 Apabila jarum penunjuk bergerak maka transistor dinyatakan baik.
  Selanjutnya memindahkan colok merah pada kaki Kolektor ( C ).
 Apabila jarum penunjuk bergerak maka transistor juga dinyatakan baik.

 Sedang apabila dalam pengujian transistor jarum penunjuk tidak bergerak

maka transistor dinyatakan rusak
 Selanjutnya apabila pengujian dibalik, yakni colok merah pada kaki Basis
( B ), sedang kaki Emiter ( E ) dan kaki Kolektor ( C ) dihubungkan
dengan colok hitam secara bergantian, maka jika jarum penunjuk bergerak,
8
transistor dinyatakan rusak, kemungkinan bocor.

Kembalikan perlengkapan pengujian pada tempat semula.

Langkah – langkah pengujian transistor PNP

 Menyiapkan alat dan bahan yang dibutuhkan .

 Mengarahkan saklar jangkah pada posisi ohm, misal pada posisi X1.
 Menempelkan colok merah pada kaki Basis ( B ) dan colok hitam pada
kaki Emiter ( E ).
 Apabila jarum penunjuk bergerak maka transistor dinyatakan baik.
 Setelah itu memindahkan colok hitam pada kaki Kolektor ( C ).
 Jika jarum bergerak maka transistor dinyatakan baik.Jika dalam pengujian
meter tidak bergerak sama sekali, maka transistor dinyatakan rusak / putus.
 Kemudian jika pengujian dibalik yakni colok hitam pada kaki Basis ( B)
sedang kaki Emiter ( E ) dan Kolektor ( C ) dihubungkan dengan colok
merah secara bergantian, maka jika jarum bergerak, transistor dinyatakan
rusak.
  Apabila jarum bergerak menunjukkan nilai ohm yang rendah, maka dapat
dipastikan bahwa transistor dalam kondisi bocor.

 Rapikan kembali perlengkapan pengujian

Pengujian diatas berlaku bagi transistor yang terbuat dari bahan Germanium
maupun bahan Silicon. Jika transistor9terbuat dari bahan Germanium maka saklar
jangkah ukur diarahkan pada posisi x 10. Namun jika terbuat dari bahan Silicon,
saklar jangkah diarahkan keposisi x 1K.

Menentukan jenis transistor silicon atau germanium

 Tempatkan ohm meter pada posisi X1K

 Ukur antara kaki kolektor dan emitor, jika jarum penunjuk bergerak arah
bolak – balik artinya transistor germanium ( Ge ) namun jika tidak
bergerak artinya transistor silikon ( Si ).
Menentukan transistor germanium ( Ge )

Menentukan transistor silicon ( Si )

FUNGSI TRANSISTOR

Dalam rangkaian elektronika transistor banyak digunakan sebagai penguat ,

10
penyearah, pencampur, oscillator, saklar elektronik dll.

 Sebagai penguat transistor digunakan untuk menguatkan tegangan, arus

serta daya, baik bagi arus bolak – balik maupun searah.
  Sebagai penyearah, transistor digunakan untuk mengubah tegangan bolak
– balik menjadi tegangan searah.
 Sebagai pencampur, transistor digunakan untuk mencampur dua macam
tegangan bolak – balik atau lebih yang mempunyai frekuensi berbeda.
 Sebagai oscillator,transistor digunakan untuk membangkitkan getaran –
getran listrik.
 Sebagai saklar elektronik, transistor digunakan untuk menyambung
putuskan rangkaian elektronika.

Kerusakan – kerusakan yang sering terjadi pada transistor:

 Adanya pemutusan hubungan dari rangkaian elektronik.

 Terjadinya konseleting/ hubung singkat antar elektroda transistor.
 Terjadi kebocoran diantara electrode – electrode transistor.

Adapun penyebab terjadinya kerusakan pada sebuah transistor adalah:

 Penanganan yang tidak tepat saat pemasangan pad rangkaian.

 Transistor terlalu panas karena suhunya melebihi batas maksimal
kemampuannya. Bagi transistor dari bahan Germanium suhu maksimal ±
750C sedang transistor Silicon suhu maksimal mencapai ± 1500C.
 Kesalahan pengukuran.
 Pemasangan yang salah pada rangkaian.

KESIMPULAN

Kesimpulan dari makalah ini adalah Transistor adalah kompnen yang mengubah
11
wajah dunia,memungkinkan ukuranperalatan elektronika semakin kecil dan
kompak dan daya konsumsinya rendah,juga mengawaliera elektronika digital.
Tiga karakteristik transisttror yaitu karakteristik masukan, karakteristik keluaran,
dankarakteristik transfer. Dari karakteristik masukan kita dapat menghitung
hambatan masukan dandari karakteristik keluaran kita dapat menghitung
hambatan keluaran, sedangkan darikarakteristik transfer kita dapat menghitung
penguatan arus. Transistor memiliki dua jenis yaitu: Transistor Bipolar dan
Transistor Unipolar.Transistor Bipolar adalah transistor yang memiliki dua
persambungan kutub.Transistor Unipolar adalah transistor yang hanya memiliki
satu buah persambungan kutub.1. Transistor Bipolar Transistor bipolar adalah
komponen elktronika yang terdiri dari tiga buah kaki, yaituemitor (E), basis (B),
dan kolektor (C). Tansistor terdiri dari dua jenis yaitu transistor tipe NPN dan
transistor tipe PNP. Tanda petunjuk arah pada masing-masing tipe yang ditunjuk
anak panahadalah merupakan terminal emitor.2. Transistor Unipolar Transistor
unipolar adalah FET (Field Effect Transistor) yang terdiri dari JFET kanal
N,JFET kanal P, MOSFET kanal N, dan MOSFET kanal P.

DAFTAR RUSTAKA
http://komponenelektronika.net/pengertian-transistor.htm
diunduh pada tanggal 21/12/2012

http://www.zali.info/2012/08/jenis-jenis-transistor.html
12
diunduh pada tanggal 21/12/2012

www.slidesshare.com
diunduh pada tanggal 21/12/2012
hsantoso.files.wordpress.com/2008/08/transistor.doc
diunduh pada tanggal 21/12/2012

wikipedia.com
diunduh pada tanggal 21/12/2012

13