MAKALAH OPTIK

‘’LASER DAN LED GENERASI BARU’’

OLEH

1. CHORNELIS Y. SOLET (1706060058)

2. SARAH TSE (17060600 )
3. ALFA NENO (1806060049)

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS SAINS DAN TEKNIK
UNIVERSITAS NUSA CENDANA
KUPANG
2019
 KATA PENGANTAR
Puji syukur kehadirat Tuhan Yang Maha Esa atas segala rahmat-Nya sehingga makalah ini
dapat tersusun hingga selesai . Tidak lupa kami juga mengucapkan banyak terimakasih atas
bantuan dari pihak yang telah berkontribusi dengan memberikan sumbangan baik materi maupun
pikirannya.

Penyusun berharap makalah ini dapat bermanfaat dan menambah wawasan bagipembaca.
Kami juga menyadari bahwa makalah ini masih jauh dari sempurna, karena keterbatasan
pengetahuan maupun pengalaman, oleh karena itu kami sangat membutuhkan kritik dan saran
yang sifatnya membangun serta memperbaiki konsep yang mungkin keliru sehingga setiap
kekurangan-kekurangan dan kesalahan-kesalahan boleh dirubah, agar dimasa yang akan datang
bisa lebih baik lagi.

Kupang, Januari 2019

Penyusun
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang

Abad 20 menjadi abad yang terpenting bagi perkembangan ilmu pengetahuan dan
teknologi. Dua dari kajian tekologi penyumbang perkembangan ini adalah efek fotolistrik
dan semikonduktor. Material semikonduktor memegang peranan penting dalam
perkembangan komunikasi, industri, elektronika, dsb. Material semikonduktor memiliki
respon yang unik terhadap rangsangan seperti listrik ataupun cahaya. Diperlukan energi
sebesar ΔE (energi band gap) agar material semikonduktor memberikan responnya. Dalam
perkembangan teknologi, material semikonduktor dimanfaatkan pada alat-alat seperti LED,
LASER, photodetector, solar sel, dsb. Alat-alat tersebut tergabung dalam photonic devices.
Photonic devices merupakan perangkat yang memanfaatkan sifat cahaya sebagai partikel.
Fenomena ini tidak lepas dari sifat material semikonduktor seperti transisi radiatif dan
serapan optik (optical absorption). Perkembangan dari LED, LASER, solar sel tidak
terlepas dari material yang digunakan. Material yang digunakan biasanya merupakan
material semikonduktor yang telah diberi impuritas. Impuritas yang diberikan diharapkan
dapat meningkatkan kinerja dan manfaat dari photonic devices sendiri.

1.2. Rumusan Masalah

a. Apa pengertian dari photonic devices dan alat-alat apa saja yang tergabung dalam
photonic device?
b. Bagaimanakah prinsip kerja alat-alat dari photonic devices?
c. Manfaat dari photonic devices?
d. Apakah jenis material yang dimanfaatkan dalam perkembangan photonic devices?

1.3. Tujuan
a. Mengetahui pengertian dan alat-alat yang tergabung dalam photonic devices?
b. Mengerti prinsip kerja dari photonic devices?
c. Mengetahui manfaat dari photonic devices?
d. Mengetahui jenis material yang dimanfaatkan dalam photonic devices?
 BAB II

PEMBAHASAN

2.1. Photonic Devices

Photonic devices atau perangkat fotonik adalah perangkat yang memanfaatkan sifat
cahaya sebagai partikel. Photonic devices dapat dibagi menjadi tiga kelompok, yaitu :
1. Perangkat yang mengubah sumber energi listrik menjadi radiasi optik, seperti Light-
Emitting Diode (LED) dan Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
(LASER).
2. Perangkat yang mendeteksi sinyal optik, seperti photodetectors.
3. Perangkat yang mengkonversi radiasi optik menjadi energi listrik, seperti sel surya.
Fenomena yang terjadi pada photonic devices adalah electroluminescence yang
ditemukan pada tahun 1907. Electroluminescence adalah fenomena generasi cahaya
yang disebabkan oleh arus listrik. Fenomena ini tidak terlepas dari adanya transisi
radiatif (radiative transition) dan serapan optik (optical absorption). Perkembangan
photonic devices sendiri memiliki peranan penting terhadap kemajuan teknologi dan
ilmu pengetahuan dibidang kesehatan, komunikasi, industri, dsb.
2.2. Transisi Radiatif (Radiative Transition)
Kisaran cahaya yang dapat dideteksi oleh mata manusia hanya sekitar 0,4 μm sampai
0,7 μm. Pada gambar tersebut juga ditampilkan pita warna (colors bands) dari ungu sampai
merah. Daerah ultraviolet memiliki rentang panjang gelombang dari 0,01 μm sampai 0,4 μm
sedangkan infrared memiliki rentang dari 0,7 μm sampai 1.000 μm. Spektrum
elektromagnetik dari rentang ultraviolet sampai infrared. Untuk mengkonversi panjang
gelombang menjadi energi foton digunakan hubungan dimana c adalah kecepatan cahaya
dalam ruang vacuum, v adalah frekuensi dari cahaya, h adalah konstanta Planck, san hv
adalah energi foton yang diukur dalam elektron volt. Sebagai contoh, 0,5 μm cahaya hijau
sebanding dengan energi foton sebesar 2,48 eV. Pada dasarnya, ada tiga proses interaksi
antara foton dengan elektron dalam solid, yaitu absorption (penyerapan), spontaneous
emission (emisi spontan), dan stimulated emission (emisi terstimulasi). Jika ada dua tingkat
energi E1 dan E2, dimana E1 sesuai dengan keadaan dasar sedangkan E2 sesuai dengan
keadaan tereksitasi. Setiap transisi antar tingkat energi melibatkan emisi atau penyerapan
foton dengan frekuensi v12 yang sesuai dengan hv = E2-E1. Pada suhu kamar, atom dalam
solid berada pada keadaan dasar. Situasi ini akan terganggu ketika foton yang memiliki
energi yang sama dengan hv melewati sistem. Sebuah atom di tingkat E1 menyerap foton dan
kemudian tereksitasi ke keadaan E2. Proses ini disebut dengan absorption process (proses
penyerapan).
2.3. Laser Semikonduktor Laser
merupakan singkatan dari Light Amplification by Stimulated Emission Radiation, yaitu
terjadinya proses penguatan cahaya oleh emisi radiasi yang terstimulasi. Interaksi materi
dengan cahaya yang diaplikasikan pada laser. Interaksi cahaya dengan materi, (a) absorpsi,
(b) emisi spontan, (c) emisi terstimulasi.
Laser semikonduktor merupakan golongan laser yang sangat penting pada saat ini.
Prinsip dari laser semikonduktor mirip dengan laser ruby dan laser helium-neon, yaitu
ketiganya memancarkan radiasi monokromatik yang terarah. Semikonduktor laser adalah
 komponen yang sangat penting dalam bidang komunikasi yang menggunakan serat optik.
Selain itu, laser semikonduktor banyak dimanfaatkan pada rekaman video, pembaca optik,
percetakan dengan kecepatan yang tinggi. Dalam bidang teknologi, laser semikonduktor
digunakan sebagai monitoring polusi udara dan spektroskopi gas resolusi tinggi. Material
aktif laser semikonduktor menggunakan material semikonduktor direct-gap, sehingga
semikonduktor elementer tidak dapat digunakan. Mayoritas bahan semikonduktor untuk laser
merupakan kombinasi antara golongan IIIA (Al, Ga, In) dan IVA (N, P, As, Sb) yang
membentuk compound III-IV seperti GaAs, InGaAsP, AlGaAs. Pada saat ini, emisi panjang
gelombang laser berada pada rentang 0,3 sampai 30 μm. Beberapa jenis laser yang telah
disebutkan di atas memiliki panjang gelombang sekitar 0,63 – 1,6 μm. Baru-baru ini
dikembangkan laser InDaN yang memancarkan cahaya pada panjang gelombang biru ( ̴ 400
nm). Disamping itu juga ada beberapa laser yang menggunakan kombinasi golongan II- VI
(CdSe, ZnS) yang memancarkan panjang gelombang daerah hijau-biru. Tiga komponen
terpenting dalam paduan unsur III-IV adalah GaxIn1-xAsyP1-y, GaxIn1- xAsySb1-y, dan
AlxGa1-xAsySb1-y. Gambar dibawah ini memperlihatkan band gap dengan nilai konstanta
lattice dari 3 paduan yang terdiri dari binary, ternary, dan quaternary compounds.
Untuk meningkatkan stimulated emission pada operasi laser maka diperlukan inversi
populasi. Untuk mencapai hal tersebut, maka diperlukan p-n junction dan double
heterojunction. Ini berarti bahwa tingkat doping pada kedua sisi junction cukup tinggi. Ketika
bias yang cukup besar diterapkan, injeksi dari pita valensi akan terjadi, konsentrasi besar dari
elektro dan hole terinjeksi pada daerah transisi, konsentrasi elektron akan berada pada pita
konduksi sedangkan konsentrasi hole akan berada pada pita valensi. Perbandingan
karakteristik (a) homojunction laser, (b) double- heterojunction laser.
2.4. Light-Emitting Diodes (LED)
Light-emitting diode adalah sambungan p-n yang dapat memancarkan radiasi spontan
dalam ultraviolet, visible, atau daerah infrared. LED memiliki banyak aplikasi sebagai link
informasi antara instrumen elektronik dan penggunanya. Selain itu, aplikasi lainnya adalah
panel display di mobil, layar komputer, kalkulator, jam tangan, lampu lalu lintas, run text,
dsb. Khusus untuk LED dengan radiasi infrared sangat bermanfaat dalam komunikasi serat
optik. Pada saat bias maju, elektron diinjeksi dari sisi n dan hole dari sisi p. Pada daerah
persambungan (junction), rekombinasi akan terjadi pada saat pn > ni2. Namun, jika desain
heterojunction digunakan, efisiensi LED akan lebih ditingkatkan. Desain double-
heterojunction ini menghasilkan efisiensi yang lebih tinggi.
(a) Bias maju yang terjadi pada p-n junction , elektron diinjeksikan dari sisi n dan bergabung
dengan hole yang diinjeksi dari sisi p,
(b) rekombinasi yang terjadi disekitar junction,
(c) Densitas dari pembawa yang lebih besar pada double-heterojunction. Semikonduktor
yang paling penting untuk aplikasi LED. Spektrumnya sebagian besar berada di daerah
infrared. Untuk aplikasi layar, karena mata manusia hanya sensitif terhadap energi cahaya
hv > 1,8 Ev (λ < 0,7 μm), semikonduktor harus memiliki band gap lebih besar dari nilai
ini. Semikonduktor yang diaplikasikan pada led termasuk fungsi luminositas relatif dari
mata manusia.
AlGaAs memiliki rentang panjang gelombang dari red sampai infrared. Material ini biasa
digunakan untuk LED berefisiensi tinggi. InAlGaP memiliki rentang panjang gelombang dari
visible spectrum, red, orange, yellow, dan green. GaAsP memiliki rentang spektrum dari infrared
sampai visible spektrum. Transisi direct-indirect bandgap terjadi pada 1,9 eV. 2.6. Photodetector
Photodetector adalah perangkat semikonduktor yang dapat mendeteksi sinyal optik melalui
proses elektronik. Photodetector harus memiliki sensitivitas yang tinggi, kecepatan respon yang
tinggi, kebisingan yang kecil, beroperasi pada tegangan yang rendah, dan ukuran yang kecil.
Operasi umum dari photodetector pada dasarnya ada tiga proses:
1. Carrier generation (pembangkitan pembawa) ketika ada cahaya yang datang
2. Carrier transport ketika ada arus listrik
3. Adanya sinyal output Ada dua jenis photodetector, yaitu thermal detector dan photon detector.

Thermal detector mendeteksi cahaya dengan rangsangan kenaikan suhu ketika energi cahaya
diserap. Detektor ini cocok untuk panjang gelombang infrared. Photon detector didasarkan pada
efek fotolistrik: foton menyebabkan elektron tereksitasi dan elektron ini yang memberikan
kontribusi pada photocurrent. Untuk memahami keunggulan masing-masing photodetector,
terlebih dahulu dibahas prinsip kerja photodetector yang menggunakan efek fotolistrik. Efek
fotolistrik didasarkan pada energi foton hv, sehingga panjang gelombang terkait dengan energi
transisi ΔE yang didefinisikan oleh 𝜆 = ℎ𝑐 ΔE = 1,24 ΔE (eV) (𝜇𝑚) Persamaan diatas
mengindikasikan panjang gelombang minimum untuk mendeteksi. Energi transisi ΔE dalam
banyak kasus adalah band gap dari semikonduktor. Penyerapan cahaya dalam semikonduktor
ditunjukkan oleh koefisien penyerapan.
 BAB III

PENUTUP

1. Kesimpulan
a. Photonic devices atau perangkat fotonik adalah perangkat yang memanfaatkan sifat cahaya
sebagai partikel sedangkan alat yang tergabung dalam photonic devices adalah LED,
LASER, photodetector, dan sel surya.
b. Secara umum prinsip kerja dari photonic devices adalah adanya p-n junction dari
semikonduktor yang diberi rangsangan berupa cahaya atau panas.
c. Photonic devices banyak dimanfaatkan dalam teknologi komunikasi, seperti penggunaan
serat optik; teknologi industri, seperti LED dan LASER; dan ketersediaan energi, seperti
solar sel.
d. Jenis material yang digunakan adalah material semikonduktor seperti Si, Ge
(semikonduktor murni) dan GaAs, CdTe, AlGaA, InAlGaP (semikonduktor ekstrinsik).
 DAFTAR PUSTAKA
Cells, Taiwan: John Wiley & Sons, INC., 2010, pp.280-356. Sze, S.M., and K.K. Ng, “Physics
of Semiconductor Devices”, in LEDs, Lasers, Photodetectors, and Solar Cells, Taiwan:
John Wiley & Sons, INC., 2007, pp.601-742.
http://repository.usu.ac.id/bitstream/123456789/30056/4/Chapter %20II.pdf (diunduh pada
tanggal 20 Oktober 2019 pukul 13.20) Sze, S.M., and M.K. Lee, “Semiconductor
Devices Physics and Technology”, in Light Emitting Diodes, Lasers, Photodetectors, and
Solar