Minggu 02

Karakteristik
Thyristor & Silicon Control Rectifier (SCR)
Thyristor merupakan salah satu tipe devais semikonduktor daya yang
paling penting dan telah banyak digunakan secara ekstensif pada rangkaian
daya . Thyristor biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil, beroperasi antara
keadaan non konduksi ke konduksi. Pada banyak aplikasi, thyristor dapat
diasumsikan sebagai saklar ideal akan tetapi dalam prakteknya thyristor memiliki
batasan karakteristik tertentu.
Karaktristik Tyristor
Thyristor adalah suatu bahan semikonduktor yang tersusun atas 4 lapisan
(layer) yang berupa susunan P--P- !unction, sehingga thyristor ini disebut !uga
sebagai PP diode.
"ambar #. $truktur fisik dari thyristor dan simbolnya
$eperti tampak pada gambar #. ketika tegangan anode dibuat lebih positif
dibandingkan dengan tegangan katode , sambungan %# dan %& berada pada
kondisi forward bias, dan sambungan %' berada pada kondisi reverse bias
sehingga akan mengalir arus bocor yang kecil antara anode dan katode. Pada
kondisi ini thyristor dikatakan forward blocking atau kondisi off-state, dan arus
ANODE
PINTU
KATODE
P
P

P
P

I A
I B1 I Gn
I C2
I K
I B2 I Gp
I C1
A
K
%#
%'
%&
bocor dikenal sebagai arus off-state ID. %ika tegangan anode ke katode ()*
ditingkatkan hingga suatu tegangan tertentu , sambungan %' akan bocor. +al ini
dikenal dengan avalance breakdown dan tegangan ()* tersebut dikenal sebagai
forward breakdown voltage, (,-. .an karena %# dan %& sudah berada pada
kondisi for/ard bias, maka akan terdapat lintasan pemba/a muatan bebas
mele/ati ketiga sambungan , yang akan menghasilkan arus anode yang besar.
Thyristor pada kondisi tersebut berada pada kondisi konduksi atau keadaan
hidup. Tegangan !atuh yang ter!adi dikarenakan oleh tegangan ohmic antara
empat layer dan biasanya cukup kecil yaitu sekitar # (. Pada keadaan on, arus
dari suatu nilai yang disebut dengan latching current IL, agar diperoleh cukup
banyak aliran pemba/a muatan bebas yang mele/ati sambungan-sambungan ,
!ika tidak maka akan kembali ke kondisi blocking ketika tegangan anode ke
katode berkurang. Latching current ( 01 ) adalah arus anode minimum yang
diperlukan agar membuat thyristor tetap kondisi hidup, begitu thyristor
dihidupkan dan sinyal gerbang dihilangkan. *etika berada pada kondisi on,
thyristor bertindak sebagai diode yang tidak terkontrol. .evais ini terus berada
pada kondisi on karena tidak adanya lapisan deplesi pada sambungan %' karena
pemba/a 2 pemba/a muatan yang bergerak bebas. )kan tetapi, !ika arus ma!u
anode berada diba/ah suatu tingkatan yang disebut holding current 0+, daerah
deplesi akan terbentuk disekitar %' karena adanya pengurangan banyak
pemba/a muatan bebas dan thyristor akan berada pada keadaan blocking.
Holding current ter!adi pada orde miliampere dan lebih kecil dari latching current
01, 0+301. Holding current 0+ adalah arus anode minimum untuk mempertahankan
thyristor pada kondisi on. *etika tegangan katode lebih positif dibanding dengan
anode, sambungan %' terfor/ard bias, akan tetapi sambungan %# dan %& akan ter-
reverse bias. +al ini seperti diode 2 diode yang terhubung secara seri dengan
tegangan balik bagi keduanya. Thyrstor akan berada pada kondisi reverse
blocking dan arus bocor reverse dikenal sebagai reverse current IR. Thyristor
akan dapat dihidupkan dengan meningkatkan tegangan ma!u ()* diatas (,-,
tetapi kondisi ini bersifat merusak. dalam prakteknya, tegangan ma!u harus
dipertahankan diba/ah (,- dan thyristor dihidupkan dengan memberikan
tegangan positf antara gerbang katode. ,egitu thyristor dihidupkan dengan sinyal
penggerbangan itu dan arus anodenya lebih besar dari arus holding, thyristor
akan berada pada kondisi tersambung secara positif balikan, bahkan bila sinyal
penggerbangan dihilangkan . Thyristor dapat dikategorikan sebagai latching
devais.
Thyristor dapat bertingkah seperti dua transistor dengan penurunan
rumus sebagai berikut 4
0,# 5 06' 7 0"n
0,' 5 06# 7 0"p
)dapun karaktristik tegangan versus arus dapat dilihat pada gambar 00.'
sebagai berikut4
"ambar '. *arakteristik Thyristor
*araktristik tegangan versus arus ini diperlihatkan bah/a thyristor
mempunyai & keadaan atau daerah, yaitu 4
#. *eadaan pada saat tegangan balik (daerah 0)
'. *eadaan pada saat tegangan ma!u (daerah 00)
&. *eadaan pada saat thyristor konduksi (daerah 000)
Pada daerah 0, thyristor sama seperti diode, dimana pada keadaan ini
tidak ada arus yang mengalir sampai dicapainya batas tegangan tembus ((r).
Pada daerah 00 terlihat bah/a arus tetap tidak akan mengalir sampai dicapainya
batas tegangan penyalaan ((bo). )pabila tegangan mencapai tegangan
V .
V bo
i .
V 8
II
III
I
I
I +
penyalaan, maka tiba 2 tiba tegangan akan !atuh men!adi kecil dan ada arus
mengalir. Pada saat ini thyristor mulai konduksi dan ini adalah merupakan
daerah 000. )rus yang ter!adi pada saat thyristor konduksi, dapat disebut sebagai
arus genggam (0h 5 +olding 6urrent). )rus 0h ini cukup kecil yaitu dalam orde
miliampere.
9ntuk membuat thyristor kembali off, dapat dilakukan dengan
menurunkan arus thyristor tersebut diba/ah arus genggamnya (0h) dan
selan!utnya diberikan tegangan penyalaan.
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
*omponen lain yang mempunyai karakteristik mirip dengan thyristor
adalah Silicon Controlled Rectifier (SCR! hanya disini tegangan penyalaan
dapat diubah 2 ubah sesuai dengan besarnya arus yang diberikan pada gerbang
(gate) dari $68 tersebut. :akin besar arus yang diberikan , makin besar pula
tegangan penyalaanya. +al ini dapat dilihat pada karaktristik tegangan versus
arus untuk $68 pada "ambar. & berikut ini.
"ambar &. $ymbol $68 dan *arakteristik $68
Tipe tipe thyristor
V .
i .
V 8
I +
V ,- & V ,- ' V ,- ; V ,- #
i g& i g# i g'
"
i g# < i g' < i g&
Anoda
i D

!
V D
i g
"ate
Katoda
Thyristor dibuat hampir seluruhnya dengan proses difusi. )rus anode
memerlukan /aktu tertentu untuk menu!u ke katode. Pabrik pembuat thyristor
menggunakan banyak struktur gerbang untuk mengendalikan di#dt! /aktu turn-on
dan /aktu turn-off. Tergantung pada konstruksi fisiknya, dan perilaku turn-on dan
turn-off, thyristor dapat secara umum diklasifikasikan men!adi sembilan kategori4
$. %hase-control th&ristor (SCR
'. (ast-switching th&ristor (SCR
). *ate-turn-off th&ristor (*+,
-. .idirectional triode th&ristor (+RI/C
0. Reverse-conducting th&ristor (RC+
1. Static induction th&ristor (SI+H
2. Light-activated silicon-controlled rectifier (L/SCR
3. (4+-controlled th&ristor ((4+"C+H
5. 6,S-controlled th&ristor (6C+
I. Phase-Control Thyristor (Thyristor kontrol fase)
Tipe thyristor ini secara umum beroperasi pada line-fre=uency dan
dimatikan dengan komutasi natural. Turn off time, t7, berada dalam orde >;
sampai #;; s. .evais ini sangat cocok untuk aplikasi pensaklaran kecepatan
rendah dan biasa dikenal sebagai th&ristor konverter. *arena thyristor
sebenarnya merupakan divais yang dikontrol yang dibuat dari silikon, akibatnya
thyristor !enis ini dikenal sebagai silicon-controlled rectifier (SCR. Tegangan
keadaan on, bervariasi di sekitar #.#> ( untuk devais ?;; ( hingga ',> ( untuk
devais 4;;;(@ dan untuk thyristor >>;;), #';;(, sekitar #,'>(. Penguat
gerbang menghasilkan karakteristik dinamik yang umum dv#dt sebesar #;;;(/s
dan di#dt sebesar >;; )/s dan menyederhanakan perancangan rangkaian
dengan mengurangi atau meminimasi induktor pembatas di#dt dan rangkaian
proteksi dv#dt.
2. ast-S!itching Thyristor
,iasanya thyristor ini digunakan pada penerapan teknologi pensaklaran
kecepatan tinggi dengan force-communication(misalnya. Thyristor !enis ini
memiliki /aktu turn off yang cepat, umumnya dalam daerah > sampai >; s
bergantung pada daerah tegangannya. Tegangan !atuh for/ard pada keadaan
on bervariasi kira-kira seperti fungsi invers dari turn-off time t7. Tipe thyristor ini
!uga dikenal sebagai th&iristor inversion.
Thyristor ini memiliki dv#dt yang tinggi biasanya #;;;(/s dan di#dt
sebesar #;;;(/s. Turn-off yang cepat dan di#dt yang tinggi akan sangat penting
untuk mengurangi ukuran dan berat dari komponen rangkaian reaktif dan untuk
co88utating. Tegangan keadaan on dari thyristor '';;), #A;; ( biasanya
sekitar #,B (. Thyristor inverter dengan kemampuan reverse blocking sangat
terbatas, kira-kira #; (, dan /aktu turn-off sangat cepat, sekitar & sampai > s,
biasa dikenal sebagai /s&88etrical +h&ristor ()$68).
". #er$ang-Turn-%ff Thyristor
"erbang-Turn--ff Thyristor seperti $68 dapat dihidupkan dengan
memberikan sinyal gerbang positif. )kan tetapi "T- dapat dimatikan dengan
memberikan sinyal gerbang negatif. "T- !uga merupakan devais latching dan
dapat dibangun dengan rating arus dan tegangan yang mirip dengan $68, "T-
dihidupkan dengan memberikan sinyal pulsa pendek positif pada gerbang dan
dimatikan dengan memberikan sinyal pulsa pendek negatif di gerbang. "T-
yang memiliki beberapa keuntungan dibandingkan $684
a. Climinasi komponen commutating pada forced-co88utation, yang
menghasilkan pengurangan biaya, berat dan volume.
b. Pengurangan akustik dan elektromagnetik karena hilangnya
co88utation chokes.
c. Turn-off yang cepat, memungkinkan frekuensi pensaklaran yang tinggi
d. :eningkatkan efisiensi konverter.
Pada aplikasi daya rendah, "T- memiliki keuntungan dibandingkan
bipolar transistor adalah4
(#) *emampuan blocking tegangan yang lebih tinggi@
(') 8asio arus puncak yang dapat dikontrol dengan arus rata-rata yang lebih
tinggi@
(&) 8asio arus surge puncak terhdap arus rata-rata tinggi, umumnya #;4#@
(4) Penguatan keadaan on tinggi (arus anode/arus gerbang), umumnya ?;;@
dan
(>) .urasi sinyal gerbang pulsa. Pada kondisi surge, "T- cenderung akan
masuk kesaturasi lebih dalam karena adanya aksi regeneratif. $edangkan,
bipolar transistor cenderung akan keluar dari keadaan saturasi.
"T- memiliki penguatan rendah selama turn-off, umumnya ?, dan
memerlukan pulsa arus negatif yang relatif besar untuk turn-off. Tegangan !atuh
saat on !uga relatif lebih besar dibanding $68. Tegangan keadaan on untuk rata
rata "T- >>; ), #';; ( besarnya &,4 (. Controllable 9eak on state I+*, adalah
nilai puncak keadaan on yang dapat dimatikan oleh kontrol gerbang, tegangan
off-state diberikan seketika setelah turn-off dan dv#dt hanya akan dibatasi oleh
kapasitansi snubber. ,egitu "T- dimatikan , arus beban 01 yang dialirkan
melalui dan mengisi kapasitor snubber, menentukan dv#dt yang ter!adi dengan
6s adalah kapasitansi snubber.
S
L
C
I
dt
dv
=
&. 'idirectional Triode Thyristor ( TRI(C)
T80)6 dapat bersifat konduktif dalam dua arah dan biasanya digunakan
untuk pengendalian fase ac (contohnya controller tegangan ac). +al tersebut
dapat dianggap dua buah thyristor tersambung secara antiparalel dengan
koneksi gerbang.
*arena T80)6 merupakan devais bidirectional , terminalnya tidak dapat
ditentukan sebagai anode/katode. %ika terminal :T' positif terhadap terminal
:T#, T80)6 dapat dimatikan dengan memberikan sinyal gerbang positip antara
gerbang " dan :T#. %ika terminal :T' negatif terhadap :T#, maka T80)6 akan
dapat dihidupkan dengan memberikan sinyal pulsa negatif antara gerbang " dan
terminal :T#. Tidak perlu untuk memiliki kedua sinyal gerbang positif dan negatif
dan T80)6 dapat dihidupkan baik oleh sinyal gerbang positif maupun negatif.
#T$
#T%
"
"ambar 4 $imbol T80)6
). Re*erse Conducting Thyristor (RCT)
Pada banyak rangkaian chopper atau inverter, diode anti paralel
dihubungkan sepan!ang $68 untuk memperbolehkan aliran arus reverse karena
beban induktif dan untuk meningkatkan kiner!a saat turn-off dari rangkaian
komutasi. .iode memotong tegangan balik blocking dari $68 ke 2# atau ' (
pada kondisi tunak. )kan tetapi pada kondisi transien , tegangan balik dapat
meningkat hingga &; ( karena tegangan induksi pada rangkaian karena
induktansi stray dalam devais.
$uatu 86T dapat dipandang sebagai suatu kompromi antara karakteristik
devais dan kebutuhan dari rangkaian 86T dapat dianggap sebagai thyristor
dengan built-in diode antiparalel. 86T !uga dikenal sebagai /s&88etrical
+h&ristor ()$68). Tegangan for/ard blocking bervariasi antara 4;; sampai
dengan ';;;( dan rating arus bergerak hingga >;;). Tegangan blocking
reverse biasanya sekitar &; sampai dengan 4; (. *arena rasio arus ma!u yang
melaui thyristor terhadap arus reverse dari diode tetap untuk suatu devais,
aplikasinya dibatasi oleh perancangan tertentu.
+. Static Induction Thyristor
*arakteristik dari $0T+ mirip dengan karakteristik dari :-$DCT. $0T+
biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan gerbang positif seperti
thyristor biasa dan dimatikan dengan memberikan tegangan negatif pada
gerbangnya. $0T+ merupakan devais dengan pemba/a muatan minoritas.
)kibatnya $0T+ memiliki resistansi/!atuh tegangan keadaan on yang rendah dan
dapat dibuat dengan rating tegangan dan arus yang lebih tinggi.
$0T+ memiliki kecepatan s/itching yang tinggi dengan kemampuan dv#dt
dan di#dt yang tinggi. Eaktu s/itchingnya berada pada orde # sampai ? s.
rating tegangan dapat mencapai '>;; ( dan rating arus dibatasi >;; ). .evais
ini sangat sensitif terhadap proses produksi, gangguan kecil pada proses
produksi akan menghasilkan perubahan yang besar pada karaktristik devais.
,. -ight (cti*ated Silicon Controlled Rectifier (-(SCR)
.evais ini dihidupkan dengan memberikan radiasi cahaya langsung ke
/afer silikon. Pasangan elektron hole yang terbentuk selama proses radiasi akan
menghasilkan arus trigger pada pengaruh medan elektris. $truktur gerbang
dirancang untuk menghasilkan sensitivitas gerbang yang cukup untuk triggering
dengan sumber cahaya praktis. 1)$68 digunakan untuk pemakaian arus dan
tegangan yang tinggi. (contoh untuk transmisi tegangan tinggi dc dan
kompensasi daya reaktif statis atau reaktif voltampere). 1)$68 menyediakan
isolasi elektris penuh antara sumber cahaya pentrigger dan devais s/itching dari
konverter daya., dengan potensial mengambang tinggi hingga beberapa kilo volt.
8ating tegangan dari 1)$68 dapat setinggi 4 k(, #>;; ) dengan daya cahaya
pentrigger kurang dari #;; mE. di#dt yang umum adalah '>; )/ s dan dv#dt
dapat setinggi ';;; (/ s.
.. /T Controlled Thyristor
.evais DCT-6+T mengkombinasi :-$DCT dan thyristor secara paralel .
%ika tegangan tertentu diberikan pada gerbang dari :-$DCT , biasanya & (,
arus pentrigger dari thyristor akan dibangkitkan secara internal. DCT 2 6+T
memiliki kecepatan s/tching tinggi, di#dt dan dv#dt yang tinggi.
.evais ini dapat dihidupkan seperti thyristor konvensional, akan tetapi
dapat dimatikan oleh kendali gerbang. +al ini sangat diperlukan pada aplikasi
yang o9tical firing digunakan untuk menghasilkan isolasi elektrik antara masukan
atau sinyal kontrol dan devais pensaklaran daya.
0. M%S- Controled Thyristor
:-$-6ontrolled Thyristor (:6T) mengkombinasikan sifat 2 sifat
regeneratif thyristor dan struktur gerbang :-$. :6T dapat beroperasi sebagai
devais yang dikontrol oleh gerbang !ika arusnya lebih kecil dari arus maksimum
yang dapat dikontrol. 9saha untuk dapat membuat :6T off pada arus yang
melebihi nilai itu akan mengakibatkan kerusakan devais. 9ntuk nilai arus yang
tinggi :6T harus dimatikan seperti thyristor biasa. 1ebar pulsa gerbang tidak
kritis untuk arus devais yang lebih kecil. 9ntuk arus besar, lebar dari pulsa turn
off harus lebih besar. 1ebih !auh gerbang akan mengalirkan arus maksimum
selama turn 2 off. Pada banyak aplikasi, termasuk inverter dan chopper, pulsa
gerbang kontinyu selama periode on/off diperlukan untuk menghindari
kerancuan.
$uatu :6T memiliki 4
#. Tegangan !atuh for/ard selama keadaan on yang rendah
2. Eaktu turn off yang cepat (;,4 s) dan /aktu yang cepat biasanya #.'> s
untuk :6T &;;), >;;(
&. .isipasi daya s/itching rendah
4. *emampuan tegangan blocking rendah
>. 0mpedansi masukan dari gerbang tinggi, yang akan menyederhanakan
rangkaian drive
:6T dapat secara efektif dipasang paralel untuk proses pensaklaran arus
besar dengan hanya perubahan rating sederhana dengan rating arus perdevais
yang ada. :6T tidak dapat digerakan dengan transformer pulsa !ika bisa
kontinyu yang diperlukan untuk menghindari kerancuan.
1ni 2unction Transistor (12T)
Transistor 9ni!unction (9%T) biasanya digunakan untuk membangkitkan
sinyal trigger untuk $68. 8angkaian triggering 9%T dasar seperti tampak pada
gambar 00.? . 9%T memiliki tiga terminal, disebut emiter C, base-# ,# dan base-'
,'. )ntara ,# dan ,', 9%T memiliki karakteristik resistansi biasa. 8esistansi ini
disebut resistansi interbase 8,, dan nilainya berada pada daerah 4,B sampai
F,# * ohm.
"ambar > 8angkaian Penyulut dengan 9%T
*etika tegangan sumber dc (s diberikan, kapasitor 6 akan diisi melalui
resistor 8 karena rangkaian emiter dari 9%T berada pada kondisi terbuka.
*onstanta /aktu dari rangkaian pengisi # 5 86. *etika tegangan emiter (C,
R
R &$
E
I E
C

'
( E
R &%
&$
&%
( S
( &&

'

'
( &%
"ambar ? ,entuk gelombang keluaran rangkaian trigger 9%T
yang sama dengan tegangan kapasitor (6, mencapai tegangan puncak (p, 9%T
akan on dan kapasitor akan dikosongkan melalui 8,# dengan kecepatan yang
ditentukan oleh konstanta /aktu ' 5 8,#6. ' harus !auh lebih kecil dari #.
*etika tegangan emiter (C berkurang ke titik lembah ((, emiter akan kembali
tidak tersambung, 9%T men!adi off, dan siklus pengisian akan berulang kembali.
,entuk gelombang tegangan emiter dan triggering diberikan pada gambar ?.
,entuk gelombang tegangan triggering (,# akan identik dengan
pengosongan kapasitor 6. Tegangan pen-trigger (,# harus dirancang agar cukup
besar untuk membuat $68 on. Periode osilasi T akan cukup independen
terhadap tegangan sumber dc, (s dan diberikan oleh 4

= =
1
1
ln
1
RC
f
T
.engan parameter dikenal sebagai intrinsic stand 2 off ratio. ilai dari
terletak antara ;,># sampai dengan ;,A'. 8esistor 8 terbatas nilainya antara &
k-hm sampai & :ohm. ,atas atas dari 8 ditentukan oleh kebutuhan !alur beban
yang dibentuk oleh 8 dan (s berpotongan karakteristik devais disebelah kanan
titik puncak (p dan kiri titik (v. %ika !alur beban gagal mele/ati karakteristik
devais disebelah kanan titik puncak. 9%T tidak akan on. *ondisi ini dipenuhi !ika
Vs : I9R;V9 yaitu
R<
P
P S
I
V V
( E
( P
( (
)
T $T
T
$T
t
t
( P
)

% * RC

$
* R &% C
Pada titik lembah 0C 5 0( dan (C 5 (v sehingga kondisi pada batas ba/ah
berada di 8 untuk memastikan proses turn off yaitu VS :IVR<VV Gaitu 4
83
Ia
Va Vs
.aerah tegangan sumber yang direkombinasikan adalah #; sampai
dengan &> (. 9ntuk nilai tetap , tegangan puncak (p akan bervariasi dengan
tegangan antara dua base, (,,. (p diberikan oleh4
V V V V V Vp
D S D BB
5 , 0 = + = + =
.engan (. adalah tegangan !atuh for/ard dari satu diode. 1ebar tg untuk
pulsa trigger adalah
+g = R.$C
$ecara umum 8,# dibatasi nilai diba/ah #;; ohm, /alaupun nilai '
sampai dengan & kohm dimungkinkan pada beberapa penerapan. 8esistor 8,'
secara umum dihubungkan secara serial dengan base-' untuk mengkompensasi
penurunan (p karena peningkatan suhu melindungi 9%T dari kemungkinan
termal run/ay.