PITA ENERGI

Energy elektron

Energi gap yang lebar

antara pita valensi dan
pita konduksi pada
insulator
menggambarkan bahwa
elektron sangat sulit
mencapai pita konduksi Semikonduktor
pada temperatur biasa

Dalam semikonduktor, celah

pita energi (band gap) cukup
Insulator kecil sehingga dengan energi
termal saja sudah dapat
mengeksitasi elektron ke pita
overlap konduksi

Dalam konduktor tidak ada

band gap karena pita valensi
dan pita konduksi saling Apakah
tumpang tindih (overlap)
Level Fermi
Konduktor Level Fermi itu?
 LEVEL FERMI

Level Fermi adalah level energi tertinggi

yang masih dapat ditempati elektron pada
temperatur absolut nol

Elektron akan terdistribusi pada keadaan-

keadaan energi yang tersedia, meskipun
tidak semua keadaan energi tersebut terisi
oleh elektron. Rasio antara keadaan energi
yang terisi terhadap keadaan yang tersedia
ditentukan oleh suatu fungsi distribusi, yang
dikenal dengan fungsi distribusi fermi, f(E).
 LEVEL FERMI

• Setiap keadaan energi hanya dapat diisi oleh satu buah elektron
• Asumsi bahwa jumlah elektron adalah N = ΣNi
• Jumlah energi total adalah Etot = ΣEiNi
• Jumlah keadaan yang tersedia adalah Si
Elektron dapat mengisi keadaan-keadaan tersebut dalam beberapa cara yang berbeda (W i):

Si ! Si !
Wi  W  Wi  
 S i  N i ! N i ! i i  S i  N i ! N i !

ln W    ln Si ! ln  Si  N i ! ln N i !
i

   Si ln Si   Si  N i  ln  Si  N i   N i ln N i 
i

 ln W  Si 
d (ln W )  dNi    ln(Si  N i )  1  ln N i  1dNi   ln  1dNi
N i i i  Ni 
 LEVEL FERMI

 Si 
Dengan mengambil d(ln W) = 0, maka
i ln N  1dNi  0
 dNi  0
 i 
Demikian juga:  E dN
i
i i 0
Dengan memanfaatkan perkalian Lagrange, dapat dituliskan:

  Si  
i ln N  1    Ei  dNi  0
  i  
 Si 
Sehingga akan diperoleh solusi jika: ln  1    Ei  0
 Ni 
Ni 1 1
f ( Ei )    f ( E ) 
S i 1  e   E i 1  e  E

1 EF 1
f (E)  ( E  E F ) / kT
  ; 
1 e kT kT
 LEVEL FERMI

1
f (E) 
1  e ( E  EF ) / kT
 FUNGSI FERMI
Fungsi Fermi f(E) memberikan kebolehjadian bahwa satu keadaan energi elektron yang
tersedia akan ditempati pada suatu temperatur tertentu. Fungsi Fermi diperoleh dari
Statistik Fermi-Dirac dan berbentuk :

1
f (E ) = ( E - E F ) / kT
e +1

Tidak ada elektron dapat Pada temperatur tinggi, beberapa

berada di level Fermi pada 0K elektron dapat menempati pita konduksi
dan memberikan kontribusi pada arus
listrik
 DISTRIBUSI FERMI-DIRAC

Pada temperatur absolut nol, fermion akan mengisi penuh semua keadaan energi
yang berada di bawah suatu level E F yang disebut energi Fermi dengan satu (dan
hanya satu) partikel. Perilaku partikel-partikel tersebut diatur oleh prinsip larangan
Pauli. Pada temperatur tinggi, beberapa partikel naik ke level-level di atas level Fermi.

Kebolehjadian
partikel akan
memiliki energi E

Beda quantum

1 yang timbul atas

f(E ) =
kenyataan bahwa
partikel-partikel
( E - E F ) / kT
+1
tidak dapat

Fermi-Dirac e dibedakan

Untuk temperatur rendah,

keadaan-keadaan energi di
bawah Energi Fermi EF memiliki
kebolehjadian 1, dan memiliki
kebolehjadian 0 untuk keadaan
energi di atas energi Fermi.
Lihat distribusi Maxwell-Boltzmann
untuk mendiskusikan bentuk
eksponensial
 LEVEL FERMI

Fungsi distribusi atau

kebolehjadian sebuah partikel
berada pada keadaan energi E

N(E) E = g(E) f(E) E Interval Energi

Jumlah partikel per satuan Rapat keadaan atau jumlah

volume yang memiliki energi keadaan energi per satuan
antara E dan E + E volume dalam interval E
 RAPAT KEADAAN ENERGI
Selama pita
konduksi
semikonduktor
Rapat keadaan energi dalam pita berada di atas level
valensi semikonduktor Fermi, agar
memiliki populasi
elektron, maka
temperatur harus
dinaikkan

Pita konduksi

Overlap pita
valensi dan
pita konduksi
dalam
konduktor
memberikan
populasi
8 2 pm 3 / 2
r(E ) = E - E gap elektron pada
pita konduksi
h3
8 2 pm3/2
r( E ) = E
h3
 POPULASI ELEKTRON KONDUKSI SEMIKONDUKTOR
Kebolehjadian Jumlah keadaan Populasi pita
keadaan energi
yang ditempati
X energi yang
tersedia
= konduksi yang
sebenarnya

Jumlah semua
elektron
tersebut
X = memberikan
populasi pita
konduksi : Ncb

Populasi elektron konduksi pada semikonduktor dihitung dengan mengalikan rapat keadaan elektron
konduksi (E) dengan fungsi Fermi f(E). Jumlah elektron konduksi sebagai fungsi energi diberikan oleh :

8 2p m 3 / 2 1
N(E )dE = r(E )f (E )dE = E - E gap - E F ) / kT dE
h3 e (E +1
8 2pm 3 / 2 - ( E - E gap / 2 )
N(E )dE = 3
E - E gap e dE
h
¥ 5/2 3/2
2 (mpkT)
ò N(E)dE =
- E gap / 2 kT - E gap / 2 kT
Ncb = 3 e = AT3 / 2 e
E gap h
Þ A= 2 5 /2
(m p k) 3/2
= 4,83 x 10 21 elektron / m3 K3 / 2
3
h
energi potensial ( P.E ( x))  qV ( x)
P.E  EC  Eref  qV ( x)
1
V   ( EC  Eref )
q

Medan listrik didefinisikan sebagai:

  V
dV 1 dEC 1 dEV
  
dx q dx q dx
 1
V   ( EC  Eref )
q

  V
dV 1 dEC 1 dEV
  
dx q dx q dx
 ALIRAN ARUS LISTRIK PADA SEMIKONDUKTOR

(1) Arus Drift : Arus listrik mengalir disebabkan oleh pergerakan partikel bermuatan
(elektron dan hole) karena adanya medan listrik E.

J = Jn + Jp
= q(mnn + mpp)E

(2) Arus Difusi : Arus listrik mengalir disebabkan oleh pergerakan partikel bermuatan
(elektron dan hole) karena ada perbedaan konsentrasi.

dn
Jn = qDn
dx

dp
Jp = -qDp dx
 HUBUNGAN EINSTEIN PERSAMAAN POISSON

Hubungan antara konstanta difusi dan dE r

mobilitas listrik
=
dx ke0
Dn Dp kT
= = q
mn mp