DESAIN DAN SIMULASI SENSOR MIKROBOLOMETER

SEBAGAI APLIKASI UNTUK INSPEKSI INSTALASI LISTRIK

Dr. Ir. Agus Santoso Tamsir, MT dan Dwi Kencono Putro

Departemen Teknik Elektro, Fakultas Teknik, Universitas Indonesia
dwi.kencono01@ui.ac.id

Abstrak
Bolometers adalah termal inframerah sensor yang menyerap radiasi
elektromagnetik sehingga meningkatkan suhu. Kenaikan suhu yang dihasilkan adalah
kenaikan fungsi dari energi radiasi yang mendorong atau mengenai bolometer dan
diukur berdasarkan resistansinya. Mikrobolometer dapat diartikan juga sebagai array
dari sensor yang sangat sensitif dalam mendeteksi panas terhadap radiasi inframerah.
Pada skripsi ini akan mensimulasikan satu pixel microbolometer dengan menggunakan
program IntelliSuite. Mikrobolometer yang didisain akan digunakan sebagai alat
inspeksi instalasi listrik, di dalam satu pixel mikrobolometer ini dilengkapi dengan
thermistor NTC (Negative Temperature Coeficient), sedangkan rangkaian yang
digunakan pada disain microbolometer ini yaitu rangkaian dengan menggunakan arus
konstan.

Kata kunci : Mikrobolometer, thermistor NTC, infrared, simulasi

Abstract

Bolometers are thermal infrared sensor that absorbs electromagnetic radiation

thereby increasing the temperature. The resulting temperature increase is the increase in the
function of the radiation energy that drives or the bolometer and the measured resistance.
Microbolometer can be interpreted also as an array of sensors that are very sensitive in
detecting the infrared heat radiation. At this skripsi will simulate one pixel microbolometer
using IntelliSuite program. Microbolometer which will be designed to be used as an electrical
installation inspection, this microbolometer complete with a thermistor NTC (Negative
Temperature coefficient),while the circuit used in the circuit design of this microbolometer
using constant current.

Keywords :
Microbolometer, thermistor NTC, infrared, simulation

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 1. PENDAHULUAN

Meningkatnya akan kebutuhan teknologi dalam berbagai bidang industri dan

kebutuhan dalam lingkup pembangkit tenaga listrik beberapa tahun ini berkembang sangat
pesat. Berkembangnya teknologi saat ini memaksa para peneliti agar dapat terus
mengembangkan dan memaksimalkan pemanfaatan teknologi yang telah ada. Khususnya
pada bidang mikroelektronika dalam pemenuhan kebutuhan akan perawatan teknologi jala-
jala listrik, baik pada instalasi listrik rumah tangga hingga pembangkit tenaga listrik. Inovasi
yang terus-menerus dalam bidang mikroelektronika sangat diperlukan untuk mendapatkan
divais yang hasil kinerja lebih tinggi dan memiliki ukuran yang lebih kecil.
Teknologi yang akan dibahas kali ini ialah mikrobolometer, teknologi ini banyak
sekali kegunaannya sesuai dari kebutuhan dan desain yang dirancang. Salah satu aplikasi dari
teknologi mikrobolometer ini yaitu digunakan untuk inspeksi instalasi listrik.
Tujuan dari skripsi ini adalah mendesain mikrobolometer dengan cara mengubah
bahan yang digunakan dengan menggunakan program simulasi InteliSuit, kemudian dari
bahan tersebut akan dipilih mana dimensi yang lebih cocok digunakan agar mikrobolometer
bekerja lebih baik. Skripsi ini juga ditulis sebagai salah satu syarat untuk mendapat gelar
Sarjana Teknik jurusan Teknik Elektro dari Fakultas Teknik Universitas Indonesia.
Desain mikrobolometer yang dibuat menggunakan termistor, jika suhu atau temperatur yang
mengenai termistor ini berubah maka terjadi perubahan nilai resistance. Mikrobolometer ini
akan disuplai dengan menggunakan arus konstan, dengan berubahnya resistasi pada
mikrobolometer maka secara tidak langsung tegangan akan berubah. Gelombang radiasi
infrared yang digunakan yaitu Long Wave Infra Red (LWIR) pada rentang 5 µm – 12 µm.
Pada skripsi ini penulis akan membatasi masalah pada bahan apa yang baik
digunakan serta dimensi yang sesuai dari mikrobolometer pada teknologi MEMS (Micro
Electronic Mechanical System) ini.
Metodologi penelitian yang digunakan penulis adalah studi pustaka serta melakukan
perancangan dan simulasi dengan menggunakan software MEMS IntelliSuit. Selain itu penulis
juga melakukan konsultasi dengan dosen pembimbing mengenai dasar teori dan sistematika
pengerjaan.

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 2. DASAR TEORI

Radiasi elektromagnetik adalah kombinasi medan listrik dan medan magnet yang
berosilasi dan merambat lewat ruang dan membawa energi dari satu tempat ke tempat yang
lain. Cahaya tampak adalah salah satu bentuk radiasi elektromagnetik. Penelitian teoritis
tentang radiasi elektromagnetik disebut elektrodinamik, sub-bidang elektromagnetisme.
Panjang gelombang memiliki hubungan inverse terhadap frekuensi f, jumlah puncak
untuk melewati sebuah titik dalam sebuah waktu yang diberikan. Panjan gelombang sama
dengan kecepatan jenis gelombang dibagi oleh frekuensi gelombang. Ketika berhadapan
dengan radiasi elektromagnetik dalam ruang hampa, kecepatan ini adalah kecepatan cahaya c,
untuku sinyal (gelombang) di udara, ini merupakan kecepatan suara di udara. Hubungannya
adalah: [7]
c
λ=
f

Teori Planck Radiasi Benda Hitam, dalam sembarang kasus dimana suatu benda hitam
(blackbody) mengemisikan radiasi, maka distribusi spektrum radiasi sebagai fungsi panjang
gelombang dapat dinyatakan dalam persamaan radiasi Planck, yaitu: [10]

[ (
Wλ = 2π hc 2 λ5 e ch / λkT − 1 )]−1

Wλ merupakan daya radiasi yang dipancarkan, h ialah planck's constant (6.626 x 10-34 Js), c
merupakan kecepatan cahaya (2.9979 x 108 m/s), λ ialah panjang gelombang (µm), k ialah
Boltzmann's constant (1.381 x 10-23 J/K), dan T adalah temperature.
Sensor Infrared merupakan radiasi elektromagnetik dari panjang gelombanglebih
panjang dari cahaya tampak, tetapi lebih pendek dari radiasigelombang radio. Namanya
berarti "bawah merah" (dari bahasa Latin infra, "bawah"), merah merupakan warna dari
cahaya tampak dengan gelombang terpanjang.
Spektrum pada daerah infrared biasanya masih dibagi lagi menjadi subdaerah sebagai
berikut:

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 1. Near Infra Red (NIR) pada rentang 700 nm to 1 µm

2. Short Wave Infra Red (SWIR) pada rentang 1-3 µm

3. MidWave Infra REd (MWIR) pada rentang 3-5 µm

4. Long Wave Infra Red (LWIR) pada rentang lebih dari 5µm

Detektor termal bereaksi terhadap radiasi termal optik. Detektor ini bersifat menyerap
radiasi sebagai panas kemudian kenaikan panasnya akan diubah menjadi sinyal-sinyal output.
Detektor termal bersifat menyerap semua panjang gelombang inframerah, Respon
spektrumnya (Spectral response) dibatasi oleh sistem optiknya. Detektor termal memiliki
waktu respon yang lambat tetapi detektor spektral berupa broadband dan dapat dioperasikan
pada suhu kamar.
Cara kerja dari mikrobolometer yaitu setelah elemen detektor menyerap radiasi
elektromagnetik, maka gradien suhu berfungsi sebagai kekuatan pendorong untuk aliran
panas, pada kondisi ini tertangkap gelombang infrared. Gelombang infrared ini akan masuk
ke rongga udara pada bolometer yang mengakibatkan terjadinya reflector secara terus
menerus, yang berakibat berubahnya resistansi yang disebabkan oleh panas yang terdeteksi.
Banyak bahan material yang dapat digunakan untuk membuat mikrobolometer, bahan
tersebut terdiri dari bahan metal/konduktor dan semikonduktor. Bahan inilah yang akan
sangat berpengaruh dalam mendesain mikrobolometer, dengan mengfariasikan penggunaan
bahan ini dapat diperoleh kualitas sensor mikrobolometer yang berbeda-beda.
Thermistor singkatan dari thermal sensitive resistor yakni suatu jenis sensor yang sensitive
terhadap perubahan suhu. Prinsip kerjanya adalah memberikan perubahan resistansi yang
sebanding dengan perubahan suhu. Thermistor ini dibentuk melalui oksida logam campuran,
kromium, kobalt, tembaga, besi, atau nikel. [8] Berdasarkan koefisien suhunya, thermistor
dibedakan menjadi 2 jenis, yaitu NTC (Negative Temperature Coeficient) dan PTC (Positive
Temperature Coeficient).

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 3. METODOLOGI PERANCANGAN

Pada seminar ini, penulis merancang sebuah mikrobolometer yang kedepannya akan
digunakan sebagai alat inspeksi instalasi listrik. Pengaturan temperatur sangat diperlukan
untuk mengetahui seberapa besar displacement dan stress yang terjadi pada sensor
mikrobolometer sehingga diperoleh hasil yang sesuai kebutuhan. Frekuensi sangat
berpengaruh dalam mengidentifikasi mikrobolometer ruang kerja dari mikrobolometer yang
akan didesain. Berikut ini merupakan flowchart metodologi perancangan.

Gambar 3.1 Flowchart metodologi perancangan

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 4. DESAIN DAN ANALISIS MIKROBOLOMETER IIL (INSPEKSI INSTALASI
LISTRIK)

validasi sesuai dengan yang diharapkan maka selanjutnya penulis akan mendesain
mikrobolometer sesuai dengan kebutuhan penulis yaitu sebagai alat inspeksi instalasi listrik,
desain yang dibuat akan menggunakan wavelength elektromagnetik pada rentang 5µm
5 –
m, yang merupakan spektrum pada daerah Long Wave Infra Red (LWIR) dengan
12µm,
frekuaensi antara 60 THz – 25 THz.
Agar mikrobolometer dapat bekerja pada suhu yang tinggi maka digunakan bahan
yang tahan terhadap panas, bahan ini banyak digunakan untuk sensor temperature. Di sini
penulis membandingkan dua tipe mikrobolometer dengan empat variasi absorbent yang
berbeda-beda untuk menentukan baiknya kerja dari mikrobolometer ini.
Absorbent yang akan didesain yaitu berbentuk kotak dan lingkaran dengan luas
µm, dan 2x2
absorbent kotak sebesar 4x4µm, 2x2µm, sedangkan diameter absorbent lingkaran sebesar
5µm. Dengan demikian total design yang akan dibandingkan yaitu sebanyak enam
mikrobolometer.
Langkah awal yang harus diperhatikan sebelum melakukan simulasi yaitu menentukan
mesh yang digunakan. Mesh pada desain mikrobolometer ini mengacu pada seberapa telitinya
hasil dari simulasi device yang diperoleh.

10
Ketelitian
Ketelitian

0
0 5 10
Mesh (μm)

Gambar 4.1 Grafik mesh untuk menentukan ketelitian analisa

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

Pada gambar 4.2 menunjukkan desain mikrobolometer IIL tipe I tampak atas

(a) (b) (c)

Gambar 4.2 Desain mikrobolometer IIL tipe I tampak atas (a) mikrobolometer absorbent
kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c) mikrobolometer absorbent
lingkaran diameter 5µm

Gambar 4.3 menunjukkan desain mikrobolometer IIL tipe L tampak atas. Dengan tiga
dimensi absorbent MoS2 yang berbeda.

(a) (b) (c)

Gambar 4.3 Desain mikrobolometer IIL tipe L tampak atas (a) mikrobolometer absorbent
kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c) mikrobolometer absorbent
lingkaran diameter 5µm

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

4.1 Simulasi dan Analisis Desain Mikrobolometer IIL
1. Mikrobolometer IIL tipe I
Dari hasil simulasi mikrobolometer IIL tipe I dengan absorbent kotak 4x4µm dan
2x2µm diperoleh sebaran temperature maksimal yang sama yaitu pada suhu 20.0385°C,
sedangkan pada absorbent lingkaran dengan diameter 5µm temperature maksimal yang sama
yaitu pada suhu 20.0241°C (lihat gambar Gambar 4.4 dan 4.5), cantilever dari
mikrobolometer ini memiliki suhu 20.0048°C. Pada Gambar 4.4 merupakan hasil temperatur
dengan absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan absorbent
berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama pada desain ini
menggunakan bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan Si3N4.
Bahan emas yang digunakan disini merupakan penyangga sekaligus sebagai
konduktor yang nantinya berfungsi sebagai jalur rangkaian listrik, dimana pada kondisi ini
mikrobolometer memperoleh inputan berupa temperature yang mempengaruhi displacement
dan stress dari mikrobolometer IIL ini.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.4 Temperatur mikrobolometer IIL tipe I absorbent MoS2 dan Si3N4 (a)
mikrobolometer absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c)
mikrobolometer absorbent lingkaran diameter 5µm

Hasil temperatur pada absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm dengan
bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan Si3N4 memiliki suhu maksimum sebesar
20.0385°C. Kemudian pada absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 2x2µm dengan
bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan Si3N4 memiliki suhu maksimum yang
sama dengan absorbent kotak 4x4µm sebesar 20.0385°C. Sedangkan pada absorbent lapisan
pertama yang berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm yang menggunakan bahan MoS2 dan

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

lapisan kedua menggunakan bahan Si3N4 memiliki suhu maksimum sebesar 20.0241°C (lihat
Gambar 4.4).
Pada Gambar 4.17 merupakan hasil temperatur dengan absorbent lapisan pertama
yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan absorbent berbentuk lingkaran dengan diameter
5µm. Lapisan absorbent pertama pada desain ini menggunakan bahan MoS2 dan lapisan
kedua menggunakan bahan SiO2.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.5 Temperatur mikrobolometer IIL tipe I absorbent MoS2 dan SiO2 (a)
mikrobolometer absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c)
mikrobolometer absorbent lingkaran diameter 5µm

Hasil temperatur pada absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm dengan
bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan SiO2 memiliki suhu maksimum sebesar
20.0385°C. Kemudian pada absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 2x2µm dengan
bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan SiO2 memiliki suhu maksimum yang
sama dengan absorbent kotak 4x4µm sebesar 20.0385°C. Sedangkan pada absorbent lapisan
pertama yang berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm yang menggunakan bahan MoS2 dan
lapisan kedua menggunakan bahan SiO2 memiliki suhu maksimum sebesar 20.0289°C (lihat
Gambar 4.5).
Hasil dari simulasi diatas menunjukkan suhu yang diterima itu sama tetapi daerah
ruang jangkauan suhu yang ditangkap oleh mikrobolometer tersebut berbeda. Dapat dilihat
perbedaannya yaitu pada cantilever ketiga mikrobolometer IIL, untuk absorbent lingkaran
diameter 5µm terlihat warna hijau lebih besar jangkauannya daripada mikrobolometer IIL
absorbent kotak 4x4µm dan 2x2µm (lihat Gambar 4.4 dan 4.5). Hal ini disebabkan oleh

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

bentuk absorbent yang digunakan, ini membuktikan bahwa tidak hanya bahan tetapi bentuk
dari absorbent juga sangat menentukan dalam pembuatan design dari mikrobolometer IIL ini.
Selain suhu, bahan dan bentuk absorbent ini juga menentukan seberapa besar
displacement dan stress yang terjadi. Gambar dibawah ini menunjukkan seberapa besar
perbedaan displacement yang terjadi.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.6 Displacement mikrobolometer IIL tipe I absorbent MoS2 dan Si3N4 (a)
mikrobolometer absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c)
mikrobolometer absorbent lingkaran diameter 5µm

Pada Gambar 4.6 merupakan gambar perubahan displacement mikrobolometer IIL tipe
I dengan absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan absorbent
berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama mikrobolometer IIL
tipe I ini menggunakan bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan Si3N4.
Pada Gambar 4.7 merupakan gambar perubahan displacement mikrobolometer IIL tipe
I dengan absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan absorbent
berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama mikrobolometer IIL
tipe I ini menggunakan bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan SiO2.

(a) (b)

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 (c)
Gambar 4.7 Displacement mikrobolometer IIL tipe I absorbent MoS2 dan SiO2 (a)
mikrobolometer absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c)
mikrobolometer absorbent lingkaran diameter 5µm

Selanjutnya adalah analisa stress mikrobolometer IIL tipe I, pada Gambar 4.8
merupakan gambar perubahan stress mikrobolometer IIL tipe I dengan absorbent lapisan
pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan absorbent berbentuk lingkaran dengan
diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama mikrobolometer IIL tipe I ini menggunakan bahan
MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan Si3N4.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.8 Stress mikrobolometer IIL tipe I absorbent MoS2 dan Si3N4 (a) mikrobolometer
absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c) mikrobolometer
absorbent lingkaran diameter 5µm

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 Pada Gambar 4.9 merupakan merupakan gambar perubahan stress mikrobolometer IIL
tipe I dengan absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan absorbent
berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama mikrobolometer IIL
tipe I ini menggunakan bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan SiO2.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.9 Stress mikrobolometer IIL tipe I absorbent MoS2 dan SiO2 (a) mikrobolometer
absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c) mikrobolometer
absorbent lingkaran diameter 5µm
Dari data yang diperoleh bahwa penggunaan bahan SiO2 dengan bentuk absorbent
kotak lebih meredam displacement dibandingkan dengan menggunakan Si3N4, dengan selisih
nilai sebesar 9.589 x 10-4 µm pada kondisi warna merah. Untuk stress maksimum sebesar
276.589 MPa terdapat pada mikrobolometer IIL tipe I absorbent lingkaran diameter 5µm
untuk bahan absorbent Si3N4, sedangkan bahan SiO2 absorbent kotak memiliki stess lebih
kecil dengan nilai maksimum sebesar 157.217 MPa.

2 Mikrobolometer IIL tipe L

Dari hasil simulasi mikrobolometer IIL tipe L dengan absorbent lapisan pertama yang
berbentuk kotak 4x4µm berbahan MoS2, menggunakan suhu +20°C diperoleh hasil sebaran
temperature maksimal yaitu pada suhu 20.0385°C pada daerah tengah, kemudian pada
absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 2x2µm diperoleh hasil sebaran temperature
maksimal yaitu pada suhu 20.0434°C sedangkan cantilever dari mikrobolometer ini memiliki
suhu 20°C (lihat Gambar 4.25 dan 4.26). Berbeda dengan absorbent lingkaran diameter 5µm
sebaran temperature maksimal yaitu pada suhu 20.0434°C. Pada Gambar 4.10 diperlihatkan
hasil temperatur dengan absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

absorbent berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama pada desain
ini menggunakan bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan Si3N4.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.10 Temperatur mikrobolometer IIL tipe L absorbent MoS2 dan Si3N4 (a)
mikrobolometer absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c)
mikrobolometer absorbent lingkaran diameter 5µm

Selanjutnya pada Gambar 4.11 memperlihatkan hasil temperature mikrobolometer IIL

tipe L dengan absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan
absorbent berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama pada desain
ini menggunakan bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan SiO2.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.11 Temperatur mikrobolometer IIL tipe L absorbent MoS2 dan SiO2 (a)
mikrobolometer absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c)
mikrobolometer absorbent lingkaran diameter 5µm

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 Sama halnya dengan mikrobolometer IIL tipe I dari simulasi diatas walaupun suhu
yang diterima oleh mikrobolometer IIL tipe L itu sama tetapi daerah ruang jangkauan suhu
yang ditangkap oleh mikrobolometer tersebut berbeda. Hal ini disebabkan oleh bahan dan
bentuk absorbent yang digunakan. Selain suhu, bahan dan bentuk absorbent mikrobolometer
IIL tipe L ini juga menentukan seberapa besar displacement dan stress yang terjadi.
Pada Gambar 4.12 merupakan gambar perubahan displacement mikrobolometer IIL
tipe L dengan absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan absorbent
berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama mikrobolometer IIL
tipe I ini menggunakan bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan Si3N4.
Hasilnya yaitu pada displacement mikrobolometer IIL tipe L dengan absorbent kotak
lebih meredan displacement dibandingkan dengan absorbent berbentuk lingkaran dengan
diameter 5µm dengan selisih pada displacement maksimum sebesar 1.97 x 10-5 µm.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.12 Displacement mikrobolometer IIL tipe L absorbent MoS2 dan Si3N4 (a)
mikrobolometer absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c)
mikrobolometer absorbent lingkaran diameter 5µm

Pada Gambar 4.13 memperlihatkan gambar perubahan displacement mikrobolometer

IIL tipe L dengan absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan
absorbent berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama
mikrobolometer IIL tipe L ini menggunakan bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan
bahan SiO2.

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 (a) (b)

(c)
Gambar 4.14 Displacement mikrobolometer IIL tipe L absorbent MoS2 dan SiO2 (a)
mikrobolometer absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c)
mikrobolometer absorbent lingkaran diameter 5µm
Selanjutnya adalah analisa stress mikrobolometer IIL tipe L, pada Gambar 4.15
merupakan gambar perubahan stress mikrobolometer IIL tipe L dengan absorbent lapisan
pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan absorbent berbentuk lingkaran dengan
diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama mikrobolometer IIL tipe L ini menggunakan bahan
MoS2 dan lapisan kedua menggunakan bahan Si3N4.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.15 Stress mikrobolometer IIL tipe L absorbent MoS2 dan Si3N4 (a) mikrobolometer
absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c) mikrobolometer
absorbent lingkaran diameter 5µm

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

 Pada Gambar 4.16 merupakan merupakan gambar perubahan stress mikrobolometer
IIL tipe L dengan absorbent lapisan pertama yang berbentuk kotak 4x4µm, 2x2µm, dan
absorbent berbentuk lingkaran dengan diameter 5µm. Lapisan absorbent pertama
mikrobolometer IIL tipe L ini menggunakan bahan MoS2 dan lapisan kedua menggunakan
bahan SiO2.
Dari data stress yang diperoleh bahwa stress dengan absorbent berbentuk lingkaran
dengan diameter 5µm berbahan MoS2 lebih kecil yaitu stress maksimal sebesar 6.29037 MPa,
dibandingkan dengan absorbent yang berbentuk kotak 4x4µm dan 2x2µm yaitu stress
maksimal sebesar 6.2911 MPa. Hal ini disebabkan karena bahan yang digunakan pada
absorbent lapisan kedua menggunakan bahan SiO2, lain dengan Gambar 4.16 hasil stress
lebih besar karena bahan pada absorbent lapisan kedua yang digunakan yaitu berupa Si3N4.

(a) (b)

(c)
Gambar 4.16 Stress mikrobolometer IIL tipe L absorbent MoS2 dan SiO2 (a) mikrobolometer
absorbent kotak 4x4µm (b) mikrobolometer absorbent kotak 2x2µm (c) mikrobolometer
absorbent lingkaran diameter 5µm

Dari data yang diperoleh pada analisa mikrobolometer IIL tipe L bahwa penggunaan
bahan Si3N4 dengan bentuk absorbent kotak lebih meredam displacement dibandingkan
dengan menggunakan SiO2, dengan selisih nilai sebesar 1.46 x 10-5 µm pada kondisi warna
merah. Untuk stress maksimum sebesar 16.1928 MPa pada mikrobolometer IIL tipe L
absorbent kotak untuk bahan absorbent Si3N4, sedangkan bahan SiO2 absorbent kotak
memiliki stess lebih kecil dengan nilai maksimum stress sebesar 6.2911 MPa. Agar dapat
mempermudah melihat perbedaan displacement maka kita buat grafik sesuai output
displacement yang dihasilkandari ketiga desain yang dibuat.

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

Tabel 4.1 Hasil simulasi displacement & stress mikrobolometer IIL
Mikrobolometer IIL Tipe I Absorbent Mikrobolometer IIL Tipe L
Mikrobolometer Absorbent Absorbent
Absorbent Kotak Absorbent Kotak
Tipe I dan L Lingkaran Lingkaran

4x4 µm 2x2 µm diameter 5µm 4x4 µm 2x2 µm diameter 5µm

Dimensi 36x28 µm 36x28 µm 36x28 µm 36x36 µm 36x36 µm 36x36 µm
Tebal 1 pixel 1.45 µm 1.45 µm 1.45 µm 1.45 µm 1.45 µm 1.45 µm

Displacement Si3N4 0.0359958 0.0359958 0.0358092 0.0353987 0.0353987 0.0354184

max (µm)
SiO2 0.0350369 0.0350369 0.0357098 0.0354133 0.0354133 0.0354241
Displacement Si3N4 0.0015998 0.0015998 0.0015994 0.0016616 0.0016616 0.0016616
min (µm)
SiO2 0.0015481 0.0015481 0.0015492 0.0016591 0.0016591 0.0016591
Stress max Si3N4 280.536 280.536 276.589 16.1928 16.1928 16.1887
(MPa)
SiO2 157.217 157.217 155.336 157.217 6.2911 6.29037
Stress min Si3N4 0.0009375 0.0008469 0.0032612 7.4069E-06 4.77591E-06 9.62961E-05
(MPa)
SiO2 0.0014639 0.0014349 0.0021392 4.531E-06 2.98014E-06 2.50943E-05

5. KESIMPULAN

Kesimpulan yang dapat diambil dari perancangan mikrobolometer ini yaitu

tersedianya model-model sebagai acuan dari desain ini. Kemudian dibuat desain baru dengan
dimensi dan bahan yang berbeda dengan hasil validasi 80% telah sesuai dengan selisih nilai
displacemen maksimum sebesar 0.01µm.
Pada hasil anslisa mikrobolometer IIL tipe I diperoleh bahwa penggunaan bahan SiO2
dengan bentuk absorbent kotak lebih meredam displacement dibandingkan dengan
menggunakan Si3N4, dengan selisih nilai sebesar 9.589x10-4 µm pada kondisi warna merah.
Untuk stress maksimum sebesar 276.589 MPa dimiliki oleh mikrobolometer IIL tipe I
absorbent lingkaran diameter 5µm untuk bahan absorbent Si3N4, sedangkan bahan SiO2
absorbent kotak memiliki stess lebih kecil dengan nilai maksimum sebesar 157.217 MPa.
Walaupun bahan SiO2 lebih meredam displacement hingga 0.0350369 µm, tetapi terjadi
sebaran displacement yang tidak teratur, terutama pada cantilever sehingga mengakibatkan
tidak stabilnya displacement yang dihasilkan dan stressnya pun cukup besar dibandingkan
dengan mikrobolometer IIL tipe L.
Sedangkan dari data yang diperoleh pada analisa mikrobolometer IIL tipe L bahwa
penggunaan bahan Si3N4 dengan bentuk absorbent kotak lebih meredam displacement
dibandingkan dengan menggunakan SiO2, dengan selisih nilai sebesar 1.46x10-5 µm pada
kondisi warna merah. Untuk stress maksimum sebesar 16.1928 MPa pada mikrobolometer IIL
tipe L absorbent kotak untuk bahan absorbent Si3N4, sedangkan bahan SiO2 absorbent kotak

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

memiliki stess lebih kecil dengan nilai maksimum stress sebesar 6.2911 MPa. Untuk
mikrobolometer IIL tipe I absorbent lingkaran diameter 5µm memiliki displacement yang
lebih besar dibandingkan dengan absorbent kotak, baik itu absorbent dengan bahan Si3N4
maupun SiO2.
Dari semua hasil analisa diperoleh mikrobolometer IIL tipe L dengan absorbent kotak
2x2 µm, menggunakan bahan Si3N4 lebih meredam displacement dan stress dengan
displacemen maksimal sebesar 0.0353987 µm dan stress maksimal sebesar 16.1928 MPa.
Dengan displacement yang lebih kecil dengan stress yang kecil membuat kinerja
mikrobolometer berfungsi lebih baik.

6. DAFTAR REFERENSI

[1] Budzier Helmut, Gerlach Gerald. (2011). THERMAL IINFRARED SENSORS Theory,
Optimisation and Practice.Dresden University of Technology. Germany.
[2] History of Thermal Imaging, http://www.bullard.com/V3/products/thermal
_imaging/history_of_thermal_imaging.php
[3] Niklaus Frank, Pejnefors Johan, Dainese Matteo, Häggblad Michael, Hellström Per-
Erik, Wållgren Ulf, Stemme Göran. (2004). Characterization of transfer bonded
silicon bolometer arrays. Jurnal. Royal Institute of Technology (KTH). Sweden.
[4] Mahmood Aamer. (2006). Device Level Vacum Packaged Microbolometers On Flexible
Substrates. Jurnal. The University of Texas at Arlington.
[5] Panajng Gelombang. http://id.wikipedia.org/wiki/Panjang_gelombang
[6] Wu Yuanqing, Yao Suying, Gao Peng, He Hongwei. (2009). Structure design and
simulation of uncooled infrared sensors. Jurnal. Tianjin University. China.
[7] Jenis-jnis Gelombang Elektromagnetik Berdasarkan Spektrumnya.
http://www.mediabali.net/fisika_hypermedia/spektrum_em.html
[8] Hisaka, Robeth V.M., Johanis L., Rosadi Yudi. (2003). Pembuatan Thermometer
Thermistor Digital. Jurnal. Jurusan Fisika Fakultas MIPA Universitas Padjadjaran.
Bandung.
[9] Pengaruh Campuran Unsur Kimia Pada Baja. http://yogoz.wordpress.com
/2011/05/15/pengaruh-campuran-unsur-kimia-pada-baja/
[10] Sensor Cahaya I. www.scrib.com/doc/87420734/Sensor-Cahaya-I
[11] Photo Courtesy Stockton Infrared. http://www.savenrg.com/infrared.htm

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

[12] Xiangdong Xu, Zhuo Yang, Zhi Wang, Chao Chen, Dong Zhou, Yang Yang, Yadong
Jiang. (2011). Advanced Design of Microbolometers for Uncooled Infrared Detectors.
Jurnal. International Conference on Information Science and Technology. Nanjing,
Jiangsu, China.
[13] Isolator, Konduktor, Semikonduktor, dan Superkonduktor. http://kucingke
setrum.blogspot.com/2011/10/isolator-konduktor-semikonduktor-dan.html
[14] Termistor. http://id.shvoong.com/exact-sciences/engineering/2144242-thermistor/
[15] The Electromagnetic Spectrum. http://csep10.phys.utk.edu/astr162/lect
/light/spectrum.html
[16] JJ. Yon, L. Biancardini, E. Mottin, JL. Tissot , L. Letellier. Infrared microbolometer
sensors and their application in automotive safety. Grenoble Cedex. France
[17] Mesin Sinar X Portabel Mini Dengan Kristal Piroelektrik. http://beritapopu
lerz.blogspot.com/2010/11/mesin-sinar-x-portabel-mini-dengan.html
[18] Hee Yeoun Kim, Kyou Min Kim, Won Soo Jang, Tae Hyun Kim, Tai Young Kang.
(2010). Mechanical Robustness of FPA Microbolometer with Fine Pitch. National
Naofab Center. Korea
[19] Gong Yuguang, Li Wei, Cai Haihong, Li Zhi, Chen Chao, Jiang Yadong. (2009).
Design and Simulation of Tunable Micromirror for Two-Color Microbolometer.
School of Optoelectronic Information, UESTC, Chengdu. China
[20] Frank Niklaus, Christian Vieider, Henrik Jakobsen. (2007). MEMS-Based Uncooled
Infrared Bolometer Arrays – A Review. KTH - Royal Institute of Technology,
Microsystem Technology Lab, Acreo AB, Electrum, Vestfold University College,
Institute for Microsystem Technology. Stockholm, Kista, Tønsberg. Sweden, Norway
[21] Nicholas A. Diakides, Josep D. Brozino. (2008). Medical Infrared Imaging. CRC
Press, Taylor and Francis Group Boca Ration. London. New York
[22] Molybdenum Atomic Absorption Standard Solution. 2013. http://www.chem
net.com/dict/dict--7439-98-7--id.html.
[23] Pembuatan dan Pemurnian Silicon. 2010. http://wanibesak.wordpress.com
/2010/10/04/pembuatan-pemurnian-silikon/
[24] Siklus biogeokimia Unsur Kromium (Cr). http://latifahkhairina.blogspot.
com/2010/03/siklus-biogeokimia-unsur-...
[25] Cara Mendulang Emas dari Komputer bekas. 2012. http://www.hong.web.
id/tutorial/cara-mendulang-emas-dari-komputer-bekas

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013

[26] Term 2 - Optics. http://2p122nigeltanscienceeportfolio.wikispaces.com/ Term +2 +-
+Optics.
[27] Sensor Thermocouple. 2011. http://all-thewin.blogspot.com/2011/11/ sensor-
thermocouple-sensor-thermocouple.
[28] Superconductor Science and Technology. http://iopscience.iop.org/0953-
2048/25/6/063001/article
[29] Golay Cell. 2011. http://www.opticsinfobase.org
[30] Titanium Could Replace Steel as Ship Material. 2012.
http://www.laboratoryequipment.com/news/2012/04/titanium-could-replace-steel-
ship-material
[31] Al Aluminium. http://images-of-elements.com/aluminium.php
[32] Koin Emas. http://goldprom.blogspot.com/
[33] Silikon (Si). http://www.mine-engineer.com/mining/mineral/silicon.htm
[34] Molybdenum. http://www.buyrareearthmetalschinaprices.com/rare-earth-metals-moly

Desain dan asimulasi..., Dwi Kencoro Putro, FT-UI, 2013