1806136681
DATA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA GEOFISIKA MINGGU KE 6
I. Membias Transistor
VBB IB VCC VC VCE VE
0 V -454.21 fA 10 V 10.032 uV 10 V 10.011 uV
1V 1.047 uA 10 V 374.017 mV 9.251 V 375.424 mV
2V 4.445 uA 10 V 1.307 V 7.382 V 1.311 V
3V 7.458 uA 10 V 2.257 V 5.478 V 2.265 V
4V 10.774 uA 10 V 3.211 V 3.566 V 3.222 V
5V 14.165 uA 10 V 4.166 V 1.654 V 4.18 V
6V 37.387 uA 10 V 4.937 V 91.473 mV 4.971 V
7V 126.681 uA 10 V 4.916 V 41.727 mV 5.042 V
8V 220.776 uA 10 V 4.875 V 28.713 mV 5.096 V
9V 315.427 uA 10 V 4.831 V 22.152 mV 5.147 V
10 V 409.897 uA 10 V 4.786 V 18.134 mV 5.196 V
Gambar 2.1 Percobaan membias transistor dengan pembagi tegangan pada R3 9k dan
R4 1k
Gambar 2.2 Percobaan membias transistor dengan pembagi tegangan pada R3 8k dan
R4 2k
Gambar 2.3 Percobaan membias transistor dengan pembagi tegangan pada R3 7k dan
R4 3k
Gambar 2.4 Percobaan membias transistor dengan pembagi tegangan pada R3 6k dan
R4 4k
Gambar 2.5 Percobaan membias transistor dengan pembagi tegangan pada R3 5k dan
R4 5k
Gambar 2.6 Percobaan membias transistor dengan pembagi tegangan pada R3 4k dan
R4 6k
Gambar 2.7 Percobaan membias transistor dengan pembagi tegangan pada R3 3k dan
R4 7k
Gambar 2.8 Percobaan membias transistor dengan pembagi tegangan pada R3 2k dan
R4 8k
Gambar 2.9 Percobaan membias transistor dengan pembagi tegangan pada R3 1k dan
R4 9k