PRAKTIKUM KARAKTERISTIK MASUKAN DAN

KELUARAN TRANSISTOR

Disusun Guna Memenuhi Tugas Mata Kuliah Elektronika Analog

Dosen Pembimbing : Pinaka Elda Swastika

Disusun Oleh :
Pradeo Putra Wiratama(20302244011)

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA
Mei 2021
A. TUJUAN
• Mengetahui karakteristik masukan transistor

B. PERSIAPAN
• Mempelajari prinsip kerja transistor BJT (Boylestad Hal. 113-114, Sujono Hal. 55-69)
• Mempelajari konfigurasi transistor (Boylestad Hal. 115-164, Sujono Hal. 55-69)
• Mempelajari karakteristik masukan transistor bipolar (BJT) (Boylestad Hal. 115-164,
Sujono Hal. 55-69)

C. KOMPONEN PERCOBAAN
• Resistor 2.2 kOhm (RES)
• Transistor NPN Bipolar (BC107)
• Potensiometer (POT)
• Generator DC
• DC Ammeter
• DC Voltmeter

D. DASAR TEORI
Transistor merupakan komponen elektronika aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor
yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (B), Colector (C) dan Emitor (E). Dengan adanya 3
kaki elektroda tersebut, tegangan atau arus yang mengalir pada satu kaki akan mengatur arus yang
lebih besar untuk melalui 2 terminal lainnya. Terdapat banyak sekali jenis transistor, namun saat
ini dalam versi modern secara garis besar dapat dibagi menjadi dua yaitu BJT (Bipolar Junction
Transistor) dan FET (Field Effect Transistor).
Transistor sendiri memiliki fungsi yang sangat penting dalam dunia elektronika modern.
Transistor merupakan penyusun dari IC (integrated circuit) yang digunakan dalam berbagai alat
elektronik. Selain itu, fungsi lain transistor adalah sebagai penguat (amplifier), switching,
penyetabil tegangan, dalan lain sebagainya. Untuk mengaplikasikan transistor, maka terlebih kita
perlu mengetahui karakteristik dari transistor itu sendiri.
Konfigurasi transistor secara umum terdapat tiga macam konfugirasi yaitu basisbersama
(common base), emitor bersama (common emitter) dan kolektor bersama (common collector).
Istilah bersama dalam masing-masing konfigurasi menunjuk pada terminal yang dipakai secara
bersama untuk input (masukan) dan output (keluaran).
 Gambar 6.1. Konfigurasi Transistir (a) CB (b) CE dan (c) CC (Surjono, 2007:61)

Seperti halnya diode semikonduktor, sebagi komponen non-linier transistor bipolar memiliki
karakteristik yang bisa dilukiskan melalui beberapa kurva. Namun karena transistor memiliki 3
terminal, maka karakteristik transistor tersebut biasanya dilukiskan dalam bentuk kurva
parametrik. Kurva karakteristik transistor yang paling penting adalah kurva karakteristik input
dan output.
Kurva karakteristik input common emitter untuk transistor npn bahan silicon dapat dilihat pada
gambar di bawah. Kurva ini menunjukkan hubungan antara arus IB (arus basis) dengan tegangan
input VBE untuk berbagai variasi tegangan output VCE.

Gambar 6.2. Kurva Karakteristik Input CE (Surjono, 2007:66)

Apabila diperhatikan, kurva karakteristik input CE ini bentuknya hamper menyerupai kurva
diode pada saat mendapat bias maju. Hal yang terjadi pada transistor juga demikian, karena
persambungan emitor-basis mendapat bias maju. Pada saat tegangan VBE sekitar 0,7 V (tegangan
cut-in) arus IB akan naik dengan cepat.
 Perubahan tegangan VCE dari 1 V sampai 20 V mempunyai pengaruh yang sangat sedikit
terhadap kurva. Sehingga secara pendekatan dapat dikatakan bahwa arus emitor hanya
dipengaruhi oleh tegangan VBE. Pada saat tegangan VBE sekitar 0,7 V transistor dianggap bekerja
pada daerah aktif. Hal ini terlihat bahwa arus IB bergerak naik dengan cepat.
Selanjutnya untuk kurva karakteristik input pada konfigurasi common base dapat dilihat pada
gambar dibawah. Kurva ini menunjukkan hubungan antara arus IE (arus emitor) dengan tegangan
input VBE untuk berbagai variasi tegangan output VCB.

Gambar 6.3. Kurva Karakteristik Input CE (Surjono, 2007:64)

E. LANGKAH PERCOBAAN

1. Tambahkan komponen yang akan digunakan ke dalam list component dengan klik icon
component mode kemudian tekan ‘p’ di keyboard.
2. Setelah muncul jendela pick device, masukkan keyword misal ‘BC107’ maka akan muncul
hasil pencarian (result) berupa transistor bipolar.

3. Klik BC107, klik OK.

4. Lakukan hal yang sama untuk resistor dan potensiometer.
5. Untuk memulai merangkai komponen, klik komponen pada list, kemudian klik di dalam
root sheet untuk menempatkannya.
6. Untuk mengubah nilai resistor dan potensiometer, double click komponen hingga muncul
jendela Edit Component.

7. Ganti nilai nilai resistansi sesuai yang dibutuhkan, lalu klik OK.
8. Untuk menambah instrumen seperti DC Ammeter dan DC Voltmeter, klik instruments mode

atau icon
9. Klik instrumen yang dibutuhkan, lalu letakkan di root sheet.

10. Untuk menambah generator DC, klik generator mode atau icon
11. Pilih DC, ganti label menjadi Vcc, lalu letakkan di root sheet.
12. Ubah nilai Vcc menjadi 1V.
13. Rangkai komponen seperti Gambar di bawah
 14. Tambahkan Ground dengan cara klik terminals mode atau klik icon
15. Pilih ground, lalu letakkan di root sheet.
16. Ubah nilai Vcc menjadi 1 V.
17. Variasi arus basis (IB) diubah dengan cara mengatur potensio 1M guna mengetahui
karakteristik masukan. Arus IB divariasi dari 0 sampai 10 µA dengan kenaikan 0,5 µA.
18. Simulasikan rangkaian tersebut.
19. Catat nilai setiap IB dan tegangan basis-emitor (VBE) didalam tabel pada lembar log aktifitas.
20. Ulangi langkah 16-18 untuk variasi VCC sebesar 2V, 3V dan 4V.
21. Catat hasilnya pada tabel di lembar log aktifitas.
22. Buat grafik dari data yang didapatkan.

F. EVALUASI LAPORAN
Hal-hal yang perlu dicantumkan dalam laporan:
1. Jelaskan karakteristik masukan transistor dari grafik hasil simulasi.
2. Jelaskan karakteristik luaran transistor dari grafik hasil simulasi.
3. Jelaskan masing-masing daerah pada kurva karakteristik luaran transistor

G. REFERENSI
Boylestad, R., Nashelsky, L. 1998. Electronic Devices and Circuit Theory. Pearson.
Surjono, D. W. 2007. Elektronika: Teori dan Penerapannya. Jember: Cerdas Ulet Kreatif
Praktikum Elektronika Analog, Semester Genap 2021/2022
Jurusan Pendidikan Fisika FMIPA UNY

Lembar Kerja
Karateristik Masukan dan Keluaran Transistor

A. Tabel Pengamatan dan Grafik Kurva

Kegiatan 1. Karakteristik Masukan Transistor

Praktikum Elektronika Analog, Semester Genap 2021/2022
Jurusan Pendidikan Fisika FMIPA UNY

Vcc 2 volt Vcc 3 volt Vcc 4 volt

IB (µA) Vce (mv) IB (µA) Vce (mv) IB (µA) Vce (mv)

0,51 620 0,54 621 0,45 616
0,98 637 1 637 1 637
1,48 647 1,53 648 1,52 648
1,96 655 2,04 656 1,98 655
2,54 661 2,54 661 2,54 661
3,02 666 3,07 666 3,06 666
3,44 669 3,53 670 3,45 669
3,95 673 4,05 674 3,96 673
4,57 677 4,48 676 4,50 676
5,07 680 5,14 680 4,93 679
5,35 681 5,52 682 5,55 682
6 684 5,94 684 6,07 684
6,37 686 6,41 686 6,45 686
6,79 687 6,93 688 7,07 688
7,78 691 7,89 691 8,03 692
9,06 695 9,01 695 8,89 694
9,86 697 9,95 697 10,3 698
Praktikum Elektronika Analog, Semester Genap 2021/2022
Jurusan Pendidikan Fisika FMIPA UNY

Grafik Karateristik Masukan Transistor

a.
Vcc 2 volt

IB (µA) Vce (mv)

0,51 620
VCC 2 VOLT
0,98 637 12
1,48 647
10
1,96 655
2,54 661 8
3,02 666

IB (ΜA)
3,44 669 6
3,95 673
4,57 677 4
5,07 680 2
5,35 681
6 684 0
6,37 686 610 620 630 640 650 660 670 680 690 700 710
6,79 687 VCE (MV)
7,78 691
9,06 695
9,86 697
Praktikum Elektronika Analog, Semester Genap 2021/2022
Jurusan Pendidikan Fisika FMIPA UNY

b.
Vcc 3 volt

IB (µA) Vce (mv)

0,54 621
VCC 3 VOLT
1 637 12
1,53 648
2,04 656 10
2,54 661 8
3,07 666

IB (ΜA)
3,53 670 6
4,05 674
4,48 676 4
5,14 680
2
5,52 682
5,94 684 0
6,41 686 610 620 630 640 650 660 670 680 690 700 710
6,93 688 VCE (MV)
7,89 691
9,01 695
9,95 697
Praktikum Elektronika Analog, Semester Genap 2021/2022
Jurusan Pendidikan Fisika FMIPA UNY

c.
Vcc 4 volt

IB (µA) Vce (mv) VCC 4 VOLT

0,45 616 12
1 637
1,52 648 10
1,98 655
2,54 661 8
3,06 666

IB (ΜA)
3,45 669 6
3,96 673
4
4,50 676
4,93 679 2
5,55 682
6,07 684 0
6,45 686 610 620 630 640 650 660 670 680 690 700 710
7,07 688 VCE (MV)
8,03 692
8,89 694
10,3 698
Praktikum Elektronika Analog, Semester Genap 2021/2022
Jurusan Pendidikan Fisika FMIPA UNY

B. Pembahasan
Jelaskan dengan singkat hasil analisis dan grafik anda dengan teori

Karakteristik masukan transistor mirip dengan kurva dioda pada rangkaian forward bias yang menunjukkan hubungan eksponensial, pada
kurva transistor menunjukan hubungan antara arus dan tegangan sambungan emitor basis

Dari gambar karakteristik tersebut didapati bahwa sebuahtransistor akan mengalirkan arus setelah tegangan luar melampaui tegangan
emitor basis, maka arus maju akan menjadi besar dan prinsip dari transistor sebagai penguat, yang mana dengan membuat transistor bekrja
pada daerah aktif. Bila pada kurvanya daerah aktif terletak diantara daerah jenuh(saturasi) dan daerah mati (cut-off). Transistor akan bekerja
aktif bila transistor selalumenglirkan arus dari kolektor ke emitor.
Grafik unruk masukan transistor menunjukan hubungan antara tegangan basis emitor dengan arus basis dalam tegangan kolektor emitor
bernilai konstan.Karakteristik ini merupakan karakteristik sambungan emitor basis diberi bias maju, seluruh pembawa muatan akan melewati
emitor basis menuju kolektor..

Grafik keluaran transistor menunjukan hubungan antara arus kolektor dengan tegangan kolektor emitor dengan arus basis sebagai
parameter. Kurva karakteristik luaran transistor ini terbagi menjadi beberapa bagian, yaitu daerah aktif, daerah saturasi (jenuh), daerah mati
(cut-off), dan daerah breakdown.
Daerah breakdown terjadi ketika diode kolektor diberi bias mundur melebihi tegangan breakdownnya (tegangan kolektor ke emitor saat
arus basis nol), sehingga arus kolektor melebihi kapasitas yang diperbolehkan, seharusnya transistor tidak diperbolehkan bekerja pada daerah
ini, jika terjadi transistor akan mengalami kerusakan.
Praktikum Elektronika Analog, Semester Genap 2021/2022
Jurusan Pendidikan Fisika FMIPA UNY

C. Kesimpulan
Tuliskan kesimpulan anda berdasarkan hasil-hasil perhitungan dan pembahasan
1. Karakter masukan transistor berdasarkan grafik dari hasil,karakteristik masukan transistor bentuknya mirip kurva karakteristikpada
dioda, daerah aktif pada transistor terletak pada tegangan VBE =0,7 V (IB akan naik dengan drastis). Terdapat pula perubahan pada
VCEtetapi tidak terlalu berpengaruh.

2. Pada kurva karakteristik luaran transistor nilai arus kolektor hanya ditentukan oleh nilai arus emitor atau nilai arus basis pada daerah
aktifnya. Kurva karakteristik luaran transistor terdiri dari 4 bagian, yaitu daerah jenuh (saturation region), daerah aktif (active region),
daerah mati (cut-off region), dan daerah dadal (breakdown region). Dan berdasarkan grafik hasil luaran transistor, nampak bahwa
bentuk grafik yang ada (CE) tidak dalam bentuk lurus horizontal, akantetapi sedikit lebih mengarah ke atas. Hal tersebut dikarenakan
terdapat arus bocor (ICBO), yang diperoleh dari (β + 1)ICBO. Hubungan antaraIC dengan VCE yang merupakan karakteristik keluaran
transistor memiliki tiga daerah pada kurva, yaitu daerah aktif, daerah jenuh(saturasi), dan daerah mati (cut-off).

Pangkalpinang, 5 Mei 2021

Pradeo Putra Wiratama

20302244011