Kul Semikonduktor Modul 1 PDF
Kul Semikonduktor Modul 1 PDF
KULIAH SEMIKONDUKTOR
1
dipakai adalah silikon dan germanium yang memiliki Eg berturut-turut 1,21 eV dan
0,785 eV pada suhu 0 K. Energi sebesar itu biasanya tak dapat diperoleh dari medan yang
diterapkan. Oleh karena pita valensi tetap penuh dan pîta konduksi kosong sehingga pada
suhu tersebut bahan bersifat isolator. Apabila temperatur dinaikkan sebagian elektron
valensi memperoleh panas termal yang lebih besar dari Eg, oleh karena itu elektron-
elektron itu memasuki pita konduksi sebagai elektron hampir bebas dan meninggalkan
hole di pita valensi. Bahan tersebut bersifat sebagai konduktor dengan pembawa
muatannya berupa elektron dan hole.
Pita
Pita Konduksi
Konduksi
Pita
Eg=6eV
terlarang Eg=1eV
Pita
Valensi
Pita
Valensi
(a) (b) (c)
Gambar 2. Struktur pita energi (a). Logam (konduktor)
(b). Isolator dan (c). Semikonduktor
Seperti telah diuraikan di atas, bahwa bahan Semikonduktor adalah bahan dengan
energi gap sekitar 1- 2 eV. Bahan ini pada suhu nol kelvin bersifat isolator, jika suhu
dinaikkan maka terjadi generasi elektron -hole termal sehingga bahan berubah menjadi
konduktor.
Jenis jenis semikonduktor:
1. Semikonduktor intrinsik terdiri dari atom-atom gol IV sistem periodik : Silikon (Si)
dan Germanium (Ge)
2. Semikonduktor ekstrinsik yang dapat berasal dari intrinsik dengan diberi pengotor
atom lain dan
3. semikonduktor bahan campuran yang dapat berasal dari :
a. Biner : III - V; III - VI ; II – VI
b. Terner : II – III - VI
c. Quarterner : II – III – III – VI
IIIA IVA VA VIA
B C N O
IIB Al Si P S
Zn Ga Ge As Se
Cd In Sn Sb Te
Hg Tl Pb Bi Po
2
I.3. DIAGRAM STRUKTUR PITA
Pada pembahasan terdahulu telah dijelaskan bahwa elektron-elektron yang saling
berikatan kovalen akan menghasilkan pita konduksi saat mereka dalam keadaan anti
bonding dan menghasilkan pita valensi saat dalam keadaan bonding. Penggambaran
struktur pita dapat dinyatakan dalam beberapa jenis semikonduktor.
a. Semikonduktor (tak murni) tipe -n.
Atom-atom Golongan V pada tabel periodik menggantikan gol IV, sehingga di sekitar
gol V ikatannya sbb:
1. Hanya ada 4 elektron dari gol V yang dibutuhkan untuk membentuk ikatan
KOVALEN, sehingga di sekitar ion golongan V bermuatan +
2. Elektron kelebihan akan menjauh , akan tetapi masih terikat oleh gaya coulomb,
oleh karena itu membentuk sistem struktur atom H
4+
Pita Konduksi
-e
Pita Valensi
4+
b. Semikonduktor tipe-p
Dalam semikonduktor tak murni tipe p, ketidakmurnian dari gol III.
Ion mempunyai massa yang relatif berat bermuatan negatif dan lubang mempunyai massa
efektif kecil berada pada pita valensi.
Dalam keadaan bebas hole dapat bergerak dalam pita valensi.
4+
Pita Konduksi
+
-
4+ 3+
4+
Tingkatan energi AKSEPTOR
Pita Valensi
4+ lintasan hole
3
I. 4. RAPAT PEMBAWA PADA SEMIKONDUKTOR
a. Distribusi elektron
Dalam Fisika Statistik telah dikenal fungsi distribusi fermi-Diract ( elektron termasuk
fermion) yang dapat dinyatakan:
1
f (E) yang bentuk garfiknya seperti pada gambar 3
E EF
1 exp
kT
f(E)
T=0
T 0
E (eV)
E=EF
Konsentrasi pembawa muatan n diperoleh dengan melakukan integrasi sbb:
n N(E)f (E) dE
3/ 2
2m
N(E) adalah rapat keadaan dan besarnya 4 2 n E1 / 2 dan f(E) fungsi distribusi Fermi
h
Diract di atas. Batas integrasi adalah nilai minimum pita konduksi (diambil saja 0) sampai
nilai maksimum pita konduksi (Em).
Selanjutnya diambil pendekatan terhadap f(E):
Untuk E-EF > 3 kT dapat didekati f(E) = exp(E - EF)/kT dan
Untuk E - EF < - 3kT ,maka f(E) = 1 - exp(E - EF)/kT yang tidak lain adalah
probabilitas hole.
4
Dari uraian di atas dapat digambarkan bentuk - bentuk diagram sbb:
E
0 0.5 1.0
N(E) f(E) n(E) dan p(E)
Gambar 4. Semikonduktor intrinsik. (a). Skema diagram pita. (b). Rapat keadaan.
(c). Fungsi distribusi Fermi. (d).Konsentrasi pembawa.
Kemudian dengan melakukan integrasi di atas dengan batas integral dari 0 sampai tak
berhingga ( jelaskan batas integrasi tersebut) dan diperoleh :
E EF 2kT
3/ 2
n = NC exp C dengan NC 2 2
kT
analog untuk hole:
E EF 2kT
3/ 2
p = N V exp C dengan N V 2 2
kT
Tugas: Buktikan dua persamaan terakhir tersebut.
Untuk semikonduktor intrinsik maka p = n = ni dengan ni adalah densitas pembawa intrinsik,
maka diperoleh :
E C E V kT N V
EF = Ei = ln
2 2 N C
E C E V 3kT m p
= ln
2 4 n
m
5
Bila konsentrasi pembawa muatan berbeda dari satu titik ke titik yang lain, arus akan
mengalir meskipun dalam bahan semikonduktor tersebut tidak ada medan listrik
eksternal. Fenomena ini seperti halnya tetesan tinta menyebar dalam air.
Hukum untuk difusi :
C
J=-D
x
dengan J adalah arus partikel, C konsentrasi pembawa muatan, x menyatakan posisi dan
D disebut koefisien difusi.
Elektron/lubang dapat mengalir dalam semikonduktor disebabkan oleh beda konsentrasi,
sehingga timbul arus difusi. Berdasarkan persamaan di atas dapat dinyatakan:
p
Jp = - q Dp dan
x
n
Jn = - q Dn
x
Jp adalah arus yang berasal dari lubang, Jn arus yang berasal dari elektron, Dp,n koefisien
difusi hole dan elektron, q muatan pembawa, n,p adalah rapat elektron dan lubang.
Dengan demikian rapat arus total pada semikonduktor merupakan jumlahan dari arus
hanyut dan arus difusi, sehingga :
n
Jn = q n n E + q Dn dan
x
p
Jp = q p n E + q Dp
x
Pembahasan lebih dalam untuk kedua arus di atas akan dibicarakan pada bab berikutnya.
6
I.6. ARAS FERMI PADA SEMIKONDUKTOR.
Seperti telah dibahas sebelumnya bahwa elektron mengikuti statistik Fermi- Diract, maka
dapat dihitung banyaknya pembawa muatan n (elektron) adalah :
n = n N(E)f (E) dE
Jika diambil batas integrasi dari 0 sampai EF, maka pada suhu 0 K, diperoleh energi fermi
pad T = 0 K,
3/ 2
2 3n
E
0
2m 8
F
E C E V kT N V
EF = Ei = ln
2 2 N C
Pita Konduksi n
EC
EA EF
NA
EV
Pita Valensi
p
0 0.5 1.0
N(E) f(E) n(E) dan p(E)
7
Gambar 5. Semikonduktor ekstrinsik. (a). Skema diagram pita. (b). Rapat keadaan.
(c). Fungsi distribusi Fermi. (d).Konsentrasi pembawa.
Perhatikan bahwa:
1. Mayoritas pembawa adalah hole ( gambar 5.d)
2. Tingkat energi Fermi bergeser menuju pita valensi oleh karena adanya tingkat energi
akseptor.
Sedangkan untuk semikonduktor tipe n terdapat tingkatan donor, sehingga diagramnya
seperti di bawah ini:
Pita Konduksi n
EC
ED ND EF
EV
p
Pita Valensi
0 0.5 1.0
N(E) f(E) n(E) dan p(E)
Gambar 5. Semikonduktor ekstrinsik. (a). Skema diagram pita. (b). Rapat keadaan.
(c). Fungsi distribusi Fermi. (d).Konsentrasi pembawa.
Perhatikan bahwa:
1. Mayoritas pembawa adalah elektron ( gambar 5.d)
2. Tingkat energi Fermi bergeser menuju pita konduksi oleh karena adanya tingkat energi
donor.
Tingkatan Fermi dalam semikonduktor tak murni.
Atas dasar netralitas dapat ditulis:
p + ND+ = n + N D , ND+ adalah banyaknya ion positif
Karena ada tingkatan donor, maka banyak elektron di tingkat ED adalah
n(ED) = ND g(E) f (E) dE dimana ND banyaknya atom donor dan g(E) rapat keadaan
yang dalam hal ini g(E) =(E-ED). Hasil integrasi dengan batas 0 s/d ED diperoleh :
8
ND
n(ED) =
1 exp[( E D E F ) / kT]
ND
ND+ = Banyaknya ion = ND - n(ED) = yang pada temperatur rendah
1 exp[( E F E D ) / kT]
dapat didekati dengan ND.exp-(EF - ED)/kT, sehingga dari persamaan n = ND+ diperoleh:
E C E D kT N D
EF = ln . Analog untuk semikonduktor tipe p, maka
2 2 N C
E V E A kT N A
EF = ln .
2 2 N V
EC
EC
EC
EF EF
EV
EV
EV
Contoh soal:
1. Tentukan tingkat-tingkat tenaga dalam model atom Hidrogen
2. Tunjukkan adanya pita terlarang dengan mencari solusi persamaan Schrodinger dengan
model potensial periodik dari struktur kristal dengan periodisitas sepanjang potensial
sepanjang L.
3. Ingot Silikon didoping dengan 1016 arsenit atom/cm3. Tentukan consentrasi pembawa dan
tingkat energi Fermi pada temperatur kamar (300 K).
4. Tentukan konsentrasi elektron dan hole serta tingkat energi Fermi di dalam silikon pada
300 K
a. untuk doping 1015 atom boron/cm3.
b. untuk doping 3 x 1016 atom boron/cm3.
9
c. untuk doping 2,9 x 1016 atom arsenit/cm3.
5. Jelaskan soal-soal di bawah ini:
a. Apakah perbedaan antara konduktor dan semikonduktor ditinjau dari tingkatan energi
dan konduktivitasnya?
b. Apakah yang terjadi dengan tingkatan energinya apabila sebuah silikon diberi tak
murnian As?
c. Gambarkan tingkat Fermi dari Si sebelum dan sesudah dibubuhi dengan As.
10