UJT (Uni Junction Transistor)

Uni Junction Transistor (UJT) merupakan komponen semikonduktor yang terdiri atas
hubungan PN. Tipe P dihubungkan dengan Emitor, sedangkan tipe N membentuk Basis B1
dan B2. Komponen ini dikenal dengan nama Dioda Dua Basis. Bahan dasar terbuat dari
silikon. Gambar 61(a) menunjukkan susunan dasar UJT.
Kira-kira di tengah batang silikon (materi tipe N) terdapatlah materi tipe P, ini akan bekerja
sebagai emitor E, jadi pada tabung tersebut terdapat junction PN.
Rangkaian pengganti susunan dasar UJT terdapat pada gambar 61 berikut ini :

Gambar
4.16.
Susunan
dasar UJT

(a) Susunan dasar

(b) Rangkaian ekivalen
(c) Simbol

a. Sifat Dasar UJT

Transistor jenis ini dapat dipandang sebagai suatu pembagi tegangan yang terdiri dari dua
buah tahanan berderet yaitu RB1 dan RB2. Adapun pertemuan antara PN bekerja sebagai
dioda. Dioda akan menghantar/konduksi bila diberi tegangan bias maju. (Forward Bias) ,
sebaliknya dioda tidak akan menghantar bila diberi tegangan mundur (Reverse Bias).
b. Karakteristik UJT
UJT hanya mempunyai satu junction PN, sehingga krakteristik dari komponen ini sangat
berbeda dengan komponen yang lain, seperti gambar 62 berikut ini:

Gambar 4.17 Karakteristik UJT

Dari Gambar 62, karakteristik UJT tersebut adalah:

1) Di titik puncak (peak point) Vp dan titik lembah (valley point Vv, lengkung karakteristik
mempunyai kelandaian (slope) = 0. Artinya di titik ini lengkung tidak naik dan juga tidak
tidak turun.
2) Dalam daerah di kiri Vp, tidak mengalir arus emitor I E, sebab antara emitor dan basis 1 ada
tegangan muka terbalik (riverse bias). Daerah di kiri Vp ini dinamai daerah sumbat.
3) Dalam daerah di kanan Vp ada arus emitor, sebab antara emitor dan basis 1 ada tegangan
muka maju (forward bias).
4) Di antara titik-titik Vp dan Vv, kenaikan arus I E menyebabkan turunnya tegangan VE. Ini
berati bahwa dalam daerah ini terdapat perlawanan negatif (tahanan negatif).
5) Setelah melewati titik lembah Vv, kenaikan IE dibarengi dengan kenaikan VE. Daerah ini
dimakan daerah jenuh (saturasi).
6) Dalam hal ini Vp ditentukan oleh:
a) Tegangan antara B1 - B2 .
b) Tegangan muka maju (forward bias) di antara emitor dan basis B 1 atau tegangan pada
dioda.
c. Prinsip Kerja UJT
Prinsif kerja UJT tidak lain sebagai saklar input dari jenis transisitor, ini diambil ari
Emitor yang mempunyai tahanan. Tahanan ini mempunyai nilai yang cepat enurun jika
tegangan input naik sampai level tertentu. Rangkaian ekivalennya dapat ilihat pada
gambar 63 berikut ini:

Gambar 4.18 . Rangkaian ekivalen UJT

Cara Kerja UJT

1) Tahanan antara emitor dengan basis 1 yaitu RB1 dan antara emitor dengan basis 2 dalah
RB2. Jumlah kedua tahanan ini disebut tahanan antar basis (interbase esistant) R BB. RBB
= RB1 + RB2 , R1B > RB2
Nilai dari RB1 berbanding terbalik terhadap arus emiter IE, sehingga dipasangresistor
variabel.
2) RB1 dan RB2 merupakan pembagi tegangan, sehingga tegangan pada RB1 adalah :
VRB1 = RB1 / RBB x VBB
2) Antara terminal-terminal B1-B2 diberi tegangan VB1 B2 = 9 Volt. Maka terjadilah
pembagian tegangan anatara RB1 dan RB2.
Seperti gambar 63, cara kerjanya adalah sebagai berikut:

1) Mula-mula tegangan catu pada emiter sama dengan nol, maka dioda emitter berada
dalam keadaan Reverse bias. Bila tegangan ini diperbesar maka V E akan ikut
bertambah besar, tetapi emiter tidak akan menghantar sebelum VE >VB1 + Vk.( Vk =
Knee Voltage dari Dioda tersebut).
2) Setelah VE > VB1 + Vk, maka dioda dalam keadaan Forward bias dan mulai
menghantar. Oleh kerena daerah P mendapat doping yang berat, sedangkan daerah N
mendapat doping yang ringan, maka pada saat forward bias banyak hole dari daerah P
ini yang tidak dapat berkombinasi dengan elektron bebas dari daerah N
3). Hole-hole tersebut akan merupakan suatum pembawa muatan positif pada daerah
basis 1` (B1) terjadi hubung singkat.
4). Dari sini jelas bahwa Emitor pada UJT berfungsi sebagai saklar dan saklar ini akan
tetap tinggal tertutup selama arus Emitor masih lebih besar dari suatu harga tertentu
yang disebut "Valley Curent.
4. PUT (Programmable Unijunction Transistor)
PUT adalah Uni Junction Transistor yang diprogram. Programmable Unijuntion Transistor
berguna dalam pembuatan osilator dengan tegangan yang dapat di Kendalikan

Gambar 4.19
Konstruksi dasar dan Simbol PUT

Gerbang ini selalu dipanjar positif terhadap katodanya. Bila anoda mendapat tegangan
gerbang sekitar 0,7 volt maka junction PN menjadi forward bias dan PUT menjadi on,
sedang bila tegangan anodanya jatuh dibawah level ini maka PUT menjadi off.
a. Prinsip Kerja dan Karakteristik PUT
Gerbang ini dapat dipanjar sesuai tegangan yang diperlukan dengan memakai
memakai pembagi tegangan, bila tegangan anodanya mencapai level yang telah
diprogramkan ini, maka PUT akan on.

Gambar 4.20 (a) Contoh rangkaian panjar PUT

(b) Kurva karakteristik PUT

Karakteristik dari PUT ini sama seperti UJT sehingga PUT dapat dipakai sebagai
pengganti UJT. Salah satu sirkitnya adalah sbb :

Gambar 4.21
. Rangkaian UJT (a) Rangkaian (b) Bentuk Output

Prinsip kerjanya sebagai berikut:

Gerbangnya dipanjar pada tegangan + 9 V dengan menggunakan pembagi tegangan R2
danR3. Apabila sumber Dc dihubungkan, PUT masih dalam keadaan off dan kapasitor
mengisi muatan sampai + 18 volt melalui R1. Apabila tegangan kapasitor sudah
mencapai nilai VG + 0,7 volt maka PUT konduksi (On) dan kapasitor akan
mengosongkan muatan dengan cepat melalui tahanan dari PUT yang rendah terus ke
R4 selama pengosongan ini. Kejadian ini akan berulang sesuai waktu pengisian dan
pengosongan kapasitor.