Bahan Semikonduktor

FISIKA ZAT PADAT

Program Studi FISIKA
FMIPA – UNS
7 Mei 2018
 Semikonduktor

PK = pita konduksi

PK
kT
kT
PV
PV = pita valensi

METAL
INSULATOR
PK dekat dengan PV.
Pita konduksi jauh dari pita valensi.
Elektron mudah tereksitas ke PV.
Elektron tidak mudah tereksitasi dari pita valensi.
Elektron pada PK mudah bergerak.

PK
SEMIKONDUKTOR
kT
PK relatif dekat dengan PV.
Elektron dapat tereksitasi dari PV
PV Untuk keadaan tertentu.
 E E

EF

0  k 0  k
a a
0  k
a

Pita kosong
(Empty band) Pita energi
sebagian terisi Pita energi sebagian
Celah energi besar kosong
EF
Pita penuh (Full
band) Pita energi sebagian
Celah energi terisi

Pita penuh

INSULATOR atau METAL METAL atau

SEMIKONDUKTOR SEMI-METAL
 Struktur pita energi bahan semikonduktor disajikan pada
gambar berikut
Energi dari pita konduksi
E
dalam bentuk :
 2k 2
E c k   E g 
Pita konduksi 2me*

k adalah bilangan gelombang

Eg (wave vector) dan adalah massa
E=0 0
k efektif elektron. Energi
Pita valensi menyatakan celah energi. Bagian
paling atas pita valensi digunakan
sebagai acuan tingkat energi nol
(the zero-energy level).
 Energi dari pita valensi dalam
bentuk :

E
2k 2
E v k   
2mh*
Pita konduksi

m h* adalah massa efektif hole.

Eg
Karena bentuk terbalik dari pita
E=0 0
k valensi, massa elektron pada
Pita valensi puncak pita valensi sama dengan h  m *

, karena dari hole adalah positif.

Pada puncak pita valensi
merupakan daerah dimana terletak
banyak “holes”.
Konsentrasi Partikel Pembawa Muatan (Carriers Concentration) ;
Semikonduktor Intrinsik

Elektron dan hole biasanya disebut sebagai pembawa

muatan bebas (free carrier), karena partikel tersebut yang
akan membawa arus listrik

Fungsi ini menyatakan peluang (probabilitas) bahwa

tingkat energi E ditempati elektron pada temperature K
adalah fungsi Fermi-Dirac (FD).

1
f E   E  EF 
e k BT
1
 Fungsi distribusi Fermi-Dirac diplotkan terhadap E

1 Semakin besar temperature,

f E   E  EF  maka daerah yang tidak terisi
e k BT
1 (unoccupied) dibawah tingkat
energy Fermi (EF) menjadi lebih
f(E) panjang, yang berimplikasi
bahwa tingkat hunian kedaan
1 T=0K energi tinggi semakin meningkat
T = 6000 K T = 600 K dengan meningkatnya
0,5 temperature. Pada tingkat energi
Daerah ekor
E=EF, maka probabilitas
E
f(E)=0,5 untuk semua
0
EF = 2,5 eV temperature. Hal ini merupakan
bahwa probabilitas tingkat energi
Fermi terisi selalu sama dengan
0,5.
 Bila E  E F   k BT ,bilangan 1 pada penyebut
pada persamaan FD dapat diabaikan, sehingga
distribusi Fermi-Dirac dapat ditulis dalam bentuk

1
f E   EF

E

f E   e
 E  EF  k BT k BT
e k BT
1 e

Distribusi Maxwell-
Boltzmann atau
distribusi klasik
Perhitungan konsentrasi elektron didalam pita konduksi
(conduction band)

Jumlah keadaan (number of states) pada rentangan energy E , E  dE 

adalah g E dE dimana g E  adalah rapat keadaan elektron
(electron states density).

Karena setiap keadaan tersebut mempunyai probabilitas

hunian (occupation probability) f E  , jumlah elektron
yang ditemukan rentangan energi ini adalah f E g E dE

Konsentrasi elektron untuk seluruh pita konduksi :

f E g E dE
Ec 2
n dimana Ec1 dan Ec 2 adalah
Ec 1

dasar dan puncak pita energi

 E E

Ec2

Pita konduksi Elektron ge(E)

Ec1 Ec1 E c1

EF

E v1 E v1 Ev1

Pita valensi Hole g (E)

h
E v2 f(E) g(E)

(a) (b) (c)

(a) Pita valensi dan konduksi. (b) Fungsi distribusi
(c) Densitas keadaan dari elektron dan hole

Densitas keadaan (density of states) 32

elektron dapat dituliskan sebagai g E  

1  2m 
2  2 
E  E 
g
12

2   
berikut :
Dimana tingkat energi nol (zero-energy level) dipilih sebagai acuan
pada puncak pita valensi (valence band).
 EF E

f E   e k BT
e k BT
f E g E dE
Ec 2
n
Ec 1

32

g E  
1  2m 
2  2 
E  E  g
12

2    32 EF E
1  2m 
 
 


12
n   e k BT
E  E g e k BT
dE
2   
2 2 E g

Untuk kemudahan puncak dari pita konduksi dijadikan acuan sebagai tak
berhingga. Karena integran dapat turun secara eksponensial pada energi
tinggi, kesalahan karena mengubah batas dari Ec 2 ke tak terhingga adalah
dapat diabaikan
Dengan mengubah peubah dan menggunakan hasil sebagai
berikut : 
1/ 2


1 2 x
x e dx 
0 2
32 EF E
 me k B T  
Konsentrasi elektron (n) : n  2  e
k BT
e k BT

 2 
2
 Probabilitas sebuah lubang (hole) menempati tingkat energi E
adalah sama dengan 1  f E  , karena f E  adalah probabilitas
hunian elektron.

Probabilitas hunian lubang (hole) adalah : f h  1  f E 

EF E
1 1 
Aproksimasi persamaan fh  1  E  EF    EF  E  e k BT
e k BT

terakhir mengikuti
ketidaksamaan e k BT
1 e k BT
1
E F  E   k BT
32
1  2m 
Densitas keadaan (density of states) lubang g h E      E 1 2
2  2 
(hole) dapat dituliskan sebagai berikut : 2   

Sesuai dengan pita energi yang terbalik (an inverted band). Sebagai catatan
bahwa nilai  E  adalah positif, karena tingkat energi nol (zero-energy level)
adalah pada puncak pita valensi, dan energi diukur positif ke arah atas dan
energi diukur negatif ke arah bawah.
 Konsentrasi hole :
p   f h E g h E dE
0
f h  1  f E 

32
1  2m 
g h E   2  2 
 E 1 2
2    32 EF
 mh k B T  
p  2  e
k BT

 2 
2

Semikonduktor intrinsik : 32 EF E
 me k B T  
n  2  e
k BT
e k BT

pn  2 
2

Jumlah elektron pada

pita kondukdi = jumlah 1 3  mh 
E F  E g  k B T log 
elektron pada pita 2 4  me 
valensi
 1
Biasanya k B T  E g EF  Eg
2
32 EF E
1 3 m   me k B T  
EF  E g  k B T log h  n  2  e
k BT
e k BT
2 4  me  2 
2


32 Eg
 k BT  
n  p  2  
2 
me mh 3 4 e 2 k BT

 2  

Nilai konsentrasi elektron (n) meningkat secara eksponential cepat

dengan kenaikan temperature, yaitu terutama pada faktor
eksponensialnya. Dengan kenaikkan temperature, maka jumlah
elektron yang tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi
bertambah dengan cepat. Akibatnya ekor distribusi Fermi-Dirac
(FD distribution tail) didalam pita konduksi semakin panjang,
semakin banyak keadaan (states) pada pita konduksi ditempati oleh
elektron.
Hubungan antara log (n) dengan 1 T , bentuk kurvanya
merupakan garis lurus dengan nilai kemiringan =  E g 2k B 
Ketergantungan T 3 2 pada persamaan diatas sangat kecil
dibandingkan dengan ketergantungan T pada faktor
eksponensialnya sehingga dapat diabaikan.

18
10

10 17

1016
n (cm )
-3

15
10
14
10

1013
12
10
2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 (1/T)
 Semikonduktor Intrinsik
• Definisi :
– Intrinsik : murni, tidak didoping (undoped)
– Ekstrinsik : didoping (doped), dengan bahan pengotor (impurity)
• Silikon sebagai contoh :
– Silikon mempunyai 4 elektron valensi :
• Mempunyai 4 ikatan kovalen dengan atom Si tetangga
• 4 ikatan kovalen mempunyai jarak yang sama, sehingga
struktur tetahedral
– Teori pita energi
• Semua 4 elektron terletak di pita valensi pada suhu 0 K,
sehingga pita valensi terisi penuh sedangkan pita konduksi
kosong.
• Celah energi adalah 1.1 eV
• Untuk mengeksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi
dibutuhkan energi, yaitu energi thermal atau energi photon
(optical energy).
 Pertanyaan
• Berapa jumlah elektron pada pita konduksi pada
suhu T ?
• Berapa jumlah hole di pita valensi pada suhu T ?
• Bagaimana cara menghitungnya ?

Densitas keadaan Z(E)

Peluang keterisian F(E)
Jumlah elektron pada energy E = Z(E)F(E)
Total jumlah elektron = ∫Z(E)F(E)dE
 Densitas Keadaan
• Bila elektron pada pita konduksi mempunyai sifat
seperti elektron bebas, tetapi dengan massa efektif
m* : 2 2
E (k x  k y  k z )
2 2

2m

– Densitas keadaan : Z(E)  C e (E  E g )1 2 C e  4(2m*e )3 2 / h 3

– Referensinya puncak pita valensi (Gambar 8.1)
• Untuk holes : Z(E)  C h (E)1 2 C h  4(2m*h )3 2 / h 3
?
• Total jumlah elektron : N e   Z(E)F(E)dE
?
Dari dasar pita konduksi
– Batas atas dan bawah : Sampai atas pita konduksi
 Penyederhanaan
C.B.

• F(E) turun secara eksponensial bila E >> EF EF

– Pada pita konduksi, E >> EF V.B.

• Kita tidak tahu batas atas pita konduksi
– Karena F(E) sangat kecil pada pita konduksi, maka batas atas pita
konduksi adalah 
• Ce ( E – Eg )1/2 hanya berlaku pada dasar pita konduksi
– Karena F(E) sangat kecil pada pita konduksi, kita dapat
menggunakan persamaan tanpa mengalami banyak kesalahan
• F(E) adalah sangat sulit untuk diintegralkan
– Karena E >> EF pada pita konduksi, E – EF >> kT

1
F(E )  ~ exp[(E  E F ) / kT]
exp[(E  E F ) / kT]  1
 Penurunan Persamaan
• Z(E), F(E), dan Z(E)F(E) sebagai fungsi E

• Dengan penyederhanaan

:
N e   C e (E  E g )1 2 exp[(E  E F ) / kT ]dE
Eg

– Dengan variabel baru E  Eg


kT

N e  C e (kT) exp[(E g  E F ) / kT ] 1 2 exp()d
32
0

 N C exp[(E g  E F ) / kT ]

– dimana N C  2( 2 m *
e kT / h 2 32
)
– Dengan jumlah elektron pada pita konduksi
 Konsentrasi Hole
• Diintegralkan dari - ke 0
N h  N V exp( E F / kT)
– Dimana
N V  2(2m*h kT / h 2 )3 2

• Untuk semikonduktor intrinsik

Ne  Nh
 Semikonduktor Intrinsik
• Semikonduktor intrinsik, Ne = Nh
N C exp[(E g  E F ) / kT]  N V exp( E F / kT )
Eg 3 m *
Eg
– Dimana EF   kT ln( * ) ~
h
2 4 me 2
m*h
• kT kecil & *
~1
me
– EF kira-kira posisi ditengah celah energi (band gap)
pada semikonduktor
N e  N h  exp( E g / 2kT )
 Semikonduktor Ekstrinsik
• Apa yang terjadi bila sejumlah atom pengotor (impurity
atoms) ditambahkan kedalam semikonduktor intriksik :
• Jika atom-atom Golongan V ditambahkan ke Si
– Antimoni (Sb), arsenik (As), atau phosphor (P)
– Setiap atom golongan V akan mengganti sebuah atom Si
– 4 elektron valensi atom golongan V digunakan untuk ikatan
kovalen
– Atom ke-5 dari golongan 5 tidak terikat kuat (loosely bound)
– Elektron ke-5 dengan mudah melepaskan diri dari ikatan dan
menjadi elektron bebas
 Atom Donor
• Energi yang digunakan untuk melepaskan elektron
dari atom pengotor ke pita konduksi sangat kecil
– Celah energi (band gap) menunjukkan energi yang
dibutuhkan sebuah elektron berpindah dari pita valensi
ke pita konduksi pada sebuah atom Si
– Karena atom-atom golongan V mendonorkan elektron,
maka atom golongan V disebut sebagai donor, dengan
tingkat energi ED disebut sebagai tingkat donor
C.B.

ED

V.B.
 Model Atom Hidrogen
• Energi suatu elektron pada sebuah atom Hidrogen adalah
me 4
E 2 2
8 o h
• Atom donor mirip dengan sebuah atom hidrogen
– Atom dapat kehilangan dan mendapat 1 elektron
– Jika kehilangan 1 elektron, maka akan mempunyai satu muatan +
– Bila digunakan model atom hidrogen
m*  m s  o
* 4
– Tingkat Energi Donor : E g  E D 
m e
~ 0.05eV
8 s h
2 2
 Atom Golongan III
• Jika sejumlah atom Gol. III dimasukkan ke dalam Si :
– Boron (B), aluminum (Al), indium (In)
– Setiap atom Gol. III akan mengganti posisi sebuah atom Si
– Semua elektron valensi (3 buah elektron) atom Gol. III digunakan
ikatan kovalen
– Terjadi kekurangan 1 buah elektron, karena ikatan kovalen hanya
mempunyai 7 buah elektron di kulit terluar
– Kekurangan 1 buah elektron tersebut disebut “hole”
– Satu elektron dari ikatan tetangga dapat meloncat ke tempat hole,
dan daerah yang ditinggal elektron akan menjadi hole.
– Hole terikat lemah oleh atom pengotor (the impurity atom)
 Atom Akseptor
• Didalam teori pita energi, tingkat energi hole
sedikit diatas batas atas pita valensi atom Si, tetapi
– Elektron dari pita valensi akan mudah berpindah ke
tingkat energi hole
– Karena atom-atom Gol. III menerima elektron,
sehingga atom-atom elektron Gol. III disebut dengan
akseptor, dan tingkat energi EA disebut dengan tingkat
energi akseptor
C.B.

EA
V.B.
 Terminologi
• Material semikonduktor dapat mempunyai atom-
atom donor dan akseptor :
– Jika elektron adalah pembawa muatan utama (the main
charge carriers), disebut dengan material tipe-n (tipe
negatif)
– Jika hole adalah pembawa muatan uatam, disebut
dengan material tipe-p (tipe positif)
 Kompensasi
• Material semikonduktor dapat mempunyai donor
dan kaseptor sekaligus
– Elektron dari atom donor pertama akan mengisi atom
akseptor dan kemudian menuju ke pita konduksi
– Bila atom donor lebih banyak dari atom akseptor, akan
ada banyak elektron yang berpindah ke pita konduksi,
sehingga material disebut dengan tipe-n
– Bila atom-atom akseptor lebih banyak atom-atom
donor, maka material tersebut dengan tipe-p
– Atom-atom donor yang mengisi atom-atom akseptor
disebut dengan “kompensasi”. C.B.

ED • ••• • ••• • •
EA •• •• ••
V.B.
 Netralitas Muatan

• Bagaimana menentukan Energi Fermi EF?

• Netralitas muatan N e  N A  N h  N D
– Semikonduktor bersifat netral, apabila jumlah muatan positif =
jumlah muatan negatif.
– NA-: jumlah akseptor yang terionisasi
– ND+: jumlah donor yang terionisasi
• Bagaimana mendapatkan nilai NA- dan ND+

– NA-: jumlah keadaan energi (state) akseptor yang terisi E A  N A F( E A )
– ND+: jumlah “donor states” yang tidak terisi E D  N D [1  F( E D )]
• Ne dan Nh dihitung dengan :
N e  N C exp[(E g  E F ) / kT] N h  N V exp( E F / kT)
• Replace them in charge neutrality equation and solve
 Penyederhanaan Perhitungan
• Pada semikonduktor tipe-n, Ne >> Nh, ND+ >> NA-
N e  N D
N C exp[(E g  E F ) / kT ]  N D {1  exp[(E F  E D ) / kT ]}1
– EF merupakan fungsi dari ND dan T
– Tidak berlaku untuk semikonduktor intrinsik, Ne ~ Nh
– Tidak berlaku untuk semikonduktor yang sedikit didope, ND ~ NA
– Tidak berlaku ketika E – EF ~ kT
– Jika (EF – ED)/kT adalah bilangan negatif sangat besar
cons tan t  exp(E F / kT)  N D
EF bertambah dengan ln(ND)
 Contoh
• Untuk Si, Eg = 1,15 eV, Eg – ED = 0,049 eV, ND = 1022 m-3
– Dengan EF
x  exp( )
kT
– Persmaan
cons tan t  exp(E F / kT)  N D
menjadi Ax  N D /(1  Bx )
– Pemecahan untuk EF
EF = 0,97 eV
– Terletak diatas tengah celah energi Eg, sehingga E – EF >> kT
 Variasi EF Terhadap Temperature

• Eg dan ED keduanya tergantung pada temperatur, tetapi

untuk sementara efek tersebut diabaikan
• Jika ND = 1021 m-3, densitas atom kisi 1028 m-3, Eg = 1 eV,
Eg – ED = 0,05 eV
– Pada suhu rendah, semua elektron konduksi dari atom donor dan
sedikit kontribusi dari atom kisi (Gamb. 8.5)
E F  (E g  E D ) / 2
Konsentrasi pembawa muatan  exp[( E g  E D ) / 2kT ]
Semikonduktor mempunyai celah energi (band gap) = Eg – ED
– Pada suhu tinggi, semua atom donor terionisasi dan banyak
elektron tereksitas dari pita valensi ke pita konduksi, Ne >> ND,
dan bahan semikonduktor bersifat seperti bahan intrinsik
EF  Eg / 2
Konsentrasi pembawa muatan (carrier concentration)  exp( E g / 2kT )