1

RINGKASAN
Graphene merupakan material karbon monolayer atom berbentuk 2
dimensi yang memiliki sifat yang khas, memiliki band gap nol, mobilitas
pembawa muatan tinggi, konduktivitas listrik dan thermal tinggi, serta memiliki
sifat elektrikal dan mekanik yang baik. Pengembangan teknik deposisi graphene
epitaxial pada substrat seperti sublimasi termal silicon carbide (SiC) sangat
potensial dalam aplikasi optoelektronik. Oleh karena itu, pemahaman pengaruh
substrat pada sifat optik dan listrik dari epitaxial graphene sangat diperlukan.
Pada proses modern dalam analisis material nanostructure dibutuhkan teknik
karakterisasi yang cepat, akurat dan bersifat tidak merusak, salah satunya dengan
spektroskopi ellipsometry. Mengingat pentingnya informasi mengenai konstanta
dielektrik dan karakterisasi sifat-sifat optik material, serta perlunya teknik
pengukuran yang cepat dan akurat, maka dalam penelitian ini akan dibuat
program komputer berbasis data spektroskopi ellipsometry. Data ellipsometry
secara komputasi dikonversi dalam model konstanta dielektrik dan sifat-
sifat optik material. Data ellipsometry yang akan digunakan yaitu epitaxial
graphene pada substrat SiC. Metode Drude-Lorentz digunakan untuk
memodelkan konstanta dielektrik. Penentuan nilai kompleks konstanta dielektrik
tiap layer akan lebih optimal dengan menerapkan teori effective medium
approximation (EMA).

Kata Kunci : Epitaxial graphene, spektroskopi ellipsometry, konstanta dielektrik,
effective medium approximation (EMA)











2

DAFTAR ISI

RINGKASAN 1
DAFTAR ISI 2
BAB 1. PENDAHULUAN 3
1.1 Latar Belakang Masalah 3
1.2 Tujuan Penelitian 5
1.3 Manfaat Penelitian 5
BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA 6
2.1 Graphene 6
2.2 Spektroskopi Ellipsometry 6
2.3 Teori Effective Medium Approximation (EMA) 12
BAB 3. METODE PENELITIAN 14
3.1 Waktu dan Tempat Penelitian 14
3.2 Tahap Penelitian 14
3.3 Jadwal Kegiatan Penelitian 18
DAFTAR PUSTAKA 19





3

BAB 1. PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang Masalah
Graphene merupakan material karbon monolayer 2 dimensi yang banyak
menarik perhatian karena memiliki sifat yang khas dan berpotensi untuk berbagai
aplikasi. Beberapa sifat unik dari graphene yaitu memiliki band gap nol, mobilitas
pembawa muatan tinggi (2x10
5
cm
2
/Vs), konduktivitas thermal sangat tinggi
(5300 W/mK) serta memiliki sifat elektrikal dan mekanik yang baik. Pada proses
modern dalam analisis material nanostructure dibutuhkan teknik karakterisasi
yang cepat dan akurat. Salah satu teknik yang cocok untuk mengkarakterisasi
parameter-parameter fisis seperti ketebalan dan konstanta dielektrik yaitu
spektroskopi ellipsometry, dikarenakan memiliki tingkat keakuratan sangat tinggi
dan bersifat tidak merusak (Arwin, 2001; Fujiwara, 2007; Yu-Xiang Zheng et,al
2012).
Prinsip dasar spektroskopi ellipsometry berdasarkan pada polarisasi
cahaya yang terjadi ketika cahaya dipantulkan atau diteruskan oleh suatu material.
Parameter yang dihasilkan ellipsometry berupa rasio amplitudo dan beda fase
antara cahaya yang terpolarisasi. Salah satu parameter penting yang dapat
diperoleh dari data ellipsometry adalah konstanta dielektrik. Analisa fungsi
komplek konstanta dielektrik dapat memberikan informasi berupa sifat optik
material, seperti indeks bias, ketebalan, konsentrasi pembawa muatan efektif, dan
konduktivitas optik (Fujiwara, 2007).
Pengembangan teknik deposisi epitaxial graphene pada substrat, seperti
sublimasi termal silicon carbide (SiC) menawarkan realisasi kinerja tinggi untuk
aplikasi optoelektronik. Beberapa penumbuhan graphene telah dilakukan, seperti
epitaxial graphene pada substrat metal (Min Gao et al, 2010), graphene
nanosheets dan carbon nanotubes (S.H. Xie et al, 2008) dan epitaxial graphene
pada substrat SiC (Q.Chen et al, 2010). Pemahaman pengaruh substrat pada sifat
optik dan listrik epitaxial graphene masih terbatas. Penumbuhan epitaxial
graphene pada substrat SiC dapat memberikan informasi tentang interaksi antara
struktur graphene dan substrat (A. Boosalis et al, 2012). Sifat dielektrik
merupakan karakteristik suatu material yang mencirikan potensinya dalam
4

memberi respon terhadap pemanasan dielektrik dan menggambarkan kemampuan
material tersebut untuk menyimpan, menyalurkan dan memantulkan energi
gelombang elektromagnetik.
Metode Kramers-Kroning salah satu metode yang dapat digunakan untuk
mendapatkan konstanta dilektrik. Namun keterbatasan data eksperimen dan
kekompatibelan bagian real dan imajiner fungsi dielektrik harus memenuhi
transformasi Kramers-Kroning, menyebabkan kesulitan dalam analitik. Metode
lain untuk memodelkan konstanta dielektrik seperti model Lorents, Cauchy,
Sellemeier dan Osilator Drude-Lorents (Fujiwara, 2007). Perhitungan fungsi
kompleks dielektrik secara lebih akurat dan optimal dilakukan dengan
menerapkan teori effective medium approximation (EMA) (N.N Dinh et al, 2008).
EMA secara luas digunakan untuk menginterpretasi data spektroskopi
ellipsometry yaitu mengetahui kekasaran permukaan (surface roughness), analisis
interface dan memonitor deposisi lapisan tipis (T.J. Kim et al, 2007). Perhitungan
konstanta dielektrik untuk kasus multilayer seperti sistem graphene epitaksi, tidak
dapat dilakukan secara analitik biasa, karena sangat rumit dan tidak efektif.
Mengingat pentingnya mengetahui konstanta dielektrik dan sifat-sifat
optik material, serta perlunya teknik pengukuran yang cepat dan akurat, maka
penelitian ini akan dibuat program komputer berbasis data spektroskopi
ellipsometry. Data ellipsometry akan langsung dikonversi dalam model
konstanta dielektrik dan sifat-sifat optik material. Data ellipsometry yang
akan digunakan yaitu epitaxial graphene pada substrat SiC. Struktur graphene
dan substrat dimodelkan dalam model optik berlapis. Selanjutnya dibuat program
komputer untuk memodelkan konstanta dielektrik dengan metode Drude-Lorentz.
Karena ellipsometry sangat sensitif terhadap permukaan (surface) dan interface
struktur material, maka penentuan nilai kompleks konstanta dielektrik tiap layer
akan lebih optimal dengan menerapkan teori effective medium approximation
(EMA). Sehingga penelitian ini diharapkan menghasilkan software yang dapat
menganalisis data spektroskopi ellipsometry untuk mendapatkan informasi
tentang konstanta dielektrik dan sifat-sifat optik material nanostructure secara real
time dengan ketelitian yang tinggi.

5

1.2 Tujuan Penelitian
Tujuan dari penelitian yang akan dilakukan yaitu :
a. Menganalisis data spektroskopi ellipsometry dari epitaxial
graphene nanostructure pada substrat SiC;
b. Membuat program komputer (software) untuk menganalisis serta
memodelkan dan menentukan fungsi konstanta dielektrik epitaxial
graphene nanostructure dengan menerapkan teori effective medium
approximation (EMA) berbasis data spektroskopi ellipsometry ;
c. Menentukan konstanta-konstanta optik epitaxial graphene nanostructure,
seperti indeks bias, ketebalan, konsentrasi pembawa muatan efektif dan
konduktivitas optik.

1.3 Manfaat Penelitian
Manfaat penelitian yang akan dilakukan yaitu adanya suatu program
komputer (software) yang dapat mengkonversi data ellipsometry dan secara
langsung/otomatis menjadi konstanta dielektrik dan sifat optik suatu material
nanostructure. Sehingga pengukuran dan pengolahan data lebih cepat, akurat dan
dapat dilakukan secara real time.








6

BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA
2.1 Graphene
Graphene merupakan material dengan ketebalan satu atom (2 dimensi)
yang tersusun atas atom-atom karbon membentuk kisi heksagonal. Penemuan
graphene pertama kali oleh A. Geim dan K. Novoselov pada tahun 2004. Hasil-
hasil penelitian menunjukkan bahwa graphene memiliki sifat-sifat elektronik yang
unggul, di antaranya mobilitas pembawa muatan dan konduktvitas yang tinggi,
celah pita energi (band gap) yang bernilai nol.
Berbagai metode telah dikembangkan untuk membuat graphene. Awalnya
graphene dibuat dengan menempelkan selotif pada grafit (A. Geim dan K.
Novoselov, 2004). Metode ini kemudian dikembangkan menjadi drawing method
(Zhang, Y et al, 2004). Cara lain dengan pelarutan atau dispersi grafit dalam
larutan SDBS (sodium dodecyl benzene sulfonate) (Lotya, M et al, 2009). Metode
lain yaitu epitaxial graphene yang ditumbuhkan dari silicon karbida (SiC).
Substrat SiC dipanaskan sehingga atom-atom Si menyublim. Atom-atom karbon
yang tertinggal di permukaan membentuk graphene (de Heer, W. A. et al, 2007).
Keunggulan dari metode ini adalah bahwa substrat SiC dapat langsung digunakan
sebagai substrat untuk membuat rangkaian elektronik dengan graphene.
2.2 Spektroskopi Ellipsometry
Spektroskopi ellipsometry merupakan teknik pengukuran optik yang
dikarakterisasi dari refleksi dan transmisi cahaya yang mengenai sampel/material
tertentu dan diukur berdasarkan perubahan polarisasi cahaya (Fujiwara, 2007).
Hasil pengukuran yang didapatkan berupa rasio amplitudo dan perubahan fase
. Rasio amplitudo merepresentasikan polarisasi gelombang cahaya pada
bidang p dan s, sedangkan perubahan fase adalah beda fase gelombang antara
bidang polarisasi p dan s (R. Pascu et al, 2012). Ellipsometry digunakan untuk
mengukur ketebalan lapisan tipis secara akurat (dalam orde 0.01 nanometer).
Selain itu, ellipsometry sangat baik dalam menentukan konstanta dielektrik
(Fujiwara, 2007). Teknik spektroskopi ellipsometry banyak digunakan untuk
mengkarakterisasi sifat optik material nanostructure yang berupa lapisan tipis
7

baik single-layer maupun multi-layer. Beberapa penelitian yang menggunakan
ellipsometry untuk mengkarakterisasi material multilayer, seperti CdMgTe
multilayer (T. H. Ghong et al, 2004), graphene pada SiO
2
(Weber et al, 2010;
Nelson et al, 2010), graphene epitaxi pada SiC (Santoso et al, 2011), AlGaAs
multilayer (T.J. Kim et al, 2007).
Skema prinsip dasar ellipsometry dapat dilihat pada Gambar 1.

Gambar 1. Prinsip dasar spektroskopi ellipsometry (Fujiwara, 2007)
Sumber cahaya dengan panjang gelombang tertentu dilewatkan pada
sebuah polarisator akan menghasilkan cahaya yang terpolarisasi secara linear,
dimana cahaya memiliki dua polarisasi (polarisasi p dan s) yang saling tegak lurus
dan beda fase keduanya nol (Fujiwara, 2007). Interaksi antara cahaya yang datang
dengan suatu material mengakibatkan perubahan fase antara cahaya
terpolarisasi p dan s yang menghasilkan cahaya pantul berbentuk ellips. Selain
perubahan fase, cahaya yang terpantul mengalami perubahan amplitudo ().
Analisis perubahan fase dan amplitudo yang terekam oleh detektor dapat
diperoleh indeks bias (N) dan konstanta dielektrik suatu material.
Dari Gambar 1, secara umum dapat dituliskan nilai koefisien reflektansi
untuk masing-masing polarisasi p dan s dengan menganggap sudut datang = sudut
pantul

, maka (Fujiwara, 2007):

(1a)
8

(1b)
Hubungan antara perubahan polarisasi dengan perubahan fase dan amplitudo
dapat dituliskan sebagai :

(2)
dengan

dan

masing-masing nilai pemantulan (refleksi) pada polarisasi p dan

s yang diberikan oleh :

(3a)

(3b)
dengan |

| dan |

| masing-masing amplitudo cahaya terpantul polarisasi p dan s,

sedangkan

dan

masing-masing fase cahaya terpantul polarisasi p dan s.

Maka dan dapat dituliskan (Fujiwara, 2007) :

|

|
|

|
(4a)



(4b)
Dalam sistem yang terdiri dari n lapisan yang tersusun diantara lapisan substrat
(n+1) dan lapisan ambient (0), setiap lapisan mempunyai ketebalan

,
konstanta dielektrik

dan indeks bias

. Hubungan indeks bias dengan

konstanta dielektrik dapat dituliskan sebagai :

(5)
dimana berupa bilangan kompleks yang terdiri dari bilangan real

dan
bilangan imajiner

. Maka dari persamaan (5) nilai indeks bias N dapat

dihitung dengan memasukkan nilai

dan

(Fujiwara, 2007):

(6a)
9

(6b)
Koefisien pantul Fresnel (persamaan 1a) untuk kasus multilayer lapisan ke-i dan
ke-j yang dianggap memiliki morfologi datar (Gambar 2) dan memiliki konstanta
dielektrik

dan

dapat dituliskan kembali (Fujiwara, 2007):

(7a)

(7b)
dimana

dan

masing-masing koefisien pantul cahaya terpolarisasi p dan s

pada lapisan ke-i dan ke-j. Sedangkan

mewakili sudut datang di medium i dan

mewakili sudut bias di medium j yang terkait satu sama lain melalui Hukum
Snell yaitu :

(8)
Untuk material nanostructure dapat dimodelkan dalam model berlapis-
lapis seperti pada Gambar 2.











Gambar 2. Model optik multilayer untuk analisis menggunakan ellipsometry

0

ambient
substrat
d
1

d
2

1
2
0
j
n
n+1
10

Untuk sistem banyak lapis seperti Gambar 2, perambatan gelombang pada
material dituliskan dalam komponen matrik. Hal ini digunakan untuk
mempermudah dalam perhitungan secara komputasi. Perambatan gelombang pada
bidang arah +z (E
+
(z)) dan arah z (E
-
(z)) dapat dituliskan (Verbruggen dan Nijs,
1992):
(

) (9)
Jika sistem memberikan respon linear, maka dapat didefinisikan matrik M yang
mewakili seluruh reflektansi dan transmisi pada material nanostructure
multilayer. Matrik ini menghubungkan medan gelombang reflektansi di udara
(ambient) atau medan gelombang transmitansi dengan gelombang datang.
Sehingga dapat dituliskan :
(10)
Matrik M merupakan perkalian antara matrik interface A dan matrik perambatan
L yang menggambarkan efek masing-masing interface dan lapisan sistem
multilayer. Mulai dari interface ambient (N
0
) atau lapisan pertama (N
1
) dan
interface lapisan terakhir (substrat (N
n
)), dituliskan dituliskan (Verbruggen dan
Nijs, 1992) :

(11)
dimana q dapat mewakili notasi untuk cahaya dengan polarisasi p dan s. Matrik
interface A diberikan oleh dituliskan (Verbruggen dan Nijs, 1992):

) (12)
dengan

dan

masing-masing mewakili koefisien transmisi dan reflektansi

pada interface lapisan i dan j. Sehingga perambatan cahaya yang melewati
medium pada lapisan ke-j dibelikan oleh Matrik L, yaitu dituliskan (Verbruggen
dan Nijs, 1992):
11

) (13)
dengan

adalah ketebalan fase yang diberikan oleh persamaan berikut (Fujiwara,

2007):

0
(14)
dengan menyatakan panjang gelombang cahaya yang digunakan. Karena tidak
ada medan yang merambat pada arah z dalam substrat E
-
maka amplitude dari
koefisien reflektansi

dituliskan :

(15)
dimana

komponen matrik transfer M baris 2 kolom 1 dan

komponen pada baris 1 kolom 1.
Salah satu parameter penting yang dapat diperoleh dari data spektroskopi
ellipsometry adalah konstanta dielektrik. Nilai tetapan dielektrik terdiri dari
penjumlahan bagian riil dan imajiner. Bagian riil berkaitan dengan kemampuan
material untuk menyimpan energi dan sifat optik material, sedangkan bagian
imajiner menentukan jumlah energi yang hilang (terdisipasi). Perbedaan nilai
tetapan dielektrik berbagai material muncul karena perbedaan karakteristik
polarisasi listrik atau molekuler dalam material-material tersebut. Nilai konstanta
dielektrik suatu material merupakan karakteristik dari material itu sendiri. Analisa
fungsi komplek konstanta dielektrik dapat diperoleh sifat-sifat optik material,
seperti indeks bias, ketebalan, konsentrasi pembawa muatan efektif dan
konduktivitas optik material (Fujiwara, 2007). Analisis fungsi kompleks konstanta
dielektrik pada suatu lapisan akan lebih optimal dengan menerapkan teori effective
medium approximation (EMA).



12

2.3 Teori Effective Medium Approximation (EMA)
Ellipsometry sangat sensitif terhadap permukaan (surface) dan interface
struktur sampel/material. Teori effective medium approximation (EMA) dapat
digunakan untuk menghitung indeks bias dan konstanta dielektrik yang
merupakan bilangan kompleks dari permukaan maupun interface tiap layer. Selain
itu, karakterisasi volume fraksi pada material dapat diperoleh dengan analisis
menggunakan EMA (Fujiwara, 2007 ; Yu-Xiang Zheng et al, 2012). Beberapa
teori EMA seperti model Lorentz-Lorentz (LL), Maxwell Garnett (MG) dan
Bruggeman (Fujiwara, 2007). Model Lorentz-Lorentz (LL) dapat dituliskan
sebagai :

(16)
dengan

dan

masing-masing konstanta dielektrik fase a dan b, sedangkan

dan

menunjukan volume masing-masing fraksi,

menunjukan
konstanta dielektrik host material. Untuk udara dan vacuum

, sehingga
dapat dituliskan :

(17)
Teori EMA untuk model Maxwell Garnett (MG), konstanta dielektrik material
fase campuran (mixed phase) diasumsikan bahwa

, sehingga dapat
dituliskan :

(18)
Teori Bruggeman mengasumsikan bahwa

, maka diperoleh persamaan :

(19)
Model ini dapat dijabarkan untuk menggambarkan material yang terdiri dari
banyak fase, sehingga dapat dituliskan (Fujiwara, 2007):

(20)
13

Beberapa penelitian menerapkan teori EMA untuk melakukan analisis
interface lapisan, seperti sistem multilayer CdMgTe (T.H. Ghong et al, 2004),
sampel AlGaAs (T.J. Kim et al, 2007). Melihat pentingnya karakterisasi sifat-sifat
material yang akurat dan cepat khususnya menggunakan spektroskopi
ellipsometry, maka dirasa perlu dilakukan pengembangan ke arah komputerisasi.
Pada penelitian ini akan dibuat program komputer untuk analisis fungsi kompleks
konstanta dielektrik berbasis data ellipsometry, sehingga data ellipsometri dapat
dikonversi langsung menjadi model konstanta dielektrik. Dari konstanta dielektrik
tersebut selanjutnya dapat diperoleh informasi sifat-sifat optik, seperti indeks bias,
ketebalan dan konduktivitas optik.















14

BAB 3. METODE PENELITIAN
3.1 Waktu dan Tempat Penelitian
Penelitian akan dilaksanakan selama 6 bulan yaitu dari bulan Januari 2014
sampai Juni 2014, bertempat di Laboratorium Fisika Komputasi, Jurusan Fisika,
Fakultas MIPA Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta.

3.2 Tahap Penelitian
Penelitian akan dilaksanakan dalam 3 tahap, yaitu :
1. Tahap persiapan
Pada tahap persiapan yaitu studi pustaka dan set-up peralatan komputasi.

2. Tahap Pemodelan Optik Epitaxial Graphene Nanostructure
Data yang akan digunakan yaitu data eksperimen spektroskopi ellipsometry
(,) material nanostructure graphene epitaxial pada substrat SiC. Sistem
ellipsometry yang dipakai dalam pengambilan data yaitu konfigurasi RAE
(rotating analyser ellipsometry). Pada konfigurasi RAE analisator dapat
berputar sedangkan polarisator dibuat tetap pada sudut 45
o
. Hal ini dilakukan
untuk mendapatkan polarisasi linear dengan amplitudo polarisasi p dan s yang
sama. Untuk mendapatkan konstanta dielektrik, dalam melakukan analisis
graphene pada substrat SiC dimodelkan dalam suatu model optik yang erlapis-
lapis. Model optik graphene epitaxial pada substrat SiC dapat dilihat pada
Gambar berikut :







Gambar 3. Model Optik Epitaxial Graphene pada Substrat SiC


d
Surface
(udara+graphene)
d
Graphene

d
Interface
(graphene+buffer
layer+substrat)
Substrat (SiC)
Substrat (SiC)
Graphene
15

3. Tahap simulasi model konstanta dielektrik dan fitting
Pada tahap ini, konstanta dielektrik diperoleh dengan mengekstrak data
ellipsometry (,) menggunakan persamaan (2). Namun persamaan (2) tidak
dapat diselesaikan dengan analitik. Maka data ellipsometry ( ) selanjutnya
diolah dengan program ReFIT. Software RefFIT merupakan salah satu software
yang digunakan untuk menganalisa spektrum optik padatan. Salah satu tujuan
analisis spektrum adalah memperoleh informasi fungsi dielektrik () material
berdasarkan spektrum optik dengan melakukan fitting spektrum menggunakan
model fungsi tersebut. Salah satu model yang digunakan pada software ini
menggunakan pemodelan Drude-Lorentz (A.Kuzmenko, 2009). Drude-Lorentz
membangun sebuah terori klasik untuk menghitung indeks refraktif kompleks dan
konstanta dielektrik material sebagai fungsi frekuensi (N.N.Dinh, et al, 2008).
Persamaan untuk memodelkan fungsi konstanta dielektrik menggunakan
osilator Drude-Lorentz dituliskan sebagai (A.Kuzmenko, 2009):

(21)
Konstanta dielektrik frekuensi tinggi

merepresentasikan kontribusi
seluruh osilastor pada semua frekuensi tinggi. Sedangkan

dan

masing-masing merupakan frekuensi plasma, frekuensi potong dan lebar pita
(A.Kuzmenko, 2009). Parameter tersebut merupakan parameter-parameter fitting
yang nantiya akan divariasikan sehingga dihasilkan model yang sesuai dengan
data eksperimen. Untuk kasus nanostructure graphene epitaxial pada substrat Si-
C, besarnya indeks bias dan konstanta dielektrik diselesaikan dengan reflektivitas
setiap antar muka, karena setiap lapisan mempunyai ketebalan

, konstanta
dielektrik

dan indeks bias

yang berbeda-beda. Dalam pemodelan

konstanta dielektrik juga dimasukan parameter EMA untuk masing-masing layer.
Beberapa model teori EMA pada persamaan (1620) akan digunakan untuk
mendapatkan perbandingan hasil yang lebih efektif.



16

Beberapa parameter yang digunakan dalam melakukan fitting disajikan
pada Tabel 1 berikut :
Tabel 1. Parameter-parameter fitting data
No. Parameter Fitting Keterangan
1.

frekuensi plasma
2.

frekuensi potong
3.

lebar pita
4.

ketebalan surface
5.

ketebalan graphene
6.

ketebalan interface
7.

konstantan dielektrik fase a
8.

konstantan dielektrik fase b
9.

konstantan dielektrik house
10.

volume fraksi a
11.

volume fraksi b
12.

Amplitudo dan beda fase














17

Secara keseluruhan tahap penelitian disajikan dalam diagram alir berikut :






























Gambar 4. Uraian tahapan penelitian yang akan dilaksanakan
Data eksperiment
Persiapan:
-Studi pustaka
-Set-up peralatan komputasi

Model Optik
surface rourgnes
Graphene layer
interface layer
substrat SiC
Model Optik Graphene pada Si-C
:

Data ellipsometry (,) graphene
epitaxial :

Model Konstanta Dielektrik

Fungsi model konstanta dielektrik
Fitting (parameter fitting,
Drude-Lorentz, EMA)
Pembuatan software simulasi
model konstanta dielektrik
Fitting Model dengan Data
Program komputer (software) untuk
simulasi model konstanta dielektrik
material nanostructure berbasis data
ellipsometry

Menentukan konstanta
konstanta optik
indeks bias, ketebalan, konsentrasi
pembawa muatan efektif, konduktivitas
optik.

OUTCOME :
- Program komputer (software) untuk simulasi model konstanta dielektrik
berbasis data spektroskopi ellipsometry
- Nilai konstanta-konstanta optik


Compare Model dengan Eksperiment
18

3.3 Jadwal Kegiatan Penelitian
Perkiraan jadwal kegiatan penelitian disajikan dalam tabel berikut:
Tabel 2. Jadwal Perkiraan Penelitian












19

DAFTAR PUSTAKA
A. Boosalis, T. Hofmann, V. Darakchieva, R. Yakimova, and M. Schubert , 2012,
Visible to vacuum ultraviolet dielectric functions of epitaxial graphene
on 3C and 4H SiC polytypes determined by spectroscopic ellipsometry,
Applied Physics Letters, 101, 011912.
Arwin, H., 2001, Is ellipsometry suitable for sensor applications?, Sensor and
Actuators A 92. 43-51.
de Heer, W. A.et al, 2007, Epitaxial Graphene. Solid State Comm. 143, 92.
H. Fujiwara, 2007, Spectroscopy Ellipsometry Principles and Applications, John
Wiley & Sons Ltd, England 2007.
Lotya, M. et al, 2009, Liquid Phase Production of Graphene by Exfoliation of
Graphite in Surfactant/Water Solutions, J. Am. Chem. Soc. 131, 3611
3620.
Min Gao, Yi Pan, Chendong Zhang, Hao Hu, Rong Yang, Hongliang Lu, Jinming
Cai, Shixuan Du, Feng Liu, and H.-J. Gao, 2010, Tunable interfacial
properties of epitaxial graphene on metal substrates, Applied Physics
Letters 96, 053109.
Nelson, F. J., Kaminen, V. K., Zhang, T., Comfort, E. S., Lee, J. U., Diebold, A.
C., 2010, Optical properties of large-area polycrystalline chemical
vapour deposited graphene by spectroscopic ellipsometry, Appl. Phys.
Lett., 97, 235110.
Novoselov, K. S. dkk. (2004) Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon
Films. Science 306: 666.
N.N.Dinh, T. Q. Trung, L. K. Binh, N. D. Khoa, V. T. M. Thuan, 2008,
Investigation of zinc oxide thin film by spectroscopic ellipsometry VNU
Journal of Science, Mathematics-Physics. 24. 16-23.
Q. Chen, H. Huang, W. Chen, A. T. S. Wee, Y. P. Feng, J. W. Chai, Z. Zhang,
J.S. Pan, and S. J. Wang, 2010, In situ photoemission spectroscopy study
on formation of HfO 2 dielectrics on epitaxial graphene on SiC substrate,
Applied Physics Letters, 96, 072111.
R.Pascu, M. Dinescu, 2012. Spectroscopic ellipsometry, Romanian Reports in
Physics, 64, p.135-142.
Santoso I, Gogoi. P. K. Su, H.B., Huang, H., Lu, Y., Qi. D.C., Chen, W., Majidi,
M. A., Feng, Y.P., Wee, A.T.S., Loh, K.P., Venkatesan, T., Saichu, R.P.,
Goos, A., Ruebhausen, M., Rusydi, A., 2011, Observation of room
temperature high-energy resonant excitonic effects in graphene, Phys.
Rev. B 84, 081403R.
S. H. Xie, Y. Y. Liu, and J. Y. Li, 2008, Comparison of the effective conductivity
20

between composites reinforced by graphene nanosheets and carbon
nanotubes, Applied Physics Letters, 92, 243121.
T. H. Ghong, T. J. Kim, Y. D. Kim, and D. E. Aspnes, 2004, Spectroscopic
ellipsometric analysis of interfaces: Comparison of alloy and
effectivemedium-approximation approaches to a CdMgTe multilayer
system, Applied Physics Letters 85, 946.
T. J. Kim, T. H. Ghong, Y. D. Kim, D. E. Aspnes, M. V. Klein, D-S. Ko, Y-W.
Kim, V. C. Elarde, and J. J. Coleman, 2007, Investigation of effective-
medium approximation, alloy, verage-composition, and graded-
composition models for interface analysis by spectroscopic ellipsometry,
Journal of Applied Physics 102, 063512.
Weber, J, W., Calado, V. E., van de Sanden, M. C. M., 2010, Optical constant of
graphene measured by spectroscopic ellipsometry. Appl. Phys. Lett., 97,
091904.
Y. Shen, P. Zhou, Q. Q. Sun, L. Wan, J. Li, L. Y. Chen, D. W. Zhang, and X. B.
Wang, 2011, Optical investigation of reduced graphene oxide by
spectroscopic ellipsometry and the band-gap tuning, Appl. Phys. Lett.,
99, 141911.
Y. X. Zheng, R. J. Zhang,L. Y. Chen, 2012, Ellipsometry and its Applications in
Stoichiometry, Stoichiometry and Materials Science, ISBN: 978-953-51-
0512-1.
Zhang, Y. B. et al, 2004, Fabrication and Electric Field Dependent Transport
Measurements of Mesoscopic Graphite Devices, arXiv:cond-
mat/0410314v1.













21

NAMA: ERI WIDIANTO
NIM: 13/353668/PPA/04224


DRAF PENILAIAN PROPOSAL METODOLOGI RISET

No
Kriteria Penilain
Bobot
(%)
Skor Nilai
1
Perumusan masalah:
a. Ketajaman perumusan masalah
b. Tujuan Penelitian
25



2
Peluang luaran penelitian
a. Publikasi ilmiah
b. Pengembangan Ipteks-Sosbud
25

3
Metode penelitian
- Ketepatan dan kesesuaian metode
yang digunakan
25

4
Tinjauan pustaka:
a. Relevansi
b. Kemuktahiran
c. Penyusunan Daftar Pustaka
15

5
Kelayakan penelitian:
a. Kesesuain waktu
b. Kesesuaian biaya
c. Kesesuain personalia
10

Jumlah 100

Keterangan : Skor: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 (1=Buruk; 2 = Sangat kurang; 3 = kurang; 5 = cukup; 6 = Baik;
7 = Sangat baik
Nilai = bobot x Skor