MAKALAH RANGKAIAN ELEKTRONIKA

Disusun oleh :
1. Aziz Ryanza Putra (231010100075)
2. Kholiq Falaqirhomadon Fauzi (231010100367)
3. Moch Bashar Aryadi (231010100141)
4. Mohammad Rizki Aprianto (231010100067)
5. Muhammad Affan Apriansyah (231010100151)
6. Shidqi Galih Pangestu (231010100163)

Dosen :
Sunardi S,T.M,T

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS PAMULANG
PROGRAM STUDI : TEKNIK ELEKTRO
 KATA PENGHANTAR
Puji syukur kami panjatkan atas kehadirat Tuhan Yang Maha Esa atas segala rahmat-Nya seh
ingga makalah ini dapat tersusun hingga selesai. Tidak lupa kami mengucapkan banyak terim
akasih atas bantuan dari pihak yang berkontribusi dengan memberikan sumbangan baik mate
ri maupun pikirannya. Adapun tujuan pembuatan makalah ini untuk memenuhi Tugas Mata K
uliah RANGKAIAN ELEKTRONIKA, pada semester 1 di tahun akademik 2023/2024 deng
an judul : TRANSISTOR BIPOLAR, maka penyusun mengucapkan terimakasih kepada :

- Bapak Sunardi S,T.,M,T, selaku dosen pengajar mata kuliah Rangkaian Elektronika
yang telah memberikan ide dan saran dalam pembuatan makalah ini
- Semua pihak yang tidak dapat penyusun rinci satu persatu yang telah membantu dala
m proses penyusunan makalah ini.

Sebagai penyusun, kami menyadari bahwa masih terdapat banyak kekurangan, baik dari peny
usunan maupun tata bahasa penyampaian dalam makalah ini. Oleh karena itu, kami dengan re
ndah hati menerima saran dan kritik dari pembaca agar kami dapat memperbaiki makalah in
i.

kami berharap dengan tersusunnya makalah ini, memberikan manfaat bagi pembaca serta me
nambah wawasan pengetahuan dan juga dijadikan inspirasi untuk pembaca.

Tangerang, 2 November 2023

PENYUSUN

i
 DAFTAR ISI

KATA PENGHANTAR........................................................................................................................... i
DAFTAR ISI...........................................................................................................................................ii
BAB I.......................................................................................................................................................1
PENDAHULUAN...................................................................................................................................1
1.1 Latar Belakang Pembahasan Transistor.........................................................................................1
1.2 Tujuan Pembahasan Transistor......................................................................................................1
1.3 Rumusan Masalah..........................................................................................................................1
1.4 Batasan Masalah............................................................................................................................1
BAB II......................................................................................................................................................2
DASAR TEORI.......................................................................................................................................2
2.1 Sejarah Penemuan Transistor.........................................................................................................2
2.2 Pengertian Transistor.....................................................................................................................2
2.3 Fungsi Transistor...........................................................................................................................2
BAB III....................................................................................................................................................3
PEMBAHASAN......................................................................................................................................3
3.1 Konstruksi Transistor Bipolar........................................................................................................3
3.2 Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN.......................................................................4
3.3 Prinsip Kerja dari Transistor..........................................................................................................4
A. Cara kerja Transistor...................................................................................................................4
B.Azaz Kerja Transistor..................................................................................................................7
3.4 Transistor Sebagai Penguat Arus...................................................................................................7
A.Kegunaan lain transistor..............................................................................................................8
B.Karakteristik Transfer Transistor.................................................................................................8
3.5 Penguat dalam Keadaan Diam.......................................................................................................9
BAB IV..................................................................................................................................................10
PENUTUP.............................................................................................................................................10
4.1 Kesimpulan..................................................................................................................................10
4.2 Saran............................................................................................................................................12
DAFTAR PUSTAKA.............................................................................................................................iii

ii
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang Pembahasan Transistor

Walter H. Brattain dan John Bardeen pada akhir Desember 1947 di Bell Telephone Labor
atories berhasil menciptakan suatu komponen yang mempunyai sifat menguatkan yaitu yang
disebut dengan Transistor. Keuntungan komponen transistor ini dibanding dengan pendahulu
nya, yakni tabung hampa,adalah ukuran fisiknya yang sangat kecil dan ringan. Bahkan denga
n teknologi sekarang ini ratusan ribu transistor dapat dibuat dalam satu keping silikon. Disam
ping itu komponen semikonduktor ini membutuhkan sumber daya yang kecil serta serta efisie
nsi yang tinggi.

1.2 Tujuan Pembahasan Transistor

Agar mahasiswa-mahasiswi jurusan teknik Elektronika khususnya teknik Komputer untuk
meningkatkan pengetahuan mengenai elektronika semikonduktor dan pengetahuan lebih men
dalam tentang kerja transistor, dijabarkan persamaan statik dasar transistor bipolar. Berbagai
modus kerja transistor kemudian dipaparkan lebih sederhana agar mudah untuk pemahaman
dan pembahasannya.

1.3 Rumusan Masalah

Dalam makalah ini membahas tentang:
1. Transistor Bipolar
2. Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN
3. Prinsip Kerja Transistor PNP dan NPN
4. Transistor Sebagai Saklar Elektronik

1.4 Batasan Masalah

Berdasarkan rumusan masalah, maka makalah ini tidak membahas:
1. Tipe-tipe transistor
2. Transistor uniplar secara terperinci
3. Fungsi transistor secara terperinci

1
 BAB II

DASAR TEORI

2.1 Sejarah Penemuan Transistor

Transistor adalah komponen yang mengubah wajah dunia,memungkinkan ukuran peralatan
elektronika semakin kecil dan kompak dan daya konsumsinya rendah,juga mengawali era ele
ktronika digital.
John Bardeen, Walter Brattain, dan William Shockley di Bell Laboratories mengembangka
n komponen kecil yang akan mengubah dunia elektronika. Mereka menciptakan Transistor pe
rtama, yang merupakan perangkat semikonduktor yang memungkinkan kontrol arus listrik, m
enjadi dasar bagi berbagai aplikasi elektronik. Pengembangan transistor menggantikan tabung
vakum yang lebih besar dan tidak efisien sebagai komponen utama dalam perangkat elektroni
k.
Mendapatkan sedikit apresiasi ketika temuan ini diumumkan pada tahun 1948, Shockley tet
ap mengembangkan transistor ini dengan memperkerjakan insinyur dan fisikawan yang hebat
Di laboratorium yang ia dirikan, Shockley Semiconductor, orang-orang yang diperkerjakann
ya itu berpaling dan mendirikan perusahaan mereka sendiri akibat adanya persaingan yang tid
ak tepat.
Transistor pun terus berkembang penyusunnya, dan saat ini mayoritas transistor tidak lagi
menggunakan germanium melainkan menggunakan silikon. Penggunaan silikon memberikan
ketahanan yang lebih tinggi karena germainum rusak pada suhu 82℃.

2.2 Pengertian Transistor

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,sebagai sirkuit pemutus
dan penyambung (switching),stabilisasi tegangan , modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainny
a.Transistor dapat berfungsi kran listrik,dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau teganga
n inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber lis
triknya.

2.3 Fungsi Transistor

Fungsi transistor antara lain sebagai berikut:
1. Perata arus pada adaptor
2. Penguat arus (amplifier)
3. Penahan sebagian arus
4. Pebangkit frekuensi rendah dan tinggi (osilator)
5. Saklar elektronik (switching)

2
 BAB III

PEMBAHASAN

3.1 Konstruksi Transistor Bipolar

Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah bahantipeP dan d
iapit oleh dua bahan tipe N (transistor NPN) atau terdiri atas sebuah bahan tipe N dan diapit o
leh dua bahan tipe P (transistor PNP).Sehingga transistor mempunyai tiga terminal yang bera
sal dari masing-masing bahan tersebut. Struktur dan simbol transistor bipolar dapar dilihat pa
da gambar.Disamping itu yang perlu diperhatikan adalah bahwa ukuran basis sangatlah tipis
dibanding emitor dan kolektor. Perbandingan lebar basis ini dengan lebar emitor dan kolektor
kurang lebih adalah 1 : 150.Sehingga ukuran basis yang sangat sempit ini nanti akan mempen
garuhi kerja transistor.Simbol transistor bipolar ditunjukkan pada gambar 3.1. Pada kaki emit
or terdapat tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu merupakan arah arus konvension
al.Pada transistor NPN tanda panahnya menuju keluar sedangkan pada transistor PNP tanda p
anahnya menuju ke dalam.

Gambar simbol transistor bipolar ditunjukkan pada

Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor ,Basis, Kolektor.Emitor mer
upakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping sangat tinggi.Bahan kolektor diberi
doping dengan tingkat yang sedang.Sedangkan basis adalah bahan dengan dengan doping yan
g sangat rendah.Perlu diingat bahwa semakin rendah tingkat doping suatu bahan, maka semak
in kecil konduktivitasnya.Hal ini karena jumlah pembawa mayoritasnya (elektron untuk baha
n N;dan hole untuk bahan P) adalah sedikit.

3
3.2 Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN
Pada transistor baik untuk tipe NPN atau PNP anak panah selalu ditempat emitor artin
ya anak panah menunjuk arus listrik konvensional dimana arahnya berlawanan dengan arah a
rus electron:
1. Transistor PNP: Arus listrik yang besar akan mengalir dari emitter ke collector.Apabil
a ada arus kecil yang mengalir dari emitter ke base.
2. Transistor NPN: Arus listrik yang besar akan mengalir dari collector ke emitter, apabi
la ada arus kecil yang mengalir dari base ke emitter.Dalam hal ini transistor mirip den
gan amplifier,yang mengontrol jumlah arus dari collector ke emitter oleh arus yang m
engalir dari base.Transistor juga mirip dengan fungsi sakelar.Transistor akan bekerja
pada posisi ON,yaitu arus akan mengalir dari collector ke emitter apabila arus kecil m
engalir dari base.Sedangkan transistor akan berada pada posisi OFF,apabila tidak ada
arus yang mengalir dari base.

3.3 Prinsip Kerja dari Transistor

A. Cara kerja Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor,(BJT a
tau transistor bipolar) dan (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda. Transistor bip
olar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pemb
awa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama
harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone,dan ketebalan lapisan
ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama ters
ebut.
FET (juga dinamakan transistor unipolar)hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan
(elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam
satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan tra
nsistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari da
erah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk menguba
h ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan
yang lebih lanjut.
Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka semua arus
akan nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagaimana terjadi pada persambungan dioda,
maka pada persambungan emiter dan basis (JE) serta pada persambungan basis dan kolektor
(JC) terdapat daerah pengosongan.Tegangan penghalang pada masing-masing persambungan
dapat dilihat pada gambar dibawah ini.

4
Pada diagram potensial terlihat bahwa terdapat perbedaan potensial antara kaki emitor dan ba
sis sebesar Vo, juga antara kaki basis dan kolektor. Oleh karena potensial ini berlawanan den
gan muatan pembawa pada masing-masing bahan tipe P dan N, maka arus rekombinasi hole-e
lektron tidak akan mengalir. Sehingga pada saat transistor tidak diberi tegangan bias, maka ar
us tidak akan mengalir. Selanjutnya apabila antara terminal emitor dan basis diberi tegangan
bias maju (emitor positif dan basis negatif) serta antara terminal basis dan kolektor diberi bias
mundur (basis positif dan kolektor negatif), maka transistor disebut mendapat bias aktif (lihat
gambar).

Transistor dengan tegangan bias aktif.

Setelah transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah pengosongan pada persamb
ungan emitor-basis menjadi semakin sempit karena mendapatkan bias maju. Sedangkan daera
h pengosongan pada persambungan basis-kolektor menjadi semakin melebar karena mendapa
t bias mundur.

Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor berbeda sama sekali b
ila dibanding dengan dua dioda yang disusun berbalikan, meskipun sebenarnya struktur transi
stor adalah mirip seperti dua dioda yang disusun berbalikan,
yakni dioda emitor-basis (P-N) dan dioda basis-kolektor (N-P).

Bila mengikuti prinsip kerja dua dioda yang berkebalikan, maka dioda emitor basis ya
ng mendapat bias maju akan mengalirkan arus dari emitor ke basis dengan cukup besar. Seda
ngkan dioda basis-kolektor yang mendapat bias mundur praktis tidak mengalirkan arus. Deng
an demikian terminal emitor dan basis akan mengalir arus yang besar dan terminal kolektor ti
dak mengalirkan arus.Namun yang terjadi pada transistor tidaklah demikian. Hal ini disebabk
an karena dua hal, yaitu: ukuran fisik basis yang sangat sempit (kecil) dan tingkat doping basi
s yang sangat rendah. Oleh karena itu konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata lain
jumlah pembawa mayoritasnya (dalam hal ini adalah elektron) sangatlah sedikit dibanding de
ngan pembawa mayoritas emitor (dalam hal ini adalah hole). Sehingga jumlah hole yang berd
ifusi ke basis sangat sedikit dan sebagian besar tertarik ke kolektor dimana pada kaki kolektor
ini terdapat tegangan negatif yang relatif besar.

5
 Gambar diagram potensial pada transistor dengan bias aktif.

Tegangan bias maju yang diberikan pada dioda emitor-basis (VEB) akan mengurangi
potensial penghalang Vo, sehingga pembawa muatan mayoritas pada emitor akan mudah untu
k berekombinasi ke basis. Namun karena konduktivitas basis yang rendah dan tipisnya basis,
maka sebagian besar pembawa muatan akan tertarik ke kolektor. Disamping itu juga dikuatka
n oleh adanya beda potensial pada basis kolektor yang semakin tinggi sebagai akibat penerap
an bias mundur VCB.

Dengan demikian arus dari emitor (IE) sebagian kecil dilewatkan ke basis (IB) dan se
bagian besar lainnya diteruskan kolektor (IC). Sesuai dengan hukum Kirchhoff maka diperole
h persamaan yang sangat penting yaitu:

IE = IC + IB

Karena besarnya arus IC kira-kira 0,90 sampai 0,998 dari arus IE, maka dalam prakte
k umumnya dibuat IE ≅ IC. Disamping ketiga macam arus tersebut yang pada dasarnya adal
ah disebabkan karena aliran pembawa mayoritas, di dalam transistor sebenarnya masih terdap
at aliran arus lagi yang relatif sangat kecil yakni yang disebabkan oleh pembawa minor-itas.
Arus ini sering disebut dengan arus bocor atau ICBO (arus kolektor-basis dengan emitor terb
uka).

Namun dalam berbagai analisa praktis arus ini sering diabaikan. Seperti halnya pada d
ioda, bahwa dalam persambungan PN yang diberi bias mundur mengalir arus bocor Is karena
pembawa minoritas. Demikian juga dalam transistor dimana persambungan kolektor-basis ya
ng diberi bias mundur VCB akan mengalir arus bocor (ICBO). Arus bocor ini sangat peka ter
hadap temperatur, yakni akan naik dua kali untuk setiap kenaikan temperatur 10 OC.

Diagram aliran arus IE, IB, IC dan ICBO dalam transistor dapat dilihat pada gambar 3.
5. Dari gambar tersebut terlihat bahwa arus kolektor merupakan penjumlahan dari arus pemb
awa mayoritas dan arus pembawa minoritas, yaitu IC = IC mayoritas IC minoritas.

6
 Gambar diagram aliran arus dalam transistor

B.Azaz Kerja Transistor

1. Akan mengalir arus pada terminal kolektor dan emiter (I c) apabila ada arus yang
mengalir pada terminal basis emiter (IB). dalam keadaan ini transmiter “on”
2. Perbandingan antara Ic dan IB disebut sebagai “Bandingan hantaran maju” (Forward
current ratio) disebut HFE
3. Pada transistor daya: hFE = + 25 kali
4. Untuk penguatan frekwensi tinggi hFE = 100 kali

3.4 Transistor Sebagai Penguat Arus

sebagai penguat:
• Transistor bekerja pada mode aktif.
• Transistor berperan sebagai sebuah sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan
(VCCS).
• Perubahan pada tegangan base-emitter,vBE, akan menyebabkan perubahan pada
arus collector, Ic.
• Transistor dipakai untuk membuat sebuah penguatan transkonduktansi.
• Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan melalukan arus collector ke sebuah
resistansi, RC.
• Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi bias, dan sinyal akan
ditumpangkan pada tegangan bias dan sinyal yang akan diperkuat harus dijaga
tetap kecil.

Dengan arus IB yang kecil dapat menghasilkan arus kolektor I C yang besar. Jika
arus basis IB kita anggap sebagai input dan arus kolektor I C sebagai output, maka
transistor dapat kita anggap sebagai penguat arus atau sering kita sebut penguat
arus (current amplimeter) HFe.

Karena arus IC lebih besar dari arus keluaran IB jadi penguatan arus / HFE dapat
didefenisikan sebagai perbandingan antara arus keluaran IC dan arus masukan IB

7
A.Kegunaan lain transistor
Penguat Sinyal
Transistor Sebagai Penguat Pada saat ini penggunaan transistor sebagai penguat sudah
banyak di gunakan dalam sebuah perangkat elektronik. Contohnya adalah Tone Control,
Amplifier (Penguat Akhir), Pre-Amp dan rangkaian elektronika lainnya. Transistor
merupakan suatu komponen monokristal semi konduktor di mana dalam komponen terdapat
dua pertemuan antara P-N. Sehingga kita dapat membuat dua rangkaian yaitu P-N-P dan N-
P-N. Transistor merupakan suatu komponen yang dapat memperbesar level sinyal keluaran
sampai beberapa kali sinyal masukan. Sinyal masukan disini dapat berupa sinyal AC ataupun
DC. Prinsip yang di gunakan dalam transistor sebagai penguat adalah arus kecil pada basis
digunakan untuk mengontrol arus yang lebih besar dari kolektor melewati transistor. Dari sini
dapat kita lihat bahwa fungsi dari transistor hanya sebagai penguat ketika arus basis akan
berubah. Perubahan arus kecil pada basis inilah yang dinamakan dengan perubahan besar
pada arus yang mengalir dari kolektor ke emitter. Suatu transistor sebagai penguat dapat
bekerja secara optimal, maka titik penguat dengan transistor harus di tentukan dan juga harus
sama dengan yang di tentukan oleh garis beban AC/DC. Contohnya adalah memiliki titik
kerja di daerah cut-off, titik kerja berada di tengah-tengah garis beban dan penguat kelas AB
merupakan gabungan antara kelas A dan B yang bekerja secara bergantian dengan tipe
transistor PNP dan NPN

B.Karakteristik Transfer Transistor

Transistor merupakan alat dengan tiga terminal seperti yang diperlihatkan oleh symbol
sirkuit pada gambar. Setelah bahan semikonduktor diolah, terbentuklah bahan semikonduktor
jenis p dan n. Walapun proses pembuatannya sangat banyak, pada dasarnya transistor
merupakan tiga lapis gabungan kedua jenis bahan tadi, yaitu PNP dan NPN. Prinsip kerja
kedua tipe ini sama, perbedaan hanyalah keberadaannya dalam kondisi pancaran DC.

8
Kurva ini menyajikan hubungan antar arus masukan di satu sisi dan arus serta tegangan
keluaran di sisi lain. Parameter yang sangat penting bagi transistor adalah penguat arus DC
yang dikenal sebagai penguat arus statis hfe. Ini adalah penguatan transistor pada keadaan
stasioner, yaitu tanpa sinyal masukan, tidak mempunyai satuan (karena suatu perbandingan.
Transistor NPN kolektor dan emitter merupakan bahan semikonduktor jenis p. transistor
bekerja dalam satu arah, yaitu dari kolektor menuju emitter, karena kedua terminal tersebut
terbuat dari bahan yang sama. Pada dasarnya transistor dapat dianggap sebagai suatu piranti
yang beroperasi karena adanya arus. Kalau alat mengalir kedalam basis dan melewati
sambungan basis emitter, suatu suplay positif pada kolektor akan menyebabkan arus mengalir
antara kolektor dan emitter. Dua hal yang harus diperhatikan pada arus kolektor ini adalah:
A. untuk arus basis nol, arus kolektorturunsampai pada tingkat arus kebocoran, yaitu kurang
dari 1 mikro ampere dalam kondisi normal (untuk transistor dengan bahan dasar silikon).
B untuk arus basis tertentu, arus kolektor yang mengalir akan jauh lebih besar daripada arus
basis itu. Arus kolektor tersebut dicapai dengan Ic =

Gambar karakteristikkeluaran yang menghubungkanarus IC denganteganganVce untu

khargaarus IB tertentu.

3.5 Penguat dalam Keadaan Diam

Ketika pada rangkaian penguat belum diberi sinyal masukan AC, maka rangkaian penguat
disebut berada dalam keadaan diam. Supaya bekerja maka transistor harus dipanjar dengan
tegangan DC.
Cara transistor dalam keadaan diam adalah :

9
1. Matikan sinyal generator untuk sementara.
2. Hidupkan catu daya, minimum kan bias control (potensiometer 10 k). Bacaharga,
VCE dan IC Peta kan sebagai titik pada kertas graf karakteristik transistor. Titik tersebut
adalah salah satutitik garis beban.
3. Atur potensiometer 10 k sehingga arus basis sebesar 10A. Catat harga VCE dan
Ic Harga-harga ini adalah harga titik kerja.
4. Petakan karakteristik Ic/VCE transistor.
5. Variasi kan arus basis menjadi 5A dan 15A Untuk masing-masing harga arus basis
petakan nilai yang diperoleh. Semua titik-titik ini harus terletak pada garis lurus (garis beban)
6. Atur arus basis menjadi 10A kembali. Hidupkan sinyal generator dan atur untuk
menghasilkan sinyal 1 Vp-p pada 1kHz.Gunakan osiloskop untuk mengamati bentuk
gelombang input dari sinyal generator dan bentuk gelombang output pada kolektor transistor
gambarkan kedua bentuk gelombang tersebut.
7. Atur potensiometer ke posisi minimum dan gambarkan bentuk gelombang output.
8. Kemudian atur ke posisi maksimum dan catat pula bentuk gelombang output.

BAB IV

PENUTUP

4.1 Kesimpulan
2.2 Pengertian Transistor Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai
penguat,sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching),stabilisasi tegangan ,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya.Transistor dapat berfungsi kran listrik,dimana
berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran
listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

3.1 Konstruksi Transistor Bipolar Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri
atas sebuah bahantipeP dan diapit oleh dua bahan tipe N (transistor NPN) atau terdiri atas
sebuah bahan tipe N dan diapit oleh dua bahan tipe P (transistor PNP).Sehingga transistor
mempunyai tiga terminal yang berasal dari masing-masing bahan tersebut.

Perbandingan lebar basis ini dengan lebar emitor dan kolektor kurang lebih adalah 1 :
150.Sehingga ukuran basis yang sangat sempit ini nanti akan mempengaruhi kerja
transistor.Simbol transistor bipolar ditunjukkan pada gambar 3.1.

10
Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor ,Basis, Kolektor.Emitor merupakan
bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping sangat tinggi.Bahan kolektor diberi doping
dengan tingkat yang sedang.Sedangkan basis adalah bahan dengan dengan doping yang
sangat rendah.Perlu diingat bahwa semakin rendah tingkat doping suatu bahan, maka
semakin kecil konduktivitasnya.Hal ini karena jumlah pembawa mayoritasnya (elektron untuk
bahan N;dan hole untuk bahan P) adalah sedikit.

3.2 Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN Pada transistor baik untuk tipe NPN
atau PNP anak panah selalu ditempat emitor artinya anak panah menunjuk arus listrik
konvensional dimana arahnya berlawanan dengan arah arus electron: 1.

Transistor PNP: Arus listrik yang besar akan mengalir dari emitter ke collector.Apabila ada
arus kecil yang mengalir dari emitter ke base.

Transistor NPN: Arus listrik yang besar akan mengalir dari collector ke emitter, apabila ada
arus kecil yang mengalir dari base ke emitter.Dalam hal ini transistor mirip dengan
amplifier,yang mengontrol jumlah arus dari collector ke emitter oleh arus yang mengalir dari
base.Transistor juga mirip dengan fungsi sakelar.Transistor akan bekerja pada posisi
ON,yaitu arus akan mengalir dari collector ke emitter apabila arus kecil mengalir dari
base.Sedangkan transistor akan berada pada posisi OFF,apabila tidak ada arus yang
mengalir dari base.

3.3 Prinsip Kerja dari Transistor A. Cara kerja Transistor Dari banyak tipe-tipe transistor
modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor,(BJT atau transistor bipolar) dan (FET),
yang masing-masing bekerja secara berbeda.

Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka semua arus akan
nol atau tidak ada arus yang mengalir.

Sebagaimana terjadi pada persambungan dioda, maka pada persambungan emiter dan
basis (JE) serta pada persambungan basis dan kolektor (JC) terdapat daerah
pengosongan.Tegangan penghalang pada masing-masing persambungan dapat dilihat
pada gambar dibawah ini.

Selanjutnya apabila antara terminal emitor dan basis diberi tegangan bias maju (emitor
positif dan basis negatif) serta antara terminal basis dan kolektor diberi bias mundur (basis
positif dan kolektor negatif), maka transistor disebut mendapat bias aktif (lihat gambar).

Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor berbeda sama sekali bila
dibanding dengan dua dioda yang disusun berbalikan, meskipun sebenarnya struktur
transistor adalah mirip seperti dua dioda yang disusun berbalikan, yakni dioda emitor-basis
(P-N) dan dioda basis-kolektor (N-P).

Dengan demikian terminal emitor dan basis akan mengalir arus yang besar dan terminal
kolektor tidak mengalirkan arus.Namun yang terjadi pada transistor tidaklah demikian.

11
Disamping ketiga macam arus tersebut yang pada dasarnya adalah disebabkan karena
aliran pembawa mayoritas, di dalam transistor sebenarnya masih terdapat aliran arus lagi
yang relatif sangat kecil yakni yang disebabkan oleh pembawa minor-itas.

Akan mengalir arus pada terminal kolektor dan emiter (Ic) apabila ada arus yang mengalir
pada terminal basis emiter (IB).

• Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi bias, dan sinyal akan
ditumpangkan pada tegangan bias dan sinyal yang akan diperkuat harus dijaga tetap kecil.

Jika arus basis IB kita anggap sebagai input dan arus kolektor IC sebagai output, maka
transistor dapat kita anggap sebagai penguat arus atau sering kita sebut penguat arus
(current amplimeter) HFe.

Karena arus IC lebih besar dari arus keluaran IB jadi penguatan arus / HFE dapat
didefenisikan sebagai perbandingan antara arus keluaran IC dan arus masukan IB

Prinsip yang di gunakan dalam transistor sebagai penguat adalah arus kecil pada basis
digunakan untuk mengontrol arus yang lebih besar dari kolektor melewati transistor.

Perubahan arus kecil pada basis inilah yang dinamakan dengan perubahan besar pada arus
yang mengalir dari kolektor ke emitter.

Suatu transistor sebagai penguat dapat bekerja secara optimal, maka titik penguat dengan
transistor harus di tentukan dan juga harus sama dengan yang di tentukan oleh garis beban
AC/DC.

Contohnya adalah memiliki titik kerja di daerah cut-off, titik kerja berada di tengah-tengah
garis beban dan penguat kelas AB merupakan gabungan antara kelas A dan B yang bekerja
secara bergantian dengan tipe transistor PNP dan NPN B.Karakteristik Transfer Transistor
Transistor merupakan alat dengan tiga terminal seperti yang diperlihatkan oleh symbol
sirkuit pada gambar.

Dua hal yang harus diperhatikan pada arus kolektor ini adalah: A. untuk arus basis nol, arus
kolektorturunsampai pada tingkat arus kebocoran, yaitu kurang dari 1 mikro ampere dalam
kondisi normal (untuk transistor dengan bahan dasar silikon).

B untuk arus basis tertentu, arus kolektor yang mengalir akan jauh lebih besar daripada arus
basis itu.

4.2 Saran
Sebagai mahasiswa teknik, khususnya teknik elektro, kita harus menguasai dan
mengetahui penggunaan transistor serta berbagai prinsip kerjanya, agar kita bisa
menerapkannya dalam kehidupan sehari-hari.

12
 DAFTAR PUSTAKA

Wang J, Xie Y, Amano HIEEE Electron Device Letters (2021) High-Gain Gated Lateral Pow
er Bipolar Junction Transistor
Vasudevan K(2022) Basic Electronic Circuits: Problems and Solutions
Hobbs P(2022) Building Electro‐Optical Systems
Gift S, Maundy B(2021) Electronic circuit design and application
Nathan A, Saha S, Todi R(2023) 75th Anniversary of the Transistor
Rencz M, Poppe A, Farkas G(2023) Theory and practice of thermal transient testing of electr
onic components
Malvino,Albert Paul. 1984. Prinsip-Prinsip Elektronika. Jakarta; Erlangga
Millman, Jacob & Cristos C. Jalkias. 1986. Elektronika Terpadu. Jakarta; Erlangga

iii