PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA DAYA
NAMA :
NIM :
DAFTAR ISI
IDENTITAS PRAKTIKAN
3x4
NAMA :
NIM :
KELAS :
JURUSAN :
KELOMPOK :
NAMA ASISTEN :
(……………………………) (……………………………………………)
SOP PRAKTIKUM
MODUL I
SCR DC CHOPPER
I. TUJUAN
Konverter DC‐DC merupakan salah satu jenis rangkaian elektronika daya yang
berfungsi untuk mengkonversi tegangan masukan searah konstan menjadi tegangan
keluaran searah yang dapat divariasikan berdasarkan perubahan duty cycle rangkaian
kontrolnya. Sumber tegangan DC dari konverter DC‐DC dapat diperoleh dari baterai,
atau dengan menyearahkan sumber tegangan AC yang kemudian dihaluskan dengan
filter kapasitor untuk mengurangi riak (ripple). Secara umum ada dua fungsi
pengoperasian dari DC Chopper yaitu penaikan tegangan dimana tegangan keluaran
yang dihasilkan lebih tinggi dari tegangan masukan, dan penurunan tegangan dimana
tegangan keluaran lebih rendah dari tegangan masukan.
Ditinjau dari proses pengaturan, chopper dapat dibedakan dalam tiga jenis yaitu
chopper penurun tegangan (step down), chopper penaik tegangan (step up), dan chopper
penaik penurun tegangan (step up down).
IV. REFERENSI
6. Atur kenop Kontrol td ke posisi tengah. Ulangi Langkah 5 dan catat bentuk
gelombang seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4-5-5. Hitung dan catat penundaan
antara VG1 dan VG2, td = ms. (kira-kira 2ms).
7. Atur kenop Kontrol td ke posisi maks. Ulangi Langkah 5 dan catat bentuk gelombang
seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4-5-6. Hitung dan catat penundaan antara VG1
dan VG2, td.
Min
Mid
Max
I. TUJUAN
1. Memahami prinsip operasi dan karakteristik TRIAC.
2. Untuk mengukur karakteristik statis TRIAC.
3. Untuk mengukur kurva karakteristik tegangan – arus TRIAC.
Gambar 1-13 menunjukkan simbol dan struktur TRIAC. Strukturnya setara dengan
koneksi paralel terbalik dari dua SCR, sehingga dapat menghantarkan pada setengah siklus
positif dan negatif sumber daya ac. Tiga terminalnya diberi label sebagai anoda pertama
MT1 (diberi label A2 pada panel modul), anoda kedua MT2 (diberi label A1 pada panel
modul), dan gate G. Terminal MT2 dan MT1 tidak boleh dibalik saat digunakan. Dibawah
ini kurva karakteristik TRIAC :
SCR dipicu dengan menerapkan sinyal gate positif ketika tegangan anoda
positif. TRIAC dapat dipicu dalam empat kondisi gate:
1. I+: MT2 positive, VG positive
2. I-: MT2 positive, VG negative
3. III+: MT2 negative, VG positive
4. III-: MT2 negative, VG negative
IV. REFERENSI
Power Electronics Training System_K&H MFG CO., LTD.
Minimum Condition
Half Condition
Maximum Condition
I. TUJUAN
1. Untuk memahami struktur, karakteristik, dan metode komputasi untuk rangkaian
penyearah tak terkontrol setengah gelombang dan gelombang satu fasa dengan
menggunakan dioda.
2. Untuk memahami jenis karakteristik beban.
4 Channels Isolation
5 1 588 021
Amplifiers
7 U-LINKS 1 159-019
Zuhal, 1986, Dasar Tenaga Listrik, cetakan ketiga, terbitan kedua, Penerbit ITB,
Bandung.
I. TUJUAN
1. Memahami prinsip operasi pengontrol PWM satu fasa.
2. Untuk mengukur bentuk gelombang keluaran dari pengontrol PWM satu fasa.
3. Untuk membandingkan perbedaan antara sinyal kontrol persegi dan sinyal
kontrol PWM.
Gambar 5-1-1 Operasi SPWM. (a) Pembawa segitiga dan gelombang referensi
sinusoidal; (b) keluaran PWM 1; (c) keluaran PWM 2
IV. REFERENSI
Power Electronics Training System_K&H MFG CO., LTD.
V. TUGAS RUMAH
1. Jelaskan pengertian PWM !
2. Jelaskan yang dimaksud Single-Phase PWM Controller !
3. Jeleskan apa itu sinyal carrier dan sinyal reference !
4. Sebutkan dan Gambarkan jenis jenis gelombang sinusoidal !
5. Sebutkan pengaplikasian PWM dalam kehidupan sehari-hari minimal 5 !
6. Apa yang dimaksud dengan sinyal ?
7. Sebutkan jenis gelombang sinusoidal ?
8. Sebutkan jenis gelombang carrier ?
9. Apa yang dimaksud dengan wave pertama dengan wave kedua ?
10. Alat apa yang digunakan untuk menampilkan gelombang ?
CH 2 :
DIF AMP V RANGE : VOL TS/DIF
:
SEC/DIV :
Gambar 5-1-4 Terukur S1 (CH1) dan S3 (CH2); Vc=2.5V, fc=1KHz
14. Sesuaikan knob kontrol V dari Reference Variabel Generator untuk mengatur
Vc=7.5V. Dengan menggunakan DSO, ukur dan catat bentuk gelombang tegangan
keluaran S1 dan S3 pada Gambar 5-1-5.
CH 1 :
DIF AMP V RANGE : VOL
TS/DIF :
SEC/DIV :
CH 2 :
DIF AMP V RANGE : VOL
TS/DIF :
SEC/DIV :
Gambar 5-1-5 Terukur S1 (CH1) dan S3 (CH2); Vc=7.5V, fc=1KHz
15. Pada Differential Amplifier, sambungkan input Ch.A DIF ke output Multiplier (+
ke output Multiplier, - ke 0V) dan input Ch.C DIF ke S1 (+ ke S1, - ke 0V). Dengan
menggunakan DSO, ukur dan catat bentuk gelombang tegangan pada keluaran S1
dan Multiplier.
16. Set Frequency Selector (SW1) F(KHz) dari modul Kontroler PWM Fase Tunggal
ke x5 (5KHz). Menggunakan DSO, ukur dan catat bentuk gelombang tegangan pada
keluaran S1 dan Multiplier.
17. Set Frequency Selector (SW1) F(KHz) dari modul Kontroler PWM Fase Tunggal
ke x15 (15KHz). Dengan menggunakan DSO, ukur dan catat bentuk gelombang
tegangan pada keluaran S1 dan Multiplier pada Gambar 5-1-6.
CH 2 :
DIF AMP V RANGE : VOL
TS/DIF :
SEC/DIV :
Gambar 5-1-6 Keluaran Multiplier Terukur (CH1) dan S1 (CH2);
Vc=7.5V, fc=15KHz
18. Sesuaikan knob kontrol V Reference Variabel Generator ke 100%, kira-kira
Vc=10V. Pada modul Kontroler PWM Fase Tunggal, atur sakelar Frequency
Selector (SW1) F(KHz) dari Pembangkit Gelombang Carrier Segitiga ke x1
(1KHz), dan atur sakelar Pemilih PWM/CLK (SW2) ke PWM. Dengan
menggunakan DSO, ukur dan catat bentuk gelombang tegangan pada keluaran S1
dan Multiplier.
19. Set Frequency Selector (SW1) F(KHz) dari Pembangkit Gelombang Carrier
Segitiga ke x5 (5KHz). Menggunakan DSO, ukur dan catat bentuk
gelombangtegangan pada output S1 dan Multiplier.
20. Set Frequency Selector (SW1) F(KHz) dari Pembangkit Gelombang Carrier
Segitiga ke x15 (15KHz). Dengan menggunakan DSO, ukur dan catat bentuk
gelombang tegangan pada keluaran S1 dan Multiplier.
21. Matikan alat percobaan sesuai dengan prosedur yang benar.
2.5
7.5
10
Tabel 2 Hubungan Frekuensi dengan Sinθ dan Sinyal Carrier Triangle Wave
x1
x5
x15
x1
x5
x15
I. TUJUAN
1. Praktikan dapat memahami prinsip kerja dari Single-Phase Full-Bridge Inverter.
2. Praktikan dapat mengerti sinyal gating (trigger) dan tegangan keluaran dari
single- phase inverter.
3. Praktikan dapat mengukur sinyal gating (trigger) dan tegangan keluaran dari
single- phase inverter.
4. Praktikan dapat mengukur tegangan keluaran dan arus keluaran dari single-
phase inverter dengan beban resistif asalnya.
5. Praktikan dapat mengukur tegangan keluaran dan arus keluaran dari single-
phase inverter dengan beban resistif dan beban induktif.
IV. REFERENSI
Power Electronics _K&H MFG CO., LTD.
V. TUGAS RUMAH
1. Apa yang dimaksud dengan Single-Phase Inverter ?
2. Jelaskan dan gambarkan bentuk gelombang Half Wave, Full Wave, AC, dan DC !
3. Apa yang dimaksud dengan fasa, sudut fasa dan beda fasa ?
4. Apa yang dimaksud dengan IGBT ?
5. Sebutkan dan jelaskan perbedaan MOSFET dan IGBT !
6. Gambarkan simbol mosfet beserta keterangan ?
7. Gambarkan simbol BJT beserta keterangan ?
8. IGBT peranti semikonduktor yang setara dengan gabungan ?
9. Gambarkan simbol IGBT beserta keterangan !
10. Apa saja alat yang digunakan pada praktikum modul ini ? (minimal 3)
6. Atur SEC/DIV dari DSO untuk melihat sinyal masukan dari T1 dan T2 seperti yang
ditampilkan oleh Gambar 5-2-4. atur dan rekam The Dead Time = …… µs.
8. Lakukan ulang Step 6. perhatikan dan rekam The Dead Time = …… µs.
9. Hubungkan Ch.B DIF input ke T1 (+ ke T1, - ke DC - ) dan hubungkan Ch.D DIF
input ke T4 (+ ke T4, - ke DC - ) . Menggunakan DSO, atur dan rekam sinyal
masukan dari IGBTs T1 dan T4 seperti pada Gambar 5-2-6.
10. Hubungkan Ch.B DIF input ke T2 (+ ke T2, - ke DC - ) dan hubungkan Ch.D DIF
input ke T3 (+ ke T3, - ke DC -). Menggunakan DSO, atur dan rekam sinyal masukan
dari IGBTs T2 dan T3 seperti Gambar 5-2-7.
11. Pada Referenve Variable Generator, atur VC Range Selector (SW1) ke 0~+10V dan
atur V kontrol ke 100% (Vc = 10V). pada Single Phase PWM Generator, atur
PWM/CLK Selcektor (SW2) ke PWM
16. Lihat kembali koneksi dari Gambar 5-2-2. Hubungkan beban induktor dengan
50mH terminal induktor. Kontruksi ini hanya menggunakan beban resisitf (100Ω)
pada keluaran terminal O/P1 dan O/P2.
17. Pada Differential Amplifier, atur V Range Selector (SWA) pada Ch.A ke 500V dan
atur V Range Selector (SWC) pada Ch.C ke 100V, letakkan Ch Selectors
(SW1,SW2) pada A dan C. pada Current Transducer Modul, atur I Range Selector
ke 5Ap. Pada Single Phase PWM Generator, atur PWM/CLK Selector (SW2) Switch
ke CLK. Lalu hidupkan semua daya.
18. Dengan perlahan atur knob V kontrol pada Reference Variable Generator mencapai
Vc=5V. menggunakan DSO, atur dan rekam tegangan beban VL dan arus beban IL
dengan bentuk gelombang seperti Gambar 5-2-12. hitung dan rekam frekuensi
keluaran
= Hz (30Hz)
5 T1 dan T4
5 T2 dan T3
10 T1 dan T2
10 T3 dan T4
I. TUJUAN
1. Dapat memahami prinsip pengoperasian MOSFET daya.
2. Dapat memahami karateristik MOSFET daya.
IV. REFERENSI
Power Electronics _K&H MFG CO., LTD.
3. Input CH1 dari DSO terhubung untuk mengukur tegangan beban VL daya MOSFET
melalui Penguat Diferensial Ch.A, sedangkan input CH2 terhubung untuk mengukur
tegangan DS VDS daya MOSFET melalui Penguat Diferensial Ch.C.
4. Pada Penguat Diferensial, tempatkan sakelar pemilih V Range (SWA,SWC) dari
Penguat Diferensial Ch.A dan Ch.C pada posisi 100V (rasio Vi/Vo
5. =100/10=10) dan tempatkan sakelar Ch Selector(SW1,SW2) di A dan C, masing- masing.
6. Pada MOSFET/IGBT Set, aktifkan S1 (posisi kiri), S2 (posisi atas) dan S3 (posisi
atas) untuk menghubungkan lampu beban E1 dan E2 secara paralel. Atur kenop
R1ke posisi min. Ini mengatur tegangan gerbang VG MOSFET ke nol.
7. Hidupkan semua daya. Ukur dan catat tegangan beban VL dan tegangan DS VDS
MOSFET seperti yang ditunjukkan pada Gambar 6-10.
Gambar 6-10 Tegangan beban terukur VL (CH1) dan tegangan DS VDS (CH2)
8. Perlahan putar kenop R1 ke arah maks untuk meningkatkan tegangan gerbang VG
sampai MOSFET dihidupkan. Tegangan beban terukur VL (CH1) dan tegangan DS
VDS (CH2) seperti yang ditunjukkan pada Gambar 6-11. Menggunakan RMS
Meter (tidak ditunjukkan dalam diagram pengkabelan), ukur dan catat tegangan
gerbang VG
= V (kira-kira 4.1V). V . yang diukur adalah tegangan ambang gerbang VT dari
MOSFET.
Gambar 6-11 Tegangan beban terukur VL (CH1) dan tegangan DS VDS (CH2)
9. Putar kenop R1 ke posisi maksimal (VG maksimum). Ukur dan catat tegangan
beban VL dan tegangan DS VDS MOSFET seperti yang ditunjukkan pada
Gambar6-12.
Gambar 6-12 Tegangan beban terukur VL (CH1) dan tegangan DS VDS (CH2)
10. Putar kenop R1 ke posisi min (minimum VG). Ukur dan catat tegangan beban
VL dan tegangan DS VDS MOSFET seperti yang ditunjukkan pada Gambar 6-
13.
Gambar 6-13 Tegangan beban terukur VL (CH1) dan tegangan DS VDS (CH2).
I. TUJUAN
1. Untuk memahami prinsip operasi dari IGBT
2. Untuk mengukur sinyal output IGBT dalam berbagai kondisi pada IGBT
III. TEORI
Sejumlah perangkat semikonduktor daya seperti transistor daya, MOSFET daya,
IGBT, dan IC daya, dll., banyak digunakan dalam berbagai aplikasi seperti otomotif, catu
daya, penggerak mesin listrik, peralatan elektronik portabel, penerangan, dan listrik alat.
Penggunaan yang paling populer dan terkenal adalah transistor bipolar (BJT) dan MOSFET
daya. Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT) yang baru-baru ini mendapat perhatian
adalah transistor bipolar untuk menghidupkan/mematikan gerbang MOS yang
menggabungkan atribut MOSFET. Perangkat IGBT memiliki impedansi masukan yang tinggi
seperti MOSFET tetapi penurunan konduksi pada keadaan yang rendah mirip dengan
transistor bipolar. Kecepatan peralihan dan area pengoperasian aman (SOA) transistor bipolar
dipertahankan. Waktu penyimpanan bipolar cenderung lama karena ketidakmampuannya
menggerakkan arus basis negatif. Namun, perangkat ini memiliki kemampuan pemblokiran
tegangan balik seperti thyristor.
IGBT memainkan peran penting dalam bidang elektronika daya dan banyak digunakan dalam
banyak aplikasi seperti Uninterruptable Power Supplies (UPS), kontrol motor berkecepatan
variabel dalam sistem pendingin udara, dan kontrol robot dalam otomasi pabrik.
IGBT telah dikembangkan untuk menggabungkan properti MOSFET dan perangkat bipolar.
Hal ini mengatasi beberapa keterbatasan yang memungkinkan peralihan tegangan tinggi dan
pengendalian arus tinggi dengan penggunaan sirkuit penggerak gerbang yang relatif
sederhana. Gambar 4-3 menunjukkan struktur IGBT yang khas. Strukturnya sangat mirip
dengan MOSFET yang terdifusi secara vertikal yang menampilkan difusi ganda wilayah tipe-
p dan wilayah tipe-n. Lapisan inversi dapat dibentuk di bawah gerbang dengan menerapkan
tegangan yang benar ke kontak gerbang seperti pada MOSFET. Perbedaan utamanya adalah
penggunaan lapisan substrat p+ untuk saluran pembuangan. Efek ini adalah mengubahnya
menjadi perangkat bipolar karena wilayah tipe-p ini memasukkan lubang ke wilayah
penyimpangan tipe-n.
Sayangnya thyristor parasit ada dalam struktur IGBT yang khas. Ketika thyristor parasit bekerja,
efek latch-up dipicu. Untuk memeriksa pengoperasian mekanisme efek kait, tinjau struktur IGBT
pada Gambar 4-3 dan rangkaian ekuivalennya pada Gambar 4-4. Transistor NPN parasit Q3
dibentuk oleh sumber MOSFET tipe n+, wilayah bodi tipe p, dan wilayah drift tipe n. Juga
ditunjukkan resistensi lateral daerah tipe-p. Jika arus yang mengalir melalui resistor R1 cukup
tinggi, maka akan terjadi penurunan tegangan yang akan membias maju persimpangan dengan
daerah n+ yang menghidupkan transistor parasit Q3 yang merupakan bagian dari thyristor parasit.
Ketika hal ini terjadi, terjadi injeksi elektron dalam jumlah besar dari daerah n+ ke daerah p dan
semua kendali gerbang hilang. Fenomena ini dikenal sebagai latch up dan biasanya menyebabkan
kerusakan perangkat. Berdasarkan hasil eksperimen dan simulasi, semakin luas area gerbang
polisilikon maka arus penguncinya semakin kecil. Karakteristik transfer IGBT dan karakteristik
keluaran diilustrasikan pada Gambar 4-5.
9.
Minimum Condition
Maximum Condition
VG = V (5.6V approximately).