TUGAS ELEKTRONIKA DAYA

RINGKASAN DATA SHEET MOSFET IRFZ44NPbF

ROLANDA M ALFATIH
G1D019031

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK

UNIVERSITAS BENGKULU

2021
A. Pengertian Mosfet

MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P, dan

disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor
yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, tetapi transistor sambungan
dwikutub pada satu waktu lebih umum.

D
VDSS = 55V
G
RDS(aktif) = 17,5mΩ
S

SayaD = 49A

Peringkat Maksimum Mutlak

Parameter Maks. Satua
n
SayaD @ TC = Arus Tiriskan Kontinu, VGS @ 10V 49
25°CI A
D @ TC = 100 °C Arus Tiriskan Kontinu, VGS @ 10V Arus 35
SayaDM Tiriskan Berdenyut 160
PD @TC = 25 °C Disipasi Daya 94 W
Faktor Penurunan Linier 0.63 W/°C
VGS Tegangan Gerbang-ke-Sumber ± 20 V
SayaAR Arus Longsor 25 A
EAR Pemulihan Avalanche Energy 9.4 mJ
dv/dt Peak Diode Berulang dv/dt 5.0 V/ns
TJ Persimpangan Operasi dan - 55 hingga + 175
TSTG Kisaran Suhu Penyimpanan Suhu °C
Solder, selama 10 detik Torsi 300 (1.6mm dari
kasing)
pemasangan, 6-32 atau sekrup M3 10 lbf•in (1.1N•m)

Resistansi Termal
Parameter Ke Maks. Satua
tik n
RJC Persimpangan-ke-Kasus –– 1.5
– °C/W
RCS Persimpangan Persimpangan ke 0,5 –––
0
Ambien, Datar,
RJA Permukaan Berminyak –– 62
–
 Peringkat dan Karakteristik Sumber-Penguras

B Parame min. tik ks. tuan Kon

ter Ke Ma Sa disi
Arus Sumber Kontinu simbol MOSFET
49
Saya S
––– –––
(Dioda Badan)
D

Sumber Berdenyut Saat Ini menunjukkan

160
Saya SM
––– ––– G
(Dioda Tubuh) kebalikan integral
dioda sambungan pn.

VSD Tegangan Maju Dioda – – – – – 1.3 V TJ = 25 °C, IS = 25A, VGS = 0V

–
Trr Waktu Pemulihan Terbalik ––– 63 n TJ = 25 °C, IF = 25A
95 di/dt = 100A/µs
Qrr Membalikkan Biaya Pemulihan – – –170 nC
260
Tpada Maju Waktu Penyalaan Waktu penyalaan intrinsik dapat diabaikan (penyalaan didominasi oleh LS+ LD)