Chemical Vapor Deposition (CVD)

CVD adalah proses reaksi secara kimia dari campuran material yang mudah menguap untuk
dideposisikan dengan gas lainnya, untuk menghasilkan padatan yang tidak mudah menguap dan
mendeposisikan di atas substrat.

5.5.1. Macam-macam Reaksi Kimia

Reaksi fase gas (reaksi homogeny) dan reaksi pada permukaan (reaksi heterogen)
digabung. Reaksi fase gas sangat tergantung pada kenaikan temperature dan tekanan parsial
dari reaktan. Consentrasi yang sangat tinggi akan mengakibatkan terjadinya reaksi fase gas
atau reaksi homogeny, sedangkan jika ingin mendapatkan film dengan kualitas yang bagus,
reaksi homogeny harus dihindari. Beberapa jenis reaksi kimia dapat dikelompokkan menjadi
pyrolysisi, reduction, oxidation dan lain lain tergantung pada precursor yang digunakan dan
kondisi pada saat deposisi. Beberapa contoh reaksi kimia yang dimaksud dapat dilihat sebagai
berikut :
(A) Pirolisis atau dekomposisi termal
SiH4 (g) → Si(s) + 2H2 (g) at 650o C Persm. 1
Ni(CO)4 (g) → Ni(s) + 4CO(g)at 180o C Persm. 2
(B) Reduction
SiCl4 (g) + 2H2 (g) → Si(s) + 4HCl(g)at 1200o C Persm. 3
WF6 (g) + 3H2(g) → W(s) + 6HF(g)at 300o C Persm. 4
(C) Oxidation
SiH4 (g) + O2 (g) → SiO2 (s) + 2H2 (g)at 450o C Persm. 5
4PH3 (g) + 5O2 (g) → 2P2 O5 (s) + 6H2 (g)at 450o C Persm. 6
(D) Compound formation
SiCl4 (g) + CH4 (g) → SiC(s) + 4HCl(g)at 1400o C Persm. 7
TiCl4 (g) + CH4 (g) → TiC(s) + 4HCl(g)at 1000o C Persm. 8
(E) Disproportionation
2GeI2 (g) → Ge(s) + GeI4 (g)at 300o C Persm. 9
(F) Reversible transfer
As4 (g) + As2 (g) + 6GaCl(g) + 3H2 (g)
Persm. 10
→ 6GaAs(s) + 6HCl(g)at 750o C
Dalam proses CVD, kita bisa menggunakan beberapa jenis reaktan atau precursor untuk
masing-masing reaksi kimia.Contohnya adalah film silica. Dan juga dari precursor dan

1
 reaktan yang sama, film yang berbeda dapat dideposisikan dengan syarat perbandingan antara
precursor dan reaktan divariasikan.

5.5.2. Reaksi Kinetik

Walaupun CVD adalah proses yang tidak seimbang yang dikontrol oleh gerak kimia dan
perpindahan fenomena, analisis keseimbangan masih dibutuhkan dalam memahami proses
CVD ini. Reaksi kimia dan fase keseimbangan menentukan kemungkinan dari setiap proses
dan keadaan akhir yang dicapai. Lintasan atau jalur gerak reaksi menjadi dasar yang harus
diperhatikan.

5.5.3. Fenomena Transport

Transport phenomena memainkan peran yang penting pada proses CVD yang
memberikan akses atau jalan pada precursor film menuju substratnya dan dengan
mempengaruhi jumlah reaksi yang diinginkan ataupun yang dihindari sebelum proses
deposisi. Geometri reactor yang komplek dan karakteristik gradient termal yang tinggi besar
dari prose CVD akan memberikan pengaruh terhadap ketebalan, keseragaman composisi dan
level pengotor. Pada umumnya kecepatan gas pada proses CVD cukup rendah yaitu kecil 100
cm/sec dan alirannya bersifat laminar. Proses deposisi untuk area film yang luas, proses
penipisan dari spesies tumbuh atau reaktan di atas permukaan tumbuh bisa menghasilkan
ketidakseragaman deposisi film. Untuk menghindari hal tersebut, maka dirancang beberapa
reactor untuk meningkatkan jumlah gas yang dipindahkan dan melewati lapisan pembatas.

5.5.4. Metode CVD

Beberapa metode CVD dan reactor CVD sudah dikembangkan, tergantung pada tipe
precursor yang digunakan, kondisi deposisi yang diterapkan dan bentuk dari energy yang
digunakan terhadap sistem untuk mengaktifkan reaksi kimia yang diinginkan untuk deposisi
film padat di atas substrat. Reaktor CVD secara umum dibagi menjadi dinding panas dan
dinding dingin. Dinding panas reactor CVD berbentuk tubular. Pada dinding dingin CVD
reactor, substrat secara langsung dipanaskan secara induksi suseptor grafit. Sedangkan
ruangnya diisi udara dan air yang didinginkan.
Untuk menumbuhkan filim tipis diatas sebuah substrat planar, metoda CVD telah
dimodifikasi dan dikembangkan untuk mendeposisikan fase padat dari precursor gas. Metode
deposisi yang terkenal adalah electrochemical deposition (EVD) dan vapor infiltration (CVI).
Proses CVI membutuhkan temperature dari 8500C sampai 11000C dan lama deposisi 7-10
jam.
2