Nama : Indah Darapuspa

Nim : 10211008
PR 2 Nanoelektronik dan Nanosistem

Karakterisasi dari Nanolayer

1. Karakterisasi Ketebalan dan Kekasaran Permukaan
Admittance bridge
Sebuah dioda semikonduktor oksida logam (MOS) diproduksi oleh oksidasi dari Si tipis,
misalnya, dengan ketebalan 10 nm dan penguapan logam pada oksida (struktur ini menjadi
bagian tengah yang disebut transistor MOS). Dari spesifikasi penguapan , luas A dari titik logam
diketahui. Pengukuran ketebalan oksida dilakukan dengan bantuan sebuah jembatan
kapasitansi (Gambar 1). Selain itu, substrat diakumulasi dengan menerapkan tegangan bias.
Modulasi frekuensi jembatan kapasitansi harus serendah mungkin untuk menekan perlawanan
dari sebagian besar silikon. Pilihan yang bagus adalah 200 Hz.Pengukuran kapasitansi disebabkn
oleh oksida tunggal, disebut Cox. Persamaan untuk kapasitor plat sejajar bisa diterapkan untuk
memberikan ketebalan oksida :

dengan A adalah luas dari titik logam dan ox = 3.4 x 10-13 F/cm.

Gambar 1. Pengukuran lapisan oksida dengan admittance bridge

Michelson Interferometer Measurements

Hal ini mensyaratkan bahwa film dapat tergores secara lokal sedemikian rupa sehingga
pinggiran tajam berkembang dan ketebalan yang tepat dari film yang akan diukur dipindahkan
pada posisi tergores. Kasus ini sering dilakukan, misalnya, jika SiO2 digores dengan HF dengan
selektifitas yang tinggi terhadap Si. Kasus lainnya adalah lapisan tipis lightly-doped silicon pada
pembawa berat doped silicon. Permukaan dibuat reflektif oleh penguapan logam dan
dimasukkan ke dalam interferometer Michelson seperti ditunjukkan pada Gambar 2. Dua set
paralel terang dan gelap pinggiran interferensi muncul, bergeser terhadap satu sama lain.
Dengan demikian ketebalan film d diberikan oleh persamaan :

Gambar 2. Interferometer Michelson

Scanning Tunneling Microscopy (STM)

Pada STM, permukaan material konduksi dilapisi dengan awan elektron, yang
kepadatannya berkurang dengan meningkatnya jarak dari permukaan. Jika tip logam dalam
jarak yang dekat dengan permukaan, arus mengalir antara ujung dan permukaan. Aliran arus
dimulai dari jarak sekitar 1 nm, dan berkurang dengan faktor 10 untuk setiap pengurangan jarak
0,1 nm. Fenomena ini dapat digunakan untuk presentasi x-y dari tingkat kekasaran. Ketika tip
bergerak lateral, arus konstan dipertahankan dengan mengikuti jarak tip. Pencocokan
diperlukan untuk mengukur tingkat kekasaran. Pencocokan dilakukan dengan piezoelektrik.
Pizoelektrik ini menggantikan tip dengan minimal peningkatan 10-7mm/V.

Atomic Force Microscopy (AFM)

Pada AFM, sistem ini terdiri dari kantilever dengan tip, sensor deviasi , piezoactor, dan
kontrol umpan balik (Gambar 3). Jika tip berada pada jarak yang kecil ke permukaan, gaya
atomik berkembang (terdapat interaksi) antara tip dan permukaan sehingga kantilever ditekuk
ke atas. Regulator A menyimpan gaya konstan ke permukaan sampel. Sinyal input untuk
regulator merupakan sinar laser, yang tercermin oleh kantilever dan yang sensitif terhadap
posisinya.

Gambar 3. Skema dari AFM

Dua gambar dari permukaan lapisan kristal CVD setelah thermochemical polishing
(Gambar 4a dan 4b) diperlihatkan sebagai contoh dari pengukuran. Dengan AFM
memungkinkan untuk menentukan kekasaran permukaan di skala nanometer.

Gambar 4. (a) Gambar SEM dari lapisan Kristal CVD pada kekasaran permukaan pada pengukuran 30 m.
(b) Gambar AFM permukaan yang sama dengan thermochemical polishing dengan kekasaran permukaan
pada pengukuran 1.3 nm.

2. Karakterisasi Kekristalan
Scanning Electron Microscope
Prinsip kerja SEM adalah menscan dengan menggunakan sinar elektron pada
permukaan sampel, yang selanjutnya informasi yang didapatkan diubah menjadi gambar. Cara
terbentuknya gambar pada SEM berbeda dengan apa yang terjadi pada mikroskop optik dan
TEM. Pada SEM, gambar dibuat berdasarkan deteksi elektron baru (elektron sekunder) atau
elektron pantul yang muncul dari permukaan sampel ketika permukaan sampel tersebut discan
dengan sinar elektron. Elektron sekunder atau elektron pantul yang terdeteksi selanjutnya
diperkuat sinyalnya, kemudian besar amplitudonya ditampilkan dalam gradasi gelap-terang
pada layarmonitor CRT (cathode ray tube). Di layar CRT inilah gambar struktur obyek yang
sudah diperbesar bisa dilihat. Pada proses operasinya, SEM tidak memerlukan sampel yang
ditipiskan, sehingga bisa digunakan untuk melihat obyek dari sudut pandang 3 dimensi. SEM
mempunyai resolusi tinggi dan familiar untuk mengamati obyek benda berukuran nano meter.
Meskipun demikian, resolusi tinggi tersebut didapatkan untuk scan dalam arah horizontal,
sedangkan scan secara vertical (tinggi rendahnya struktur) resolusinya rendah.
Transmission Electron Microscopy
Prinsip kerja TEM adalah menembakkan elektron ke lapisan tipis sampel, selanjutnya
informasi tentang komposisi struktur dalam sampel tersebut dapat terdeteksi dari analisis sifat
tumbukan, pantulan maupun fase sinar elektron yang menembus lapisan tipis tersebut. Dari
sifat pantulan sinar elektron tersebut juga dapat diketahui struktur kristal maupun arah dari
struktur kristal tersebut. Untuk observasi TEM ini, sampel perlu ditipiskan sampai ketebalan
lebih tipis dari 100 nanometer. Dan ini bukanlah hal yang mudah, perlu keahlian dan alat secara
khusus. Obyek yang tidak bisa ditipiskan sampai orde tersebut akan sulit diproses oleh TEM ini.
Dalam pembuatan divais elektronika, TEM sering digunakan untuk mengamati
penampang/irisan divais dan sifat kristal yang ada pada divais tersebut. Dalam kondisi lain, TEM
juga digunakan untuk mengamati irisan permukaan dari sebuah divais.

3. Karakterisasi Komposisi Kimia

Spektroskopi massa ion sekunder (SIMS) biasanya dilakukan untuk mendeteksi
ketidakmurnian dan profil mereka di keadaan padat. Ion primer (PI) dari sumber ion (IS)
dipercepat menuju sampel (SP) untuk mengetuk atom-atom pada permukaan. Proses ini
disebut sputtering. Beberapa ion yang sputter akan dipercepat, mereka dapat ditarik keluar
menuju spektrometer massa (MS) untuk dianalisis. Pada dasarnya, SIMS dapat dioperasikan
dalam dua cara: (i) Komposisi (lebih tepatnya, pada zona permukaan) ditentukan oleh analisa
dari ion sekunder. Hal ini dilakukan oleh spektrometer massa . (ii) Jika spektrometer diset
terhadap kedalaman pada massa tetap, pengukuran intensitas vs waktu sputtering merupakan
pengukuran dari ketidakmurnian massa jenis vs kedalaman. Sampel terkalibrasi digunakan
untuk transformasi pada sinyal ion (arus dari prosesor sinyal) menjadi massa jenis ion. Tingkat
ionisasi sangat tergantung pada cakupan gas pada sampel. Khususnya, oksigen yang dapat

meningkatkan tingkat ionisasi hingga faktor 100. Oleh karena itu, proses sputtering dikerjakan
dengan menggunakan oksigen dalam beberapa sistem. Jika tidak, selalu ada efek awal, contoh
lebih tingginya konsentrasi atom asing pada permukaan karena alokasi oksigen yang tidak dapat
dihindari. Gas mulia digunakan sebagai ion primer. Pemilihan energi primer dapat disesuaikan.
Di satu sisi, butuh energi yang cukup besar untuk sputtering. Di sisi lain, energi terlalu tinggi
hanya menyebabkan implantasi ion dan hasil sputtering kecil. Energi SIMS berkisar dari 5
sampai 10 keV.

Gambar 5. Skema sistem SIMS