SEMI KONDUKTOR

MAKALAH
UNTUK MEMENUHI TUGAS MATAKULIAH
Ilmu Bahan Listrik
yang dibina oleh Bapak Ir. Suharto, MT

oleh;
Adittya bernanda
Agus kurniawan
Alam firdaus
Ali akbar toyib
Ali rahman

POLITEKNIK NEGERI
PONTIANAK PRODI TEKNIK
LISTRIK 25 JANUARI
 PENDAHULUAN
A. LATAR BELAKANG
Mengingat bahwa semi konduktor sudah umum digunakan pada bahan komposisi
elektronika dan pengunaannya yang luas seperti pada IC, Transistor, Dioda, LED dan
sebagainya. Sehingga pada saat ini dibutuhkan tentang pengetahuan komposisi bahan
dan akibat dari komponen saat teraliri arus listrik dan tegangan. Para pembaca diharapkan
dapat mengerti tentang bahan penyusun semi konduktor sehingga tidak asing lagi tentang
percampuran bahan atau doping.

B. TUJUAN
Setelah membaca makalah ini pembaca diharapkan dapat mengerti tentang
pengelompokan bahan, pengertian semi konduktor dan penggunannya, bahan jenis
pengkomposisi semi konduktor (bahan jenis P dan bahan jenis N). Mengetahui penerapan
semi konduktor pada komponen semi konduktor yang berguna dan telah banyak dipakai
rangkaian elektronika dan elektro dalam industri maupun rumah tangga.
 DAFTAR ISI

Pendahuluan............................................................................1
Daftar Isi..................................................................................2
Pembahasan
A. Orbit-orbit Elektron...............................................................3
B. Tinjauan Umum................................................................7
C. Semi Konduktror..............................................................9
1) Pengertian Dasar......................................................9
2) Semi Konduktor Insintrik dan Eksintrik.................11
3) Bahan-bahan Jenis-P dan Jenis-N............................16
4) Karakteristik Arus dan Tegangan Dioda.................27
Daftar Pustaka.......................................................................28
 PEMBAHASAN

A. ORBIT – ORBIT ELEKTRON

Sekitar tahun 600 SM, orang-orang Yunani menemukan bahwa amber yang digosok
mempunyai satu jenis muatan listrik dan gelas yang digosok mempunyai muatan listrik dari jenis
yang lain. Dalam 1750 Franklin menyebut jenis yang pertama muatan yang positif dan jenis yang
kedua muatan yang negatif. Dalam 189, Thomson menemukan elektro dan telah membuktikan,
bahwa muatan negatif. Penemuan ini diikuti dengan penemuan proton, (bermuatan positif) dan
neutron (tidak bermuatan). Dengan demikian sekarang kita mengetahui,bahwa bahan tersusun
dari atom-atom denagn inti dipusat dan elektron yang mengelilinginya. Oleh karena itu inti
mengandung proton dan neutron maka muatannya positif. Apabila sebuah atom bermuatan
netral, Banyaknya elektron yang mengelilingi inti sama dengan banyaknya proton dalam inti.

1. Atom Boron
Gaya–gaya dalam atom membatasi gerak–gerak elektron dalam satu daerah dalam
dimensi tiga yang disebut kulit–kulit. Gambar dibawah atom Boron yang dipersederhana ini akan
memberikan informasi yang sama dan lebih mudah untuk digambar. Perhatikan kelima proton
yang ada didalam inti, kedua elektron didalam lintasan yang kecil dan ketiga elektron yang
berada didalam lintasan yang besar.

Gb.I Dua Dimensi

 Apabila digambar dalam dua dimensi sebuah kulit nampak sebagi sebuah lintasan yang
melingkar. Selanjutnya kulit yang pertama kita sebut sebagai orbit yang pertama dan kulit yang
kedua sebagai lintasan yang kedua sebagai lintasan yang kedua dan seterusnya.

2. Konduktor.
Perak (disingkat Ag) mempunyai konduktivitas yang paling tinggi diantara logam-logam.
Tembaga (Cu) mempunyai konduktivitas tertinggi nomor dua, selanjutnya emas (Au)
mempunyai konduktivitas nomor tertinggi ketiga. Yang menyebabkan konduktivitas yang tinggi
apabila kita memandang struktur atomnya atomnya yang diperlihatkan pada Gb.II. Inti atom
mengandung 29 proton. Apabila atom tembaga secara listrik netral, dua elektron yang berada
dalam dua orbt pertama, 8 ada dalam orbit yang kedua, 18 ada dalam orbit yang ketiga dan satu
yang ada dikeempat. Inti yang positif menarik elektron-elektron yang terdekat daengan gaya
yang paling besar. Gaya tarikan ini berkurang untuk orbit yang lebih besar. Memang satu
elektron yang berada dalam satu orbit yang paling yang luar adalah demikian jauh dari inti,
sehingga tidak merasakan gaya tarikan tersebut. Oleh gaya tarikan tersebut demikian lemah,
maka elektron yang sering kali disebut elektron bebas. Dalam sepotong kawat tembaga, elektron
bebas dapat dengan mudah berpindah dari satu atom ke atom yang didekatnya. Oleh karena itu
maka sedikit saja tegangan diberikan melintas sepotong kawat tembaga sudah dapat
menghasilkan arus besar.

29P

Gb.II Atom tembaga

 Inti dan elektron-elektron dalam tidak penting bagi kita. Perhatian kita dalam sebagian
dari buku ini pada lintasan yang palig luar, yang juga disebut lintasan valensi. Lintasan ini
menentukan bagaimana sebuah atom bergabung dalam atom lainnya, bagaimana konduktivitas
bahan ini dan sebagainya. Untuk menekan pentingnya lintasan valensi.
Konduktror-konduktor yang terbaik (perak, tembaga dan emas) mempunyai tembaga
inti seperti Gb.II. Gagasan pokoknya adalah satu elektron dalam lintasan yang besar yang
mengelilingi inti. Oleh karena itu gaya tarikan inti lemah, elektron valensi yang terasing (dari
elektron-elektron dalam) ini dapat dengan mudah berpindah bebas dari satu atom ke atom
berikutnya.

3. Semikonduktor
Germanium (Ge) dan Silikon (Si) adalah contoh-contoh semikonduktor, yaitu bahan-
bahan yang tidak merupakan konduktor maupun isolator. Elektron-elektron yang mengelilingi
tersebar dalam berbagai lintasan mengikuti pola:

2, 8, 18..........2n2

Di mana n adalah nomor lintasan. Bilangan-bilangan tersebut merupakan jumlah elektron

paling banyak yang ada dapat berada dalam orbit ke- n. Dalam kata lain, dalam lintasan yang
pertama maksimal terdapat dua elekron, dalam yang kedua delapan elektron dalam ketiga 18
elektron dan seterusnya. Dalam Ge, empat elektron tang terakhir berada dalam lintasan yang
paling luar atau lintasan valensi
Apabila elektron valensinya delapan, bahan tersebut bersifat isolator. Oleh karena itu
banyaknya lintasan dalam elektron valensi merupakan petunjuk konduktivitas listrik. Konduktor-
konduktor mempunyai satu elektron valensi, semikonduktor mempunya empat elektron valensi
dan isolator mempunyai delapan elektron valensi.
 B. TINJAUAN UMUM
Setiap orang berkecimpung dalam lapangan keteknikan, misalnya tukang, ahli teknik,
maupun pembuat desain, seharusnya mengetahui pengetahuan yang memadai mengenai bahan-
bahan yang berhubungan dengan pekerjaan mereka sehari- hari. Bagi mereka, memiliki
pengetahuan mengenai jenis- jenis bahan dan sifat dari bahan- bahan adalah sangat perlu.
Dengan pengetahuan tersebut mereka tahu bagaimana memerlukan bahan-bahan yang mereka
pakai dengan sebaik-baiknya atau memanfaatkan dan menghindari penggunaan yang berbahaya.
Mereka tahu apa yang harus dipakai untuk suatu maksud tertentu, dapat mencari alternatif bahan
pengganti dan sebagainya.
Bahan- bahan tersebut ada yang berbentuk padat, cair dan gas. Wujud bahan tertentu juga
bisa berubah karena pengaruh suhu. Selain pengelompokan berdasarkan wujud tersebut dalam
teknik listrik bahan- bahan juga dapat dikelompokan sebagai berikut:
1) Bahan Besi,
2) Bahan Penghantar,
3) Bahan Penyekat,
4) Bahan Setengah Penghantar,
5) Bahan Magnetis,
6) Bahan Superkonduktor,
7) Bahan Nuklir,
8) Bahan khusus ( Bahan untuk pembuatan kontak- kontak, untuk sekering dan sebagainya)
 Bahan pengantar (conductor) adalah bahan yang menghantarkan listrik dengan mudah.
Bahan ini mempunyai daya hantar listrik (electrical conductivity) yang besar dan tahanan listrik
yang kecil. Bahan penghantar listrik berfungsi menghantarkan arus listrik. Perhatikan fungsi
kabel, kumparan atau lilitan pada alat listrik yang anda jumpai. Juga pada saluran transmisi atau
distribusi. Dalam teknik listrik, bahan penghantar yang sering dijumpai adalah tembaga dan
aluminium.
Bahan Penyekat (insulating materials) adalah bahan yang berfungsi untuk menyekat
(misalnya antara 2 penghantar); agar tidak terjadi aliran listrik atau kebocoran arus apabila kedua
penghantar tersebut bertegangan. Jadi bahan penyekat harus mempunyai tahanan jenis besar dan
tegangan tenbus yang tinggi. Bahan penyekat yang sering dijumpai dalam teknik listrik adalah
gelas, keramik, mika, tekstil, perspan, plastic, karet, bakelit, ebonite dan sebagainya.
Bahan Setengah Penghantar (semi konduktor material) adalah bahan yang mempunyai
daya hantar lebih kecil dibanding konduktor, tetapi lebih besar dibanding bahan isolator. Dalam
elektronika banyak dipakai semi konduktor dari bahan Germanium (Ge) dan Silikon (Si). Dalam
keadaan aslinya Ge dan Si adalah bahan pelikan dan merupakan isolator. Dipabrik bahan-bahan
tersebut diberi kotoran. Jika bahan tersebut dikotori oleh aluminium maka akan memperoleh
baahn semi konduktor type P (bahan yang kekurangan elektron dan bersifat positf). Jika dikotori
oleh phospor maka akan diperoleh jenis semi konduktor jenis N (bahan yang kelebihan elektron
dan bersifat negatif). Ge mempunyai daya hantar lebih tinggi dibandind Si, sedangkan Si lebih
tahan panas dibanding Ge.
Bahan Superkonduktor. Pada tahun 1911, Kamerligh Onnes mengukur perubahan
tahanan listrik yang disebabkan oleh perubahan suhu Hg dalam helium cair. Dia menemukan
tahanan listrik tiba- tiba hilang pada suhu 4, 1530 K. Sampai saat ini telah ditemukan sekitar 24
unsur hantaran super dan masih banyak lagi panduan dan senyawa yang menunjukan sifat –sifat
hantaran super. Temperatur kritisnya berkisar antara 10 sampai 190 K. Bahan –bahan lead
(timah), tin (timah patri),aluminum dan mercry, pada suhu mendekati 00 K mempunyai
sensitivitas nol.
Bahan Nuklir. Bahan nuklir sering digunakan sebagai bahan bakar reactor nuklir.
Reaktor nuklir adalah pesawat yang mengandung bahan- bahan dalam keadaan dan kondisi
terkendali. Dengan sendirinya syarat agar suatu bahan dapat dipergunaakn sebagai bahan bakar
nuklir yang dapat mengadakan fisi (pembelahan atom). Dalam bahan bakar nuklir digunakan
bahan bakar uranium 235, plutonium-239, uranium-233
 C. SEMIKONDUKTOR
1) Pengertian Dasar

Sesuai dengan namanya, semi konduktor (setengah penghantar) mempunyai daya hantar
yang besarnya antara harga daya hantar konduktor dan daya hantar isolator. Sifat tersebut
dipengaruhi oleh susunan pita konduksi dan pita valensi bahan. Pengetahuan mengenai hal
tersebut perlu bagi setiap orang yang memilih profesi dibidang elektronika yang penggunannya
tidak terbatas pada arus lemah saja. Adapun macam- macam dan penggunaan bahan semi
konduktor antara lain seperti tabel dibawah ini:

Tabel I. Macam- macam Semi konduktor dan penggunannya.

Nama Semi konduktor Penggunaannya

Barium Titinate (Ba Ti) Thermistor (PTC)
Bismut Telurida (Bi2 Te3) Konvermasi thermoelektrik
Caldium Sulfida (Cds) Sel foto konduktif
Gallium Arsenida (Ga As) Dioda, Transistor, Laser,LED
Germaniun (Ge) Dioda, Transistor
Indium Antimonida (In Sb) Magneto Resistor,Plezo Resitor
Indium Arsenida (In As ) Plezo Resistor
Silikon (Si) Dioda, Transistor, IC
Silikon Carbida (Si Cb ) Varistor
Germanium Silikon (Ge Si ) Pembangkitan Thermoelektrik
Selenium (Se) Rectifier
Aluminium Stibium(Al Sb) Dioda Penerangan
Gallium Phosphor (Ga P) Dioda Penerangan
Indium Phosphor (In P) Filter Infra Merah
Plumbun Suifur (Pb S) Foto Sel
Plumbun Selenium (Pb S ) Foto Sel
Indium Subium (In Sb ) Detektor Infra Merah, Filter Infra Merah
 Suatu hal yang penting untuk memahamisemikonduktor adalah proses konduksi
elektronik. Konduksi elektronik bahan dipengaruhi oleh jarak pita konduksi dan pita valensi
bahan. Pada konduktor, kedua pita tersebut saling menumpuk. Pada isolator jarak keduanya
cukup jauh. Sedangkan pada semi konduktor jarak keduannya tidak terlalu jauh dan tidak terlalu
dekat danini memungkinkan tumpang tindih jika dipengaruhi, misalnya panas, medan magnet
dan tegangan yang cukup tinggi. Jarak kedua pita tersebut adalah celah energi, seperti gambar
dibawah ini:

Pita Konduksi

Pita Konduksi
6 eV
0,2 S /D 5,3 eV

a Valensi
Valensi
Pita Pit

Semi Konduktor Konduktor Isolator

Gb.III Celah energi pada bahan-bahan

Dari Gb.III terlihat bahwa celah energi pada isolator intan adalah 6 eV dan intan
merupakan bahan isolator dengan resistivitas yang tinggi. Jarak antara pita valensi dan pita
konduksi juah sehingga walaupun elektron-elektron bebas pada pita konduksi sudah tereksistansi
(terlepas dari orbitnya), elektron-elektron valensi tidak akan meloncat ke pita konduksi. Bahan
konduktor celah energinya sempit sehingga kalau ada kalau ada elektron lepas dari orbitnya
maka pada pita valensi akan segera mengisinya. Sedangkan bahan semi konduktor mempunyai
celah energi yang lebih sempit dari pada isolator yaitu 0, 12 hingga 5, 3 eV. Misalnya, Si sebagai
salah satu bahan semi konduktor mempunyai celah energy 1,1 eV. Oleh karena itu untuk
menjadikan bahan semikonduktor agar dapat menghantarkan listrik dipelukan energi yang tidak
terlalu besar.
 2) Semi Konduktor Intrinsik dan Ekstrinsik.

Dalam teknik elektronika banyak dipakai semi konduktor dari germanium (Ge) dan
Silikon (Si). Germanium maupun Silikon murni adalah bahan pelican dan merupakan isolator.
Pada semi konduktor intrinsik, timbulnya konduksi pada bahan-bahan tersebut disebabkan oleh
proses intrinsik (misal karena energi termal) dari bahan dan tanpa adanya pengaruh bahan
tambahan.
Cara lain untuk mengubah Ge dan Si terbuat dari bahan semi konduktor adalah dengan
mengotori bahan- bahan tersebut, misalnya dengan bahan Arsenikum (As) atau Boron (B).
Bahan pengotor dari luar dari luar tersebut disuntikan pada bahan Ge dan Si. Proses
penyuntikan bahan
–bahan tersebut disebut dengan proses doping. Penambahan bahan tersebut pada semi konduktor
murni dimaksudkan untuk meningkatkan konduktivitasnya.
Dari hasil pengotoran atau doping itu diperoleh bahan semi konduktor jenis P dan jenis
N. Bahan semi konduktor yang mendapat tambahan As akan menjadi semi konduktor jenis N
dan yang mendapatkan tambahan jenis B akan menjadi semi konduktor jenis P.

Tabel II. Energi Ionisasi

Bahan Pengotor Si ( eV) Ge ( eV)

Jenis- N Phospor 0, 044 0, 012
Arsen 0, 049 0, 013
Antinom 0, 039 0, 010
Jenis- P Boron 0, 045 0, 010
Aluminium 0, 057 0,010
Gallium 0, 065 0, 011
Indium 0 ,16 0, 011
a. Semi Konduktor Intrinsik.
Sebagai contoh; Si mempunyai celah energi 1eV ini adalah perkiraan beda energi antara 2 inti
ion yang terdekat dengan jarak ± 10A (10-10 m). Maka dari itu, diperlukan medan ± 1 V /10-10 m
untuk memggeraknan elektron diatas bagian pita valensi ke bagian bawah pita konduksi. Namun
gradien sebesar itu kurang praktis.
Kemungkinan lain untuk keadaan transisi yaitu tumpang tindih kedua pita dapat diperoleh
dengan pemanasan. Pada suhu kamar ada juga beberapa elektron yang melintasai celah energi
dan hal ini menyebabkan terjadinya semi konduksi.
Pada semi konduktor intrinsik, konduksi tersebut oleh disebabkan oleh proses intrinsik dari
bahan adanya pengaruh tambahan. Kristal- kristal Si dan Ge murni adalah semi konduktor
instrinsik. Elektron-elektron yang dikeluarkan dari bagian teratas bagian pita valensi ke bagian
pita thermal adalhan penyebab konduksi. Banyaknya elektron yang terkuat untuk bergerak celah
energi dapat dihitung dengan distribusi kemungkinan Fermi-Dirac sebagai berikut:

.....................
P (E) = 1 / (1 + e) (E –EF)/ KT (11- 1)

Dimana :
Ef adalah tingkat Fermi
K adalah konstanta Boltzman sebesar 8, 64 .10-5
E- EF adalah sama dengan Eg/ 2
Eg adalah besaran energi thermal KT pada suhu kamar (0, 026 e V)
Karena nilai 1 pada penyebut dapat diabaikan, maka persamaan 11- 1 diatas dapat ditulis:
.....................
P (E) = e (-Eg/ 2KT) (11- 2)
Pada suhu 00 C semua pita elektron berada di pita valensi. Pada daerah ini kemungkinan adanya
elektron adanya didaerah 0 > E > EF adalah 100 % atau P(є) = 1; semua keadaan terdapat
elektron. Untuk E > EF, P (E) = 0 kemungkinan elektron di daerah E > EF adlah 0 %, semua
keadaan diatas EF adalah kosong kalau energy elektron E sama besarnya dengan kemungkinan P
(E). Karena perpindahan elektron- elektron dari pita valensi, maka pada pita valensi terjadi
lubang di setiap tempat yang ditinggalkan elektron tersebut.Suatu semi konduktor intrinsik
mempunyai pita lubang yang sama dengan pita valensi dsan elektron pada pita konduksi. Pada
pemakaian, elektron yang lari ke pita valensi, misalnya karena panas dapt dipercepat
menggunakan keadaan kosong yang memungkinkan pada pita konduksi. Pada waktu yang Sama
lubang- lubang pada pita valensi juga bergerak tetapi berlawanan arah dengan gerakan elektron.
Konduktivitas dari semi konduktor intrinsik tergantung konsentrasi muatan pembawa tersebut
yaitu ne dan NH.

b. Semi konduktor Ektrinsik

Pada semi konduktor ekstrinsik, konduksi dapat dilakukan setelah adanya penyuntikan bahan
penambahan atau pengotoran dari luar. Proses penyuntikan bahan tersebut disebut dengan
doping. Penambahan bahan tersebut kepada semi konduktor murni akan meningkatkan
konduktivitas semi konduktor. Suatu bahan yang didoping dengan elemen kolom 5 pada susunan
berkala seperti P, As atau Sb.
Pada Gb. IV ditunjukkan kristal Si yang di doping dengan P. Pada gambar tersebut, 4 dari 5
elektron kelima dari atom P tidak mempunyai dengan atom semula dan dapat diasumsikan
berputar mengelilngi inti hydrogen. Namun demikian, mempunyai sebuah perbedaan yang
penting.
Elektron Bebas
Si

Si Si

Si Si
P
Si Si

Si

Gb. IV Silikon yang didoping dengan phosphor

Elektron dari phosphor adalah bergerak pada Medan listrik dari Kristal silikon dan bukan pada
ruang bebas seperti halnya pada atom H. Hal ini membawa akibat konstanta dielektrik dari
Kristal dari perhitungan orbital dan radius orbit elektron menjadi sangat besar kira –kira 80 A0
dibandingkan 0, 5 A0 dari orbit hydrogen. Ini dapat diartikan bahwa elektron ke- 5 tersebut bebas
dari tingkat energinya berdekatan dengan pita konduksi lebih cepat terlaksan dari pada pita
eksistansi
Dari pita valensi kristal Si.Atom P dinamakan mendonorkan elektronnya pada semi konduktor.
Tingkat energy dari elektron ke- 5 dinamakan tingkat donor. Semi konduktor yang didonorkan
dari elemen-elemen pada nomor kolom 4 (mendonorkan muatan negatif) disebut semi konduktor
tipe n.
 3) Bahan- bahan Jenis- P dan Jenis- N
Kristal Ge murni terdiri dar 5 atom di mana tiap atomnya mempunyai 4 elektron bebas.

elektron

Gb. V. Germanium Murni

Kalau 1 atom Ge diganti dengan 1 atom lain yang mempunyai 3 elektron bebas maka
kristal germanium menjadi kekurangan 1 elektron (mempunyai hole) itu menjadi bahan jenis-P.
Atom yang dipasang tadi (yang menimbulkan hole) disebut atom akseptor (sanggup
menarik elektron). Sebagai atom akseptor adalah bahan atom boron, aluminium, gallium, indium.
Letak atom akseptor pada celah energi lebih dekat pada pita valensi.

elektron elektron

hole

Gb. VI. Bahan Jenis-P Gb. VII. Bahan Jenis-N

 Kalau atom yang menggantikan 1 atom Germanium tadi atom yang mempunyai 5
elektron bebas maka kristal Germanium mempunyai kelebihan 1 elektron. Atom yang
menggantikan tadi disebut atom donor. Contoh atom donor adalah phosphor, arsen, dan
antinomy. Letak atom donor pada celah energi lebih dekat dengan pita konduksi. Germainum
yang kelebihan 1 elektron tersebut disebut bahan jenis N.
Bahan P banyak mengandung hole sedangkan elektron bebasnya sedikit hole merupakan
mayoritas dan elektron merupakan minoritas. Bahan jenis ini berlaku pada akseptor (lebih
banyak menarik elektron). Bahan jenis N banyak mengandung elektron bebas sehingga elektron
bebas merupakan mayoritas dan hole sebagai minoritas. Oleh karena itu bahan jenis-N sanggup
member banyak elektron bebas dan berlaku sebagai donor.
Pada bahan semi kondukor yang bertindak sebagai pembawa muatan adalah hole dan
elektron bebas. Pada bahan jenis P pembawa muatan adalah hole, sedang pembawa muatan pada
bahan jenis N adalah elektron bebas.

a) Persambungan P – N
Pada suhu ruang, suatu semi konduktor tipe P mempunyai pembawa muatan dengan
sebagian terbesar berupa lubang-lubang yang dihasilkan dengan pemasukan tak-murnian,dan
sebagian kecil berupa elektron-elektron bebas yang dihasilkan oleh energy terminal.Di pihak
lain,dalam semikonduktor tipe n,sebagian terbesar dari pembawa muatan adalah elektron-
elektron bebas dan hanya mengandung lubang-lubang yang berjumlah kecil.Jika dipakai secara
terpisah,baik semikonduktor tipe n maupun semikonduktor tipe p,masing-masing tidak lebih
berguna dari sebuah penghambat (resistor) karbon.Tetapi,dengan memasukkan tak-murnian ke
dalam suatu kristal sedemikian rupa hingga stengahnya bertipe n dan sisanya bertipe p,maka
hasilnya berupa suatu penghantar satu arah.Pembahasan berikut ini akan menjelaskan mengapa
demekian halnya.
 Kita tinjau suatu atom yang netral.Atom ini mempunyai elektron dan proton yang sama
jumlahnya.Misalkan bahwa ialah satu elektronnya disingkirkan.Sebagai akibatnya,atom tersebut
mempunyai satu muatan positif dan disebut ion positif.Sebaliknya,jika suatu atom netral diberi
satu elektron tambahan,atom akan bermuatan negative dan dikenal sebagai ion negatif.

p n

Gb.VIII. Pembawa-pembawa mayoritas dan ion-ion.(a) lubang-lubang dan ion-ion

negative.(b) Elektron-elektron bebas dan ion-ion positif.

Gb.VIII menunjukkan suatu semikonduktor tipe p.Masing-masing tanda plus merupakan

lambang dari suatu lubang,sedangkan masing-masing tanda minus yang dilingkari itu merupakan
representasi suatu atom akseptor yang mengandung lubang-lubang tersebut.Secara bersama
lubang dan atom akseptor merupakan satuan yang netral.Namun bila suatu lubang menghilang
karena terjadi rekombinasi dengan suatu elektron,maka atom akseptor bersangkutan akan
mengandung muatan negative yang berlebihan dan menjadi ion negative.Dalam keadaan yang
ditunjukkan oleh Gambar 2.1a,bahan tipe p tersebut bersifat netral karena jumlah tanda plus
sama dengan jumlah tanda minus.
Begitu pula dalam Gb.VIII telah ditunjukkan semikonduktor tipe n.Disini tanda minus
melambangkan elektron bebas,sedangkan tanda plus yang dilingkari itu melambangkan elektron
bebas,sedangkan tanda plus yang dilingkari itu melambangkan atom donor yang mengandung
elektron bebas dalam orbitnya.Setiap elektron bebas bersama dengan atom donor bersangkutan
merupakan satuan yang netral.Jika salah satu elektron tersebut meninggalkan orbitnya dari
sekeliling atom donor dan pindah kepada orbit atom lain,maka atom donor itu menjadi ion
positif. Berbeda dari elektron-elektron bebas, ion-ion positif ini tidak dapat bergerak leluasa
karena terikat dalam struktur kristalnya.Dalam Gb XII, bahan tipe n itu bersifat netral karena
mengandung tanda minus dan tanda plus yang berjumlah sama
 Pokok-pokok untuk diingat:
i. Pada saat persambungan pn terbentuk, elektron-elektron bebas mulai berdifusi
menyeberangi persambungan dan kemudian ”terjatuh” ke dalam lubang-lubang.
ii. Rekombinasi elektron-elektron bebas dengan lubang-lubang disekitar persambungan
menimbulkan daerah ion-ion negative dan positif yang disebut lapisan pengosongan.
iii. Karena terjadi potensial barier,difusi elektron-elektron bebas akan berhenti akhirnya.
iv. Pada suhu ruang, diode silicon mempunyai potensial barier kurang lebih sebesar 0, 7 V
(sekitar 0, 3 V untuk diode Ge).

b.) Prategangan Maju

Suatu kristal pn dapat bekerja sebagai diode karena arus didalamya hanya dapat mengalir
dalam satu arah dan tidak sebaliknya.Untuk memahami mengapa demikian halnya, kita tinjau
Gambar 2-3a.Perhatikan bahwa terminal negative dari baterai dihubungkan dengan sisi n dari
kristal.Karena itu elektron-elektron bebas pada sisi n dari kristal.Karena itu elektron-elektron
bebas pada sisi n ditolak ke a rah persambungan.Hubungan semacam ini disebut rangkaian
prategangan maju (forward bias).

Arus Maju yang Besar

Prategangan maju menyebabkan elektron-elektron bebas di sebelah n bergerak menuju ke

persambungan.Kejadian ini akan meninggalkan ion-ion positif di sebelah kanan kristal.Ion-ion
positif ini kemudian akan menarik elektron-elektron bebas dari baterai,yang selanjutnya mengalir
dari terminal negative baterai kesebelah kanan kristal melalui kawat rangkaian.Karena terminal
positif dari baterai dihubungkan dengan sisi p, lubang-lubang dari daerah p ditolak kea rah
persambungan.Bilamana lubang-lubang ini bergerak kekanan,di ujung kiri kristal akan tertinggal
ion-ion negative. Elektron-elektron valensi selanjutnya akan mengalir dari ion-ion negative ini ke
dalam kawat yang dihubungkan dengan terminal positif dari baterai.Sewaktu elektron-elektron
valensi ini meninggalkan tempatnya, lubang-lubang baru akan terbentuk pada ujung kiri kristal.
 Kristal,elektron-elektron bebas dan lubang-lubang senantiasa bergerak menuju ke
persambungan.Bersamaan dengan gerak itu,elektron-elektron bebas yang baru akan memasuki
ujung kanan kristal dan lubang-lubang baru akan diciptakan pada ujung kirinya.Dengan
demikian,sebelah n kristal selalu penuh dengan elektron-elektron bebas sedangkan sebelah p
penuh dengan lubang-lubang.Elektron-elektron bebas yang menyeberangi persambungan dan
bergabung kembali dengan lubang-lubang yang tiba dipersambungan. Sebagai hasilnya, arus
yang kontinu akan berlangsung didalam kristal tersebut. Jika baterai dan dioda bersangkutan
dihubungkan secara seri dengan suatu ammeter (pengukur arus), maka alat ini akan menunjukan
adanya aliran arus dalam rangkaian.

Tingkatan-tingkatan Energi

Pengertian tentang gejala yang dibahas sebelumnya dapat diperbaiki secara lanjut jika
gejala tersebut dapat dijelaskan dengan cara-cara lain.Tungkat energi elektron-elektron bebas
pada diode akan dipertinggi dengan pemberian tegangan luar. Bila tegangan diberikan itu
mencapai harga sekitar 0,7 V maka elektron pada sisi n dari persambungan akan memperoleh
energi cukup besar untuk memasuki sisi p. Setelah masuk dalam daerah p, elektron bebasmenjadi
pembawa minoritas yang mempunyai umur khas dalam pengukuran nanosekon. Karena itu,
elektron bebas tersebut dengan cepat akan bergabung dengan lubang disekitarnya (lintasan A).
Kemudian, elektron ini akan bergerak melalui lubang-lubang sebagai elektron valensi, sampai
tiba di ujung kiri kristal.

Ada kalanya suatu bebas bargabung dengan suatu lubang sebelum menyeberangi
persambungan. Hal ini dapat terjadi sebagai berikut. Lepas dari tempat terjadinya rekombinasi,
hasilnya adalah sama. Hasil tersebut berupa aliran tunak (steady) dari elektron-elektron bebas
menuju ke persambungan dan bergabung dengan lubang. Elektron-elektron yang terperangkap
itu (sekarang berubah menjadi elektron valensi) bergerak ke kiri dalam bentuk aliran tunak
melelui lubang-lubang dalam daerah p. Dengan demikian terjadilah arus kontinu melalui diode
yang bersangkutan.
 c. Pra tegangan balik
Apa yang terjadi bila polaritas tegangan itu dibalik arahnya. Dalam hal ini, elektron-
elektron bebas dan lubang-lubang akan bergerak menjauhi persambungan. Pola hubungan itu
disebut rangkaian prategangan balik (reverse bias). Dengan pra tegangan balik, diode tidak lagi
bekerja sebagai suatu penghantar.

Arus Balik yang Kecil

Karena terminal positif dihubungkan dengan sisi n dan sisi p dihubungkan dengan
terminal negatifnya, maka elektron-elektron bebas dan lubang-lubang untuk sementara waktu
akan mengalir menjauhi persambungan. Hal ini akan memperlebar lapisan pengosongan sampai
potensialnya menyamai tegangan terpasang. Dalam keadaan ini pembawa-pembawa mayoritas
akan berhenti mengalir dan dalam beberapa nanosekon saja arus akan menurun samapi sekitar
harga nol.
Penyebabnya tegangan dalam kasus in berfungsi memperbesar pontensial barier dan
dengan demikian menghalang proses aliran dengan poses rekombinasi pembawa mayoritas pada
persambungan. Karena itu ammeter DC yang dihubungkan secara seri dengan baterai dan diode
akan menunjukan arus yang kurang lebih sama dengan nol.

Tingkatan-tingkatan Energi
Tegangan yang terpasang dari luar menurunkan pembawa tingkat-tingkat energi elektron
bebas di sebelah n dari persambungan. Hal ini sebab tingkat-tingkat energi elektron bebas di
sebelah n dari persambungan. Ini adalah sebab mengapa pita energi n menjadi turun jauh di
bawah pita energi p. Dalam keadaan in elektron-elektron bebas tidak dapat menyeberangi
persambungan karena orbit-orbitnya terlampau kecil untuk menyamai orbit-orbit yang lebuh
besar pada sisi p.
Pembawa- pembawa Minoritas
Pada suhu nol mutlak, hanya elektron-eletron bebas yang terdapat dalam bahan dan
hanya lubang yang terdapat dalam n dan hanya lubang yang terdapat dalam bahan tipe p. Karena
itu prategangan maju akan menghasilkan arus searah. Jadi, diode merupakan penghantar dalam
arah maju dan merupakan isolator dalam arah sebaliknya.
Diatas suhu mutlak, energi termal akan menghasilkan beberapa elektron bebas di sisi p dan
beberapa lubang sisi n. Jika dioda diberi tegangan balik, maka pembawa-pembawa minoritas
akan mengalir menuju ke persambungan dioda dan bergabung kembali ke situ. Setiap kali terjadi
rekombinasi dipersambungan antara sepasang elektron bebas dan lubang yang dihasilkan secara
thermal itu, maka seketika itu juga elektron bebas akan meninggalkan terminal negatif baterai
dan memasuki ujung kiri kristal. Bersamaan dengan itu, elektron valensi akan meninggalkan
ujung kanan kristal dan memasuki terminal positf baterai. Mengingat pembawa-pembawa
minoritas akan dihasilkan oleh energi termal secara terus menerus, aliran yang dijelaskan diatas
akan berlangsung secara kontinu pula. Jika suatu ammeter DC yang sangat peka dihubungkan
secara seri dengan dioda dan baterai, maka alat tersebut akan menunjukan adanya arus DC yang
sangat kecil dalam rangkaian luar itu.

Kebocoran Permukaan
Selain arus pembawa minortas yang baru dijelaskan itu, pada permukaan kristal dapat
terjadi arus balik yang kecil. Seba atom-atom pada permukaan kristal mempunyai ikatan kovalen
yang terputus, maka “kulit” kristal itu penuh dengan lubang–lubang dan meruapakn saluran yang
brhambatan tinggi bagi arus yang bersangkutan. Arus kebocoran permukaan ini tidak bergantung
pada suhu tetapi bergantung pada tegangan. Makin besar tegangan balik yang diberikan, makin
besar pula kebocoran permukaan itu.
Arus Balik

Arus balik total adalah jumlah dari arus pembawa minoritas dan arus kebocora
permukaan. Pada suhu ruang, arus balik yang terjadi sangat kecil dibandingkan dengan arus
maju. Sebagai contoh dioda 1N914 (dioda silicon yang sering terdapat dipasaran) mempunyai
arus balik sekitar 25 nA, pada pra tegangan balik sebesar 20 V. Kecuali untuk penerapan-
penerapan yang sangat menuntut kecermatan-kecermatan, arus balik dari suatu dioda silikon
biasanya diabaikan saja karena terlalu kecil pengaruhnya.
Perbandingan Silikon terhadap Germanium
Kita tinjau kembali gambaran tentang celah terlarang antara celah valensi dan pita
konduksi. Dari waktu ke waktu, suatu elektron valrnsi akan pindah le dalam pita konduksi
dengan bantuan energi themal. Peristiwa ini akan menciptakan suatu elektron bebas dari suatu
lubang yang akan memperbesar aus pembawa minoritas. Celah terlarang dari silikon lebih besar
daripada celah terlarang germanium. Dengan kata lain germaiun lebih peka dari pada silikon
terhadap kenaikan suhu. Ini adalah sebab mengapa dioda silikon mempunyai arus balik yang
lebih kecil dari pada dioda germanium dan ini pula sebabnya silikon dan bukan germanium yang
telah menjadi menjari standart industri.

4. Karakteristik Arus dan Tegangan Dioda Semikonduktor

Kalau anoda (bahan jenis p) dari diode dihubungkan dengan kutub positif baterai,
sedangkan katodanya (bahan n) dihubungkan dengan kutub negative baterai maka arus listrik
mengalir lewat dioda; arus dari kutub (+) baterai lewta anoda, lewat katoda dan kembali ke kutub
negatif baterai. Sebaliknya jika anoda dihubumgkan dengan kutub negatif baterai dan katoda
dihubungkan dengan kutub positif baterai maka tidak akan ada arus yang mengalir.
 Sebuah dioda mempunyai karakteristik yang menyatakan hubungan antara arus dan
tegangannya. Karakteristiek perlu diketahui sehungga dioda dapat dipergunakan sesuai dengan
kebutuhannya. Ada 2 macam karakteristik dioda, yaitu karakteristik catu maju dan terbalik.
Berikut alat-alat atau komponen yang menggunakan bahan semi konduktor;

a. Dioda Zener (Zener Dioda)

Dioda zener adalah diode yang bekerja pada daerah zener (dapat melakukan arus yang
berubah pada suatu tegangan tertentu). Gunanya untuk membuat suatu tegangan pada
suatu rangkaian tetap stabil.
b. Dioda Cahaya (Light Emitting Dioda / LED)
Dioda cahaya adalah salah satu jenis dioda yang apabila diberi tegangan maju akan
menimbulkan cahaya pada sambungan pn-nya.
c. Dioda Foto
Dioda foto adalah suatu diode tergantung yang tahanan terbaliknya berubah-ubah
tergantung kuat cahaya yang ada padanya (dioda foto diberi terbalik).
d. Transistor (Junction Transistor)
Adalah beberapa jenis transistor, tapi yang dipakai sebagai dasar adalah transistor yang
terbuat dari lapisan-lapisan NPN dan PNP.

P N N P N
P

Gb. IX Transistor Jenis PNP Gb. X Transistor Jenis NPN

Kenyataannya bahan-bahan transistor tidak dapt dilukiskan simetris, artinya pada

transistor PNP bahan P yang dan yang ada di kanan tidak dapat saling dipertukarkan.
Demikian juga bahan N pada transistor NPN; karena masing-masing ujung mempunyai
nama, arah arus dan sambungan sudah tertentu.
 DAFTAR PUSTAKA

Darsono dan Suhadi. 1977. Ilmu Bahan Listrik I. Jakarta: Proyek Pengadaan Buku Pendidikan
Menegah Teknologi.
Muhaimin. 1991. Bahan-bahan Listrik untuk Politeknik. Jakarta: Andi Offset.
Sumanto, Drs. 1996. Pengetahuan Bahan untuk Mesin dan Listrik. Jakarta: Andi Offset.
Barmawi Malvino, Tjia. 1985. Aproksimasi Rangkaian Semi Konduktor (Pengantar Transistor
Rangkaian Terpadu). Jakarta: Erlangga.