UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

DAFTAR ISI
DAFTAR ISI ........................................................................................................................ 1
BAB I : PENDAHULUAN ..................................................................................................... 2
1.1 Latar Belakang .................................................................................................... 2
2.1 Batasan Penulisan .............................................................................................. 2
2.2 Tujuan Penulisan ................................................................................................ 2
BAB II : PEMBAHASAN...................................................................................................... 3
2.1 Konstruksi UJT .................................................................................................... 3
2.2 Rangkaian Ekuivalen UJT .................................................................................... 4
2.3 Karakteristik Kinerja UJT..................................................................................... 5
2.4 Pengaplikasian UJT ............................................................................................. 8
2.4.1 Osilator Relaksasi ........................................................................................ 9
2.4.2 Penyulut pada SCR .................................................................................... 10
BAB III : KESIMPULAN..................................................................................................... 12
DAFTAR PUSTAKA........................................................................................................... 14

2015 || Fitria Septiani 1

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

BAB I : PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Uni Junction Transistor atau UJT untuk sebutan pendeknya, adalah perangkat
solid tiga terminal yang dapat digunakan dalam gerbang pulsa, timing sirkuit dan
aplikasi pemicu generator untuk switch dan mengendalikan baik thyristor dan TRIAC
untuk jenis aplikasi kontrol daya AC.
Menurut artikel resmi pada ElectronicsTutorials, UJT memiliki nama transistor,
namun karakteristik switching pada UJT sangat berbeda dari FET karena tidak dapat
digunakan untuk memperkuat sinyal melainkan digunakan sebagai transistor switching
on-off. UJT memiliki konduktivitas searah dan karakteristik impedansi negatif yang
bertindak lebih seperti tegangan variabel pembagi selama breakdown.

2.1 Batasan Penulisan

Adapun hal-hal yang dibahas pada makalah ini ialah :
1. Apa itu UJT?
2. Bagaimana konstruksi dari sebuah UJT?
3. Bagaimana karakteristik yang dimiliki UJT?
4. Apa contoh aplikasi dari UJT?

2.2 Tujuan Penulisan

Tujuan penulisan makalah ini ialah :

1. Mengetahui piranti semikonduktor UJT.

2. Memahami konstruksi dari UJT.
3. Memahami karakteristik yang dimiliki UJT.
4. Mengetahui contoh aplikasi UJT.

2015 || Fitria Septiani 2

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

BAB II : PEMBAHASAN
2.1 Konstruksi UJT
UJT (Uni Junction Transistor) merupakan piranti semikonduktor yang dikenal
sebagai dioda berbasis ganda (double base diode). Sama halnya dengan dioda, UJT
bekerja dengan prinsip junction atau sambungan yang terbentuk dari interaksi
(konduksi) hole dengan elektron antara bahan semikonduktor tipe P dan N. Pembeda
UJT dari dioda ialah komposisi bahan semikonduktor penyusunnya, dimana penyusun
pada UJT terdiri dari sebuah batang semikonduktor tipe N berdoping rendah (resistansi
tinggi, disebut dengan N channel) dan bahan tipe P berdoping tinggi dalam bagian yang
kecil, ditumbukkan di salah satu sisinya (disebut dengan P+).

Gambar 1. Tampilan Fisik Piranti UJT

Bagian P mempunyai satu terminal yang disebut emitor dan pada
semikonduktor tipe P (channel) terdapat dua terminal yaitu B1 dan B2. B1 dan B2 disebut
basis. Terdapatnya dua terminal basis pada UJT menyebabkan UJT dikenal sebagai
double base diode (diode berbasis ganda).

(a) (b)

Gambar 2. (a) Simbol UJT, (b) Konstruksi UJT

Sumber : http://www.electronics-tutorials.ws/power/unijunction-transistor.html

2015 || Fitria Septiani 3

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

Simbol pada UJT hampir mirip dengan FET (Field Effect Transistor), pembedanya
ada pada gate yang tidak berupa panah lurus tetapi berupa panah miring pada UJT dan
tidak disebut gate tetapi emitor, kedua terminal lainnya pada UJT disebut basis (B1 dan
B2) tetapi pada FET disebut dengan source dan drain.

2.2 Rangkaian Ekuivalen UJT

Pada konstruksi UJT telah diketahui bahwa konstruksi UJT seperti dioda dengan
dua buah basis, yakni terdiri dari sebuah batang tipe N terdoping ringan dengan sebuah
bagian kecil tipe P terdoping berat yang tergabung didalamnya. Rangkaian ekuivalen
sederhana dari piranti UJT ditunjukkan pada Gambar 3.

Gambar 3. Rangkaian Ekuivalen Sederhana UJT

Sumber : http://www.electronics-tutorials.ws/power/unijunction-transistor.html
Rangkaian setara pada Gambar 3 menunjukkan bahwa channel tipe N pada
dasarnya terdiri dari dua resistor terhubung seri RB2 dan RB1 dengan dioda (ideal) D di
dekat terminal emitor (mewakili P-N junction) yang terhubung ke titik pusat kedua
resistor. Emitor P-N junction mempunyai posisi yang telah ditentukan dalam channel
selama proses pembuatan device dan tidak dapat diubah-ubah keberadaannya.
Resisntansi RB1 terletak di antara E (emitor) dan terminal B1 dan RB2 terletak di
antara E dan terminal B2. Seperti pada posisi fisiknya, persimpangan P-N lebih dekat
dengan terminal B2 daripada terminal B1 sehingga nilai resistansi RB2 akan lebih kecil

2015 || Fitria Septiani 4

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

dibandingkan dengan RB1. Pada bagian bawah (RB1) dinyatakan dengan resistor variabel
dikarenakan nilai resistansi akan berubah ketika beroperasinya device, bergantung dari
bias antara emitor dengan basis.
Total resistansi dari batang tipe N (resistansi Ohmic-nya) akan tergantung pada
tingkat doping semikonduktor yang sebenarnya, sebagaimana dimensi fisik dari saluran
tipe N. Resistansi Ohmic ialah resistansi di antara B1 dan B2 ketika emitor dalam
keadaan rangkaian terbuka, dinyatakan dengan nilai RBB (interbase resistance atau
resistansi antarbasis) dimana RBB sama dengan RB2+RB1. Jika diukur dengan ohmmeter,
resistansi statis ini biasanya terukur pada rentang sekitar 4 k hingga 10 k untuk
tipikal paling umum dari UJT, seperti 2N1671, 2N2646 atau 2N2647.

2.3 Karakteristik Kinerja UJT

Tegangan yang diberikan diantara kedua basis ketika emitor dalam keadaan
terbuka disebut dengan VBB. Tegangan VBB akan terbagi oleh RB1 dan RB2 sebagaimana
rangkaian seri bekerja. Sehingga, pada titik tengah akan terdapat nilai tegangan yang
sesuai dengan nilai dari RB1 dan RB2.
1 1
1 = =
1 + 2
1 1 1
= = = (Intrinsic-stand-off ratio) ;
1 + 2

Sehingga, 1 =
Tegangan yang ada pada RB1 dinyatakan dengan V1 yang sama dengan RB1
dibagi dengan RBB dikali VBB. Rasio antara V1 dengan VBB yang setara dengan RB1 per RBB
disebut intrinsic-stand-off ratio (nisbah hambatan basis intrinsik), dinyatakan dengan
simbol eta (), merupakan salah satu parameter dari piranti UJT. Nilai dari biasanya
ada pada rentang 0,51 sampai 0,82. Ini berarti junction tipe P akan terbentuk sekitar di
titik tengah channel atau diatasnya (lebih dari setengahnya).

2015 || Fitria Septiani 5

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

Tegangan VBB pada RB1 membias mundur (reverse bias) dioda. Oleh karena itu,
arus pada emitor bernilai 0 (nol). Pada dioda, di antara P+ dan N tepat melalui junction,
nilai tegangannya akan bergantung pada VBB.
Karakteristik UJT didapat dari keadaan ketika sumber tegangan diberikan antara
terminal emitor (E) dengan terminal basis V1 (ground) yang diberikan secara meningkat
besarnya hingga batas tertentu.
Ketika supply tegangan diberikan antara terminal E dengan B1, arus tidak akan
mengalir melaluinya hingga supply tegangan mencapai nilai tegangan threshold (VT )
untuk dioda agar terbias maju. Jika dioda silikon, tegangan yang harus diberikan pada
sisi P (emitor) harus lebih 0,7 Volt dari tegangan yang ada di sisi lain (katoda) dioda,
yang merupakan VBB, untuk menjadikan dioda ekuivalen dalam kondisi bias maju.
Pada kondisi bias maju, hole-hole dan elektron-elektron saling bertukar pada junction,
terjadi konduksi dan arus pun lewat dari emitor ke ground (B1) dan itulah sebab RB1
nilainya dapat berubah-ubah.
Karakteristik UJT serupa dengan karakteristik dioda hingga switching terjadi.
Berikut Gambar 4 merupakan sirkuit ekuivalen UJT, dengan VEB merupakan tegangan
antara terminal E dengan B1 seperti yang dijelaskan sebelumnya.

Gambar 4. Sirkuit Ekuivalen UJT

http://www.circuitstoday.com/wp-content/uploads/2009/09/UJT-Symbol-and-
Construction.jpg

2015 || Fitria Septiani 6

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

Untuk mengukur karakteristik UJT diperlukan pengukuran pada IE, VE, VB dan VBB.
Sambungkan power supply VBB dan monitor tegangan antara basis dan ground yang
terhubung dengan B1 (VB). Monitor arus pada emitor (IE) dengan menyambungkan
ammeter secara seri dengan emitor lengkap dengan resistor (RE) untuk melindungi
sambungan emitor-basis (karena ketika terbias maju, arus yang tersalurkan sangat
besar dan harus dibatasi), serta monitor sumber tegangan yang menuju emitor (VE),
yaitu tegangan antara emitor dengan B1.

Gambar 5. Rangkaian Pengukuran Karakteristik UJT

Sumber : https://www.youtube.com/watch?v=BgmxbJhszrw&list=WL&index=16
Karakteristik UJT menunjukkan ciri yang sama ketika mencapai kondisi bias maju
dengan karakteristik dioda (karakteristik yang biasanya tergambar dalam grafik arus
pada sumbu vertikal dan tegangan pada sumbu horizontal). Beda karakteristik UJT
dengan dioda terletak pada kondisi ketika tegangan belum mencapai VBB + VT, dimana
UJT terbias mundur dan tidak melewatkan arus (tahapan inisial). Karakteristik UJT biasa
digambarkan dalam grafik tegangan (VE) pada sumbu vertikal dan arus (IE) pada sumbu
horizontalnya.
Tahapan inisial pada UJT terjadi sampai dengan tegangannya mencapai nilai
threshold ketika VBB + VT dioda yang disebut sebagai tegangan puncak VP. Ketika
melewati VP, tegangan emitor turun dan arus meningkat sedikit, kemudian serupa
dengan karakteristik dioda ketika melampaui titik lembah (valley point). Berikut
Gambar 6 menunjukkan kurva karakteristik UJT. IP menunjukkan nilai arus ketika
mencapai VP (terbias maju) dan IV, Vv menunjukkan nilai arus dan tegangan ketika

2015 || Fitria Septiani 7

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

tegangan emitor pada titik terendah karena penurunan yang diakibatkan bias maju
sebelum tegangan dan arusnya terus menerus naik (dalam keadaan saturasi). Adapun
wilayah dengan resistansi negatif dimana arus akan naik sejalan dengan tegangan yang
turun.

Gambar 6. Kurva Karakteristik UJT

Sumber : http://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-
7/unijunction-transistor-ujt/
Variasi VBB pada UJT menunjukkan bahwa besar VBB yang diberikan akan sejalan
pengaruhnya pada VP. Ketika VBB naik, VP pun naik begitupun ketika VBB diturunkan, VP
akan turun. Hal ini terjadi karena VP tergantung pada VBB.

2.4 Pengaplikasian UJT

Penggunaan UJT sangat bermanfaat pada osilator relaksasi. Selain penggunaan
pada osilator relaksasi, penggunaan UJT yang paling penting (merupakan aplikasi
umumnya) ialah sebagai penyulut thyristor (seperti SCR, TRIAC, dll). Faktanya, tegangan
DC dapat digunakan untuk mengendalikan sirkuit UJT karena waktu hidup piranti
meningkat sesuai dengan peningkatan tegangan kendali DC. Penggunaan ini penting
untuk pengendalian AC arus tinggi.

2015 || Fitria Septiani 8

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

2.4.1 Osilator Relaksasi

Pembuatan sebuah osilator cukup dengan adanya 3 atau 4 komponen
eksternal dan UJT. Osilator sendiri adalah suatu rangkaian yang menghasilkan
keluaran yang amplitudonya berubah-ubah secara periodik dengan waktu.
Keluarannya bisa berupa gelombang sinusoida, gelombang persegi, gelombang
pulsa, gelombang segitiga atau gelombang gigi gergaji. Keluaran (output) dari
osilator UJT berupa gigi gergaji. Gambar 7 menunjukkan penggunaan UJT
sebagai osilator relaksasi dengan keluaran gelombang berupa gigi gergaji.

Gambar 7. Aplikasi UJT pada Osilator Relaksasi

Sumber : http://allaboutcircuits.com
Adanya RE menjadikan CE dalam kondisi pengisian (charge) hingga
kondisi UJT mencapai titik puncaknya. Terminal emitor UJT tidak berpengaruh
pada kapasitor sampai titik ini tercapai. Setelah tegangan kapasitor, V E,
mencapai titik puncak tegangan VP, resistansi E-B1 dengan cepat menjadikan
kapasitor discharge ( kondisi pelepasan). Setelah pelepasan kapasitor hingga
berada di bawah titik lembah (VV), resistansi E-B1 beralih kembali ke nilai yang
tinggi, dan kapasitor berada dalam kondisi pengisian lagi.
Selama kapasitor discharge melalui resistansi saturasi E-B1, sinyal (pulsa)
dapat dilihat pada beban eksternal resistor B1 dan B2, Resistor beban di B1 perlu

2015 || Fitria Septiani 9

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

bernilai rendah agar tidak mempengaruhi waktu pelepasan kapasitor. Resistor

eksternal di B2 bersifat opsional, dapat digantikan oleh hubungan pendek (short
circuit) saja. Frekuensi perkiraan ditentukan oleh 1/f = T = RC. Perhitungan
frekuensi yang lebih akurat ditunjukkan pada Gambar 7.
Pengisian resistor RE harus berada dalam batas-batas tertentu, harus
cukup kecil untuk memungkinkan IP mengalir berdasarkan pasokan VBB kurang
dari VP. Ini harus cukup besar untuk memasok IV berdasarkan pasokan VBB
kurang dari VV. Contoh persamaan untuk penggunaan UJT 2N2647 ialah :

2.4.2 Penyulut pada SCR

Penyulut pada SCR setelah periode yang telah ditentukan terlebih
dahulu merupakan aplikasi umum dari UJT.

Gambar 8. UJT sebagai Pemicu SCR

Sumber : http://www.talkingelectronics.com/projects/UJT/UJT_Page.html

2015 || Fitria Septiani 10

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

Beban akan tetap aktif (SCR akan tetap "terpicu") dan tegangan supply
harus dihilangkan untuk de-energi beban. Dengan desain mikrokontroler, hal ini
dapat dilakukan lebih mudah dengan chip.
Adapun pengaplikasian UJT pada rangkaian multivibrator tone yang
ditunjukkan pada Gambar 9 berikut yang menunjukkan up-side-down
multivibrator menyalakan sirkuit tone, dimana UJT dapat dibuat on dan off
dengan mengontrol charging resistor 47 k.

Gambar 9. Multivibrator Tone Circuit

Sumber : http://www.talkingelectronics.com/projects/UJT/UJT_Page.html
Hal yang perlu diingat dalam penggunaan UJT untuk aplikasi-aplikasi
tersebut ialah harganya yang tidak murah dibandingkan komponen lainnya dan
produksinya yang cukup jarang pada masa-masa kini harus menjadi bahan
pertimbangan untuk merancang piranti-piranti elektronik dengan menggunakan
UJT.

2015 || Fitria Septiani 11

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

BAB III : KESIMPULAN

UJT (Uni Junction Transistor) merupakan piranti semikonduktor yang dikenal
sebagai dioda berbasis ganda (double base diode). Konstruksi UJT terdiri dari
sebuah batang semikonduktor tipe N berdoping rendah (resistansi tinggi,
disebut dengan N channel) dan bahan tipe P berdoping tinggi dalam bagian
yang kecil, ditumbukkan di salah satu sisinya (disebut dengan P+).
Salah satu parameter dari UJT ialah intrinsic-stand-off ratio (nisbah
hambatan basis intrinsik), dinyatakan dengan simbol eta () yang dinyatakan
sebagai berikut :
1 1 1
= = =
1 + 2

Karakteristik UJT ditunjukkan dengan kurva sebagai berikut.

Dimana karakteristik UJT menunjukkan ciri yang sama ketika mencapai

kondisi bias maju dengan karakteristik dioda (karakteristik yang biasanya
tergambar dalam grafik arus pada sumbu vertikal dan tegangan pada sumbu
horizontal). Beda karakteristik UJT dengan dioda terletak pada kondisi ketika
tegangan belum mencapai VBB + VT, dimana UJT terbias mundur dan tidak
melewatkan arus (tahapan inisial). Karakteristik UJT biasa digambarkan
dalam grafik tegangan (VE) pada sumbu vertikal dan arus (IE) pada sumbu

2015 || Fitria Septiani 12

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

horizontalnya. Adapun pada UJT wilayah dengan resistansi negatif dimana

arus akan naik sejalan dengan tegangan yang turun, hal ini sangat berguna
dalam penerapan osilator relaksasi.
Penggunaan UJT sangat bermanfaat pada osilator relaksasi. Selain
penggunaan pada osilator relaksasi, penggunaan UJT yang paling penting
(merupakan aplikasi umumnya) ialah sebagai penyulut thyristor (seperti
SCR, TRIAC, dll). Faktanya, tegangan DC dapat digunakan untuk
mengendalikan sirkuit UJT karena waktu hidup piranti meningkat sesuai
dengan peningkatan tegangan kendali DC. Penggunaan ini penting untuk
pengendalian AC arus tinggi. Namun, penggunaan UJT untuk aplikasi-aplikasi
tersebut perlu dipertimbangkan karena harganya yang tidak murah
dibandingkan komponen lainnya dan produksinya yang cukup jarang pada
masa-masa kini.

2015 || Fitria Septiani 13

 UJT (Uni Junction Transistor) Elektronika Daya I

DAFTAR PUSTAKA
Admin. Unknown. Uni Junction Transistor, http://www.electronics-
tutorials.ws/power/unijunction-transistor.html
Admin. Unknown. Uni Junction Transistor.
http://www.electricalengineeringinfo.com/2014/06/unijunctiontransistor.html#
Admin. Unknown. The UJT Transistor,
http://www.talkingelectronics.com/projects/UJT/UJT_Page.html
Kustija, Juju. 2010. Modul Mekatronika. Bandung: Universitas Pendidikan Indonesia.
Natarajan, T. S. 2008. Lecture 38 : Uni Junction Transistor. Madras: IIT Madras.
Paragya. 2015. Transistor UJT, http://paragyamd.blogspot.co.id/2015/01/transistor-
ujt.html
Rashid, Muhammad H. 1993. Power Electronics: Circuits, Devices and Applications, 2nd
Ed. New Jersey: Prentince Hall Inc.

2015 || Fitria Septiani 14