1-Transistor Efek Medan

ELEKTRONIKA II
Dosen
Nini Firmawati
Penulis
Wildian. M.Si
2/19/2013 wildian_unand@yahoo.com 1
Transistor Efek Medan
(Field Effect Transistors, FET)
Wildian
Fisika Instrumentasi
Program Studi Fisika
Universitas Andalas
2
FET: Transistor Unipolar
Berdasarkan jenis muatan listrik yang mengalir di dalamnya, transistor dapat
dibedakan atas dua macam: transistor bipolar dan transistor unipolar.
Transistor bipolar (dwikutub) adalah transistor yang bekerja dengan dua jenis
muatan listrik, yaitu muatan negatif (elektron) dan muatan positif (lubang).
Contoh: Transistor NPN dan transistor PNP.
Transistor unipolar (satu-kutub), yaitu transistor yang bekerja dengan hanya
satu jenis muatan listrik: muatan negatif (elektron) saja atau muatan positif
(lubang) saja.
Contoh: FET (field effect transistor)
3
FET memiliki 3 daerah (regions): Analoginya
dengan
FET
 Source (S)  Emitor (E)
transistor
 Gate (G)  Basis (B)
bipolar
 Drain (D)  Kolektor (C)
FET pada prinsipnya terbuat dari bahan semikonduktor tipe-n atau tipe-p yang
berperan sebagai saluran (channel) ditambah dengan dua gate dari bahan
semikonduktor tipe yang berlawanan. [Artinya, jika bahan saluran bertipe-n, maka
gate-nya bertipe-p, dan sebaliknya].
Jika sambungan antara bahan saluran dan bahan gate pada FET terjadi secara
difusi, maka FET yang terbentuk disebut JFET. Tetapi, jika bahan gate tersebut
terisolasi dari bahan salurannya, maka FET yang terbentuk disebut MOSFET.
FET bekerja berdasarkan efek medan yang terjadi ketika gate diberi tegangan
panjar (biased).
Pemberian tegangan panjar pada kaki gate berdampak pada lebar saluran FET, dan
itu berarti mempengaruhi besar-kecilnya arus yang mengalir melalui saluran
tersebut.
Ragam FET & Simbolnya
FET
JFET MOSFET
Modus Deplesi Modus Deplesi Modus Perluasan
Saluran-N Saluran-P Saluran-N Saluran-P Saluran-N Saluran-P
Perbedaan FET (UJT) dan BJT
Field Effect
Field Transistor
Effect Transistor(FET)
(FET) Bipolar
Bipolar Junction
Junction Transistor
Transistor (BJT)
(BJT)
1 Penguatan
1 tegangannya rendah
Low voltage gain PenguatanHigh
tegangannya tinggi
voltage gain
2 Penguatan
2 arusnya
Hightinggi
current gain PenguatanLow
arusnya rendah
current gain
3 Impedansi
3 masukannya
Very input sangat tinggi
impedance Impedansi
Lowmasukannya rendah
input impedance
4 Impedansi
4 keluarannya
High outputtinggi
impedance Impedansi
Low keluarannya rendah
output impedance
5 Pembangkitan
5 noise-nya
Low rendah
noise generation Pembangkitan noise-nya
Medium noise sedang
generation
6 Waktu
6 switching-nya cepat time
Fast switching WaktuMedium
switching-nya sedang
switching time
7 Mudah
7 rusakEasily
oleh muatan
damagedstatik
by static Tahan terhadapRobust
muatan statik
8 Untuk mematikannya (to turn it "OFF“) Untuk mematikannya diperlukan

8 Some require an input to turn
diperlukan tegangan masukan tertentuit "OFF" Requires zero
tegangan inputnol
masukan to turn it "OFF"
9 Merupakan
9 piranti
Voltageyang dikontrol
controlled tegangan Merupakan
device piranti
Current yang dikontrol
controlled device arus
10 Memperlihatkan
10 sifat-sifat
Exhibits the resistor
properties of a Resistor -
11 Lebih
11 mahalMore expensive than bipolar Murah Cheap
12 Sulit
12 diberi tegangan panjar
Difficult to bias Mudah diberiEasy
tegangan
to biasdipanjar
JFET
Jika bahan semikonduktor tipe-n diberi beda (a)
potensial (dihubungkan ke baterai), maka bagian yang
dihubungkan ke kutub positif (+) baterai disebut
drain (D) dan yang dihubungkan ke kutub negatif (-)
disebut source (S).
Jika bahan semikonduktor itu diberi tambahan berupa

dua bahan semikonduktor tipe-p (yang masing-masing
disebut gate) pada kedua sisinya, dan kedua jenis
(b)
semikonduktor itu terhubung secara baur (difusi),
maka piranti yang terbentuk disebut JFET saluran-n.
Jika kedua gate tersebut difungsikan untuk pemberian

tegangan panjar terhadap JFET, maka JFET ini disebut
JFET dua-gerbang (a dual-gate JFET), seperti (c)
ditunjukkan pada Gbr 1.b. Tetapi, jika hanya satu gate
saja yang dipakai untuk pemberian tegangan panjar,
maka JFET-nya disebut JFET satu-gerbang (a single-
gate JFET), lihat Gbr. 1.c.
2/19/2013 wildian_unand@yahoo.com
Gbr. 1 7
Struktur JFET
Transistor JFET-n dibuat di atas satu
lempengan semikonduktor tipe-p sebagai
subtrat (subtrate) atau dasar (base).
Untuk membuat saluran-n, di atas subtrat di-

implant semikonduktor tipe n yaitu dengan
memberikan doping elektron. Saluran-n ini
akan menjadi drain dan source.
Kemudian di atas saluran-n dibuat implant

tipe-p, caranya adalah dengan memberi
doping p (hole). Implant tipe p ini yang
menjadi gate.
Gate dan subtrat disambungkan secara

internal.
Simbol JFET
Daerah Deplesi
Daerah deplesi sudah terbentuk sejak

saluran dari bahan tipe-n diberi
gerbang (gate) dari bahan tipe-p.
Ketika itu elektron-elektron bebas

dari daerah-n berdifusi ke daerah-p
dan berekombinasi dengan lubang
(hole) yang ada di bahan gate,
sehingga terbentuk daerah yang
“bebas” dari elektron-bebas dan
lubang di sekitar sambungan
tersebut. Itulah daerah deplesi.
Cara Memanjar JFET
 Pada transistor bipolar, “dioda”
basis-emitor-nya dipanjar-
maju (forward-bias), tetapi pada
JFET, “dioda” gate-source-nya
dipanjar-mundur (reverse-
bias).
 Oleh karena “dioda” gate-

source dipanjar-mundur, maka Gambar di atas
arus gate (IG)I sangatlah kecil. memperlihatkan
G 0 pemberian tegangan
Secara pendekatan:
panjar (bias) untuk
JFET saluran-n.
 Akibatnya, impedansi masukan Bagaimana
JFET sangat besar (dapat pemberian tegangan
panjar untuk JFET
Rin  
dianggap tak-berhingga):
saluran-p ? (Tugas!)
VDD
Jika diberi panjar,
apa yang terjadi?
Source Drain
VGG Sebelum dan setelah

diberi panjar negatif.
Gate
Sebelum diberi panjar negatif,

daerah deplesi masih kecil
sehingga arus yang mengalir
cukup besar.
Setelah diberi panjar negatif,
daerah deplesi membesar
sehingga menghambat arus
yang mengalir (arus menjadi
kecil), dan bahkan—pada
nilai tegangan tertentu—arus
dapat terhenti sama sekali (ID
= 0).
Efek Medan
Istilah “efek medan” (field effect) terkait
dengan daerah deplesi yang muncul di
sekitar daerah-p.
Ketika elektron mengalir dari source ke
drain, elektron-elektron tersebut harus
melalui celah di antara kedua lapisan Oleh karena JFET
deplesi ini.
dipanjar-mundur
Makin negatif tegangan gate, makin
(dan bukan dipanjar-
besar daerah deplesi (dan makin
maju), maka JFET
sempit celah tersebut). Akibatnya, arus
yang mengalir dari drain ke source berperilaku sebagai
makin kecil . Dengan kata lain, piranti yang
“tegangan gate dapat mengontrol arus dikontrol-tegangan
yang mengalir melalui saluran tersebut”. (a voltage controlled
(Lihat: Animasi JFET) device), bukan
dikontrol-arus.
Aliran Elektron di dalam JFET
Elektron
mengalir dari
Source ke
Drain.
Arus listrik
mengalir
dalam arah
P N
VGG = VDD =
sebaliknya,
yaitu dari
Drain ke
Source.
Contoh Spec:
N-Channel JFET (2N3819)
The 2N3819 is a low-cost, all-purpose JFET

which offers good performance at mid-to-high
frequencies. It features low noise and leakage
and guarantees high gain at 100 MHz.
Kurva Drain
ketika Gate terhubung-singkat
JFET saluran-n dengan tegangan panjar

negatif (normal)
Arus drain maksimum terjadi ketika

tegangan gate nol. (VGS = 0)
JFET berperilaku seperti sebuah sumber arus ketika

beroperasi di daerah aktif, yaitu antara tegangan
pinch-off (VP) dan VDS (maks).
Pada saat itu arus drain maksimum dan konstan,
dengan simbol IDSS.
IDSS = arus Drain-Source ketika gate terhubung singkat
(Shorted).
Kurva I-V (ID versus VDS) JFET
untuk beberapa nilai VGS yang
Kurva-kurva Drain berbeda.
Kurva paling atas memperlihatkan
arus drain maksimum (pada
contoh ini, IDSS = 10 mA) yang
terjadi ketika VGS = 0.
Makin negatif nilai VGS, makin
kecil arus ID.
Pada kurva paling bawah (ketika
VGS = - 4 V), arus drain:
Tegangan VGS yang

menyebabkan
disebut VGS cut-off atau

disingkat: VGS (off).
Perhatikan grafik!
VGS (off ) = - VP 17
VP = tegangan jepit (pinch-off)
2/19/2013 wildian_unand@yahoo.com
Daerah Ohmik
Tegangan jepit (pinch-off
voltage) = tegangan dimana
arus drain tertinggi
(maksimum) berubah dari
“hampir vertikal” ke “hampir
horizontal”.
Daerah dimana arus drain
“hampir vertikal” itu disebut
daerah ohmik (ohmic region)
—setara dengan daerah
saturasi pada transistor
bipolar.
Ketika dioperasikan di daerah
ohmik, JFET berperilaku
VP’ = tegangan jepit
VP resistor ,
seperti sebuah VP '
RDS resistansi:atau (boleh juga):
dengan RDS  (pinch-off) yang
I
DSS I DS sebanding dengan IDS.
Contoh Soal
Sebuah data sheet JFET mencantumkan nilai-nilai berikut: IDSS = 20 mA, dan VP = 5
V. Tentukanlah:
a. Arus drain maksimum
b. Tegangan cut-off gate-source
c. Resistansi dc JFET di daerah ohmik.
Solusi:
a. Arus drain maksimum:
ID maks = IDSS = 20 mA
b. Tegangan cut-off gate-source:
VGS (off) = -VP  VGS (off) = - 5 V
c. Resistansi dc JFET di daerah ohmik:
VP 5V
RDS  RDS   250 ohm
I DSS 20 mA
Kurva Transkonduktansi JFET
(ID vs. VGS)
Kurva transkonduktansi JFET adalah
grafik arus drain (ID) versus tegangan
gate-source (VGS).
Semua JFET memiliki bentuk kurva

transkonduktansi yang serupa
(berbentuk parabola); hanya angka-
angkanya (the numbers) yang akan
berbeda. Bentuk umum kurva
transkonduktansi
JFET
Arus drain dapat dihitung dengan
rumus hukum-kuadrat:
2
 VGS 

I D  I DSS 1 
 V 
 GS ( off ) 
Pendekatan pada JFET
Untuk JFET ideal:
Tak ada daerah dadal
(breakdown region).
Semua kurva drain vertikal

menumpuk di daerah
ohmik.
Semua kurva drain

merupakan garis
horizontal di daerah
sumber-arus (daerah
aktif ).
Cara Menganalisis JFET
Jika anda sedang menganalisis suatu rangkaian JFET,

dan anda tidak tahu pasti daerah kerjanya, maka
lakukanlah hal berikut:
1. Anggap JFET tersebut bekerja di daerah sumber-arus
(daerah aktif).
2. Lakukan perhitungan berdasarkan anggapan itu.
3. Jika hasilnya tidak masuk akal, maka anggapan
tersebut gugur.
4. Ubah penyelesaiannya ke model ohmik.
Contoh Soal
Berdasarkan gambar di
samping,
tentukanlah
tegangan drain-
source :
a. ketika VGS = 0
b. ketika VGS = 0, dan
resistansi resistornya
diganti dengan 3,6
kW.
c. ketika VGS = -2,2 V, dan
resistansi resistor
drain-nya 3,6 kW.
Solusi (a)
Anggap JFET bekerja di daerah
sumber-arus (daerah aktif).
Oleh karena VGS = 0, maka ID bernilai
maksimum (ID maks = IDSS = 10 mA).
Rangkaian setaranya seperti pada
gambar di samping, sehingga:
VDS = VDD – ID RD
VDS = 10 V – (10 mA)(360 W)
VDS = 6,4 V Oleh karena
Untuk mengetahui kebenaran hasil
VDS > VP
tsb, periksa apakah VDS > VP maka anggapan bahwa
Oleh karena VGS (off) = - 4 V, maka VP =
JFET bekerja di daerah
4 V. sumber-arus tersebut
adalah benar.
Solusi (b)
Anggap JFET bekerja di daerah sumber-arus.
Oleh karena VGS = 0, maka ID bernilai
maksimum (ID maks = IDSS = 10 mA).
Beredasarkan gambar rangkaian pada soal,
diperoleh :
VDS = VDD – ID RD
VDS = 10 V – (10 mA)(3,6 kW)
VDS = - 26 V (Jawaban yang tidak mungkin. Tegangan drain-source
VDS tidak boleh bernilai negatif!) (VDS) diukur pada RDS
Berarti JFET tsb bekerja di daerah ohmik:
dengan prinsip pembagi
tegangan:
VP 4V RDS
RDS  RDS   400 ohm VDS   VDD
I DSS 10 mA RDS  RD
400 
Rangkaian setara (the equivalent circuit) VDS   10 V
untuk rangkaian drain ditunjukkan pada 400   3,6 k
gambar di samping. VDS 1V
Oleh karena VGS diubah dari 0
Solusi (c)
Tegangan drain-source:
menjadi –2,2 V, maka daerah
deplesi bertambah besar dan VDS  VDD  I D RD
mengakibatkan arus drain menjadi
VDS  10 V  ( 2,03 mA)(3,6 k)
berkurang (makin kecil). Hal ini
memungkinkan JFET tidak lagi VDS  2,69 V
bekerja di daerah ohmik.
Untuk pembuktian:
Anggaplah JFET berkerja di daerah Hitung tegangan jepit yang sebanding
sumber-arus, maka arus drain-nya: dengan RDS (yang disimbolkan dengan
 V 
2
VP '  I D RDS
VP’) :
I D  I DSS 1  GS 
 V  VP '  (2,03 mA)(400 )  0,812 V
 GS ( off ) 
2
 (2,2 V) 
I D  (10 mA)1   Oleh karena VDS > VP’, maka anggapan
 (4 V)  bahwa JFET berkerja di daerah sumber-
arus adalah benar. Jadi, jawaban
I D  2,03 mA akhirnya adalah
VDS = 2,69 V
MOSFET
Seperti halnya JFET, MOSFET (Metal-oxide semiconductor FET) juga memiliki source
(S), gate (G), dan drain (D).
Bedanya, gate pada MOSFET terisolasi dari salurannya (the channel) oleh bahan
oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah
transistor ini dinamakan metal-oxide.(oksida-logam)
Oleh karena gate terisolasi, transistor ini sering juga disebut IGFET (insulated-gate FET).
Akibat adanya isolasi tersebut, arus gate menjadi sangat kecil, baik ketika gate dipanjar
positif maupun negatif.
Just like the JFET, the MOSFET also acts like a voltage controlled resistor were the current
flowing through the main channel between the Drain and Source is proportional to the input
voltage.
Ada dua jenis MOSFET:

1. MOSFET modus-deplesi (depletion-mode )
2. MOSFET modus-perluasan (enhancement-mode)
MOSFET Modus-Deplesi
Gambar di samping memperlihatkan sebuah
MOSFET modus-deplesi tipe saluran-n.
Transistor ini terbuat dari sepotong material

semikonduktor tipe-n dengan substrat (atau body)
dari material tipe-p (disebut daerah-p) dan gate
dari material logam (metal) yang diisolasi dengan
suatu lapisan dari bahan kaca/pasir kwarsa (SiO2).
Elektron mengalir dari source ke drain melalui

suatu saluran sempit di antara gate dan daerah-p.
atau
Simbol MOSFET modus-

deplesi tipe saluran-n.
wildian_unand@yahoo.com
2/19/2013 28
Pemberian Tegangan Negatif
Terhadap Gate
Catu VDD mendorong elektron
bebas untuk mengalir dari
source ke drain melalui celah
sempit antara gate dan
daerah-p.
Tegangan gate mengontrol

lebar saluran tersebut; makin
negatif tegangan gate, maka
makin kecil arus drain. Jadi,
prinsip kerja MOSFET
serupa dengan JFET ketika
VGS negatif.
Pemberian Tegangan Positif
Terhadap Gate
Oleh karena MOSFET
terisolasi secara elektris dari
saluran, maka kita dapat
menerapkan tegangan positif
terhadap gate.
Tegangan positif terhadap gate
meningkatkan jumlah elektron
bebas yang mengalir melalui
saluran.
Makin positif tegangan gate,
Kemampuan untuk menggunakan
makin besar hantaran (the tegangan gate positif inilah yang
conduction) dari source ke membedakan MOSFET modus-
drain. deplesi terhadap JFET.
Kurva Drain MOSFET Saluran-N
Kurva –kurva atas
terjadi ketika VGS bernilai
positif.
Kurva –kurva bawah
terjadi ketika VGS bernilai
negatif.
Kurva paling bawah
terjadi ketika VGS = VGS(off).
Ketika VGS bernilai antara
VGS(off) dan nol, kita 𝐼 𝐷𝑆𝑆
peroleh pengoperasian
modus-deplesi.
 Ketika VGS bernilai lebih
besar dari nol, kita
peroleh pengoperasian
modus-perluasan
(enhancement).
Kurva Transkonduktansi
MOSFET Modus-Deplesi
Pada gambar di samping, kurva-nya
berlanjut ke kanan titik pangkal (titik
O). Itu berarti, IDSS tidak lagi berlaku
sebagai arus maksimum (karena
DEPLETION
masih ada arus drain yang lebih besar MODE
dari IDSS).
Secara matematis, kurva ini masih
ENHANCEMENT
merupakan bagian parabola, dan MODE
masih berlaku hukum-kuadrat,
seperti pada JFET.
Perbedaannya hanyalah untuk analisis
gate positif. Namun demikian, kita
2
masih menggunakan rumus yang 𝑉 𝐺𝑆
sama untuk mencari nilai ID, VGS
yaitu :
𝐼 𝐷 =𝐼 𝐷𝑆𝑆
( 1−
𝑉 𝐺𝑆 ( 𝑜𝑓𝑓 ) )
MOSFET Modus-Perluasan
MOSFET modus-deplesi sangat
bermanfaat pada situasi-situasi khusus,
namun penggunaanya tidak berkembang-
luas. Meskipun demikian, transistor ini Modus
memainkan peran penting dalam sejarah deplesi
terciptanya MOSFET modus-perluasan
(enhancement-mode), suatu piranti yang
sangat penting dalam dunia elektronika
digital dan komputer. Tanpa MOSFET
modus-perluasan, komputer pribadi
(personal computer, PC) yang kita kenal
saat ini tidak akan pernah ada.
Pada MOSFET modus-deplesi tipe

saluran-n, terdapat saluran-n; sedangkan Modus
pada MOSFET modus-perluasan tipe perluasan
saluran-n, tak ada lagi saluran-n.
Prinsip Kerja MOSFET Modus-Perluasan
Gambar di samping
memperlihatkan polaritas
pemanjaran normal-nya.
Ketika tegangan gate nol, VDD

berusaha mendorong elektron-
bebas (free electrons) dari source ke
drain, tetapi substrate-p memiliki
hanya sedikit elektron bebas yang
dihasilkan secara termal.
Antara source dan drain tak ada

arus, kecuali arus pembawa
minoritas dan arus bocoran Inilah yang membedakannya
permukaan. Oleh sebab itu, ketika dengan piranti-piranti modus-
tegangan gate-nya nol, MOSFET deplesi seperti JFET dan
modus-perluasan berada dalam MOSFET modus-deplesi.
keadaan off (tak menghantar).
Prinsip Kerja….(lanjutan) Lapisan
Ketika gate cukup positif, ia menarik elektron bebas inversi
ke dalam daerah-p. Akibatnya, seluruh lubang
(holes) yang bersentuhan dengan SiO2 menjadi
terisi, dan elektron bebas mulai mengalir dari
source ke drain.
Efek ini sama seperti menciptakan suatu lapisan
tipis material tipe-n di samping SiO2 tersebut.
Lapisan konduktor ini disebut lapisan inversi
tipe-n. Ketika lapisan ini tercipta, maka piranti
yang normalnya off ini tiba-tiba berubah menjadi
on, dan elektron bebas pun mengalir dengan
mudah dari source ke drain.
 VGS minimum yang menciptakan lapisan inversi tipe-n ini disebut
tegangan ambang (the threshold voltage), VGS(th).
 Ketika VGS < VGS(th), maka ID = 0. Tetapi ketika VGS > VGS(th), maka
terbentuklah lapisan inversi tipe-n yang menghubungkan source ke
drain sehingga terjadilah
2/19/2013
arus drain (ID) yang besar.
wildian_unand@yahoo.com 35
Why it is called an enhancement mode device?
A drain current will only flow when a gate voltage (V GS) is applied
to the gate terminal greater than the threshold voltage (VTH) level
in which conductance takes place making it a transconductance
device.
This positive +ve gate voltage pushes away the holes within the
channel attracting electrons towards the oxide layer and thereby
increasing the thickness of the channel allowing current to flow.
This is why this kind of transistor is called an enhancement mode

device as the gate voltage enhances (memperlebar/
memperluas) the channel.
Modus-deplesi vs Modus-perluasan
JFET dan MOSFET modus-deplesi diklasifikasikan sebagai

piranti-piranti modus-deplesi karena konduktivitasnya
bergantung pada aksi lapisan deplesi.
MOSFET modus-perluasan diklasifikasikan sebagai piranti

modus-perluasan karena karena konduktivitasnya bergantung
pada aksi lapisan inversi tipe-n.
Piranti-piranti modus-deplesi normalnya dalam keadaan on

ketika tegangan gate-nya nol, sementara piranti-piranti modus-
perluasan normalnya dalam keadaan off ketika tegangan gate-
nya nol.
Kurva Drain MOSFET Modus-Perluasan
Kurva paling bawah adalah kurva VGS(th).

Ketika VGS < VGS(th), maka ID ≈ 0.
Ketika VGS > VGS(th), maka MOSFET menghantar (on), dan ID (arus drain) dikontrol
oleh tegangan gate.
MOSFET modus-perluasan dapat berlaku sebagai sumber arus (di daerah aktif)
maupun sebagai resistor (di daerah ohmik).
Kurva Transkonduktansi
MOSFET Modus-Perluasan
 Kurva tersebut parabolik (hukum-kuadrat).
 Titik pangkal parabola berada di VGS(th).
Oleh sebab itu, persamaan parabolanya
(berbeda dengan persamaan parabola
I D  k VGS  VGS (th) 

sebelumnya): 2
dimana k adalah konstanta yang bergantung

pada MOSFET-nya yang nilainya :
I D  on 
k
VGS  on   VGS  th  
2
 Maka diperoleh persamaan dan grafik:

2
 VGS  VGS ( th) 
I D  I D ( on)  
V 
 GS ( on)  VGS ( th) 
Simbol MOSFET Modus-Perluasan
Ketika VGS = 0, MOSFET modus-perluasan

tak menghantar (off) sebab tak ada saluran Saluran-N
penghantar antara source dan drain.
Simbol MOSFET modus-perluasan pada

gambar di samping memiliki garis saluran
yang putus-putus untuk menunjukkan
bahwa normalnya, piranti ini dalam
keadaan off.
Saluran-P
Untuk saluran-n, tanda panah menunjuk ke
lapisan inversi, yang berlaku seperti sebuah
saluran-n ketika piranti itu menghantar.
VGS(maks) MOSFET
MOSFET memiliki lapisan tipis SiO2.
SiO2 merupakan isolator yang mencegah arus gate (IG), baik untuk
tegangan gate (VG) positif maupun negatif.
Lapisan ini dijaga setipis mungkin agar gate dapat mengontrol arus drain
(ID).
Oleh karena sangat tipis, lapisan isolator ini mudah rusak oleh tegangan
gate-source (VGS) yang berlebihan.
Contoh:
MOSFET 2N3796 memiliki VGS(maks) = ±30 V. Jadi, jika VGS yang diberikan
lebih positif dari 30 V atau lebih negatif dari -30 V, maka lapisan tipis
tersebut akan rusak.
Oleh karena MOSFET juga mudah rusak akibat muatan statik yang
melebihi VGS(maks) , maka sebelum menyentuh/ mengangkat MOSFET,
ground-kan dulu tubuh anda dengan cara menyentuh chassis peralatan
elektronik yang anda gunakan.
Kurva-kurva Drain Ideal
Kurva-kurva drain ideal untuk

MOSFET modus-perluasan
(enhancement) ditunjukkan
pada gambar di samping.
Pada grafik tersebut tampak

bahwa:
1. Tak ada daerah dadal
Kurva-kurva drain ideal untuk MOSFET modus-
(breakdown region).
perluasan (enhancement) ini serupa dengan
2. Di daerah ohmik,
kurva-kurva drain modus-deplesi, kecuali
semua kurva drain
bahwa tegangan lututnya (knee voltage, VK’):
bertumpukan. VK'  I D  RDS
3. Di daerah sumber-
arus, semua kurva Tegangan lutut VK’ ini identik dengan tegangan
drain horizontal. pinch-off VP’ (pada modus deplesi) hanya saja
konsepnya berkebalikan (sebanding dengan ). 42
2/19/2013
Rangkaian Setara
MOSFET Modus-perluasan
Gambar di bawah ini memperlihatkan dua rangkaian setara ideal untuk
MOSFET modus-perluasan.
Kedua rangkaian setara ini sama seperti untuk JFET, kecuali dalam hal
adanya ID(on) dan tegangan gate positif. Dengan kata lain, MOSFET
modus-perluasan dapat berlaku seperti sebuah sumber arus atau pun
seperti resistor.
Sebagai sumber-arus Sebagai resistor
Contoh Soal E-MOSFET
Berdasarkan gambar
di samping,
tentukanlah tegangan
drain-source (VDS) :
a. ketika VGS = 0
b. ketika VGS = 5 V
c. ketika VGS = 5 V
dan resistansi resistor
drain (RD) dinaikkan
menjadi 36 kW.
d. ketika VGS = 3 V
e. ketika VGS = 8 V
Dari data sheet MOSFET ybs.
SOLUSI Bagian(a)
Pada soal bagian (a)
ini, VGS = 0. Itu
berarti, VGS < VGS(th).
Oleh sebab itu,
MOSFET tidak
sedang dalam keadaan
menghantar (ID = 0).
Dari hubungan
VDD = IDRD + VDS
(dengan ID = 0), kita
peroleh
VDS = VDD = 20 V.
SOLUSI Bagian(b)
Pada soal bagian (b) ini, VGS = 5
V.
Kita asumsikan MOSFET ini
bekerja sebagai sebuah sumber
arus.
Oleh karena VGS = VGS(on), maka
ID = ID(on) = 1 mA. Dengan
demikian kita peroleh VDS dari
hubungan:
VDD = IDRD + VDS
20 V = (1 mA)(3,6 kW) + VDS
atau

VDS = 16,4 V
Tetapi, apakah asumsi kita tadi benar? Oleh karena VDS > VK’
Mari kita uji dengan menghitung
tegangan lututnya dari hubungan:
maka asumsi bahwa MOSFET tsb
bekerja sebagai sumber arus adalah
benar, sehingga jawaban akhirnya
VK'  I D  RDS VK'  (1 mA)(1 k)  1V adalah
VDS = 16,4 V
SOLUSI Bagian(c) 36 kW
Pada soal bagian (c) ini, VGS = 5 V

dan resistornya diganti menjadi
36 kW.
Kita asumsikan MOSFET ini
bekerja sebagai sebuah sumber
arus.
Oleh karena VGS = VGS(on), maka ID
= ID(on) = 1 mA. Dengan demikian
kita peroleh VDS dari hubungan:
VDD = IDRD + VDS
20 V = (1 mA)(36 kW) + VDS
atau
VDS = -16 V (Impossible!)
RDS
Asumsi kita tadi ternyata tidak benar! VDS   VDD
Berarti: MOSFET bekerja di daerah ohmik.
RDS  RD
Tegangan VDS dapat dihitung dengan 1 k
menggunakan prinsip pembagi tegangan: VDS   20 V
1 k  36 k
2/19/2013 wildian_unand@yahoo.com atau VDS = 0,54 V 47

SOLUSI Bagian(d)
Pada soal bagian (d) ini, VGS
= 3 V. Itu berarti, VGS > VGS(th)
, tetapi VGS < VGS(on).
Kita asumsikan MOSFET

ini bekerja di daerah sumber
arus, dengan arus drain:
2
 VGS  VGS ( th) 
I D  I D ( on)  
V  V 
 GS ( on ) GS ( th ) 
2 VDS dapat dihitung dari hubungan:
 3 V 1 V  VDD  I D RD  VDS
I D  (1 mA) 
 5 V  1 V 
20 V  (0,25 mA)(3,6 k)  VDS
I D  0,25 mA VDS  19,1 V
SOLUSI Bagian(e)
Pada soal bagian (e) ini, VGS
= 8 V. Itu berarti,
VGS > VGS(th) dan juga
VGS > VGS(on).
Kita asumsikan MOSFET

ini bekerja di daerah sumber
arus, dengan arus drain: VDS dapat dihitung dari hubungan:
 VGS  VGS (th) 
2
VDD  I D RD  VDS
I D  I D ( on)  
V  20 V  (3,06 mA)(3,6 k)  VDS
 GS ( on)  VGS ( th) 
VDS  8,98 V
2
 8 V 1 V 
I D  (1 mA)  Ujilah asumsi kita tadi dengan tegangan V’K :
 5 V 1 V 
VK'  I D RDS VK'  (3,06 mA)(1 k)  3,06 V
I D  3,06 mA
Oleh karena VDS > V’K , maka asumsi
2/19/2013 tersebut benar. 49
Tugas 1
Malvino, Electronic Principles, 5th ed. , McGraw-Hill.
Hal. 433 s.d 437:
No. 1 s.d No. 24, dan
No. 13. 1 s.d No. 13.42
Selamat Berlatih!
Revisi: 19 Maret 2011

1-Transistor Efek Medan

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

1-Transistor Efek Medan

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

ELEKTRONIKA II

Modus Deplesi Modus Deplesi Modus Perluasan

Saluran-N Saluran-P Saluran-N Saluran-P Saluran-N Saluran-P

8 Untuk mematikannya (to turn it "OFF“) Untuk mematikannya diperlukan

Jika bahan semikonduktor itu diberi tambahan berupa

Jika kedua gate tersebut difungsikan untuk pemberian

Untuk membuat saluran-n, di atas subtrat di-

Kemudian di atas saluran-n dibuat implant

Gate dan subtrat disambungkan secara

Daerah deplesi sudah terbentuk sejak

Ketika itu elektron-elektron bebas

 Oleh karena “dioda” gate-

VGG Sebelum dan setelah

Sebelum diberi panjar negatif,

The 2N3819 is a low-cost, all-purpose JFET

JFET saluran-n dengan tegangan panjar

Arus drain maksimum terjadi ketika

JFET berperilaku seperti sebuah sumber arus ketika

Tegangan VGS yang

disebut VGS cut-off atau

Semua JFET memiliki bentuk kurva

Semua kurva drain vertikal

Semua kurva drain

Jika anda sedang menganalisis suatu rangkaian JFET,

Ada dua jenis MOSFET:

Transistor ini terbuat dari sepotong material

Elektron mengalir dari source ke drain melalui

Simbol MOSFET modus-

Tegangan gate mengontrol

Pada MOSFET modus-deplesi tipe

Ketika tegangan gate nol, VDD

Antara source dan drain tak ada

This is why this kind of transistor is called an enhancement mode

JFET dan MOSFET modus-deplesi diklasifikasikan sebagai

MOSFET modus-perluasan diklasifikasikan sebagai piranti

Piranti-piranti modus-deplesi normalnya dalam keadaan on

Kurva paling bawah adalah kurva VGS(th).

I D  k VGS  VGS (th) 

dimana k adalah konstanta yang bergantung

 Maka diperoleh persamaan dan grafik:

Ketika VGS = 0, MOSFET modus-perluasan

Simbol MOSFET modus-perluasan pada

Kurva-kurva drain ideal untuk

Pada grafik tersebut tampak

Sebagai sumber-arus Sebagai resistor

Pada soal bagian (c) ini, VGS = 5 V

2/19/2013 wildian_unand@yahoo.com atau VDS = 0,54 V 47

Kita asumsikan MOSFET

Kita asumsikan MOSFET

Anda mungkin juga menyukai