PERCOBAAN 5

BJT COMMON BASE

I. Tujuan:
1. Memahami konsep bias pada transistor.
2. Memahami konfigurasi rangkaian transistor common base.
3. Menggambarkan karakteristik input dan output dari rangkaian transistor
common base.

II. Teori
Rangkaian transistor (BJT) tipe NPN dengan konfigurasi Common Base
ditunjukkan pada Gambar 1, dimana terminal base menjadi ground. Konfigurasi ini
memiliki dua macam karakteristik, yaitu karakteristik input dan karakteristik output.

Gambar 1. Konfigurasi Common Base BJT tipe NPN

Karakteristik input merupakan karakteristik dari tegangan emitter-base (VEB)

sebagai fungsi arus emitter (IE) dengan VCB dalam keadaan konstan, seperti terlihat pada
Gambar 2. Karakteristik ini merupakan karakteristik dari junction emitter-base dengan
forward bias atau sama dengan karakteristik dioda pada forward bias. Arus input yang
mengalir ke emitter sangat besar karena merupakan penjumlahan dari arus base dan
arus collector, karena itu arus collector lebih kecil daripada arus input emitter, sehingga
penguatan arus dari rangkaian ini adalah “1” atau kurang, atau dengan kata lain
konfigurasi common base “meredam” sinyal input.

1
 Gambar 2. Karakteristik Input Common Base

Karakteristik output merupakan karakteristik dengan tegangan collector-base

(VCB) sebagai fungsi arus kolektor (IC) terhadap arus emitter (IE) yang tetap seperti

ditunjukkan pada Gambar 3. Pada saat IE = 0, arus IC yang mengalir adalah arus

bocor ICEO (pada umumnya diabaikan), sedangkan pada saat IE ≠0

untuk VCB kecil (<< 0,2 V), pembawa muatan di base tidak efisien dan transistor

dikatakan dalam keadaan saturasi . Pada saat VCB diperbesar IE pun naik
hingga melewati level tegangan VCB saturasi (0,2 -1 V) hingga transistor bekerja dalam

daerah aktif. Pada saat ini kondisi arus IE relatif konstan terhadap variasi
tegangan VCB.

2
 Gambar 3. Karakteristik Output Common Base

III. Peralatan
1. Power Supply DC 2 buah
2. Voltmeter DC 2 buah
3. Mili-Ammeter DC 2 buah
4. Resistor 470 Ώ 1 buah
5. Resistor 1 kΩ 1 buah
6. Transistor NPN 1 buah

IV. Rangkaian percobaan:

Gambar 4. Rangkaian Common Base

V. Prosedur percobaan

3
A. Karakteristik Input
1. Cek seluruh peralatan yang akan digunakan dalam kondisi baik
2. Cari dengan multitester kaki Base, Collector dan Emittor pada BJT
3. Buat rangkaian seperti Gambar 4 pada papan rangkai. Ingat polaritas jangan
sampai terbalik
4. Cek kembali rangkaian sebelum power supply dinyalakan. Gunakan range
terbesar pada Ammeter dan Voltmeter DC
5. Atur tegangan VCB =0 V kemudian perlahan naikkan tegangan V1 sehingga
arus pada IE=0.1 mA. Catat tegangan VEB pada Tabel 1.
6. Naikkan tegangan IE mengikuti Tabel 1 kemudian catat nilai VEB.
7. Ulangi prosedur nomor 5 dan 6 dengan memberikan tegangan V CB=5 V
kemudian catat pada Tabel 1.

Tabel 1. Karakteristik Input

IE VEB (V)
(mA) VCB =0 V VCB= 5 V
0 0 0
0.1 0,61 0,61
0.2 0,63 0,63
0.3 0,64 0,64
0.4 0,65 0,65
0.5 0,66 0,65
0.6 0,66 0,66
0.7 0,66 0,66
0.8 0,67 0,67
0.9 0,67 0,67
1 0,67 0,67
2 0,69 0,69
3 0,70 0,70
4 0,71 0,71
5 0,72 0,72
6 0,72 0,72
7 0,73 0,73
8 0,73 0,73
9 0,74 0,73
10 0,74 0,74

B. Karakteristik output

4
 1. Untuk rangkaian yang sama pada Gambar 4, atur arus I E=0 mA dan tegangan
VCB=0V. Catat arus IC pada Tabel 2.
2. Perlahan naikkan tegangan VCB mengikuti Tabel 2, catat arus IC pada tabel 2.
3. Ulangi langkah pada prosedur 2 dengan memberikan arus I E=50 mA dan IE
=100 mA. Kemudian catat pada Tabel 2.

Tabel 2. Karakteristik output

VCB IC (mA)
(Volt) IE =0 (mA) IE = 50 (mA) IE = 100 (mA)
0.6
0.4
0.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

VI. Tugas
1. Plot atau gambar grafik karakteristik :
a. VEB – IE
b. VCB – IC
dari data hasil percobaan pada kertas millimeter

5
6