RBL Fisika Statistik Prodi Fisika -FMIPA 2021

Aplikasi Fermi-Dirac Untuk Simulasi Sel Surya Silikon

Asla Roudhatu Rohmah 10219025, Luqman Alifio Arhab 10219061, Achmad Qoddri 10219078,
Axel Farrel Hutagalung 10219081, Rahmalia Nur Azizah 10219082
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Teknologi Bandung
Email: luqmanalifio84@gmail.com

Abstrak
PC1D adalah program simulasi semikonduktor yang umum digunakan. Pada kajian ini, penulis
akan menunjukkan program PC1D yang telah dimodifikasi dengan mengaplikasikan Fermi-
Dirac dengan harapan meningkatkan pendekatan Boltzmann pada program asli. Nama
program baru ini adalah cmd-PC1D 6.0. Pemodelan terbaru untuk kristal Si, penyempitan
celah band-gap berbasis injeksi, mobilitas pembawa dan rekombinasi auger telah
diaplikasikan pada program. Hasilnya dapat diverifikasi dengan simulator modern untuk
berbagai emiter fosfor- dan boron- yang didoping dengan konsentrasi permukaan yang
bervariasi. Penulis juga menemukan korespondensi dengan hasil dari simulator yang berbeda
dengan deviasi 2fA/cm2 dalam menghitung rapat arus emitor tersaturasi menggunakan statistik
F-D dan deviasi relatif dibawah 0,8% untuk semua parameter utama sel surya. Penggunaan
operator statistik yang benar dan pemodelan yang sesuai dapat memungkinkan menghindari
pemodelan yang umum digunakan dengan nilai yang diadaptasi, hasilnya dapat membawa
PC1D menjadi alat simulasi sel surya Si yang lebih umum, konsisten, dan bermakna.

Keywords: band-gap, deviasi relatif, rapat arus emitor, sel surya

rekombinasi di daerah curah yang sangat didoping di

1. Pendahuluan bawah permukaan, statistik F-D dalam kombinasi dengan
Elektron adalah Fermion, sehingga mematuhi statistik model BGN aktual adalah jawabannya (misalnya
Fermi-Dirac (F-D). Untuk konsentrasi pembawa dalam Si parameterisasi oleh Schenk 1 atau oleh Yan dan Cuevas).
lebih rendah dari sekitar 1019 cm-3 maka statistik F-D dapat
Salah satu alasan utama untuk terus menggunakan statistik
didekati dengan statistik Boltzmann. Namun jika sel surya
Boltzmann untuk simulasi sel surya adalah simulator
dengan konsentrasi doping lebih besar dari 1019 cm-3
perangkat semi konduktor satu dimensi PCID, yang telah
dimodelkan dengan statistik Boltzmann, maka akan terjadi
sangat mempengaruhi komunitas penelitian sel surya
kesalahan besar rekombinasi permukaan. Pilihan statistik
selama beberapa dekade, PCID didasarkan pada
pembawa berkaitan dengan parameterisasi penyempitan
pendekatan Boltzmann, dan beberapa Model khusus PV
celah pita (Band gap narrowing/ BGN), karena kesalahan
telah dikembangkan untuk digunakan dalam kerangka
yang disebabkan oleh penggunaan statistik Boltzmann
kerja ini. Program ini masih umum digunakan saat ini, dan
biasanya dikompensasikan dengan penggunaan model
versi baris perintah (cmd-PCID) dan antarmuka pengguna
BGN yang tampak bersama dengan penyesuaian kecepatan
grafis baru yang efisien baru-baru ini dikembangkan untuk
rekombinasi permukaan (surface recombination
memfasilitasi simulasi yang lebih efisien. Dalam makalah
velocity/SRV). Namun, hanya mengadaptasi SRV tidak
ini menyajikan versi baru cmd yang dimodifikasi PCID
cukup untuk menghitung ulang penggunaan statistik
disebut cmd-PCID 6.0, yang menerapkan statistik F-D
Boltzmann dengan cara yang benar. Hal ini menyebabkan
yang benar dan lebih umum bersama-sama dengan model
SRV negatif dalam beberapa kasus. Selain itu, adaptasi ini
BGN yang komprehensif, sehingga memberikan hasil yang
dapat menyebabkan perbedaan dalam efisiensi ion
lebih akurat.
pengumpulan pembawa yang dihitung untuk struktur
dengan daerah yang diolah. Untuk deskripsi kontribusi
Selanjutnya, sejak rilis versi PCID terakhir, model yang
relatif yang benar dari rekombinasi permukaan dan

1
RBL Fisika Statistik Author et al

disempurnakan untuk silikon kristal telah tersedia. Ini 𝑁𝑓𝑟𝑒𝑒 𝑁 (5)

bergantung pada data baru dan umumnya lebih tepat dan 𝑛= = 𝑃(𝑛, 𝑓𝑟𝑒𝑒)
𝑉 𝑉
−𝑞𝜓+𝐸𝑛,𝑏𝑒𝑏𝑎𝑠 +𝑞𝜙𝑛
canggih daripada parameterisasi properti semikonduktor 𝑁 −
𝑘𝐵 𝑇
yang sudah diterapkan di PCID. Untuk meningkatkan = 𝐸 𝑒
− 𝑛
kualitas simulasi perangkat Si, maka telah diterapkan 𝑉𝑒 𝑘𝑇
beberapa model khusus Si canggih ke dalam cmd-PCID 60,
termasuk model yang diperbarui untuk kepadatan 𝑁
Definisikan 𝑉
= 𝑛𝑖,0 , yaitu densitas intrinsik pembawa
pembawa intrinsik, mobilitas pembawa dan rekombinasi
Auger. Model yang diperbarui tidak dipra-inisialisasi muatan referensi, serta 𝐸𝑛 − 𝐸𝑛,𝑏𝑒𝑏𝑎𝑠 = 𝛥𝐸𝑐 dan 𝐸𝑝 −
misalnya dengan konsentrasi doping, tetapi mungkin 𝐸𝑝,𝑏𝑒𝑏𝑎𝑠 = 𝛥𝐸𝑣 masing masing menyatakan pergeseran
digabungkan ke kepadatan pembawa di seluruh perangkat, pita energi. Persamaan densitas elektron dan hole
memungkinkan evaluasi tergantung injeksi. menjadi :

2. Implementasi Statistik Fermi-Dirac 𝑞𝜓 + 𝛥𝐸𝑐 − 𝑞𝜙𝑛,𝑖 (7)

𝑛 = 𝑛𝑖,0 𝑒𝑥𝑝 𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑘𝐵 𝑇
Pada sel surya, terdapat 2 jenis partikel bebas yang
berpengaruh pada daya listrik yaitu elektron dengan −𝑞𝜓 + 𝛥𝐸𝑣 + 𝑞𝜙𝑝,𝑖 (8)
𝑝 = 𝑛𝑖,0 𝑒𝑥𝑝 𝑒𝑥𝑝 ( )
muatan –q dan hole dengan muatan +q. Menganggap 𝑘𝐵 𝑇
bahwa energi hole dan elektron masing masing adalah
Nilai 𝑛𝑖,0 memiliki pengaruh yang besar pada hasil
𝐸𝑝 & 𝐸𝑛 , fungsi partisi elektron dan hole masing masing
simulasi. 𝑛𝑖,0 berkaitan dengan density of states pada
adalah :
pita konduksi dan valensi (𝑁𝑐 & 𝑁𝑣 ) serta energy band
𝐸 gap (𝐸𝑔 ) sebagai :
− 𝑛
𝑘𝐵 𝑇
(1)
𝑍𝑒𝑙𝑒𝑘𝑡𝑟𝑜𝑛 = 𝑒
𝐸𝑔
𝐸𝑝 𝑛𝑖,0 = √𝑁𝑐 𝑁𝑣 𝑒𝑥𝑝 𝑒𝑥𝑝 (− ) (9)
−
𝑘𝐵 𝑇
(2) 2𝑘𝐵 𝑇
𝑍ℎ𝑜𝑙𝑒 = 𝑒
Di dalam bahan, partikel-partikel bebas pembawa Nilai 𝑁𝑐 , 𝑁𝑣 , & 𝐸𝑔 tidak memiliki pengaruh yang
muatan akan saling mempengaruhi akibat muatan signifikan pada hasil simulasi program PC1D untuk
masing-masing, keseluruhan pengaruh ini akan permasalahan 1 region. Namun, karena pembatasan
diaproksimasi sebagai pengaruh potensial elektrostatik jumlah partikel per status keadaan untuk fermion, pada
(𝜓). Selain akibat pengaruh muatan, partikel-partikel perhitungan Fermi dirac rapat partikel pembawa harus
yang berupa fermion tersebut juga tidak boleh terhubung dengan 𝑁𝑐 dan 𝑁𝑣 melalui :
menempati status keadaan yang sama sehingga mereka 𝐸𝑐 − 𝐸𝐹𝑛
𝑛 = 𝑁𝑐 𝐹1/2 (− ) (10)
akan mengalami efek tolakan yang disebut potensial 𝑘𝐵 𝑇
quasi Fermi (𝜙). Energi elektron dan hole bebas yang
𝐸𝐹𝑝 − 𝐸𝑣
berperan dalam fenomena kelistrikan adalah : 𝑝 = 𝑁𝑣 𝐹1/2 (− ) (11)
𝑘𝐵 𝑇
𝐸𝑒𝑙𝑒𝑘𝑡𝑟𝑜𝑛 = −𝑞𝜓 + 𝐸𝑛,𝑏𝑒𝑏𝑎𝑠 + 𝑞𝜙𝑛 (3)
Dengan 𝐸𝐹𝑛 dan 𝐸𝐹𝑝 merupakan energy quasi-fermi
𝐸ℎ𝑜𝑙𝑒 = 𝑞𝜓 + 𝐸𝑝,𝑏𝑒𝑏𝑎𝑠 − 𝑞𝜙𝑝 (4) untuk elektron dan holes, serta 𝐸𝑐 dan 𝐸𝑣 masing-masing
adalah energy pita konduksi dan pita valensi. 𝐹1/2 adalah
Didefinisikan bahwa n adalah densitas elektron serta p complete Fermi integral ber-orde ½ yang
adalah densitas hole pembawa muatan. Pada program menggambarkan probabilitas ditemukannya fermion
PC1D, densitas tersebut dihitung menggunakan pada masing masing status keadaan. 𝐹1/2 diberikan oleh:
statistika Boltzmann. Melalui fungsi partisi dengan 1
menggunakan probabilitas sistem ensemble kanonik, ∞
2 𝑡2 (12)
𝐹1 (𝜂) = ∫ 𝑡−𝜂 𝑑𝑡
densitas pembawa muatan dihitung sebagai : 2 √𝜋 0 𝑒 +1

Umumnya integral ini tidak dapat dihitung secara

analitik namun terdapat cara mengaproksimasinya. Jika
energy quasi-fermi berada diantara band gap dan

2
RBL Fisika Statistik Author et al

terpisahkan dari pita konduksi dan valensi lebih dari 0.05 juga akan dipengaruhi oleh degenerasi dan band gap
eV, dapat digunakan aproksimasi Boltzmann tanpa galat narrowing (BGN).
yang berarti sehingga 𝐹1 (𝜂) dapat diaproksimasi
2 Program simulasi PC1D menggunakan model yang
menggunakan fungsi eksponensial. Akibatnya, dikembangkan untuk digunakan bersama dengan
persamaan 10 dapat disederhanakan seperti persamaan 7 statistik Boltzmann. Model ini mewakili BGN yang
dan 8. nyata di mana efek seperti degenerasi pada tingkat
doping yang tinggi turut diperhitungkan. Apabila
Aproksimasi Boltzmann tersebut tidak selalu dapat
statistik Fermi Dirac diterapkan bersama dengan model
digunakan, terutama pada kondisi tertenntu seperti
ini, justru akan melebih-lebihkan efek doping yang
keadaan terdoping atau injeksi tinggi. Pada kondisi
tinggi. Maka dari itu, ketika melakukan pengubahan ke
tersebut, energy quasi-fermi akan mendekati energi pita
statistik FD, perlu dilakukan evaluasi ulang untuk
sehingga syarat aproksimasi tidak terpenuhi. Namun
menghindari efek yang berlebihan. Model teoritis
sebagaimana yang telah disampaikan, hasil integral
komprehensif untuk Si tipe p dan tipe n yang diusulkan
Fermi 𝐹1 (𝜂) tidak dapat dihitung secara analitik dan
2 oleh Schenk menawarkan solusi dari masalah ini.
akan membuat simulasi berat jika dilakukan secara
Model Schenk diturunkan untuk kasus statistik FD
numerik. Untuk mengatasinya, dilakukan aproksimasi
dengan mempertimbangkan interaksi pembawa-
numerical untuk mengevaluasi operator F-D [1].
pembawa dan pembawa-dopan. Pada model ini, total
Aproksimasi tersebut menghasilkan model konsentrasi
BGN diterapkan pada salah satu tepi pita (sesuai pada
partikel pembawa cmd-PC1D 6.0 sebagai :
polaritas doping materialnya). Sementara di daerah
𝑛𝑖,0 muatan berada, kerapatan pembawa keseimbangan lokal
𝑞𝜓 + 𝛥𝐸𝑐 − 𝑞𝜙𝑛,𝑖 +𝑙𝑛 𝑙𝑛 ( )
𝑁𝑐 (13) digunakan sebagai input untuk menghindari nilai BGN
𝑛 = 𝑁𝑐 ( )
𝑘𝐵 𝑇 yang terlalu besar di daerah ini.
𝑛𝑖,0 Berdasarkan eksperimen mutakhir saat ini, dilakukan
−𝑞𝜓 + 𝛥𝐸𝑣 + 𝑞𝜙𝑝,𝑖 +𝑙𝑛 𝑙𝑛 ( )
𝑁𝑣 (14) beberapa pembaruan nilai dan parameterisasi Si.
𝑝 = 𝑁𝑣 ( )
𝑘𝐵 𝑇 Pembaruan pada cmd-PC1D 6.0 didasarkan pada satu set
model yang disarankan oleh Altermatt, dkk. di mana
𝑛 𝑛
Dengan 𝑙𝑛 𝑙𝑛 ( 𝑁𝑖,0 ) dan 𝑙𝑛 𝑙𝑛 ( 𝑁𝑖,0 ) masing masing nilai referensi densitas pembawa intrinsik Si (𝑛𝑖 ) yang
𝑐 𝑣
merujuk pada (𝐸𝑖 − 𝐸𝑐 ) dan (𝐸𝑖 − 𝐸𝑣 ), dan semula bernilai 1×1010/cm3 diperbarui menjadi
9,65×109/cm3 pada suhu 300K. Selain itu, juga
ditambahkan untuk menghitung 𝑛𝑖,0 dengan 𝑁𝑐 & 𝑁𝑣 .
diimplementasikan parameterisasi baru dari rekombinasi
Pada model ini, jika digunakan statistika Boltzmann, 𝐹1
2 Auger yang dipublikasikan oleh Richter, dkk., yang
akan berubah menjadi fungsi eksponensial sehingga diturunkan menggunakan statistik FD dan
model tersebut akan kembali menjadi model semula. parameterisasi Schenk untuk BGN sehingga mampu
menghasilkan lifetime yang tinggi. Dengan demikian,
3. Implementasi Model Fisis Baru dapat dihasilkan energi yang lebih besar.
Sel surya berfungsi sebagai pengkonversi energi cahaya Pembaruan nilai 𝑛𝑖 pada cmd-PC1D 6.0 menghasilkan
matahari menjadi energi listrik secara langsung. Adapun dampak yang signifikan pada banyak hasil simulasi
besar energi yang dihasilkan oleh sel surya ini sangat dibandingkan dengan nilai yang digunakan sebelumnya.
dipengaruhi oleh proses rekombinasi pembawa, yaitu Gambar 1 menunjukkan kurva densitas pembawa
proses kembalinya konsentrasi pembawa (elektron dan intrinsik tipe p dan tipe n sebagai fungsi dari konsentrasi
hole) pada keadaan semula. Oleh karena itu, untuk doping.
mendapatkan hasil yang akurat, produk pn dan proses
rekombinasi pada sel surya harus diketahui dengan tepat.
Produk pn atau pn junction yang terbentuk pada
perbatasan bahan semikonduktor tipe p dan tipe n akan
sebanding dengan kuadrat dari densitas pembawa
intrinsik dan pada densitas doping yang besar, produk pn

3
RBL Fisika Statistik
Gambar 1 Densitas pembawa intrinsik Si tipe p dan tipe n
sebagai fungsi dari konsentrasi doping (atas) dan
penyimpangan model terhadap implementasi VBA (bawah)
(Haug, H., dkk. 2014)
Simulasi menggunakan PC1D asli (statistik Boltzmann)
menunjukkan adanya penyimpangan besar dari statistik
FD untuk konsentrasi doping yang lebih tinggi dari
1×1019/cm3. Sementara untuk kedua simulasi, diperoleh
deviasi atau penyimpangan relatif dari implementasi
Excel VBA tidak melebihi nilai 0,005% untuk
konsentrasi doping kurang dari 1×1020/cm3.
Penyimpangan ini disebabkan karena faktor pembulatan
4. Hasil Simulasi dan Perbandingan dengan Tools
Simulasi Lain
4.1. Perbandingan arus saturasi emitor.
Hasil yang diharapkan adalah adanya perubahan sangat
besar untuk wilayah yang paling didoping. Untuk
mencapai harapan tersebut, cmd-PC1D 6.0 diuji dengan
menghitung arus saturasi emitor J0e dengan konsentrasi
doping permukaan berbeda untuk serangkaian Gaussian
emitter. J0e adalah arus yang dihasilkan saat pn-junction
dalam kondisi gelap diberi bias maju ketika
disimulasikan pada PC1D. Persamaan J0e adalah
𝐽𝑚𝑖𝑛, 𝑆𝐶𝑅
𝐽0𝑒 =
𝑞𝑉 (15)
exp ( 𝑆𝐶𝑅 − 1)
𝑘𝐵 𝑇
Dengan 𝑱𝒎𝒊𝒏, 𝑺𝑪𝑹 adalah arus pembawa muatan minor
ke emitor, dan 𝑉𝑆𝐶𝑅 adalah potensial quasi-Fermi di tepi
wilayah muatan ruang yang dipisahkan. Nilai J0e
4
Author et al
dibandingkan dengan perangkat lunak khusus simulasi
sel surya Si, yaitu TCAD.
Gambar 2 menunjukkan bahwa adanya korespondensi
yang baik antara setiap software ketika menggunakan
F-D dan Boltzmann statistic untuk nilai J0e. Nilai deviasi
relative juga berada dibawah 5%, pengecualian untuk
Nsurf = 1 x 1018 cm-3. Peningkatan deviasi relative untuk
doping permukaan rendah disebabkan oleh nilai
numerik yang rendah. Pada F-D, nilai deviasi absolut
kurang dari 2fA/cm2 untuk semua variasi. Sesuai dengan
harapan, hasil untuk statistic Boltzmann dan F–D sangat
mirip untuk doping terendah kepadatan, tetapi mulai
menyimpang untuk Nsurf lebih besar dari 1019 cm3,
dengan perbedaan yang signifikan untuk doping
permukaan terbesar.
Gambar 2 Arus J0e yang dihasilkan untuk setiap variasi doping
yang diberikan. Gambar a untuk tipe-n dan b untuk tipe p.
4.2 Perbandingan karakteristik I-V
Program cmd-PC1D 6.0 memungkinkan pengguna
untuk mengekstrak profil pembawa muatan dan untuk
mensimulasikan perilaku optik dan listrik sel surya
dalam satu dimensi. Untuk memvalidasi fitur ini, maka
dibandingkan dengan program Sentaurus TCAD. Kami
menerapkan emitor yang didoping fosfor dan parameter
rekombinasi permukaan yang sama seperti sebelumnya.
Pada program Sentaurus TCAD, kami menerapkan
elemen simetri kuasi satu dimensi. Semua model dan
parameter diatur sama seperti pada cmd-PC1D 6.0,
kecuali untuk tiga modifikasi berikut. Pertama, seperti
dalam karya asli Schenk, BGN diimplementasikan
dengan cara yang disederhanakan, bergantung pada
RBL Fisika Statistik
doping, yang mengarah pada BGN buatan kecil di
wilayah muatan ruang. Kedua, kondisi batas untuk
pembawa muatan pada kontak didefinisikan sedikit
berbeda. Di Sentaurus TCAD, syarat batas didefinisikan
sebagai
𝑗⃗⃗⃗𝑛 × 𝑛̂ = 𝑞 × 𝑆𝑛0 × (𝑛 − 𝑛0 )
𝑗⃗⃗⃗𝑝 × 𝑛̂ = 𝑞 × 𝑆𝑛0 × (𝑝 − 𝑝0 )
2
𝑝𝑛 − 𝑛𝑖,𝑒𝑓𝑓
𝑅𝑠𝑢𝑟𝑓 =
[(𝑝 + 𝑛𝑖,𝑒𝑓𝑓 𝑒 −𝜁 ) + (𝑝 + 𝑛𝑖,𝑒𝑓𝑓 𝑒 𝜁 )]/𝑆𝑛0
𝐸𝑡 − 𝐸𝑖
𝜁=−
𝑘𝑇
Karena formulasi syarat batas yang sedikit berbeda ini, bervariasi antara 1018 𝑐𝑚3 dan 1021 𝑐𝑚3 .
elektron, hole, dan arus total yang berbeda pada kontak
dapat terjadi, tergantung pada parameter rekombinasi
permukaan, syarat doping dan injeksi. Modifikasi ketiga
menyangkut profil generasi pembawa muatan, yang
diimplementasikan dengan cara yang berbeda di
Sentaurus TCAD daripada di PC1D dan cmd-PC1D 6.0
Gambar 3. Parameter sel yang dihitung: (a) Arus hubung
singkat, (b) tegangan rangkaian terbuka, (c) fill factor dan (d)
efisiensi konversi, sebagai fungsi konsentrasi doping
permukaan.
Seperti ditunjukkan pada Gambar. 3, fitting
kualitatif dan kuantitatif yang baik diamati untuk
Author et al
keempat parameter di seluruh rentang konsentrasi
doping permukaan. Penyimpangan arus hubung
singkat dan open voltage lebih kecil dari 0,3%.
Penyimpangan faktor pengisian relatif kurang dari
0,8%. Harap dicatat bahwa perbedaan yang diamati
(16) terjadi untuk statistik F–D dan Boltzmann dengan
cara yang sama, dan oleh karena itu tidak boleh
(17) disebabkan oleh penerapan statistik F–D.
Sebaliknya, kesalahan numerik dari sebagian
(18) Sentaurus TCAD dan sebagian cmd-PC1D 6.0,
bersama dengan implementasi yang sedikit berbeda
(19) dari syarat batas pada kontak mungkin dapat
menyebabkan penyimpangan kecil dari parameter
IV. Karena konsentrasi doping permukaan emitor
5. Kesimpulan
Kami berhasil memverifikasi implementasi model fisis
baru untuk densitas pembawa intrinsik, mobilitas,
rekombinasi Auger, dan penyempitan band gap ke
program PC1D terhadap beberapa implementasi lain
menggunakan perangkat lunak Visual Basic, Microsoft
Excel, dan Sentaurus TCAD. Kami mendapatkan
kesesuaian arus saturasi emitor untuk beberapa emitor
dari program baru cmd-PC1D 6.0 dengan alat simulasi
EDNA 2 dan Sentaurus TCAD dengan deviasi lebih
kecil dari 5%. Kesalahan ini kemungkinan besar
disebabkan oleh kesalahan numerik. Kami menghitung
parameter penting dari karakteristik I-V dalam keadaan
terang dari model sel surya sebagai arus hubung singkat,
tegangan rangkaian terbuka, faktor pengisian dan
efisiensi konversi energi dengan cmd-PC1D 6.0 dan
Sentaurus TCAD. Singkatnya, implementasi dari
statistik Fermi-Dirac dan model fisis baru di cmd-PC1D
6.0 telah berhasil ditunjukkan. Program cmd-PC1D 6.0
dapat dijalankan dari baris perintah, yang memberikan
fleksibilitas tambahan untuk simulasi. Program ini juga
dilengkapi dengan user interface grafis baru dan modern
yang disebut PC1D untuk Matlab, yang dapat dijalankan
sebagai executable mandiri. User interface PC1D untuk
Matlab memberikan akses mudah untuk mengubah
model berbeda yang dijelaskan dalam simulasi ini dan
model PC1D asli. PC1D untuk Matlab juga memiliki
banyak kemungkinan bawaan untuk visualisasi data dan
analisis lanjutan, termasuk juga pengoptimalan dan
5
RBL Fisika Statistik Author et al

penyesuaian ke data eksperimen. Program cmd-PC1D

6.0 dan PC1D untuk Matlab tersedia gratis untuk
diunduh.

Daftar Pustaka
Haug, H. dkk. (2014). Implementation of Fermi–Dirac statistics and
advanced models in PC1D for precise simulations of silicon
solar cells. Elsevier. 131. Hal. 30-36.
Sidopekso, S. & Febtiwiyanti, A. E.. (2010). Studi Peningkatan
Output Modul Surya Dengan Menggunakan Reflektor. Berkala
Fisika. 12(3). Hal. 101-104.
Van Halen, P. & Pulfrey, D.L. (1985). Accurate, short series
approximations to Fermi– Dirac integrals of order -1/2, 1/2, 1,
3/2, 2, 5/2, 3, and 7/2, J. Appl. Phys. 57 (12) (1985) 5271.
Lampiran (kalau ada)
(i) Code program
(ii) Penurunan lebih detail
dll

Kontribusi tiap anggota

10219025, Asla Roudhatu Rohmah, Pendahuluan

10219061, Luqman Alifio Arhab, Implementasi Statistik

Fermi-Dirac

10219078, Achmad Qoddri, Perbandingan karakteristik

I-V, kesimpulan

10219081, Axel Farrel Hutagalung, abstrak,

Perbandingan arus saturasi emitor, mencari materi.

10219082, Rahmalia Nur Azizah, Implementasi Model

Fisis Baru