Disusun Oleh :
Meftahudin : F1051211006
Auliasyura Lestari : F1051211009
Kurnia Hendra Yani : F1051211024
Fadhiilah Nur Jannah : F1051211027
Muhammad Fahrizal Arya Pratama : F1052211001
Puji syukur kami panjatkan kepada Tuhan Yang Maha Esa yang telah
memberikan karunia-Nya sehingga kami dapat menyelesaikan makalah mata kuliah
Elektronika Dasar 1 dengan judul “Transistor” ini tepat pada waktunya.
Adapun tujuan dari penulisan makalah ini adalah untuk memenuhi tugas pada
mata kuliah Elektronika Dasar 1. Selain itu, makalah ini juga bertujuan untuk menambah
wawasan tentang “Transistor” bagi para pembaca mapun penulis.
Kami menyadari, makalah yang kami buat ini masih jauh dari kata sempurna.
Oleh karena itu, kritik dan saran yang membangun sangat kami butuhkan demi
kesempurnaan makalah ini.
Hormat kami,
Kelompok 5
i
DAFTAR ISI
BAB 1 ............................................................................................................................... 1
PENDAHULUAN ........................................................................................................... 1
BAB II .............................................................................................................................. 3
PEMBAHASAN .............................................................................................................. 3
PENUTUP ..................................................................................................................... 10
ii
BAB I
PENDAHULUAN
1.3 Tujuan
Sesuai dengan permasalahan yang dikemukakan, maka tujuan penulisan makalah
ini adalah sebagai berikut:
1
4. Memahami cara kerja transistor.
1.4 Mnanfaat
Adapun manfaat penulisann makalah ini ialah sebagai berikut.
1. Penulisan makalah ini diharapkan dapat memberikan manfaat bagi pembaca
maupun menulis untuk menjelaskan tentang definisi, fungsi, jenis-jenis serta
cara kerja transistor
2. Diharapkan bermanfaat untuk menambah wawasan mengenai definisi, fungsi,
jenis-jenis serta cara kerja transistor.
2
BAB II
PEMBAHASAN
Transistor seperti gambar diatas dapat disebut juga transistor bipolar atau
transistor BJT (Bipolar Junction Transistor). Transistor bipolar adalah inovasi yang
menggantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang
relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu
yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama
pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun konsumsi
dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang digunakan
adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan
penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor
junction lainnya itulah kenapa disebut (Bipolar Junction Transistor). Seperti pada dioda,
arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada
material P lebih positif daripada material N (forward bias). Pada gambar ilustrasi
transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias positif sedangkan basecolector
mendapat bias negatif (reverse bias).
3
Gambar 2. Rangkaian bias transistor dan arus Elektron
Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, electron
mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif, sebab
mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak
menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju
base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian
elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan
menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua diode
digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar
base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron.
4
Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi
aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju
(forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar
arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya electron
yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan
transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih
besar. Istilah amplifier (penguatan) sebenarnya bukanlah penguatan dalam arti
sebenarnya, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan,
melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat
dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor
(switch on/off).
Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan
bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah
arus hole.
Perlu diingat, walaupun tidak ada perbedaan pada doping bahan pembuat emitor
dan kolektor, namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik.
5
Dari satu bahan silikon (monolitic), emitor dibuat terlebih dahulu, kemudian base
dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. Terkadang dibuat juga efek
dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah yang
dikehendaki.
Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut
adalah terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial
yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.
Pada tabel data transistor (databook) beberapa hal perlu diperhatikan antara lain
spesifikasi αdc (alpha dc) yang tidak lain adalah:
αdc = IC/IE
6
Defenisinya adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor. Karena
besar arus kolektor umumnya hampir sama dengan besar arus emiter maka idealnya besar
αdc adalah = 1 (satu). Namun umumnya transistor yang ada memiliki αdc kurang lebih
antara 0.95 sampai 0.99.
Pada tabel data transistor (databook) juga dapat dijumpai spesifikasi βdc (beta dc)
atau hfe didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus base.
βdc = IC/IB
Dengan kata lain, βdc adalah parameter yang menunjukkan kemampuan
penguatan arus (current gain) dari suatu transistor. Parameter ini ada tertera di databook
transistor dan sangat membantu para perancang rangkaian elektronika dalam
merencanakan rangkaiannya. Sebelumnya ada beberapa spesifikasi transistor yang perlu
diperhatikan, seperti tegangan VCEmax dan PD max. Sering juga dicantumkan di
datasheet keterangan lain tentang arus ICmax VCBmax dan VEBmax. Ada juga PDmax
pada TA = 25𝑜 dan PD max pada TC = 25𝑜 .
Transistor adalah sebuah alat semikonduktor yang bisa di pakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung tegangan (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal dan sebagai fungsi lainnya. Transistor sendiri juga dapat kita jadikan
semacam kran listrik, di mana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya
(FET) dapat memungkinkan pengaliran arus listrik yang sangat akurat dari sumber
listriknya.
7
Sedangkan dalam rangkaian digital, transistor banyak di gunakan sebagai saklar
yang memiliki kecepatan tinggi. Dari beberapa transistor juga dapat kita rangkai
sedemikian rupa sehingga sebuah transistor yang kita rangkai tadi berfungsi sebagai logic
gate, memory dan komponen komponen lainnya.
Sekarang ini fungsi transistor banyak yang sudah terkontaminasi dan di satukan
dari beberapa jenis transistor menjadi satu buah komponen yang lebih kompleks yang
dalam dunia elektronika biasa di sebut dengan Integrated Circuit (IC). IC mempunyai
cara kerja dan kemampuan yang lebih sederhana, tetapi mempunyai bentuk fisik yang
ringkas sehingga tidak banyak memakan tempat.
Transistor Bipolar atau nama lainnya adalah transistor dwi kutub adalah jenis
transistor paling umum di gunakan dalam dunia elektronik. Di dalam transistor ini
terdapat 3 lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua lapisan inti, yaitu lapisan
P-N-P dan lapisan N-P-N. Transistor bipolar juga memiliki 3 kaki yang masing masing
di beri nama Basis (B), Kolektor (K) dan Emiter (E). Perbedaan antara fungsi dan jenis-
jenis transisor ini terlihat pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik
yang berlawanan.
Cara kerja transistor bipolar dapat di lihat dari dua dioda yang terminal positif dan
negatif selalu berdempet, itu sebabnya pada saat ini terdapat 3 kaki terminal. Perubahan
8
arus listrik dari jumlah kecil dapat menimbulkan efek perubahan arus listrik dalam jumlah
besar khususnya pada terminal kolektor. Prinsip kerja ini lah yang mendasari penggunaan
transistor sebagai penguat elektronik.
Transistor Efek Medan atau biasa di singkat FET adalah transistor yang juga
memiliki 3 kaki terminal yang masing masing di beri nama Drain (D), Source (S) dan
Gate (G). Sistem kerja FET adalah dengan cara mengendalikan aliran elektron dari
terminal Source ke Drain melalui tegangan yang di berikan pada terminal Gate.
Pada saat ini jenis-jenis transistor FET di bagi menjadi dua tipe, yaitu
enhancement mode dan depletion mode. Kedua mode ini menandakan polaritas tegangan
gate di bandingkan dengan source pada saat FET menghantarkan listrik. Sebagai contoh
dalam depletion mode, di sini gate adalah negatif di bandingkan dengan source,
sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Jika tegangan pada gate di
rubah menjadi positif, maka aliran arus kedua mode di antara source dan drain akan
meningkat.
9
BAB III
PENUTUP
3.1 Kesimpulan
Bagian emitter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-
basis dibias maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan
dioda biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka
arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis
(Ib) akan naik secara cepat.
10
DAFTAR PUSTAKA
Millman, Jacob. 1993. MIKRO ELEKTRONIKA Sistem Digital dan Rangkaian Analog.
Jakarta :Erlangga.
Sutrisno. 1986. Elektronika : teori dasar dan penerapannya, jilid 1. Bandung : ITB
Poerwanto, Hidayatti. J., Anizar. 2003. Dasar Elektronika Analog dan Digital. Graha
Ilmu : Yogyakarta.
11