Rangkaian Arus Searah

LAPORAN
ELEKTRONIKA
Nama
NIM
Nama
Judul
1.
Rangkaian Arus Searah
:
/
Kelompok
Asisten
Praktikum
:
JURUSAN
FAKULTAS
UNIVERSITAS
2010
MATEMATIKA
DAN
Alfred
H21109270
:
Rangkaian
Arus
ILMU
PRAKTIKUM
MEDIK
Budiono
/
IV
Mulawarman
Searah
FISIKA
PENGETAHUAN
ALAM
HASANUDDIN
BAB
PENDAHULUAN
I.1
LATAR
BELAKANG
Arus listrik searah adalah arus listrik yang nilainya hanya positif atau hanya negatif saja (tidak
berubah
dari
positif
ke
negatif,
atau
sebaliknya).
Arus listrik searah dikenal dengan singkatan DC (Direct Current). Sesuai dengan namanya listrik
arus searah itu mengalir ke satu jurusan saja dalam kawat penghantar, yaitu dari kutub positip
(+)
ke
kutub
negatip
(-).
Penerapan arus listrik searah dapat dilihat di dalam rangkaian seri dan rangkaian paralel. Selain
itu, dalam penerapan Hukum Kirchoff pada suatu rangkaian juga terdapat arus listrik searah.
I.2
RUANG
LINGKUP
Praktikum ini mengenai rangkaian arus searah, dimana ruang lingkupnya meliputi pengukuran
hambatan pada beberapa resistor, beda potensial dalam rangkaian listrik, kuat arus pada
rangkaian yang berdasarkan penerapan Hukum Arus Kirchoff (HAK), kuat arus dan tegangan
pada
rangkaian
seri.
I.3
Tujuan
dari
Mengukur
Menerapkan
Menganalisa
BAB
TINJAUAN
dilakukannya
praktikum
ini
adalah
sebagai
beda
potensial
pada
rangkaian
Hukum
Arus
Kirchoff
pada
rangkaian
rangkaian
TUJUAN
berikut.
listrik.
listrik.
seri.
II
PUSTAKA
II.1
ARUS
SERAH
(DC)
&
HUKUM
KIRCHOFF
Arus searah adalah arus listrik yang nilainya hanya positif atau hanya negatif saja (tidak berubah
dari
positif
kenegatif,
atau
sebaliknya).
Pada rangkaian DC hanya melibatkan arus dan tegangan searah, yaitu arus dan tegangan yang
tidak
berubah
terhadap
waktu.
Elemen
pada
rangkaian
DC
meliputi:
i)
baterai
ii)
hambatan
dan
iii)
kawat
penghantar
Baterai menghasilkan e.m.f untuk menggerakkan elektron yang akhirnya menghasilkan aliran
listrik. Sebutan rangkaian sangat cocok digunakan karena dalam hal ini harus terjadi suatu
lintasan elektron secara lengkap meninggalkan kutub negatif dan kembali ke kutub positif.
Hambatan kawat penghantar sedemikian kecilnya sehingga dalam prakteknya harganya dapat
diabaikan.
Bentuk hambatan (resistor) di pasaran sangat bervariasi, berharga mulai 0,1 sampai 10 M
atau lebih besar lagi. Resistor standar untuk toleransi 10 % biasanya bernilai resistansi
kelipatan
10
atau
0,1
dari:
10
12
15
18
22
27
33
39
47
56
68
82
Sebuah rangkaian yang sangat sederhana terdiri atas sebuah baterai dengan sebuah resistor
ditunjukkan pada gambar 2.1-a. Perhatikan bagaimana kedua elemen tersebut digambarkan dan
bagaimana menunjukkan arah arus (dari kutub positif melewati resistor menuju kutub negatif).
Gambar 2.1 Rangkaian arus searah: a) Pemasangan komponen dan arah arus dan b)
Penambahan
komponen
saklar
dan
hambatan
dalam.
Pada gambar 2.1-b, telah ditambahkan dua komponen lain pada rangkaian, yaitu:
i)
Sebuah
saklar
untuk
memutus
rangkaian.
ii) Sebuah resistor dengan simbol r (huruf kecil) untuk menunjukkan fakta bahwa tegangan
baterai cenderung untuk menurun saat arus yang ditarik dari baterai tersebut dinaikkan.
Saklar
mempunyai
dua
kondisi
yaitu:
ON: Kondisi ini biasa disebut sebagai hubung singkat (shot circuit), dimana secara ideal
mempunyai karakteristik: V = 0 untuk semua harga I (yaitu R = 0).
OFF: Kondisi dimana arus tidak mengalir atau biasa disebut sebagai rangkaian terbuka (open
circuit), secara ideal mempunyai karakteristik: I = 0 untuk semua harga V (yaitu R = ).
Untuk menganalisis lebih lanjut, rangkaian di atas perlu dipahami hukum dasar rangkaian yang
disebut hukum Kirchhoff. Terdapat beberapa cara untuk menyatakan hukum Kirchhoff, kita coba
untuk
menyatakan
supaya
mudah
diingat:
Gambar
2.2
Rangkaian
sederhana
dengan
tiga
loop
i) Arus total yang masuk pada suatu titik sambungan/cabang adalah nol (Hukum I, disebut KCL
Kirchhoff
curent
law
).
in
=
0
Arah setiap arus ditunjukkan dengan anak panah, jika arus berharga positif maka arus mengalir
searah dengan anak panah, demikian sebaliknya. Dengan demikian untuk rangkaian seperti
pada
gambar
2.2
kita
dapat
menuliskan:
in
=
0
-I1
+
I2
+
I3
=
0
Tanda negatif pada I1 menunjukkan bahwa arus keluar dari titik cabang dan jika arus masuk titik
cabang
diberi
tanda
positif.
ii) Pada setiap rangkaian tertutup (loop), jumlah penurunan tegangan adalah nol (Hukum II,
sering
disebut
sebagai
KVL
Kirchhoff
voltage
law).
vn
=
0
Pada gambar 2.2 dengan menggunakan KVL kita dapat menuliskan tiga persamaan, yaitu:
Untuk
loop
sebelah
kiri
:
E1
R3
I3
R1
I1
=
0
Untuk
loop
sebelah
kanan
:
E2
R2
I2
R1
I1
=
0
Untuk
loop
luar
:
E
1R3
I3
R2
I2
E2
=
0
Kembali ke rangkaian pada gambar 2.1, bahwa semua komponen dilewati arus I.
Menurut
Hukum
II
berlaku:
vn
=
0
-E
+
Ir
+
I
R
=
0
(2.3)
jadi
besarnya
arus
yang
mengalir
tersebut
adalah
I
=
E/((R
+
r))
Kita
tertarik
pada
V
=
I
R
=
E
R/((R
+
r
))
(2.4)
atau
dari
persamaan
2.3
diperoleh
V
=
E
Ir
(2.5)
Persamaan 2.5 memperlihatkan bahwa tegangan V merupakan hasil penurunan tegangan akibat
adanya beban yang dialiri arus. Simbul r disebut hambatan dalam baterai. Nampak bahwa V
merupakan bagian (fraksi) dari E. Rangkaian semacam ini biasa disebut sebagai pembagi
tegangan.
II.2
RESISTOR
Resistor merupakan komponen elektronika yang berfungsi untuk menghambat aliran arus listrik.
Resistor dibuat dengan ukuran badan yang mencerminkan kemampuan terhadap daya lesap
yang diterimanya jika dialiri listrik yng disebut dengan kemampuan daya listrik.Suatu resistor
dengan hambatan R yang dialiri arus I akan menerima daya resap sebesar P =I2 R, Daya ini
akan di naikkan suhu resiostor, dan jika melebihi kemampuan daya yang ditentukan dapat
menyebabkan kerusakan yang permanen. Adapun simbol resistor atau tahanan listrik sebagai
berikut:
Gambar
simbol
resistor
Resistor yang banyak digunakan dibuat dari karbon yag dinamakan resistor film karbon. Resistor
karbon menggunakan cincin sandi warna yang dicatkan pada resistor untuk menunjukan nilai
hambatan. Untuk resistor dengan toleransi 10% dan 5% digunakan empat buah cincin dan tanpa
warna toleransinya 20%. Berikut adalah data warna, angka, dan toleransi pada resistor.
Warna
Hitam
Coklat
Merah
Jingga
Kuning
Hijau
Biru
Ungu
Abu-abu
Putih
Emas
Perak
Tak
Angka
1
2
berwarna
Toleransi
0
1%
2%
3
4
5
6
7
8
9
5%
10%
20%
II.3
RANGKAIAN
RESISTOR
SERI
DAN
PARALEL
II.3.1
Rangkaian
Seri
Tiga resistor dengan hambatan R1 , R2 , dan R3 dihubungkan seri. Tiap muatan yang melalui R1
akan melalui R2 dan R3, sehingga arus i yang melalui R1 , R2 , dan R3 haruslah sama karena
muatan
tak
dapat
berubah
jumlahnya.
Rangkaian ketiga resistor tersebut dapat diganti dengan satu resistor tanpa mengubah keadaan
baik
arus
maupun
tegangannya
sehingga:
Vad
=
Vab
+
Vbc
+
Vcd
Arus yang melalui R1 , R2 , dan R3 sama, yaitu arus i, sedangkan Vab = i R1, Vbc = i R2, dan
Vcd
=
i
R3,
sehingga
persamaannya
menjadi:
Vad
=
i
(R1
+
R2
+
R3)
Jika
besarnya
hambatan
ekivalen
dinyatakan
dengan
Rek,
maka:
Rek
=
R1
+
R2
+
R3
Dari persamaan di atas terlihat bahwa besar hambatan ekivalen suatu rangkaian seri selalu lebih
besar
dari
pada
hambatan
masing-masing
yang
terhubung
seri.
II.3.2
Rangkaian
Paralel
Tiga buah resistor yang dihubungkan paralel. Arus yang melalui tiap resistor dalam rangkaian
paralel tersebut pada umumnya berbeda, tetapi beda potensial pada ujung-ujung resistor
haruslah
sama.
Jika arus yang melalui masing-masing resistor dinyatakan dengan i1, i2, dan i3, maka:
i1
=
Vab/R1
i2
=
Vab/R2
i3
=
Vab/R3
Ketiga arus tersebut berasal dari arus yang masuk ke titik a, sehingga:
i
=
Vab/R1
+
Vab/R2
+
Vab/R3
i/Vab
=
1/R1
+
1/R2
+
1/R3
1/Vab
=
Rek
Sehingga:
1/Rek
=
1/R1
+
1/R2
+
1/R3
Dari persamaan di atas dapat disimpulkan bahwa hambatan ekivalen rangkaian resistor yang
dihubungkan paralel selalu lebih kecil dari pada masing-masing hambatan resistor yang
terhubungkan
paralel
tersebut.
BAB
METODOLOGI
III.1
III.1.1
Alat
Catu
Catu
ALAT
yang
Multimeter
Multimeter
Papan
Papan
III.1.2
Bahan
resistor
(6
III
PRAKTIKUM
digunakan
dalam
daya
berfungsi
berfungsi
sebagai
rangkaian
yang
berfungsi
DAN
praktikum
sebagai
alat
sebagai
digunakan
dengan
ukur
ini
sumber
resistansi,
tempat
dalam
adalah
tegangan
kuat
memasang
sebagai
arus,
atau
praktikum
hambatan
dan
merangkai
ini
BAHAN
Alat
berikut.
daya
DC.
tegangan.
rangkaian
resistor.
Bahan
adalah:
berbeda
buah).
III.2
PROSEDUR
PRAKTIKUM
III.2.1
Resistansi
pada
Resistor
Menghitung nilai resistansi berdasarkan cinci warna yang tertera pada resistor.
Mengukur
nilai
resistansi
dengan
menggunakan
multimeter.
Mencatat
hasil
pengukuran.
Membandingkan
hasil
perhitungan
dengan
pengukuran.
Mengulangi prosedur di atas dengan resistor yang berbeda nilai resistansinya.
III.2.2
Beda
Potensial
pada
Rangkaian
(1,
r1)
(2,
r2)
Va
R
Vb
a
+
+
b
I
Gambar
bagian
dari
rangkaian
Menbuat rangkaian seperti pada gambar di atas, dimana titik a dan dihubungkan dengan
rangkaian lain atau dibuat dengan komponen elektronika yang nilai dan bentuk rangkaiannya
dapat ditentukan sendiri. Adapun dalam praktikum yaitu memasang resistor pada papan
rangkaian, menghubungkannya dengan multimeter dan catu daya seperti yang terlihat pada foto
berikut.
Mengukur
arus
yang
melewati
rangkaian
tersebut.
Mengukur
tegangan
pada
tiap-tiap
komponen.
Mengukur
tegangan
pada
titik
a
dan
b.
Menghitung
nilai
dari
IR
Membandingkan hasil pengukuran tegangan dengan pada poin 4 dan 5 untuk membuktikan
persamaan
Va
Vb
=
Vab
=
IR
Mengulangi
prosedur
di
atas
dengan
nilai
resistor
yang
berbeda.
III.2.3
Hukum
Kirchoff
Memasang 3 buah resistor secara parallel pada papan rangkaian dan menghubungkannya
dengan multimeter dan catu daya, seperti yang terlihat pada foto berikut.
Mengukur
arus
yang
keluar
dari
sumber
ggl.
Mengukur
arus
pada
tiap-tiap
resistor.
Membandingkan hasil pengukuran pada poin 2 dan 3 untuk membuktikan persamaan I = I1 + I2
+
I3
III.2.4
Rangkaian
Seri
Menyusun tiga buah resistor dengan nilai resistansi yang berbeda secara seri pada papan
rangkaian,
seperti
yang
terlihat
pada
foto
berikut.
Merangkai tiga buah resistor tersebut dengan multimeter dan catu daya, seperti yang terlihat
pada
foto
berikut.
Mengukur
nilai
resistansi
ekuivalen
pada
rangkaian
seri
tersebut.
Membandingkan
hasil
pengukuran
dengan
hasil
perhitungan.
Mengukur
arus
yang
masuk
pada
rangkaian.
Mengukur
tegangan
pada
tiap-tiap
resistor
dan
tegangan
total.
Menghitung Rek = Vtotal/I dan membandingkan hasilnya dengan poin 3 dan 4.
BAB
HASIL
DAN
IV
PEMBAHASAN
IV.1
HASIL
IV.1.1
Beda
Potensial
pada
Rangkaian
No. Warna Resistor Nilai Resistansi Nilai Resistansi Kuat Arus Tegangan
C
1
C
2
C
3
C
4
C1C2
x
10C3
C4%
Hasil
Pengukuran
1 Merah Merah Coklat Emas 220 5% 220 21,25 x 10-3 A 4 volt
2
Merah
Coklat
Orange
Emas
21
k
5%
21
3
Kuning
Ungu
Orange
Emas
47
k
5%
49
k
4
Merah
Hitam
Coklat
Emas
200
5%
230
5
Merah
Merah
Orange
Emas
22
k
5%
25
k
6 Kuning Ungu Coklat Emas 470 5% 400 23,75 x 10-3 A 4 volt
=
4,8
volt
IV.1.2
Hukum
Kirchoff
R1
=
400
I
=
0,05
A
R2
=
220
I1
=
0,02
A
R3
=
230
I2
=
0,02
A
I3
=
0,01
A
IV.1.3
Rangkaian
Seri
R1
=
400
Vtotal
=
4,75
volt
I
=
5
x
10-3
A
R2
=
220
V1
=
1
volt
R3
=
230
V2
=
0,8
volt
Rek
=
900
V3
=
2,45
volt
IV.2
PEMBAHASAN
IV.2.1
Beda
Potensial
pada
Rangkaian
Berdasarkan
hasil
pengukuran
diperoleh:
untuk
R1
=
220
Vab1
=
4
volt
untuk
R2
=
400
Vab2
=
4
volt
Adapun untuk hasil perhitungan dengan menggunakan persamaan IR - adalah sebagai
berikut:
I1R
1
=
((21,25
x
10-3
A)
x
(220
))
4,8
volt
=
4,675
volt
4,8
volt
=
0,125
volt
I2R
2
=
((23,75
x
10-3
A)
x
(400
))
4,8
volt
=
9,5
volt
4,8
volt
=
4,7
volt
Perbandingan besar beda potensial berdasarkan hasil pengukuran dengan hasil perhitungan,
yaitu Vab1 tidak sama dengan I1R 1 - dan Vab2 juga tidak sama dengan I2R 2 -
. Untuk R1 = 220 diperoleh perbandingan yang sangat jauh, berarti hasil pengukuran
tersebut salah dimana kemungkinan disebabkan oleh praktikan pada saat melakukan
pengukuran dengan menggunakan multimeter. Sedangkan, untuk R2 = 400 diperoleh
perbandingan yang tidak terlalu jauh bedanya yaitu 4 volt dengan 4,7 volt berarti kesalahan pada
saat pengukuran sangat kecil. Jadi, perbedaan atau selisih yang kecil tersebut dapat diabaikan
untuk
membuktikan
persamaan
Va
Vb
=
Vab
=
IR
.
IV.2.2
Hukum
Kirchoff
Berdasarkan hasil pengukuran diperoleh bahwa besar kuat arus yang keluar dari sumber ggl,
yaitu I =0,05 A. Adapun kuat arus untuk tiap-tiap resistor dapat dihitung sebagai berikut:
I1
+
I2
+
I3
=
0,02
A
+
0,02
A
+
0,01
A
=
0,05
A
I
=
I1
+
I2
+
I3
=
0,05
A
Jadi, hasil praktikum sesuai dengan teori. Dengan kata lain, persamaan I = I1 + I2 + I3 terbukti
benar. Persamaan tersebut terdapat dalam Hukum Arus Kirchoff (HAK) atau hukum titik cabang
jumlah kuat arus listrik yang masuk ke suatu titik cabang sama dengan arus listrik yang keluar
dari
titik
tersebut.
IV.2.3
Rangkaian
Seri
Berdasarkan hasil pengukuran diperoleh bahwa nilai resistansi ekuivalen pada rangkaian seri
yang dibuat yaitu Rek = 900 . Adapun nilai resistansi ekuivalen pada rangkaian seri dapat
dihitung
sebagai
berikut:
Rek
=
R1
+
R2
+
R3
=
(400
+
220
+
230)
=
850
Nilai resistansi ekuivalen yang diperoleh dari pengukuran tidak sama persis dengan nilai
resistansi ekuivalen yang diperoleh dari perhitungan, yaitu terdapat selisih sebesar 50 .
Seharusnya Rek hasil pengukuran sama dengan Rek hasil perhitungan, dimana nilai resistansi
ekuivalen suatu rangkaian seri selalu lebih besar daripada nilai resistansi masing-masing resistor
yang
terhubung
seri
tersebut.
Adanya perbedaan atau selisih antara Rek hasil pengukuran dengan hasil perhitungan,
kemungkinan disebabkan oleh beberapa faktor yaitu adanya kerusakan pada komponen yang
diukur (resistor), kerusakan pada alat ukur (multimeter), atau kesalahan praktikan dalam
menggunakan multimeter ketika megukur nilai resistansi masing-masing resistor ataupun nilai
resistansi
ekuivalen
(Rek)
pada
rangkaian
seri
tersebut.
Pada rangkaian seri juga terdapat persamaan Rek = Vtotal/I . Adapun untuk hasil
perhitungannya
adalah
sebagai
berikut.
Rek
=
Vtotal/I
=
(4,75
volt)/(5
x
10
A)
=
950
Nilai Rek hasil pengukuran, Rek hasil perhitungan, dan Rek yang diperoleh berdasarkan
persamaan di atas tidak sama persis, yaitu terdapat selisih sebesar 50 . Adanya selisih
tersebut, kemungkinan disebabkan oleh adanya beberapa faktor yang telah disebutkan
sebelumnya.
BAB
PENUTUP
V.1
KESIMPULAN
Adapun
kesimpulan
yang
dapat
diperoleh
dari
praktikum
ini
yaitu:
Persamaan Va Vb = Vab = IR - terbukti benar, tetapi terdapat sedikit perbedaan antara
hasil
pengukuran
dengan
hasil
perhitungan.
Persamaan I = I1 + I2 + I3 terbukti benar, dimana jumlah kuat arus listrik yang masuk ke suatu
titik cabang sama dengan arus listrik yang keluar dari titik tersebut (Hukum Arus Kirchoff atau
Hukum
Kirchoff
I).
Jadi,
hasil
praktikum
sesuai
dengan
teori.
persamaan Rek = Vtotal/I tidak sama persis, yaitu terdapat selisih sebesar 50 . Jadi, terdapat
sedikit
perbedaan
antara
hasil
praktikum
dengan
teori.
V.2
KRITIK
DAN
SARAN
V.2.1
Laboratorium
Elektronika
dan
Instrumentasi
Kritik dan saran untuk laboratorium elektronika dan instrumentasi, yaitu alat dan bahan praktikum
sudah
cukup
banyak,
akan
tetapi
sebaiknya
perlu
ditambah
lagi.
V.2.2.
Asisten
Kritik
dan
saran
untuk
asisten,
yaitu:
asisten sebaiknya datang tepat waktu sama halnya dengan praktikan pada saat memasuki
laboratorium sehingga dapat memberikan soal respon dan praktikum pun dapat segera dimulai,
sikap asisten sudah cukup baik dalam membimbing praktikan selama praktikum berlangsung,
akan
tetapi
perlu
ditingkatkan
lagi.
DAFTAR
PUSTAKA
http://elekdasar.blogspot.com/2008/10/listrik.arus.searah.html
http://opensource.telkomspeedy.com/wiki/index.php/Pengenalan_Wajah_Komponen_Elektronika
Tim Penyusun Fisika Dasar Universitas Hasanuddin Makassar. 2009. Fisika Dasar II. UPT-MKU
Universitas Hasanuddin. Makassar.
Diposkan 17th December 2010 oleh Alfred Budiyono
0
Tambahkan komentar
2.
DEC

0
Tambahkan komentar
3.
DEC
Rangkaian Arus Searah
LAPORAN PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA FISIS DASAR I
PENDAHULUAN
I.1 LATAR BELAKANG
berubah dari positif ke negatif, atau sebaliknya).
(+) ke kutub negatip (-).

I.2 RUANG LINGKUP
pada rangkaian seri.
I.3 TUJUAN
Tujuan dari dilakukannya praktikum ini adalah sebagai berikut.
Mengukur beda potensial pada rangkaian listrik.
Menerapkan Hukum Arus Kirchoff pada rangkaian listrik.
Menganalisa rangkaian seri.
BAB II
TINJAUAN PUSTAKA
II.1 ARUS SERAH (DC) & HUKUM KIRCHOFF
dari positif kenegatif, atau sebaliknya).
tidak berubah terhadap waktu. Elemen pada rangkaian DC meliputi:
i) baterai
ii) hambatan dan
iii) kawat penghantar
diabaikan.
kelipatan 10 atau 0,1 dari:
10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82
Penambahan komponen saklar dan hambatan dalam.
i) Sebuah saklar untuk memutus rangkaian.

Saklar mempunyai dua kondisi yaitu:
untuk menyatakan supaya mudah diingat:
Gambar 2.2 Rangkaian sederhana dengan tiga loop

Kirchhoff curent law ).
in = 0
pada gambar 2.2 kita dapat menuliskan:
in = 0
-I1 + I2 + I3 = 0
cabang diberi tanda positif.
sering disebut sebagai KVL Kirchhoff voltage law).
vn = 0
Untuk loop sebelah kiri : E1 R3 I3 R1 I1 = 0
Untuk loop sebelah kanan : E2 R2 I2 R1 I1 = 0
Untuk loop luar : E 1R3 I3 R2 I2 E2 = 0
Menurut Hukum II berlaku:
vn = 0
-E + Ir + I R = 0 (2.3)
jadi besarnya arus yang mengalir tersebut adalah
I = E/((R + r))
Kita tertarik pada
V=IR
= E R/((R + r )) (2.4)
atau dari persamaan 2.3 diperoleh
V = E - Ir (2.5)
tegangan.
II.2 RESISTOR
berikut:
Gambar simbol resistor
Warna Angka Toleransi

Hitam 0
Coklat 1 1%
Merah 2 2%
Jingga 3
Kuning 4
Hijau 5
Biru 6
Ungu 7
Abu-abu 8
Putih 9
Emas - 5%
Perak - 10%
Tak berwarna - 20%
II.3 RANGKAIAN RESISTOR SERI DAN PARALEL

II.3.1 Rangkaian Seri
muatan tak dapat berubah jumlahnya.
baik arus maupun tegangannya sehingga:
Vad = Vab + Vbc + Vcd
Vcd = i R3, sehingga persamaannya menjadi:
Vad = i (R1 + R2 + R3)
Jika besarnya hambatan ekivalen dinyatakan dengan Rek, maka:
Rek = R1 + R2 + R3
besar dari pada hambatan masing-masing yang terhubung seri.
II.3.2 Rangkaian Paralel
haruslah sama.
i1 = Vab/R1 i2 = Vab/R2 i3 = Vab/R3
i = Vab/R1 + Vab/R2 + Vab/R3
i/Vab = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3
1/Vab = Rek
Sehingga:
1/Rek = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3
terhubungkan paralel tersebut.
BAB III
METODOLOGI PRAKTIKUM
III.1 ALAT DAN BAHAN
III.1.1 Alat
Alat yang digunakan dalam praktikum ini adalah sebagai berikut.
Catu daya
Catu daya berfungsi sebagai sumber tegangan DC.
Multimeter
Multimeter berfungsi sebagai alat ukur resistansi, kuat arus, dan tegangan.
Papan rangkaian
Papan rangkaian berfungsi sebagai tempat memasang atau merangkai resistor.
III.1.2 Bahan
Bahan yang digunakan dalam praktikum ini adalah:
resistor dengan hambatan berbeda
(6 buah).
III.2 PROSEDUR PRAKTIKUM

III.2.1 Resistansi pada Resistor
Mengukur nilai resistansi dengan menggunakan multimeter.
Mencatat hasil pengukuran.
Membandingkan hasil perhitungan dengan pengukuran.
III.2.2 Beda Potensial pada Rangkaian
(1, r1) (2, r2)
Va R Vb
a-++-b
I
Gambar bagian dari rangkaian
berikut.
Mengukur arus yang melewati rangkaian tersebut.
Mengukur tegangan pada tiap-tiap komponen.
Mengukur tegangan pada titik a dan b.
Menghitung nilai dari IR -
persamaan Va Vb = Vab = IR -
Mengulangi prosedur di atas dengan nilai resistor yang berbeda.

III.2.3 Hukum Kirchoff
Mengukur arus yang keluar dari sumber ggl.
Mengukur arus pada tiap-tiap resistor.
+ I3
III.2.4 Rangkaian Seri
rangkaian, seperti yang terlihat pada foto berikut.
pada foto berikut.
Mengukur nilai resistansi ekuivalen pada rangkaian seri tersebut.
Membandingkan hasil pengukuran dengan hasil perhitungan.
Mengukur arus yang masuk pada rangkaian.
Mengukur tegangan pada tiap-tiap resistor dan tegangan total.
BAB IV
HASIL DAN PEMBAHASAN
IV.1 HASIL
IV.1.1 Beda Potensial pada Rangkaian
C 1 C 2 C 3 C 4 C1C2 x 10C3 C4% Hasil Pengukuran
2 Merah Coklat Orange Emas 21 k 5% 21
3 Kuning Ungu Orange Emas 47 k 5% 49 k
4 Merah Hitam Coklat Emas 200 5% 230
5 Merah Merah Orange Emas 22 k 5% 25 k
= 4,8 volt
IV.1.2 Hukum Kirchoff
R1 = 400 I = 0,05 A
R2 = 220 I1 = 0,02 A
R3 = 230 I2 = 0,02 A
I3 = 0,01 A
IV.1.3 Rangkaian Seri
R1 = 400 Vtotal = 4,75 volt I = 5 x 10-3 A
R2 = 220 V1 = 1 volt
R3 = 230 V2 = 0,8 volt

Rek = 900 V3 = 2,45 volt
IV.2 PEMBAHASAN
Berdasarkan hasil pengukuran diperoleh:
untuk R1 = 220 Vab1 = 4 volt
berikut:
I1R 1 - = ((21,25 x 10-3 A) x (220 )) 4,8 volt
= 4,675 volt 4,8 volt
= - 0,125 volt
I2R 2 - = ((23,75 x 10-3 A) x (400 )) 4,8 volt
= 9,5 volt 4,8 volt
= 4,7 volt
yaitu Vab1 tidak sama dengan I1R 1 - dan Vab2 juga tidak sama dengan I2R 2 . Untuk R1 = 220 diperoleh perbandingan yang sangat jauh, berarti hasil pengukuran
untuk membuktikan persamaan Va Vb = Vab = IR - .
I1 + I2 + I3 = 0,02 A + 0,02 A + 0,01 A = 0,05 A
I = I1 + I2 + I3 = 0,05 A
dari titik tersebut.
dihitung sebagai berikut:
Rek = R1 + R2 + R3 = (400 + 220 + 230) = 850
yang terhubung seri tersebut.
resistansi ekuivalen (Rek) pada rangkaian seri tersebut.
perhitungannya adalah sebagai berikut.
Rek = Vtotal/I = (4,75 volt)/(5 x 10 A) = 950
sebelumnya.
BAB V
PENUTUP
V.1 KESIMPULAN
Adapun kesimpulan yang dapat diperoleh dari praktikum ini yaitu:
hasil pengukuran dengan hasil perhitungan.
Hukum Kirchoff I). Jadi, hasil praktikum sesuai dengan teori.
sedikit perbedaan antara hasil praktikum dengan teori.
V.2 KRITIK DAN SARAN
V.2.1 Laboratorium Elektronika dan Instrumentasi
sudah cukup banyak, akan tetapi sebaiknya perlu ditambah lagi.
V.2.2. Asisten
Kritik dan saran untuk asisten, yaitu:
akan tetapi perlu ditingkatkan lagi.
DAFTAR PUSTAKA
LAPORAN PRAKTIKUM
Nama : Alfred Budiono
NIM / Kelompok : H21109270 / 1V

Nama Asisten : Mulawarman
Judul Praktikum : Rangkaian Arus Searah
JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS HASANUDDIN
2010
BAB I
PENDAHULUAN
I.1 LATAR BELAKANG
berubah dari positif ke negatif, atau sebaliknya).
(+) ke kutub negatip (-).
I.2 RUANG LINGKUP
pada rangkaian seri.
I.3 TUJUAN
Mengukur beda potensial pada rangkaian listrik.
Menerapkan Hukum Arus Kirchoff pada rangkaian listrik.
Menganalisa rangkaian seri.
BAB II
TINJAUAN PUSTAKA
II.1 ARUS SERAH (DC) & HUKUM KIRCHOFF
dari positif kenegatif, atau sebaliknya).
tidak berubah terhadap waktu. Elemen pada rangkaian DC meliputi:
i) baterai
ii) hambatan dan
iii) kawat penghantar
diabaikan.
kelipatan 10 atau 0,1 dari:
10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82
Penambahan komponen saklar dan hambatan dalam.
i) Sebuah saklar untuk memutus rangkaian.
Saklar mempunyai dua kondisi yaitu:
untuk menyatakan supaya mudah diingat:
Gambar 2.2 Rangkaian sederhana dengan tiga loop

Kirchhoff curent law ).
in = 0
pada gambar 2.2 kita dapat menuliskan:
in = 0
-I1 + I2 + I3 = 0
cabang diberi tanda positif.
sering disebut sebagai KVL Kirchhoff voltage law).
vn = 0
Untuk loop sebelah kiri : E1 R3 I3 R1 I1 = 0
Untuk loop sebelah kanan : E2 R2 I2 R1 I1 = 0
Untuk loop luar : E 1R3 I3 R2 I2 E2 = 0
Menurut Hukum II berlaku:
vn = 0
-E + Ir + I R = 0 (2.3)
jadi besarnya arus yang mengalir tersebut adalah
I = E/((R + r))
Kita tertarik pada
V=IR
= E R/((R + r )) (2.4)
atau dari persamaan 2.3 diperoleh
V = E - Ir (2.5)
tegangan.
II.2 RESISTOR
berikut:

Hitam 0
Coklat 1 1%
Merah 2 2%
Jingga 3
Kuning 4
Hijau 5
Biru 6
Ungu 7
Abu-abu 8
Putih 9
Emas - 5%
Perak - 10%
Tak berwarna - 20%
II.3 RANGKAIAN RESISTOR SERI DAN PARALEL

II.3.1 Rangkaian Seri
muatan tak dapat berubah jumlahnya.
baik arus maupun tegangannya sehingga:
Vad = Vab + Vbc + Vcd
Vcd = i R3, sehingga persamaannya menjadi:
Vad = i (R1 + R2 + R3)
Jika besarnya hambatan ekivalen dinyatakan dengan Rek, maka:
Rek = R1 + R2 + R3
besar dari pada hambatan masing-masing yang terhubung seri.
II.3.2 Rangkaian Paralel
haruslah sama.
i1 = Vab/R1 i2 = Vab/R2 i3 = Vab/R3
i = Vab/R1 + Vab/R2 + Vab/R3
i/Vab = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3
1/Vab = Rek
Sehingga:
1/Rek = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3
terhubungkan paralel tersebut.
BAB III
III.1.1 Alat
Catu daya
Catu daya berfungsi sebagai sumber tegangan DC.
Multimeter
Multimeter berfungsi sebagai alat ukur resistansi, kuat arus, dan tegangan.
Papan rangkaian
Papan rangkaian berfungsi sebagai tempat memasang atau merangkai resistor.
III.1.2 Bahan
Bahan yang digunakan dalam praktikum ini adalah:
resistor dengan hambatan berbeda
(6 buah).

III.2.1 Resistansi pada Resistor
Mengukur nilai resistansi dengan menggunakan multimeter.
Membandingkan hasil perhitungan dengan pengukuran.
III.2.2 Beda Potensial pada Rangkaian
(1, r1) (2, r2)

Va R Vb
a-++-b
I
Gambar bagian dari rangkaian
berikut.
Mengukur arus yang melewati rangkaian tersebut.
Mengukur tegangan pada tiap-tiap komponen.
Mengukur tegangan pada titik a dan b.
Menghitung nilai dari IR -
persamaan Va Vb = Vab = IR -
Mengulangi prosedur di atas dengan nilai resistor yang berbeda.
III.2.3 Hukum Kirchoff
Mengukur arus yang keluar dari sumber ggl.
Mengukur arus pada tiap-tiap resistor.
+ I3
III.2.4 Rangkaian Seri
rangkaian, seperti yang terlihat pada foto berikut.
pada foto berikut.
Mengukur nilai resistansi ekuivalen pada rangkaian seri tersebut.
Membandingkan hasil pengukuran dengan hasil perhitungan.
Mengukur arus yang masuk pada rangkaian.
Mengukur tegangan pada tiap-tiap resistor dan tegangan total.
BAB IV
IV.1 HASIL
C 1 C 2 C 3 C 4 C1C2 x 10C3 C4% Hasil Pengukuran
2 Merah Coklat Orange Emas 21 k 5% 21
3 Kuning Ungu Orange Emas 47 k 5% 49 k
4 Merah Hitam Coklat Emas 200 5% 230
5 Merah Merah Orange Emas 22 k 5% 25 k
= 4,8 volt
R1 = 400 I = 0,05 A
R2 = 220 I1 = 0,02 A
R3 = 230 I2 = 0,02 A
I3 = 0,01 A
R1 = 400 Vtotal = 4,75 volt I = 5 x 10-3 A
R2 = 220 V1 = 1 volt
R3 = 230 V2 = 0,8 volt
Rek = 900 V3 = 2,45 volt
IV.2 PEMBAHASAN
Berdasarkan hasil pengukuran diperoleh:
berikut:
I1R 1 - = ((21,25 x 10-3 A) x (220 )) 4,8 volt
= 4,675 volt 4,8 volt
= - 0,125 volt
I2R 2 - = ((23,75 x 10-3 A) x (400 )) 4,8 volt
= 9,5 volt 4,8 volt
= 4,7 volt
yaitu Vab1 tidak sama dengan I1R 1 - dan Vab2 juga tidak sama dengan I2R 2 . Untuk R1 = 220 diperoleh perbandingan yang sangat jauh, berarti hasil pengukuran
untuk membuktikan persamaan Va Vb = Vab = IR - .
I1 + I2 + I3 = 0,02 A + 0,02 A + 0,01 A = 0,05 A
I = I1 + I2 + I3 = 0,05 A
dari titik tersebut.
dihitung sebagai berikut:
Rek = R1 + R2 + R3 = (400 + 220 + 230) = 850
yang terhubung seri tersebut.
resistansi ekuivalen (Rek) pada rangkaian seri tersebut.
perhitungannya adalah sebagai berikut.
Rek = Vtotal/I = (4,75 volt)/(5 x 10 A) = 950
sebelumnya.
BAB V
PENUTUP
V.1 KESIMPULAN
hasil pengukuran dengan hasil perhitungan.
Hukum Kirchoff I). Jadi, hasil praktikum sesuai dengan teori.
sedikit perbedaan antara hasil praktikum dengan teori.
V.2.2. Asisten
DAFTAR PUSTAKA

0
Tambahkan komentar
4.
DEC
Rangkaian Arus Bolak-Balik
LAPORAN PRAKTIKUM
I.1 LATAR BELAKANG

Pada tahun 1885, George Westinghouse membuat paten untuk listrik arus bolak-balik (AC=
Alternating Current). Listrik AC dibuat dari generator AC, dan dapat di salurkan ke tempat yang
jauh dengan lebih murah dan mudah untuk di sesuaikan. Karena kemudahan ini lah selanjutnya
orang lebih suka menggunakan listrik AC.
Sebagian besar penyaluran jarak jauh daya tegangan tinggi sekarang menggunakan arus bolakbalik. Arus bolak-balik memiliki keunggulan utama dalam hal energi yang dapat disalurkan dalam
jarak jauh pada tegangan yang tinggi dan arus rendah untuk menghindari kerugian energi dalam
bentuk kalor Joule. Arus tegangan yang tinggi ini kemudian dapat diubah, hampir tanpa
kehilangan energi, ke tegangan yang lebih rendah atau lebih aman dan bersesuaian dengan ini
ke arus yang lebih tinggi untuk penggunaan sehari-hari. Transformator yang melakukan
perubahan tegangan dan arus ini bekerja berdasarkan induksi magnetik.
Lebih dari 99 persen energi listrik yang digunakan sekarang dihasilkan oleh generator listrik
dalam bentuk arus bolak-balik. Di Amerika Utara, daya dihantarkan oleh arus sinusoidal yang
berfrekuensi 60 Hz. Piranti seperti radio, pesawat televisi, dan panggangan gelombang mikro
mendeteksi atau membangkitkan arus bolak-balik dengan frekuensi yang jauh lebih tinggi.
Walaupun generator ac didesain untuk membangkitkan ggl sinusoidal, arus dalam induktor,
kapasitor, atau tahanan juga sinusoidal, sekalipun tidak sefase dengan ggl generator. Apabila ggl
dan arus kedua sinusoidal nilai-nilai maksimumnya dapat dengan mudah dihubungkan. Pelajaran
tentang arus sinusoidal ini penting karena arus yang tidak sinusoidal pun dapat dianalisis dalam
bentuk komponen sinusoidal dengan menggunakan analisis Fourier.
I.2 RUANG LINGKUP
Praktikum ini mengenai rangkaian arus bolak-balik, dimana ruang lingkupnya meliputi
pengukuran nilai resistansi pada resistor berdasarkan warna-warna pada resistor tersebut,
penentuan nilai kapasitor, pengukuran nilai induktor, penentuan nilai frekuensi, pembuatan
rangkaian integrator, rangkaian differensiator, dan rangkaian RLC parallel, pengamatan sinyal
output pada osiloskop jika rangkaian diberikan input dari sinyal generator.
I.3 TUJUAN
1. Mengetahui sifat dan karakteristik dari bentuk isyarat keluaran pada differensiator dan
integrator bila diberi masukan berupa isyarat persegi.
2. Mengukur tanggapan amplitudo dan tanggapan fasa dari suatu sumber AC tegangan
dianggap tetap untuk tapis lolos rendah dan tapis lolos tinggi pada rangkaian RC ini.
3. Mengukur tanggapan amplitudo rangkaian RLC parallel terhadap sumber AC sinus arus tetap.
I.4 WAKTU & TEMPAT PRAKTIKUM

Praktikum Rangkaian Arus Bolak-Balik (Alternating Current) ini dilakukan pada hari Jumat, 8
Oktober 2010, pukul 8.30-10.30 WITA, di Laboratorium Elektronika dan Instrumentasi, Jurusan
Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Hasanuddin, Makassar.
BAB II
TINJAUAN PUSTAKA
II.1 PENGERTIAN ARUS BOLAK-BALIK
Arus bolak-balik (listrik AC = alternating current) adalah arus listrik dimana besar dan arah
arusnya berubah-ubah secara bolak-balik. Arus bolak balik dihasilkan oleh generator yang
menghasilkan tegangan bolak-balik dan biasanya dalam bentuk fungsi sinusoida (sinus atau
cosinus) karena ini yang memungkinkan pengaliran energi yang paling efisien. Namun dalam
aplikasi-aplikasi spesifik yang lain, bentuk gelombang lain pun dapat digunakan, misalnya bentuk
gelombang segitiga (triangular wave) atau bentuk gelombang segi empat (square wave).
II.2 ALAT UKUR ARUS BOLAK-BALIK
II.2.1 Osiloskop
Untuk mengamati langsung bentuk grafik arus dan tegangan bolak-balik kita gunakan sebuah
osiloskop seperti tampak pada gambar. Dari gambar sinusoidal yang terlihat pada layar
osiloskop, dapat ditentukan nilai maksimum dan nilai puncak ke puncak dari arus dan tegangan
bolak-balik.
Osiloskop terdiri dari dua bagian utama yaitu display dan panel kontrol. Display menyerupai
tampilan layar televisi hanya saja tidak berwarna warni dan berfungsi sebagai tempat sinyal uji
ditampilkan. Pada layar ini terdapat garis-garis melintang secara vertikal dan horizontal yang
membentuk kotak-kotak dan disebut div. Arah horizontal mewakili sumbu waktu dan garis vertikal
mewakili sumbu tegangan. Panel kontrol berisi tombol-tombol yang bisa digunakan untuk
menyesuaikan tampilan di layar.
Pada umumnya osiloskop terdiri dari dua kanal yang bisa digunakan untuk melihat dua sinyal
yang berlainan, sebagai contoh kanal satu untuk melihat sinyal masukan dan kanal dua untuk
melihat sinyal keluaran.

Sebelum osiloskop bisa dipakai untuk melihat sinyal maka osiloskop perlu disetel dulu agar tidak
terjadi kesalahan fatal dalam pengukuran. Hal-hal yang perlu diperhatikan antara lain adalah:
1. Memastikan alat yang diukur dan osiloskop ditanahkan (digroundkan). Disamping untuk
keamanan hal ini juga untuk mengurangi noise dari frekuensi radio atau jala jala.
2. Memastikan probe dalam keadaan baik.
3. Kalibrasi tampilan bisa dilakukan dengan panel kontrol yang ada di osiloskop.
Gambar Panel osiloskop
Tombol-tombol yang terdapat di panel osiloskop antara lain :
Focus : Digunakan untuk mengatur fokus.
Intensity : Untuk mengatur kecerahan garis yang ditampilkan di layar.
Trace rotation : Mengatur kemiringan garis sumbu Y=0 di layar.
Volt/div : Mengatur berapa nilai tegangan yang diwakili oleh satu div di layar.
Time/div : Mengatur berapa nilai waktu yang diwakili oleh satu div di layar.
Position : Untuk mengatur posisi normal sumbu X (ketika sinyal masukannya nol).
AC/DC : Mengatur fungsi kapasitor kopling di terminal masukan osiloskop. Jika tombol pada
posisi AC maka pada terminal masukan diberi kapasitor kopling sehingga hanya melewatkan
komponen AC dari sinyal masukan. Namun jika tombol diletakkan
pada posisi DC maka sinyal akan terukur dengan komponen DC-nya dikutsertakan.
Ground : Digunakan untuk melihat letak posisi ground di layar.
Channel : Memilih saluran/kanal yang digunakan.
II.2.2 Signal Generator
Signal generator adalah piranti pembangkit isyarat. Isyarat yang dihasilkan dapat berupa isyarat
berbentuk sinusoida ataupun square yang dapat diatur frekuensinya.
Gambar signal generator
II.3 SUMBER ARUS BOLAK-BALIK
Sumber arus bolak balik adalah generator arus bolak balik. Generator arus bolak balik terdiri
atas sebuah kumparan yang diputar dalam magnet. Gaya gerak listrik (GGL) yang dihasilkan
oleh generator arus bolak balik berubah secara periodik menurut fungsi sinus dan kosinus.
GGL sinusoida ini dihasilkan oleh sebuah kumparan yang berputar dengan laju sudut tetap.
Tegangan yang dihasilkan berupa tegangan sinusoida dengan persamaan sebagai berikut:
= NBA sin t atau = m sin t
dimana N = jumlah lilitan
B = besarnya induksi magnetic
A = luas kumparan
= frekuensi sudut putaran kumparan
Adapun besar arus listrik bolak-balik yaitu:
= m sin t
I . R = Im . R sin t
I = Imaks sin t
Generator adalah mesin yang dapat mengubah tenaga mekanis menjadi tenaga listrik melalui
proses induksi elektromagnetik. Generator ini memperoleh energi mekanis dari prime mover atau
penggerak mula. Prinsip kerja dari generator sesuai dengan hukum Lens, yaitu arus listrik yang
diberikan pada stator akan menimbulkan momen elektromagnetik yang bersifat melawan putaran
rotor sehingga menimbulkan EMF pada kumparan rotor.
Tegangan EMF ini akan menghasilkan suatu arus jangkar. Jadi diesel sebagai prime mover akan
memutar rotor generator, kemudian rotor diberi eksitasi agar menimbulkan medan magnet yang
berpotongan dengan konduktor pada stator dan menghasilkan tegangan pada stator. Karena
terdapat dua kutub yang berbeda yaitu utara dan selatan, maka pada 90o pertama akan
dihasilkan tegangan maksimum positif dan pada sudut 270o kedua akan dihasilkan tegangan
maksimum negatif. Ini terjadi secara terus menerus/continue. Bentuk tegangan seperti ini lebih
dikenal sebagai fungsi tegangan bolak-balik.
Generator arus bolak-balik sering disebut sebagai generator sinkron atau alternator. Generator
arus bolak-balik memberikan hubungan yang sangat penting dalam proses perubahan energi
dari batu bara, minyak, gas, atau uranium ke dalam bentuk yang bermanfaat untuk digunakan
dalam industri atau rumah tangga. Dalam generator arus bolak-balik bertegangan rendah yang
kecil, medan diletakan pada bagian yang berputar atau rotor dan lilitan jangkar pada bagian yang
diam atau stator dari mesin.
II.4 RANGKAIAN ARUS BOLAK-BALIK
1) Rangkaian Hambatan Murni (Resistor)
Tegangan dan arus pada rangkaian hambatan murni yaitu:
2) Rangkaian Hambatan Induktif (Induktor)

Sebuah kumparan induktor mempunyai induktansi diri L dipasangkan tegangan bolak-balik V,
maka pada ujung-ujung kumparan timbul GGL induksi yaitu:
Tegangan dan arus pada rangkaian hambatan induktif adalah:
Reaktansi induktif memiliki harga:

3) Rangkaian Hambatan Kapasitif (Kapasitor)
Sebuah kapasitor dengan kapasitas C dihubungkan dengan tegangan bolak-balik V, maka pada
kapasitor itu menjadi bermuatan, sehingga pada plat-platnya mempunyai beda potensial
sebesar:
Tegangan dan arus pada rangkaian hambatan kapasitif yaitu:
Reaktansi induktif memiliki harga:
4) Rangkaian Seri R-L

Hambatan seri R dan XL dihubungkan dengan tegangan bolak-balik V.
VR = beda potensial antara ujung-ujung R
VL = beda potensial antara ujung-ujung XL
Besar tegangan total V ditulis secara vektor:
Hambatan R dan XL juga dijumlahkan secara vektor:
Z = impedansi (Ohm)
Kuat arus yg mengalir pada rangkaian ini adalah:
5) Rangkaian Seri R-C

Hambatan seri R dan XC dihubungkan dengan tegangan bolak-balik V.
VC = beda potensial antara ujung-ujung XC
Hambatan R dan XC juga dijumlahkan secara vektor:
Z = impedansi (Ohm)
6) Rangkaian Seri R-L-C

Hambatan seri R, XL dan XC dihubungkan dengan tegangan bolak-balik V.
VC = beda potensial antara ujung-ujung XC
VL = beda potensial antara ujung-ujung XL
Hambatan R, XL dan XC juga dijumlahkan secara vektor:
Z = impedansi (Ohm)
Beda fase Rangkaian R-L-C adalah:

tan = VL - VC atau tan = XL - XC
VR R
Ada tiga kemungkinan yang bersangkutan dengan rangkaian RLC seri yaitu:
1. Bila XL>XC atau VL>VC, maka rangkaian bersifat induktif. tg positif, demikian juga positif. Ini
berarti tegangan mendahului kuat arus.
2. Bila XL T). Karena tegangan kapasitor besamya proportional dengan integral i v1 / R,
v 2C i dt RCv1 dt
VS R C Vo
Gambar Rangkaian Integrator

II.4.2 Rangkaian Diferensiator
Rangkaian RC pada gambar 1,dapat berfungsi sebagai rangkaian deferensiator, yaitu keluaran
merupakan derivatif dari masukan. Untuk kasus masukan tegangan berupa gelombang kotak,
tegangan keluaran proportional dengan proses pemuatan dan pelucutan sebagai reaksi dari
tegangan undakan (step voltage). Dalam hal ini rangkaian RC berfungsi sebagai pengubah
gelombang kotak menjadi bentuk rangkaian pulsa jika konstanta waktu RC berharga lebih kecil
dibandingkan periode dari gelombang masukan.
V1 C R V2
Gambar Rangkaian Diferensiator

II. 5 TAPIS LOLOS RENDAH & TINGGI
II.5.1 Tapis Lolos Rendah (Low Pass Filter)
Tapis lolos rendah memberikan tegangan keluaran yang konstan hingga frekuensi sumbat
tertentu (fc). Frekuensi sumbat (cut-off) fc juga disebut frekuensi 0,707, frekuensi -3dB, frekuensi
sudut, atau frekuensi belok. Frekuensi-frekuensi di atas fc akan diredam (diperkecil). Kisar
frekuensi di bawah fc disebut pass band, sedangkan frekuensi di atas fc disebut frekuensi stop
band.
II.5.2 Tapis Lolos Tinggi (High Pass Filter)
Tapis lolos tinggi merupaka kebalikan fungsi dari tapis lolos bawah. Tapis lolos tinggi ini akan
meredam semua frekuensi di bawah frekuensi sumbat fc dan melewatkan semua frekuensi di
atas fc. Sebagaimana pada tapis lolos rendah, fc pada atpis lolos atas dalam persentasenya juga
diambil pada 70,7 % tegangan keluaran maksimal tapis lolos atas dapat memiliki kemiringan
yang berbeda, tergantung pada perancangan rangkaian.
BAB III
III.1.1 Alat
1. Papan rangkaian berfungsi sebagai tempat untuk membuat rangkaian.
2. Osiloskop berfungsi untuk mengukur dan menampilkan tegangan sinusoida, dan berbagai
bentuk gelombang yang ditemukan dalam rangkaian yang dibuat.
3. Signal generator berfungsi sebagai piranti pembangkit isyarat. Isyarat yang dihasilkan dapat
berupa gelombang berbentuk sinusoida, square, ataupun segitiga yang dapat diatur
frekuensinya.
4. Kabel jumper berfungsi sebagai penghubung dalam suatu rangkaian.

III.1.2 Bahan
Bahan yang digunakan dalam praktikum ini adalah sebagai berikut.
1. Resistor adalah komponen elektronika pasif yang berfungsi untuk menghambat aliran arus
listrik.
2. Kapasitor adalah komponen elektronika pasif yang berfungsi untuk mengukur kapasitas arus
yang mengalir dari rangkaian listrik.
3. Induktor adalah komponen elektronika pasif yang dapat menyimpan arus listrik dalam bentuk
induksi listrik.

III.2.1 Rangkaian Integrator
1. Mengukur terlebih dahulu nilai resitansi resistor yang akan digunakan berdasarkan cincin
warna pada resistor tersebut.
2. Menuliskan nilai kapasitansi kapasitor yang akan digunakan, dimana tertera pada kapasitor
tersebut.
3. Membuat rangkaian integrator seperti pada gambar berikut:
4. Menghidupkan osiloskop dan signal generator, kemudian mengkalibrasi alat tersebut.
5. Membuat agar sinyal generator berupa sinusoidal 4 VPP.
6. Menghubungkan antara signal generator, osiloskop, dan rangkaian yang telah dibuat seperti
pada gambar berikut:
7. Mengatur bentuk gelombang sinusoida pada signal generator.
8. Menentukan frekuensi pada signal generator, yaitu sebesar 100 Hz, 200 Hz, 500 Hz, 1 kHz,
dan 2 kHz.
9. Mengamati bentuk isyarat keluaran dari rangkaian yang ditampilkan di layar osiloskop pada
setiap frekuensi yang ditentukan.
10. Mengambil gambar pada setiap signal keluaran yang tampak pada layar osiloskop.
11. Mengatur bentuk gelombang square pada signal generator.

12. Menentukan frekuensi pada signal generator, yaitu sebesar 10 kHz.
13. Mengamati bentuk isyarat keluaran dari rangkaian yang ditampilkan di layar osiloskop.
14. Mengambil gambar signal keluaran yang tampak pada layar osiloskop.
III.2.2 Rangkaian Diferensiator
1. Mengukur terlebih dahulu nilai resitansi resistor yang akan digunakan berdasarkan cincin
warna pada resistor tersebut.
2. Menuliskan nilai kapasitansi kapasitor yang akan digunakan, dimana tertera pada kapasitor
tersebut.
3. Membuat rangkaian diferensiator seperti pada gambar berikut:

5. Membuat agar signal generator berupa sinusoidal 4 VPP.
dan 2 kHz.
III.2.3 Rangkaian RLC Paralel
1. Mengukur induktansi dari inductor yang akan digunakan.
2. Menbuat rangkaian RLC parallel seperti pada gambar berikut:
4. Membuat agar signal generator berupa sinusoidal 4 VPP.
dan 2 kHz.

BAB IV
IV.1 HASIL
IV.1.1 Tabel Pengamatan
a. Rangkaian Integrator
Resistor Kapasitor Data ke- Frekuensi
Sinusoida Square
150 10-4 F 1 100 Hz 10 kHz
2 200 Hz
3 500 Hz
4 1 kHz
5 2 kHz
b. Rangkaian Diferensiator
Resistor Kapasitor Data ke- Frekuensi
Sinusoida Square
150 10-4 F 1 100 Hz 10 kHz
2 200 Hz
3 500 Hz
4 1 kHz
5 2 kHz
c. Rangkaian RLC Paralel
Resistor Kapasitor Induktor Data ke- Frekuensi
Sinusoida Square
150 10-4 F 22 H 1 100 Hz 10 kHz
2 200 Hz
3 500 Hz
4 1 kHz
5 2 kHz
IV.1.2 Gambar Signal Output

a. Rangkaian Integrator
Gambar signal output yang tampil pada layar osiloskop untuk bentuk gelombang sinusoida yaitu:
Data ke- 1
Data ke- 2
Data ke- 3
Data ke- 4
Data ke- 5
Gambar signal output yang tampil pada layar osiloskop untuk bentuk gelombang square, yaitu:
b. Rangkaian Diferensiator
Data ke- 1
Data ke- 2
Data ke- 3
Data ke- 4
Data ke- 5
c. Rangkaian RLC Paralel

Data ke- 1
Data ke- 2
Data ke- 3
Data ke- 4
Data ke- 5
IV.2 PEMBAHASAN
Rangkaian seri R dan C merupakan rangkaian yang banyak digunakan pada alat-alat
elektronika. Rangkaian ini ada dua macam yaitu rangkaian seri R dan C integrator dan rangkaian
seri R dan C diferensiator. Adapun dalam praktikum mengenai arus bolak-balik ini, yaitu
membuat kedua rangkaian tersebut untuk melihat isyarat keluaran (signal output) yang tampil
pada osiloskop dari masing-masing rangkaian dengan isyarat masukan berupa isyarat sinusoidal
dan isyarat square serta diberikan frekuensi yang berasal dari signal generator. Untuk isyarat
sinusoidal baik pada rangkaian integrator maupun diferensiator, masing-masing diberikan
frekuensi yang nilainya semakin besar, yaitu 100 Hz, 200 Hz, 500 Hz, 1 kHz, dan 2 kHz.
Sedangkan untuk isyarat square baik pada rangkaian integrator maupun diferensiator, masingmasing diberikan frekuensi yang nilainya sama besar, yaitu 10 kHz.
Berdasarkan praktikum yang telah dilakukan, bentuk isyarat keluaran (signal output) yang
dihasilkan dari rangkaian tersebut belum sesuai yang diinginkan, yaitu bentuk isyarat sinusoidal
maupun isyarat square dari masing-masing rangkaian yang tampil pada osiloskop sangat sulit
untuk dianalisa. Hal itu disebabkan oleh signal generator yang tidak berfungsi dengan baik
(kemungkinan rusak) dan kabel penghubung dari signal generator dalam keadaan yang kurang
baik juga (terkelupas). Oleh karena itu, signal output yang tampil pada osiloskop mengalami
derau (noise). Jadi yang dapat disimpulkan hanyalah mengenai bentuk isyarat keluaran, yaitu
baik pada rangkaian integrator ataupun diferensiator, keduanya sama-sama berupa bentuk
isyarat sinusoidal (berasal dari isyarat masukan sinusoidal) dimana semakin besar frekuensi
yang diberikan maka semakin rapat bentuk isyarat sinusoidalnya. Sedangkan untuk isyarat
masukan square, isyarat keluarannya berupa isyarat square pula tetapi terlihat hampir seperti
dua garis lurus.
Pada rangkaian RLC parallel terdiri dari resistor, induktor, dan kapasitor yang disusun secara
parallel. Sama halnya dengan rangkaian integrator dan diferensiator, bentuk isyarat keluaran
(signal output) yang dihasilkan dari rangkaian RLC parallel sangat sulit untuk dianalisa
dikarenakan hal yang sama. Frekuensi yang diberikan pada rangkaian RLC parallel juga sama
besarnya dengan frekuensi yang diberikan pada rangkaian integrator dan diferensiator. Adapun
yang dapat disimpulkan, yaitu bentuk isyarat keluaran dari isyarat masukan sinusoidal berupa
isyarat sinusoidal pula, dimana bentuk isyarat sinusoidalnya semakin rapat ketika frekuensi yang
diberikan semakin besar dan bentuk isyarat keluaran dari isyarat masukan square berupa
insyarat square pula tetapi terlihat hampir seperti dua garis lurus yang berhimpit.
BAB V
PENUTUP
V.1 KESIMPULAN
a. Pada rangkaian differensiator dan integrator bila diberi masukan berupa isyarat sinusoidal
maka isyarat keluarannya berupa isyarat sinusoidal, sedangkan bila diberi masukan berupa
isyarat square maka isyarat keluarannya berupa isyarat square pula.
b. Bentuk isyarat sinusoidal pada rangkaian integrator (tapis lolos tinggi) dan rangkaian
differensiator (tapis lolos rendah) semakin merapat ketika frekuensi yang diberikan semakin
besar.
c. Induktor pada rangkaian RLC sangat berpengaruh terhadap signal output yang tampil pada
osiloskop.

Kritik dan saran untuk laboratorium elektronika dan instrumentasi, yaitu:
a. alat dan bahan praktikum sudah cukup banyak, akan tetapi sebaiknya perlu ditambah lagi.
b. alat yang tidak dapat berfungsi dengan baik, seperti osiloskop dan signal generator sebaiknya
diperbaiki atau diganti.
V.2.2. Asisten
a. asisten sebaiknya datang tepat waktu sama halnya dengan praktikan pada saat memasuki
b. sikap asisten sudah cukup baik dalam membimbing praktikan selama praktikum berlangsung,
DAFTAR PUSTAKA
Anonim. 2009. Arus Bolak Balik. http://id.wikipedia.org/wiki/Arus_bolak-balik.
Eka Sugandi, 2010. Rangkaian Arus Bolak Balik. http://www.google.com/.
Tipler, Paul A. 2001. Fisika Untuk Sains dan Teknik Edisi Ketiga. Erlangga. Jakarta.

0
Tambahkan komentar
5.
DEC
BAB I
PENDAHULUAN
Komponen dan Alat Ukur Listrik
I.1 LATAR BELAKANG

Elektronika adalah ilmu yang mempelajari alat listrik arus lemah yang Pdioperasikan dengan
cara mengontrol aliran elektron atau partikel bermuatan listrik dalam suatu alat seperti komputer,
peralatan elektronik, termokopel, semikonduktor, dan lain sebagainya. Ilmu yang mempelajari
alat-alat seperti ini merupakan cabang dari ilmu fisika, sementara bentuk desain dan pembuatan
sirkuit elektroniknya adalah bagian dari teknik elektro, teknik komputer, dan ilmu atau teknik
elektronika dan instrumentasi.
Adapun di dalam dunia elektronika dikenal yang namanya komponen elektronika, dimana pada
komponen elektronika tersebut memiliki karakteristik dan kegunaan yang berbeda dalam
peralatan elektronik. Selain itu, setiap komponen elektronika memiliki besaran listrik masingmasing.
Besaran listrik seperti kuat arus, tegangan, hambatan, daya, dan sebagainya yang terdapat pada
komponen elektronika tidak dapat secara langsung ditangkap oleh panca indera. Oleh karena
itu, diperlukan alat-alat ukur untuk mengukur besaran listrik tersebut, seperti amperemeter,
voltmeter, ohm-meter, multimeter, osiloskop, dan sebagainya.
I.2 RUANG LINGKUP

Ruang lingkup pada praktikum ini meliputi pengukuran resistansi, kuat arus, dan tegangan pada
resistor dengan menggunakan multimeter, penggunaan osiloskop dan signal generator untuk
membuat gelombang sinusoida, gelombang square, dan gelombang segitiga, serta pengukuran
arus dan tegangan pada waktu pengisian dan pengosongan kapasitor.
I.3 TUJUAN PRAKTIKUM
Adapun tujuan dari praktikum ini adalah sebagai berikut.
Mampu menggunakan alat-alat ukur seperti amperemeter, voltmeter, dan multimeter untuk
mengukur besaran-besaran elektronik yang diperlukan.
Mampu menggunakan osiloskop untuk berbagai pengukuran.
Mampu menggunakan berbagai komponen listrik.
Mengukur tegangan pada waktu pengisian dan pengosongan kapasitor.
BAB II
TINJAUAN PUSTAKA
II.1 KOMPONEN ELEKTRONIKA
Ada dua macam komponen elektronika, yaitu komponen pasif dan komponen aktif. Contoh
komponen pasif adalah resistor, kapasitor, induktor, dan transformator. Transistor dan rangkaian
terpadu merupakan dua contoh komponen aktif. Berikut penjelasan mengenai komponen pasif.
Resistor
berikut:

Hitam 0
Coklat 1 1%
Merah 2 2%
Jingga 3
Kuning 4
Hijau 5
Biru 6
Ungu 7
Abu-abu 8
Putih 9
Emas - 5%
Perak - 10%
Tak berwarna - 20%
Kapasitor
Kapasistor merupakan alat untuk mengukur kapasitas arus yang mengalir dari rangkaian listrik.
Kapasistor terbuat dari dua buah pelat konduktor yang dipisahkan oleh suatu lapisan
isolator.Fungsi resistor untuk menyimpan arus atau tegangan listrik. Untuk arus DC kapasistor
berfungsi sebagai isolator/ penahan arus listrik,sedangkan untuk AC berfungsi sebagai
konduktor /melewatkan arus listrik. Dalam penerapan kapasistor digunakan sebagai
fiter/penyaring,perata tegangan DC pada pengubah AC ke DC pembangkit gelombang AC atau
oskalator.
Gambar simbol kapasitor
Gambar bentuk kapasitor
Beberapa jenis kapasitor menurut bahan dielektiknya antara lain:
1. Kapasitor elektrolit
2. Kapasitor tantalum
3. Kapasitor polyester film
4. Kapasitor poliprolyene
5. Kapasitor kertas
6. Kapasitor mika
7. Kapasitor keramik
8. Kapasitor epoxy
9. Kapasitor variabel
Kegunaan kapasitor dalam berbagai rangkaian listrik adalah:
a. mencegah loncatan bunga api listrik pada rangkaian yang mengandung kumparan apabila
tiba-tiba arus listrik diputuskan dan dinyalakan
b. menyimpan muatan atau energi listrik dalam rangkaian penyala elektronik
c. memilih panjang gelombang pada radio penerima
d. sebagai filter dalam catu daya (power supply).
II.2 ALAT UKUR ELEKTRONIKA

Untuk mempelajari elektronika maka dibutuhkan alat-alat ukur elektronika untuk menganalisa
besaran-besaran elektronika. Piranti dan alat ukur yang digunakan dalam praktikum-praktikum
antara lain multimeter, osciloscope, dan signal generator. Di bawah ini penjelasan mengenai alatalat yang disebutkan di atas.
Amperemeter
Amperemeter adalah alat yang digunakan untuk mengukur kuat arus listrik yang ada dalam
rangkaian tertutup. Amperemeter biasanya dipasang berderet dengan elemen listrik. Cara
menggunakannya adalah dengan menyisipkan amperemeter secara langsung ke rangkaian.
Gambar amperemeter
Ohm-meter
Ohm-meter adalah alat pengukur hambatan listrik, yaitu daya untuk menahan mengalirnya arus
listrik dalam suatu konduktor. Besarnya satuan hambatan yang diukur oleh alat ini dinyatakan
dalam ohm. Alat ohm-meter ini menggunakan galvanometer untuk mengukur besarnya arus
listrik yang lewat pada suatu hambatan listrik (R), yang kemudian dikalibrasikan ke satuan ohm.
Gambar ohm-meter
Voltmeter
Merupakan alat/perkakas untuk mengukur besar tegangan listrik dalam suatu rangkaian listrik.
Alat ini terdiri dari tiga buah lempengan tembaga yang terpasang pada sebuah bakelite yang
dirangkai dalam sebuah tabung kaca atau plastik. Lempengan luar berperan sebagai anoda
sedangkan yang di tengah sebagai katoda. Umumnya tabung tersebut berukuran 15 x 10cm
(tinggi x diameter).
Gambar voltmeter digital
Multimeter
Multimeter juga disebut Avometer terdiri dari amperemeter, ohmmeter, dan voltmeter, bahkan ada
pula yang dilengkapi dengan kemampuan mengukur dc transistor dan nilai kapasitansi. Satu hal
yang penting yaitu batas ukur dari multimeter pada saat melakukan pengukuran.
Gambar multimeter digital
Osciloscope
Osciloscope adalah alat yang dapat mengukur besaran-besaran elektronika seperti tegangan AC
ataupun DC, frekuensi suatu sumber tegangan AC dan beda fasa antara dua sumber tegangan
yang berlainan, bahkan kita dapat melihat bentuk isyarat tegangan terhadap waktu. Pola-pola
gelombangisyarat yang terlihat pada layer oscilloscope sebenarnya adalah tumbukan-tumbukan
electron yang lepas dari sumber electron di dalam tabung dengan layer, yang diatur sedemikian
rupa oleh medan-medan yang dihasilkan keeping-keping sejajar horizontal dan vertical. Kepingkeping ini menimbulkan medan listrik yang besarnya tergantung pada tegangan inputnya,
sehingga bila ada electron yang melewati diantara keduanya akan dibelokkan sesuai dengan
besar tegangan inputnya sehingga pada layer akan terlihat pola-pola dari isyarat masukan.
Gambar osiloskop tampak depan
Signal Generator
Signal generator adalah piranti pembangkit isyarat. Isyarat yang dihasilkan dapat berupa isyarat
berbentuk sinusoida ataupun square yang dapat diatur frekuensinya.
Gambar signal generator
BAB III
III.1.1 Alat
Alat yang digunakan dalam praktikum ini yaitu:
Papan PCB
Tempat memasang atau merangkai komponen elektronika.
Multimeter
Alat pengukur kuat arus, tegangan, dan resitansi.
Osiloskop
Alat untuk mengukur dan menampilkan tegangan searah, tegangan sinusoida, dan berbagai
bentuk gelombang yang ditemukan dalam rangkaian elektronik.
Signal generator
Piranti pembangkit isyarat. Isyarat yang dihasilkan dapat berupa gelombang berbentuk
sinusoida, square, ataupun segitiga yang dapat diatur frekuensinya.
Catu daya
Alat yang berfungsi sebagai power supply.
III.1.2 Bahan
Bahan yang digunakan dalam praktikum ini yaitu:
Kapasitor
Komponen elektronika pasif yang berfungsi untuk mengukur kapasitas arus yang mengalir dari
rangkaian listrik.
Resistor
Komponen elektronika pasif yang berfungsi untuk menghambat aliran arus listrik.
Induktor
Komponen elektronika pasif yang dapat menyimpan arus listrik dalam bentuk induksi listrik.
Dioda
Komponen elektronika aktif yang bersifat menghantarkan arus listrik hanya pada satu arah saja.
III.2 Prosedur Praktikum
III.2.1 Alat Ukur dan Komponen Pasif
Menyiapkan alat dan bahan yang akan digunakan dalam praktikum.
Memperhatikan penjelasan mengenai berbagai komponen oleh asisten.
Memperhatikan keterangan dan demonstrasi penggunaan multimeter, osiloskop, dan signal
generator oleh asisten.
Mencatat kode warna pada setiap resistor dan mengukur nilai resistansinya dengan
menggunakan multimeter.
Mengkalibrasi osiloskop.
Membuat gelombang sinusoida, gelombang square, dan gelombang segitiga di osiloskop
dengan menggunakan signal generator dengan perincian sebagai berikut:
2 Vpp, 1 KHz
5 Vpp, 2 KHz
Memasang resistor pada papan PCB.
Mengukur kuat arus dan tegangan pada resistor tersebut dengan menggunakan multimeter dan
menghubungkannya dengan catu daya, seperti pada gambar berikut:
R
Mengulangi prosedur nomor 7 - 9 dengan dua resistor lainya.
III.2.2 Pengisian Muatan Kapasitor
R
ab
C1 C2
Gambar rangkaian pengisian muatan kapasitor
Memasang resistor dan kapasitor pada papan PCB.
Mengukur kuat arus dan tegangan dengan menggunakan multimeter, dimana terhubungkan
dengan catu daya (menghubungkan a dan b).
Setelah kapasitor terisi penuh, melepaskan hubungan dengan catu daya (melepaskan a dan b),
lalu mengukur kembali tegangannya dengan menggunakan multimeter.
III.2.3 Pengosongan Muatan Kapasitor
abR
c C1 C2
Gambar rangkaian pengosongan muatan kapasitor
Memasang resistor dan kapasitor pada papan PCB.
Mengukur tegangan dengan menggunakan multimeter, dimana terhubungkan dengan catu daya
(menghubungkan a dan b).
Setelah kapasitor terisi penuh, melepaskan hubungan dengan catu daya (melepaskan a dan b),
lalu menghubungkan b dan c agar kapasitor membuang muatan melalui R.
Mengukur kembali tegangannya dengan menggunakan multimeter.
BAB IV
IV. 1 HASIL
IV 1.1 Tabel data
Resistor
No. Kode Warna Resistansi
AB x 10C atau D (D atau E)% Resistansi Pengukuran
ABCDE
1 Merah Hitam Coklat Emas - 200 5% 200
2 Biru Abu-abu Coklat Emas - 680 5% 650
3 Orange Hitam Coklat Emas - 300 5% 400
4 Coklat Hitam Merah Emas - 1000 5% 700
5 Merah Merah Hitam Hitam Coklat 220 1% 250
Arus dan Tegangan
No. R (ohm) (volt) I (A) V (volt) P (watt)
1 250 14 0,45 10 4,5
2 700 14 0.125 11 1,375
3 400 14 - 10 -
Pengisian muatan kapasitor

No. Resistansi Kapasitansi I Vinput Voutput
1 250 47 F 0,1 A 14 11 volt
2 250 47 F - - 10 volt
Pengosongan muatan kapasitor

No. Resistansi Kapasitansi I Vinput Voutput
1 250 47 F - 14 10 volt
2 250 47 F - - 0 volt
IV.1.2 Pengolahan Data

Resistor
R1 = 200 5%
toleransi = 5/100 x 200 = 10
nilai resistansi min. = 200 - 10 = 190
nilai resistansi max. = 200 + 10 = 210
Jadi nilai resistansi R1 berada antara 190 s/d 210 .
R2 = 680 5%
toleransi = 5/100 x 680 = 34
R3 = 300 5 %
toleransi = 5/100 x 300 = 15
R4 = 1000 5%
toleransi = 5/100 x 1000 = 50
R5 = 220 1%
toleransi = 1/100 x 220 = 2,2
nilai resistansi min. = 220 2,2 = 217,8
nilai resistansi max. = 220 + 2,2 = 222,2
Jadi nilai resistansi R3 berada antara 217,8 s/d 222,2 .
Arus dan Tegangan
R = 250
P=VxI
= 10 volt x 0,45 A
= 4,5 watt
R = 700
P=VxI
= 11 volt x 0,125 A
= 1,375 watt
IV.2 PEMBAHASAN
Resistor
Pada R1 dan R2 diperoleh hasil perhitungan nilai resistansi sesuai dengan resistansi
pengukuran, sedangkan pada R3 , R4 , dan R5 diperoleh hasil perhitungan nilai resistansi tidak
sesuai dengan resistansi pengukuran. Adapun hal tersebut terjadi kemungkinan disebabkan oleh
kerusakan pada R3 , R4 , dan R5 .
Arus dan Tegangan

Kuat arus listrik adalah banyaknya muatan listrik yang mengalir tiap detik melalui suatu
penghantar, sedangkan tegangan listrik (kadang disebut sebagai voltase) adalah perbedaan
potensial listrik antara dua titik dalam rangkaian listrik. Kedua besaran tersebut sangat berkaitan
erat dengan nilai resistansi.
Adapun hasil pengukuran arus dan tegangan pada resistor dengan menggunakan multimeter
dan dihubungkan dengan catu daya sangat tidak sesuai dengan nilai resistansi pada resistor
tersebut. Hal ini terjadi kemungkinan disebabkan oleh resistor yang rusak atau multimeter dalam
keadaan rusak pula.
Pengisian Muatan Kapasitor
Pada waktu rangkaian RC dihubungkan dengan catu daya (sumber tegangan) maka muatan
listrik pada kapasitor tidak akan langsung terisi penuh, akan tetapi membutuhkan waktu untuk
mencapai muatan listrik pada kapasitor tersebut penuh. Setelah muatan listrik penuh dan sumber
tegangan dilepas maka muatan listrik pada kapasitor tidak akan langsung kosong, akan tetapi
membutuhkan waktu untuk mencapai muatan listrik pada kapasitor kosong. Hal ini disebabkan
oleh adanya resistor yang disusun seri dengan kapasitor baik pada rangkaian pengisian ataupun
pelepasan, maka arus yang mengalir dari kapasitor akan semakin kecil sehingga muatan listrik
yang ada pada kapasitor akan lebih lama habisnya.
Oleh karena itu, ketika sumber tegangan dilepas dan rangkaian RC segera diukur kembali
tegangannya dengan menggunakan multimeter maka masih diperoleh nilai tegangan sebesar 10
volt dari yang mulanya sebesar 11 volt pada waktu pengisian muatan.
Pengosongan Muatan Kapasitor

Pada waktu kapasitor dihubungkan langsung dengan catu daya (sumber tegangan), maka
muatan kapasitor akan terisi dengan cepat. Kemudian diukur tegangannya dengan
menggunakan multimeter dan diperoleh nilai tegangan sebesar 10 volt. Setelah kapasitor terisi
penuh, sumber tegangan dilepas dan rangkaian diubah menjadi rangkaian RC. Kemudian diukur
kembali tegangannya dengan menggunakan multimeter dan diperoleh nilai tegangan sebesar 0
volt. Hal tersebut terjadi karena kapasitor membuang muatannya melalui R.
BAB V
PENUTUP
V.1 KESIMPULAN
Multimeter berguna untuk mengukur kuat arus (amperemeter), tegangan (voltmeter), dan
resistansi (ohm-meter).
Osiloskop berguna untuk mengukur dan menampilkan tegangan searah ataupun tegangan
sinusoida dan dapat dihubungkan dengan signal generator, dimana dapat diatur frekuensinya
untuk menghasilkan berbagai bentuk gelombang seperti, gelombang sinusoida, square, dan
segitiga.
Resistor dan kapasitor merupakan komponen pasif, dimana dapat bekerja tanpa adanya catu
daya. Resistor berguna untuk menghambat aliran listrik dan kapasitor untuk mendapatkan
kapasitansi tertentu.
Pengisian dan pengosongan muatan kapasitor dipengaruhi oleh susunan rangkaian kapasitor
dengan resistor.

V.2.2. Asisten
Kritik dan saran untuk asisten, yaitu sikap asisten sudah cukup baik dalam membimbing
praktikan selama praktikum berlangsung, akan tetapi perlu ditingkatkan lagi.
DAFTAR PUSTAKA
http://andi-iccank.com/2009/10/macam-macam-kapasitor.html
http://id.wikipedia.org/wiki/Amperemeter
http://id.wikipedia.org/wiki/Komponen_elektronik
http://id.wikipedia.org/wiki/Multimeter
http://id.wikipedia.org/wiki/Ohmmeter
http://id.wikipedia.org/wiki/Voltmeter
0
Tambahkan komentar
6.
DEC
DIODA SEMIKONDUKTOR
Bahan semipenghantar mempunyai sifat-sifat di antara bahan konduktor/penghantar dan isolator.

Semipenghantar mempunyai sifat yang unik dalam menghantarkan atau mengalirkan arus listrik.
Beberapa tipe semipenghantar pembawa arus listriknya bukan elektron-elektronnya melainkan
hole (pembawa arus pada konduktor adalah elektron-elektron). Pada suhu yang tinggi
semipenghantar membentuk pembawa (carrier) baru yang disebut pembawa minoritas (minority
carrier).
Bahan penghantar/konduktor. Penghantar merupakan komponen yang fundamental dalam untaiuntai elektronik. Karena penghantar mudah dalam menghantarkan arus listrik. Gambar 10
memperlihatkan seutas kawat tembaga yang tersusun atas elektron-elektron. Pada gambar
tersebut hanya diperlihatkan bentuk sederhana dari atom tembaga. Oleh karena hanya
diperlihatkan elektron orbit terluarnya. Elektron yang menempati orbit terluar disebut elektron
valensi. Elektron valensi memegang peranan penting sebagai pembawa arus pada atom.
Sungguhpun seutas kawat yang sangat kecil, akan mengandung berjuta-juta atom. Pada tiaptiap atom tembaga mempunyai satu elektron valensi. Ikatan elektron valensi terhadap inti atom
sangat
lemah,
sehingga
sangat
mudah
bergerak.
Jika kedua ujung kawat diberi rangsangan berupa gaya elektromotif (tegangan listrik), elektronelektron valensi akan menanggapi gaya tersebut dengan mulai berpindah kebagian ujung positif
dari sumber tegangan. Oleh karena jumlah elektron sangat banyak dan mudah bergerak,
sehingga arus listrik dengan mudah mengalir dari ujung positif ke ujung negatif sumber
tegangan. Hal ini dapat dikatakan bahwa tembaga mempunyai resistansi yang rendah. Apabila
bahan penghantar dipanasi maka elektron-elektron valensi akan menjadi lebih aktif dan menjauhi
inti atomnya, sehingga gerakannya lebih cepat. Akibatnya elektron-elektron tersebut dapat saling
bertabrakan.
Gambar
10.
Struktur
konduktor
tembaga.
Tabrakan elektron-elektron tersebut menghambat aliran arus listrik, sehingga resistansinya

menjadi bertambah. Gejala-gejala tersebut terjadi pada semua bahan penghantar. Bahan yang
mempunyai sifat-sifat tersebut dapat dikatakan mempunyai koefisien suhu positif. Contoh bahan
penghantar
adalah
:
tembaga
(Cu),
perak
(Ag),
Emas
(Au).
Bahan semipenghantar. Dalam mengalirkan arus bahan semipenghantar tidak semudah yang
dilakukan oleh bahan penghantar. Pada suatu kondisi semipenghantar sangat jelek daya
hantarnya (seperti halnya bahan isolator). Silikon adalah bahan semipenghantar yang sangat
populer. Digunakan sebagai bahan dasar dioda, transistor, IC (Integrated Circuit) dan komponenkomponen modern lainnya. Gambar 18. memperlihatkan struktur atom silikon.
Berkas partikel pada pusat atom, tersusun atas proton-proton dan neutron-neutron. Berkas
tersebut
dinamakan
inti
atom.
Gambar
Gambar
11.
12.
Struktur
Struktur
atom
atom
silikon
yang
silikon.
disederhanakan.
Proton bermuatan positif (+) sedangkan neutron tidak bermuatan atau netral (N). Elektronelektron yang bermuatan (-) bergerak mengelilingi inti atom pada orbit-orbitnya. Dalam struktur
atom silikon orbit yang pertama ditempati 2 elektron, orbit yang kedua memiliki 8 elektron,
sedangkan orbit yang terluar terdapat 4 elektron. Orbit terluar merupakan bagian atom yang
terpenting dalam mempelajari sifat-sifat kelistrikan suatu atom. Orbit tersebut sering disebut orbit
valensi. Oleh karena orbit valensi atom silikon ditempati 4 buah elektron valensi, sehingga atom
silikon dikatakan bervalensi empat. Karena kita tertarik hanya pada orbit saja maka Gambar 11
struktur atom silikon dapat disederhanakan menjadi Gambar 12 yang hanya memperlihatkan
orbit
valensinya
saja.
Bahan dengan empat elektron valensi adalah tidak stabil. Bahan tersebut cenderung
berkombinasi
secara
kimiawi
dengan
bahan
yang
lain.
Gambar
13.
Susunan
kristal
silikon
murni.
Bahan tersebut dapat dikatakan bahan aktif. Atom silikon akan lebih stabil apabila pada orbitnya
ketiganya
(orbit
valensinya)
ditempati
delapan
elektron.
Salah satu kemungkinan kombinasi untuk bahan silikon adalah dengan oksigen. Sebuah atom
silikon dapat mengikat atau bergabung dengan dua atom oksigen dan membentuk silikon
dioksida (SiO2). Ikatan tersebut disebut ikatan ionik. Struktur baru tersebut lebih stabil dari pada
atom silikon maupun atom oksigen. Silikon dioksida stabil sifat kimiawinya, oleh karena tidak
mudah bereaksi dengan bahan lainnya. Silikondioksida stabil sifat mekanisnya, oleh karena
keras (berbentuk gelas/kaca). Juga stabil sifat kelistrikannya karena tidak mudah menghantarkan
arus
listrik.
Gambar
14.
Pembangkitan
pembawa
disebabkan
oleh
termal.
Pada prakteknya bahan tersebut digunakan sebagai bahan isolator dalam integrated circuit (IC)
dan
piranti
solid-state
yang
lain.
Dalam bahan silokin yang murni (pure) dan terbebas dari atom oksigen atau atom bahan yang
lain, bahan silikon akan stabil. Oleh karena masing-masing atom akan saling membagi elektron
valensinya, sehingga masing-masing orbit valensinya ditempati delapan elektron valensi.
Proses tersebut disebut ikatan kovalen. Struktur yang terbentuk disebut kristal. Gambar 14.
memperlihatkan diagram kristal silikon murni. Gambar titk-titik mewakili elektron valensi.
Pada suhu ruang, silikon murni adalah penghantar yang jelek. Jika tegangan listrik yang cukup
besar dipasang pada kedua ujung/tepi, hanya sedikit arus yang akan mengalir. Hal ini
disebabkan adanya elektron bebas yang terjadi. Kristal silikon murni bersifat isolator. Namun
demikian diklasifikasikan sebagai bahan semipenghantar. Bahan tersebut dapat dibuat semi-
menghantar.
Salah
satu
cara
adalah
/memanaskannya..
memanaskannya. Panas akan menambah energi kristal. Elektron akan menyerap sejumlah
energi tersebut dan bergerak ke level orbit yang lebih tinggi (mendekati inti atomnya) elektron
yang berenergi tinggi tersebut akan memutuskan ikatan kovalennya. Gambar 14. elektron yang
berenergi tinggi dalam kristal silikon. Elektron tersebut akan bebas bergerak dan akan melayani
sebagai pembawa arus. Sekarang, apabila sedikit tegangan listrik dipasang pada kedua
ujung/sisi
kristal
maka
arus
akan
mengalir.
Silikon memiliki koefisien suhu negatif. Apabila suhu naik maka resistansi dalam silikon akan
berkurang. Sulit untuk memprakirakan secara tepat berapa banyak resistansi akan berubah.
Dalam praktek memperlihatkan adanya penurunan resistansi setengahnya apabila suhu naik
sebesar
6
derajat
celsius.
Semipenghantar Germanium juga digunakan untuk membuat dioda dan transistor. Germanium
memiliki empat elektron valensi dan dapat membentuk tipe kristal yang sama seperti silikon.
Suatu hal yang menarik adalah bahwa transistor yang pertama kali dibuat menggunakan bahan
semipenghantar germanium. Transistor dengan bahan semipenghantar silikon diperkenalkan
pada tahun 1954. Dan hampir semua pada saat ini transistor terbuat dari silikon. Salah satu
alasan utama, pemakaian silikon daripada germanium adalah bahwa silikon mempunyai
tanggapan
suhu.
Germanium
lebih
stabil
terhadap
perubahan
suhu
Perbedaan yang mencolok antara germanium dan silikon adalah jumlah energi panas yang
dibutuhkan untuk menggerakkan sebuah elektron valensi ke level orbit yang lebih tinggi,
memecahkan ikatan kovalen. Hal ini lebih mudah dilakukan pada kristal germanium.
Perbandingan
antara
dua
kristal,
sebuah
germanium
dan
sebuah
silikon,
dari ukuran yang sama dan pada suhu ruang akan menunjukkan rasio resistansi sebesar 1000 :
1. Kristal silikon akan mempunyai resistansi 1000 kali dari resistansi kristal germanium.
Walaupun
resistansi
silikon
lebih
cepat
berubah
terhadap
kenaikan
suhu dari pada germanium, silikon masih akan memiliki resistansi yang lebih besar daripada
germanium.
Sangat beralasan apabila perancang untai elektronik lebih menyukai silikon. Pengaruh termal,
atau panas biasanya merupakan sumber penyebab gangguan. Suhu tidak mudah dikendalikan,
dan kita tidak menginginkan untai kita dipengaruhinya. Akan tetapi, semua untai elektronik tidak
luput
oleh
pengaruh
suhu
tersebut.
Kadang-kadang piranti yang sensitif terhadap panas sangat dibutuhkan. Probe untuk mengukur
suhu dapat menggunakan semipenghantar, yang mempunyai koefisien suhu negatif. Sehingga
koefisien
suhu
semipengantar
tidak
selalu
merugikan.
Bahan semipenghantar type-N. Kristal semipenghantar murni (pure) adalah penghantar yang
tidak baik. Temperatur yang tinggi dapat menyebabkan bahan tersebut menjadi semi
menghantar, karena terbentuknya pembawa (carrier). Ada cara lain, agar supaya bahan tersebut
menjadi semi-menghantar. Doping adalah proses penambahan jenis material yang lain terhadap
kristal silikon, sehingga menyebabkan bahan silikon tersebut berubah sifat kelistrikannya. Salah
satu bahan untuk doping adalah arsenik. Pada Gambar 15. diperlihatkan atom yang
disederhanakan
yang
mana
Arsenik
memiliki
5
elektron
valensi.
Gambar
15.
Struktur
atom
arsenik
yang
disederhanakan.
Apabila atom arsenik masuk ke dalam kristal silikon, maka elektron bebas akan terbentuk.
Gambar 16. memperlihatkan kejadian tersebut.Ikatan-ikatan kovalen (dari atom silikon) akan
menangkap 4 dari elektron-elektron valensi atom-atom arsenik. Elektron valensi kelima (sisanya)
dari arsenik tak dapat membentuk ikatan. Akibatnya elektron tersebut akan menjadi elektron
bebas dalam kristal silikon yang terdoping tersebut. Elektron bebas tersebut sangat mudah
bergerak,
dan
akan
melayani
sebagai
pembawa
arus.
Silikon dengan beberapa atom arsenik akan menjadi semi-menghantar sungguhpun pada suhu
ruangan. Kristal silikon yang terdoping oleh elektron-elektron valensi 5 akan tercipta elektronelektron
bebas.
Karena elektron mempunyai muatan negatif, sehingga dikatakan bahwa bahan tersebut adalah
semipenghantar
tipe-N.
Atom-atom yang bervalensi 5 (golongan V) dalam bahan silikon akan memberikan sumbangan
elektron,
sehingga
bahan
tersebut
dinamakan
atom
donor.
Atom-atom yang bervalensi 3 (golongan III) dalam bahan silikon akan mengurangi konsentrasi
elektron
sehingga
atom-atom
tersebut
dinamakan
atom
aseptor.
Gambar
16.
Silikon
type-N
Bahan semipenghantar type-P.Doping dapat menggunakan material-material yang lain. Gambar

17. adalah atom boron yang disederhanakan. Boron hanya memiliki 3 elektron valensi. Jika atom
boron masuk ke dalam kristal silikon, sehingga akan menghasilkan jenis pembawa yang lain
(bukan elektron bebas). Gambar 18. menunjukkan bahwa sebuah ikatan kovalen tidak dapat
terbentuk. Hal ini akan menghasilkan lubang (hole) atau kehilangan elektron. Lubang ditandai
sebagai muatan positif. Karena lubang mampu menarik elektron atau diisi oleh elektron.
Lubang adalah pembawa arus seperti halnya elektron. Dalam konduktor atau semipenghantar
type-N, pembawa arusnya adalah elektron. Elektron bebas akan bergerak dari terminal tegangan
negatif
ke
terminal
positif.
Gambar
17.
Struktur
atom
boron
yang
disederhanakan.
Tetapi pada semipenghantar type-P, lubang akan bergerak dari terminal tegangan positif ke
terminal tegangan negatif. Lubang adalah sama dengan elektron tetapi berlawanan arah.
Gambar
18.
Silikon
tipe-P
Bahan semipenghantar non silikon. Selain bahan silikon saat ini banyak pula dikembangkan
bahan semipenghantar yang lain yaitu diantaranya adalah campuran (compounds) antara atomatom yang bergolongan III-V, misal gallium arsenide (GaAs) dan gallium arsenide-phosphide
(GaAsp). Konfigurasi elektron tersebut dapat memancarkan (emission) cahaya. Bahan tersebut
biasanya digunakan untuk LED (Light Emitting Diode), laser dan piranti penguat berfrekuensi
sangat
tinggi/gelombang
mikro
(microwave).
Dioda
Sambung
a. Sambungan P-N. Pemakaian dasar semipenghantar tipe-N dan tipe-P adalah diode. Diode
adalah salah satu dari komponen terpenting dalam elektronika modern. Diode umumnya adalah
komponen dengan dua terminal. Gambar 19 (a) menunjukkan diode sambungan P-N. Perhatikan
bahwa pada daerah tipe-P kaya akan lubang bebas dan pada daerah tipe-N kaya akan elektron
bebas.
/
Gambar
Gambar 19 (a) tidak mewakili sambungan secara mekanis. Sambungan diode adalah daerah
dari kristal dimana tempat bertemunya kedua ujung bahan tipe-P dan bahan tipe-N.
b. Rekombinasi dan Ionisasi. Karena diode memiliki struktur kristal yang kontinyu, elektronelektron dapat berpindah melintasi sambungan. Setelah diode terbentuk beberapa lubang
(disekitar sambungan). Gambar 19. (b) memperlihatkan akibat tersebut. Akibatnya daerah
kosong, (depletion region) akan terbentuk. Dengan pindahnya elektron dan terisinya lubang
(rekombinasi), maka di daerah sambungan akan menjadi kosong. Daerah kosong tidak akan
melanjutkan gejala tersebut berlangsung. Terbentuknya potensial elektrik atau gaya pada daerah
kosong akan mencegah berpindahnya elektron-elektron mengisi semua lubang pada daerah
bahan
tipe-P.
Gambar 19 (c) memperlihatkan mengapa potensial tersebut terbentuk. Sebuah atom yang
kehilangan sebuah elektronnya, atom menjadi tak seimbang. Atom sekarang akan memiliki lebih
banyak proton-proton pada intinya dari pada elektron-elektron pada orbitnya. Hal tersebut akan
membuat atom secara keseluruhan bermuatan positif. Atom tersebut dinamakan ion positif.
Dengan cara yang sama apabila atom memperoleh ekstra elektron, sehingga atom secara
keseluruhan bermuatan negatif dan atom dinamakan ion negatif. Proses tersebut sering
dinamakan ionisasi. Apabila sebuah dari elektron-elektron bebas dalam bahan tipe-N
meninggalkan atom induknya, atom tersebut akan menjadi ion positif. Apabila elektron tersebut
bergabung dengan atom lain pada sisi tipe-P, sehingga atom tersebut menjadi ion negatif.
C.
Gambar
Pembentukan
19.
Terbentuknya
potensial
daerah
kosong
barier
dan
tegangan
barier.
Ion-ion tersebut akan menengah berlanjutnya elektron-elektron yang melintasi sambungan.

c. Potensial Barrier. Terbentuknya diode tersebut beberapa elektron melintasi sambungan untuk
mengisi beberapa lubang. Segera aksi tersebut terhenti karena muatan elektron pada sisi tipe-P
akan menolak elektron yang lain yang mencoba melintasi sambungan. Muatan elektron tersebut
disebut potensial ionisasi atau potensial barrier. Istilah Barrier adalah sesuai karena berrier
berarti
melawan
elektron-elektron
yang
mencoba
melintasi
sambungan.
d.
Prasikap
(Bias)
pada
Dioda
Sambungan
P-N.
1) Dioda tanpa Prasikap. Dioda dalam keadaan tanpa prasikap, diperlihatkan oleh gambar 20
(a). Ada dua daerah yang mengandung pembawa-pembawa bebas, kedua daerah tersebut akan
semipenghantar. Tetapi pada daerah tengah (di sekitar sambungan) adalah daerah yang tidak
memiliki pembawa. Karenanya akan menjadi penghantar yang sangat jelek atau akan menjadi
bersifat
isolator.
Sehingga diode sambungan P-N merupakan penghantar yang sangat jelek. Akan tetapi secara
tepat daerah kosong bukanlah sama seperti isolator yang lain. Karena terbentuk berpindahnya
elektron-elektron mengisi lubang. Secara eksternal pemberian tegangan pada kedua ujung dapat
mengagalkan
pengaruh
daerah
kosong
tersebut.
2) Dioda dengan prasikap maju (forward bias). Gambar 20. (b) memperlihatkan dioda
sambungan P-N yang kedua ujungnya dihubungkan dengan batere. Penyambungan seperti
tersebut
akan
melenyapkan
daerah
kosong.
Terminal positif batere akan menolak lubang-lubang pada sisi tipe-P dan akan menekannya ke
arah sambungan. Teminal negatif batere akan menolak elektron-elektron dan menekannya ke
arah
sambungan.
Gambar
20.
Pemprasikap
Pada
Dioda.
Terdesaknya daerah kosong mengakibatkan daerah tersebut menjadi tipis bahkan lenyap
(collapsed).
Dengan lenyapnya daerah kosong, dioda dapat semimenghantar. Gambar 20.(b) menunjukkan
arus elektron meninggalkan ujung negatif batere, mengalir melalui dioda melalui pembatas arus
(resistor) dan kembali ke ujung positif batere. Resistor pembatas arus diperlukan untuk beberapa
untai untuk menjaga aliran arus pada tingkat yang aman. Dioda dapat rusak oleh arus yang
berlebihan.
Keadaan seperti gambar 20.(b) disebut prasikap maju (forward bias). Dalam elektronika
tegangan atau arus prasikap adalah tegangan atau arus yang diterapkan kepada komponen.
Prasikap maju pada dioda ini akan menyebabkan dioda dalam keadaan terhubung singkat (turn
on).
c) Dioda dengan prasikap mundur (reverse bias). Dioda dalam keadaan tak berprasikap seperti
diperlihatkan pada gambar 20 (b), memiliki daerah kosong yang cukup tebal/lebar. Dengan
memberikan prasikap mundur kepada dioda sambungan tersebut mengakibatkan daerah kosong
tersebut menjadi semakin tebal/melebar dari pada keadaan sebelumnya (tanpa prasikap).
Gambar 20.(c) dioda dalam keadaan prasikap mundur. Terminal positif batere dihubungkan
dengan bahan tipe-N. Terminal batere tersebut akan menarik elektron-elektron bebas menjauhi
sambungan. Teminal positif batere dihubungkan dengan bahan tipe-P. Terminal tersebut akan
menarik lubang-lubang bebas menjauhi sambungan. Kedua hal tersebut akan
mempertebal/memperlebar
daerah
kosong.
Karena prasikap mundur mempertebal/memperlebar daerah kosong, akibatnya tidak terjadi
aliran
arus
dalam
untai
tersebut.
Gambar
21.
Pembawa
minoritas
sebagai
arus
bocor.
d) Pembawa Minoritas pada Dioda Sambungan. Sebenarnya masih ada arus yang mengalir
(sangat kecil) pada dioda yang diberi prasikap mundur. Hal ini disebabkan adanya pembawa
minoritas. Gambar 28 memperlihatkan gejala tersebut. Pada bahan tipe-N dapat memiliki sedikit
pembawa
minoritas
(lubang
minoritas).
Lubang minoritas tersebut akan terdorong menuju sambungan oleh terminal positif batere
tersebut. Dan dapat melintasi sambungan. Akibatnya terjadilah arus bocor yang kecil (small
leakage current). Dalam kenyataan dioda tidak sempurna, tetapi diode silikon modern
menunjukkan arus bocor yang sangat kecil bahkan tak dapat terukur oleh alat ukur biasa.
Biasanya arus bocor ini sering diabaikan. Diodagermanium memiliki arus bocor yang lebih besar
daripada
dioda
silikon.
Pada suhu ruang germanium akan memiliki 1000 pembawa minoritas dari silikon. Sehingga
dioda silikon lebih banyak disukai. Akan tetapi dioda germanium juga mempunyai kelebihan dari
dioda silikon yaitu memiliki tegangan "turn on" yang rendah dan resistansinya lebih rendah.
Untuk
aplikasi
tertentu
dioda
germanium
masih
dipakai.
Karakteristik Sambungan pn Hubungan arus dan tegangan pada diode sambungan pn
dinyatakan
dengan
persamaan
:
I
=I0
V/h
VT
1)
Dengan
Io
Arus
untuk
Jenuh
germanium
dan
untuk
VT
0,026
Gambar
balik
di
11600
volt
bawah
pada
kesetaraan
suhu
menunjukan
Gambar
silicon
bentuk
volt
kamar
karakteristik
22.
dalam
=
diode
suhu
300
sambung
Karakteristik
pn
)
K
idial.
diode
Karakteristik maju diode pn untuk germanium dan silicon terlihat pada gambar. Terlihat ada
tegangan ambang Vf. Dibawah tegangan ambang arus diode sangat kecil. Tegangan ambang
besarnya
kira-kira
0,2
V
untuk
Germanium
dan
0,6
volt
untuk
silicon.
Prasikap balik yang besar (VZ), terjadi arus balik yang mendadak besar. Didaerah ini diode
dikatakan
berada
didaerah
dadal
seperti
pada
gambar.
Gambar
23.
Karakteristik
tegangan
arus
dioda.
Pengaruh suhu. Pengaruh suhu terhadap perubahan Io adalah kira-kira 7% / oC. Karena (1,07)
10 = 2, maka arus Io menjadi berlipat dua untuk setiap kenaikan 10 oC.
Arsu
Io
Io
(T)
Dengan
Io1
pada
suhu
=Io1
:
T
x
Arus
Io
adalah
2
pada
:
(T-T1)/10
suhu
T1.
Kapasitansi Transisi. Prasikap balik mengakibatkan pembawaan mayoritas menjauhi

sambungan, maka daerah defleksi menjadi lebar. Dapat dianggap ada pengaruh kapasitansi
transisi C
0
Tambahkan komentar
7.
DEC
Heterostructure Device Band Diagram
Prinsip dasar dalam heterostructure semikonduktor adalah adanya kontak fisik antara dua
semikonduktor berbeda. Dalam prakteknya, semikonduktor yang berbeda tersebut
disambungkan dengan cara menumbuhkan lapisan satu semikonduktor di atas semikonduktor
lain. Fabrikasi heterostructures dengan penumbuhan epitaxial merupakan metoda terbersih yang
ada saat ini dan dapat direproduksi. Sifat heterostructures seperti itu adalah sangat penting bagi
banyak perangkat heterostructure termasuk transistor efek-medan, transistor bipolar, LED dan
laser. Sebelum membahas formasi pita konduksi dan valensi di antarmuka semikonduktor secara
detail, heterostructure diklasifikasikan sesuai dengan posisi kesejajaran (alignment) antara pitapita energi dari dua semikonduktor yang disambungkan. Tiga macam kesejajaran yang berbeda
diperlihatkan
pada
Gambar
1.
Gambar 1. Tipe-tipe energy-band lineup (a) straddled alignment, (b) staggered alignment, (c)
broken
gap
alignment
Gambar 1 (a) menunjukkan alignment yang paling umum yang disebut sebagai straddled
alignment atau alignment tipe 1. Heterostructure tipe 1 yang paling banyak dipelajari adalah
heterostructure GaAs / AlxGa1-xAs. Gambar 1 (b) menunjukkan staggered lineup. Dalam
alignment ini, pola pita valensi dan konduksi berubah bersama-sama. Kesejajaran Staggered
band , disebut juga alignment tipe 2, terjadi pada kisaran komposisi yang lebar untuk sistem
materi GaxIn1-xAs / GaAsySb1-y. Band alignment yang paling ekstrim adalah broken gap
alignment (tipe 3) yang ditunjukkan pada Gambar. 1 (c). Alignment ini terjadi dalam sistem bahan
InAs
/
GaSb.
Pada antarmuka semikonduktor dari heterostructure, energi dari tepi konduksi dan
pita valensi terjadi perubahan. Besarnya perubahan tersebut penting bagi banyak perangkat
semikonduktor.
Model
Energi
Band
Offset
Ada banyak model untuk memprediksi dan menghitung energi band offset dalam semikonduktor
heterostructure. Para peneliti menunjukkan bahwa adanya kesepakatan antara teoritis dan
eksperimental band offset bervariasi untuk berbagai pendekatan. Namun, tak satu pun dari
pendekatan teoretis dipercaya dapat meramalkan band offset dari semua kombinasi
semikonduktor heterostructure. Di sini, kita membatasi diri untuk hanya membahas beberapa
aturan-aturan empiris dan konsep-konsep teoretis mendasar yang akan berguna untuk
memperdalam
pemahaman
diskontinuitas
band
heterojunction.
a.
Superposisi
linear
dari
potensial
atomik
Pertama-tama kita membahas model linier superposisi dari atom-seperti potensi yang
dikembangkan oleh Kroemer. Dia menunjukkan bahwa masalah memahami secara teoritis
penyelarasan relatif band adalah masalah menentukan keselarasan relatif dari kedua potensial
periodik dari
semikonduktor
semikonduktor
seperti
dua semikonduktor membentuk heterostructure. Setelah potensial periodik

atau dari heterostructure diketahui, band energi dapat dihitung. Potensial periodik
dapat dipandang sebagai superposisi linier dari atom yang bertumpang tindih
potensi
yang
ditunjukkan
pada
Gambar.
2.
Dekat inti atom, potensi atomic-like menyerupai potensi-potensi dalam atom bebas. Namun,
konfigurasi ulang dari elektron valensi terjadi ketika atom terisolasi membentuk kisi atom. Potensi
atom pada kisi atom solid state akan berbeda dari potensi atom pada atom terisolasi. Oleh
karena itu, potensi di sebuah solid-state kisi ditetapkan sebagai mana pada potensi atomic-like.
Gambar 2. Potensi atomic dalam daerah berdekatan dengan semikonduktor 1 dan 2. Dalam tiap
semikonduktor, semua potensi atom adalah identik. Potensi kristal diperoleh dari superposisi dari
seluruh
potensi
atom-atomnya.
Dalam teori atom sederhana dari formasi band, potensi atomic-like yang tidak dimodifikasi
seperti akan terjadi di sepanjang seluruh struktur. Di sekitar antarmuka, potensial akan berisi
atom-atom dari kedua sisi dari antarmuka, seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 2. Namun,
jauh di dalam salah satu dari dua semikonduktor, potensial periodik akan tidak terpengaruh oleh
atom-seperti potensi semikonduktor lainnya. Dalam model seperti itu, potensial periodik telah
didefinisikan dengan baik. Formasi band ini kemudian juga didefinisikan dengan baik, dan satusatunya masalah adalah dari teknik komputasi yang digunakan untuk menghitung bandstructure
dari potensi periodik. Walaupun model atomic-like superposisi adalah sangat instruktif,
kemampuan model ini untuk memperkirakan offset antara semikonduktor adalah sangat terbatas.
Pertimbangan selanjutnya adalah daerah transisi antara dua semikonduktor, yaitu
kecuraman transisi ini. Potensi atom dan atomic-like merupakan potensi dengan rentang pendek.
Potensi tersebut menurun secara eksponensial dan telah benar-benar menghilang setelah hanya
beberapa jarak antar-atom, seperti skematik ditunjukkan pada Gambar. 2. Sebagai akibat dari
sifat rentang pendek dari potensi atom, daerah transisi yang memiliki nilai-nilai potensi
menengah akan sangat tipis, yaitu tebalnya hanya beberapa lapisan atom. Dengan asumsi
bahwa band erat kaitannya dengan potensi periodik, transisi pita dari satu semikonduktor
berstruktur bulk ke semikonduktor berstruktur bulk yang lain juga akan terjadi di dalam lapisan
yang sangat tipis. Model superposisi linear dari potensi atomic-like menunjukkan bahwa daerah
transisi sangat tipis untuk interface yang curam secara kimiawi, yaitu tebalnya hanya beberapa
lapisan atom. Panjang gelombang free carrier de Broglie jauh lebih lebar daripada wilayah
transisi. Oleh karena itu, wilayah transisi potensi dan pita energi di antarmuka antara dua
semikonduktor dapat dianggap berubah secara tiba-tiba/curam untuk antarmuka semikonduktor
yang secara kimia berubah drastis. Dengan kata lain, transisi elektronik antara dua
semikonduktor
adalah
hampir
securam
transisi
kimianya.
Van de Wall-E dan Martin (1986) menghitung potensi atom Si dan Ge pada Si / Ge
heterostructures. Perhitungan memang menegaskan bahwa wilayah transisi sangat tipis terjadi
dari potensial periodik bulk Ge ke potensial periodik bulk Si, yaitu tebalnya hanya dua monolayer.
Dengan asumsi bahwa energi band erat kaitannya dengan potensi periodik, maka daerah transisi
dari digram pita bulk Ge ke Bulk Si juga sangat tipis, tebalnya hanya beberapa atomik monolayer
saja. Oleh karena itu, perhitungan potensial periodik dan energi band Van de Wall-E dan Martin
jelas mengkonfirmasikan asumsi Kroemer bahwa wilayah transisi dalam semikonduktor

heterostructures yang secara kimia berubah drastis memiliki tebal hanya beberapa monolayers.
b.
Model
Afinitas
Elektron
Afinitas elektron model adalah model tertua dipakai untuk menghitung offset band di
semikonduktor heterostructures. Model ini telah terbukti memberikan prediksi akurat untuk band
offset di beberapa semikonduktor heterostructures, dan model tidak sesuai untuk yang lain.
Pertama-tama kita akan membahas garis besar ide dasar model afinitas elektron dan kemudian
membahas
keterbatasan
model
ini.
Band diagram semikonduktor-vakum pada antarmuka ditunjukkan pada Gambar 3.
Semikonduktor tipe-n mengalami deplesi elektron bebas pada daerah dekat permukaan karena
jepitan level Fermi di titik tengan forbidden gap pada permukaan semikonduktor.
Jepitan semacam itu terjadi pada kebanyakan semikonduktor. Energi yang dibutuhkan untuk
memindahkan elektron dari semikonduktor ke vakum sekitar semikonduktor tergantung pada
energi elektron dalam semikonduktor. Menaikkan sebuah elektron dari bagian bawah pita
konduksi ke vakum membutuhkan pekerjaan disebut afinitas elektron . Mengangkat sebuah
elektron dari level Fermi membutuhkan kerja yang disebut work function W, yang didefinisikan
dengan cara yang sama seperti pada logam. Untuk meningkatkan sebuah elektron dari bagian
atas pita valensi meuju vakum memerlukan energi ionisasi Ei. Energi ini diukur dengan
eksperimen fotoionisasi, di mana semikonduktor diterangi oleh cahaya monokromatik dengan
panjang gelombang yang variabel. Energi dengan panjang gelombang terpanjang di mana
fotoionisasi
terjadi
didefinisikan
sebagai
energi
ionisasi.
Gambar 3. Afinitas elektron , work function W,dan energi ionisasi Ei sebuah semikonduktor.
Apabila dua semikonduktor yang diasumsikan memiliki afinitas elektron 1 dan 2 dan energi
bandgap Eg1 dan Eg2 dihubungkan secara fisik maka akan tampak seperti pada Gambar 4.
Lengkungan pita energi di dekat permukaan dan efek dari kekuatan gambar telah diabaikan
dalam gambar. Model afinitas elektron ini didasarkan pada kenyataan bahwa keseimbangan
energi dari sebuah elektron untuk pindah dari tingkat vakum ke semikonduktor 1 , dari sana ke
semikonduktor 2, dan dari sana kembali ke tingkat vakum harus sama dengan nol, yaitu
1
Ec
atau
1-Ec
..
(1)
Gambar 4. Diagram pita energi (a) dua semikonduktor terpisah (b) dua konduktor dihubungkan.
maka
diskontinuitas
Ev
eg2
pita
valensi
eg1
secara
ec
otomatis
sebagai
berikut
(2)
Perhatikan bahwa Persamaan. (1) dan (2) hanya berlaku jika langkah-langkah potensial yang
disebabkan oleh dipol atom pada permukaan semikonduktor dan heterostructure antarmuka
dapat diabaikan. Dalam hal ini, dengan mengetahui afinitas elektron dua semikonduktor dapat
memprediksi bentuk pita energi antara kedua semikonduktor. Shay et al. (1976) menyimpulkan
bahwa pengaruh lapisan dipol pada permukaan semikonduktor mengubah nilai-nilai afinitas
elektron hanya sekitar 1%. Oleh karena itu, aturan afinitas elektron dapat diberlakukan pada
semikonduktor
heterostructures.
Model afinitas elektron telah berhasil menjelaskan diskontinuitas pita energi dari beberapa
semikonduktor heterostructures. Dalam sistem bahan InAs / GaSb, afinitas elektron aturan
dengan benar memprediksi broken-gap-alignment. Yang sangat asimetris lineup of InAs / GaAs
heterostructures juga diperkirakan baik. Dalam Si / Ge sistem heterostructure, model afinitas
elektron memprediksi besar Ec = 0,12 eV dan Ev = 0,33 eV , dan hasilnya sesuai dengan
data
percobaan.
Shay
et
al.
(1976) dan Phillips (1981) menggunakan aturan afinitas elektron untuk menghitung Ec dalam
CdS / InP heterostructures dan menemukan hasil yang sesuai dengan data eksperimen.
Meskipun ada kesesuaian antara teori dan percobaan, model afinitas elektron memiliki beberapa
masalah konseptual yang telah ditunjukkan oleh Kroemer (1985). Pertama, permukaan lapisan
dipol mempengaruhi pengukuran afinitas elektron. Umumnya, semua permukaan semikonduktor
permukaan mengalami rekonstruksi, yaitu sebuah penataan ulang atom pada permukaan
semikonduktor untuk mengurangi energi total dari permukaan semikonduktor. Rekonstruksi
permukaan tersebut sering mencakup yang perpindahan atom permukaan yang masuk atau
keluar. Akibatnya, terbentuk lapisan dipol elektrostatik yang akan mengubah afinitas elektron
yang diukur. Pada antaramuka semikonduktor-semikonduktor, antarmuka rekonstruksi akan jelas
berbeda dari rekonstruksi permukaan. Sebagai akibatnya, besarnya dipol antarmuka akan
berbeda. Oleh karena itu, pengukuran dipengaruhi oleh efek permukaan dan nilai-nilai yang
terukur tidak akan bermakna bagi semikonduktor heterostructures, kecuali pengaruh permukaan
dan antarmuka dipol sangat kecil sehingga dapat diabaikan, atau jika permukaan dipol identik
dengan antarmuka dipol. Kedua kemungkinan tidak mungkin. Namun, pengaruh dipol
permukaan sangat kecil untuk kebanyakan permukaan semikonduktor. Kedua, efek korelasi
elektron juga mempengaruhi nilai-nilai afinitas elektron yang diukur . Ketika satu elektron diambil
dari sebuah semikonduktor dan dinaikkan ke tingkat vakum, sisa elektron akan mengatur ulang
dirinya sendiri dalam rangka untuk mengurangi energi total sistem elektron. Efek korelasi seperti
itu karena tolakan antara elektron coulombic tetapi juga karena pertukaran mekanika kuantum
efek
(terutama
prinsip
pengecualian
Pauli).
Umumnya, besarnya efek korelasi kecil. Karena dipol dan efek korelasi, penerapan aturan
afinitas elektron terbatas pada semikonduktor di mana efek ini kecil sehingga dapat diabaikan.
Hal ini berguna untuk mengingat bahwa model afinitas elektron yang dikembangkan oleh
Schottky (1938, 1940) menjelaskan ketinggian penghalang logam-semikonduktor kontak juga
disebut schottky kontak. Schottky mengusulkan bahwa tinggi penghalang dapat dihitung dari
perbedaan dalam work function di dalam logam dan afinitas elektron dari semikonduktor, yaitu W
. Namun, perlu diketahui diketahui bahwa model Schottky tersebut jelas gagal untuk
menjelaskan
ketinggian
penghalang
pada
kontak
logam-semikonduktor.
Selanjutnya, Bardeen (1947) menunjukkan, peran penting interface state yang memiliki energi
dalam forbidden gap. Bardeen menunjukkan bahwa antarmuka dipol disebabkan oleh charge
interface state yang menentukan ketinggian penghalang logam-semikonduktor kontak dan bahwa
perbedaan W tidak memainkan peran penting. Dalam sambungan heterestruktur
semikonduktor-semikonduktor yang lattice-match, pengaruh antarmuka dipol tidak mungkin
sebesar di sambungan logam-semikonduktor. Heterostructures semikonduktor dengan kisi yang
tepat (lattice-match) memiliki transisi atom sangat teratur antara dua semikonduktor dengan
relatif sedikit atom dan elektronik rekonstruksi. Oleh karena itu, model afinitas elektron ini
diharapkan dapat memberikan hasil yang lebih baik untuk sambungan semikonduktorsemikonduktor daripada untuk sambungan logam-semikonduktor. Harapan ini memang telah
dikonfirmasi
oleh
hasil
eksperimen.
c.
Aturan
Anion
Bersama
Banyak senyawa semikonduktor heterostructures terdiri dari dua senyawa yang memiliki
kesamaan elemen anion. Misalnya dalam AlGaAs / GaAs heterostructures, As merupakan unsur
anion di kedua sisi heterostructure. Ini adalah fakta bahwa fungsi gelombang pita valensi
meningkat terutama dari fungsi gelombang atom anion dan fungsi gelombang pita konduksi
berkembang terutama dari fungsi gelombang atom kation. Oleh karena itu, struktur pita valensi
semikonduktor yang berbeda dengan unsur anion yang sama akan serupa. Selanjutnya, offset
pita valensi senyawa semikonduktor dengan unsur anion yang sama umumnya lebih kecil dari
offset pita konduksi. Aturan ini jelas ditegaskan dalam sistem materi AlxGa1-xAs / GaAs dimana
Ec / Ev 2 / 1 untuk kisaran direct-gap AlxGa1-xAs (x 0,45). Aturan anion bersama juga
bekerja dengan baik untuk GaAs / InAs heterostructures di mana Ec / Ev 5 / 1 .
d.
Model
Orbital
Atom
Harrison
Harrison (1977, 1980, 1985) mengembangkan teori yang didasarkan pada orbital atom untuk
meramalkan band offset di heterostructure semikonduktor. Kroemer (1985) membandingkan
model orbital atom Harrison dan model-model lain dengan eksperimen dan ia tiba pada
kesimpulan bahwa model Harrison memberikan kesesuaian secara keseluruhan dengan sangat
baik
terhadap
offsets
band
hasil
percobaan.
Dasar dari model Harrison ini adalah kombinasi linear orbital atom dari suatu kelompok atom
yang sangat kecil yang kemudian digunakan untuk menghitung struktur pita. Perhitungan struktur
band akan benar jika potensi atomic-like dan energi atom eigenfunctions membentuk
semikonduktor diketahui. Karena potensi atomic-like dan eigen energi dari atom dalam kisi kristal
tidak diketahui, Harrison hanya mengambil nilai teoritis dari atom bebas sebagai nilai energi atom
unpertubed. Oleh karena itu, model Harrison jelas merupakan sebuah pendekatan. Dalam model
ini, beberapa pendekatan yang digunakan untuk perhitungan elemen matriks terkait dengan
kondisi
atom
yang
relevan
di
sekitarnya.
Perbandingan antara teori dan eksperimental dari offset pita valensi Harrison ditampilkan pada
Gambar 5. Data yang digunakan dalam gambar ini dikompilasi oleh Kroemer (1985), kecuali nilai
untuk yang GaAs / AlxGa1-xAs dimana telah digunakan Ev = 0.32 Eg, hal ini konsisten
dengan hasil yang lebih baru (Pfeiffer et al., 1991). Gambar 5 menampilkan keseluruhan sangat
baik
kesepakatan
antara
percobaan
dan
model
orbital
atom
Harrison.
Gambar 5. Perbandingan antara hasil eksperimen dan teori dari offset pita valensi dihitung
dengan teori orbital atom Harrison. Nilai AlAs/GaAs diekstrapolasi dari Al0.30Ga0.70As/GaAs
dengan
asumsi
EV/Eg=1/3.
e.
Model
Dipol
yang
Efektif
Seperti yang telah kita dinyatakan di atas, ada muatan dipol di heterointerface akan mengubah
diskontinuitas band heterostructure. Muatan dipol ini disebabkan oleh struktur atom dan elektron
yang berbeda secara lokal di heterointerface dibandingkan dengan sebagian besar struktur atom
semikonduktor. Sebagai hasil dari lingkungan yang berbeda pada atom heterointerface, elektron
valensi atom pada antarmuka akan bergerak dari posisi keseimbangan massal posisi
keseimbangan baru. Oleh karena itu, atom dipol terbentuk karena distribusi muatan baru di
heterointerface.
Ruan dan Ching (1987) telah menghitung offset band heterostructure berdasarkan (i) model
afinitas elektron dan (ii) dengan memperhatikan atom dipol pada antarmuka yang menyebabkan
tambahan pergeseran dari diskontinuitas band. Para penulis menunjukkan bahwa dipol
antarmuka diabaikan dalam model.afinitas elektron Anderson Jika tidak ada muatan total
ditransfer antara dua semikonduktor membentuk heterojunction, maka model Anderson
memberikan offset band yang benar. (Kami tidak menganggap di sini kesulitan dalam
memperoleh afinitas elektron yang benar e, tetapi hanya mengasumsikan bahwa mereka
diketahui. Ruan dan Ching menggunakan nilai-nilai rata-rata data eksperimen mereka yang
dinilai terkini dan dapat diandalkan.) Untuk menghitung muatan transfer antara dua
semikonduktor yang membentuk heterojunction, penulis mengasumsikan bahwa kedua band
valensi adalah tidak lurus (misaligned), yaitu tepi band valensi dua semikonduktor memiliki energi
yang
berbeda.
Elektron dengan massa efektif m* dalam pita valensi suatu semikonduktor akan menerobos ke
daerah terlarang semikonduktor yang lain. Muatan dipol dihitung dengan mengintegrasikan atas
penurunan secara eksponensial distribusi muatan elektron yang menerobos ke celah terlarang
dari semikonduktor yang bersebelahan. Dengan menggunakan metode ini untuk menghitung
band offset antara semikonduktor, Ruan dan Ching (1987) menghitung hampir semua band offset
heterostructure yang dapat terjadi. Suatu perbandingan teoritis mengungkapkan bahwa rata-rata
band offset dari perhitungan Ruan dan Ching memiliki perbedaan hanya sekitar 0,1 eV dari data
eksperimen.
Data eksperimental band offset antara semikonduktor berbeda diberikan dalam Tabel 3. Tabel
data mencakup unsur serta senyawa biner dan terner semikonduktor. Tiwari dan Frank (1992)
menggunakan data eksperimental band offset dalam rangka untuk memplot band semikonduktor
sebagai fungsi dari konstanta kisi (lattice constant). Plot, ditunjukkan dalam Gambar. 6
bergantung pada pengamatan eksperimental bahwa band offset dari bahan A ke material B
ditambah offset dari bahan B ke material C adalah sama dengan band offset dari bahan A
material C. Linearitas dari offset ini sesuai dengan model afinitas elektron, dan sifat ini
memungkinkan seseorang untuk meramalkan band alignment dari setiap heterostructure
semikonduktor.
Gambar 6. Tepi band energy sebagai fungsi dari lattice constant. Titik nol energy menunjukkan
pendekatan level Fermi (terletak di forbidden gap) dari kontak schottky semikonduktor.
Tabel.1: Bandgap energi dan offset pita valensi semikonduktor heterostructures A/B.
Pita valensi offset EV adalah positif, jika bagian atas pita valensi semikonduktor A adalah lebih
tinggi
dari
semikonduktor
B.
References
1. Sze, Kwok, 2007, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New
Jersey.
2.
R.F.Pierret,
1996,
Semiconductor
Device
Fundamentals,
Addison
Wesley.
3. Runyan, Bean, 1996, Semiconductor Circuit Processing Technology, Addison Wesley.
4. B.G.Stretman, S.Banerjee, 2000, Solid State Electronics Device fourth edition, Prentice Hall.
5. R.Muller, T.Kamins, 2003, Device Electronics for Integrated Circuits third edition, John Wiley &
Sons.
0
Tambahkan komentar
8.
DEC
Logam, isolator dan semikonduktor
Once we know the bandstructure of a given material we still need to find out which energy levels
are occupied and whether specific bands are empty, partially filled or completely filled. Setelah
kita mengetahui bandstructure dari bahan tertentu kita masih perlu untuk mengetahui tingkat
energi ditempati dan apakah band khusus yang kosong, sebagian diisi atau terisi penuh.
Empty bands do not contain electrons. band Kosong tidak mengandung elektron. Therefore, they
are not expected to contribute to the electrical conductivity of the material. Oleh karena itu,
mereka tidak diharapkan dapat memberikan kontribusi dengan konduktivitas listrik material.
Partially filled bands do contain electrons as well as available energy levels at slightly higher
energies. Sebagian diisi band memang mengandung elektron serta tingkat energi yang tersedia
pada energi sedikit lebih tinggi. These unoccupied energy levels enable carriers to gain energy
when moving in an applied electric field. Tingkat energi kosong memungkinkan operator untuk
memperoleh energi ketika bergerak dalam medan listrik diterapkan. Electrons in a partially filled
band therefore do contribute to the electrical conductivity of the material. Elektron dalam sebuah
band yang terisi sebagian karena itu memberikan kontribusi terhadap konduktivitas listrik
material.
Completely filled bands do contain plenty of electrons but do not contribute to the conductivity of
the material. Lengkap diisi band memang mengandung banyak elektron tetapi tidak memberikan
kontribusi pada konduktivitas material. This is because the electrons cannot gain energy since all
energy levels are already filled. Hal ini disebabkan karena elektron tidak dapat mendapatkan
energi
karena
seluruh
tingkat
energi
sudah
diisi.
In order to find the filled and empty bands we must find out how many electrons can be placed in
each band and how many electrons are available. Dalam rangka untuk mencari band-band diisi
dan kosong kita harus mencari tahu berapa banyak elektron dapat ditempatkan di band masingmasing dan berapa banyak elektron yang tersedia. Each band is formed due to the splitting of
one or more atomic energy levels. Setiap band terbentuk karena pemisahan satu atau lebih
tingkat energi atom. Therefore, the minimum number of states in a band equals twice the number
of atoms in the material. Oleh karena itu, jumlah minimum negara bagian di sebuah band sama
dua kali jumlah atom dalam materi. The reason for the factor of two is that every energy level can
contain two electrons with opposite spin. Alasan untuk faktor dua adalah bahwa setiap tingkat
energi
dapat
berisi
dua
elektron
dengan
spin
berlawanan.
To further simplify the analysis, we assume that only the valence electrons (the electrons in the
outer shell) are of interest. Untuk lebih menyederhanakan analisis, kami mengasumsikan bahwa
hanya elektron valensi (elektron pada kulit terluar) yang menarik. The core electrons are tightly
bound to the atom and are not allowed to freely move in the material. Elektron inti atom terikat
erat
dan
tidak
diizinkan
untuk
secara
bebas
bergerak
dalam
materi.
Four different possible scenarios are shown in Figure 2.3.10 : Empat skenario yang mungkin
berbeda
ditunjukkan
pada
Gambar
2.3.10
:
Figure 2.3.10.: Gambar 2.3.10.: Possible energy band diagrams of a crystal. Kemungkinan band
diagram energi kristal. Shown are: a) a half filled band, b) two overlapping bands, c) an almost
full band separated by a small bandgap from an almost empty band and d) a full band and an
empty band separated by a large bandgap. Tampil adalah: a) setengah band penuh, b) dua band
yang tumpang tindih, c) sebuah band hampir penuh dipisahkan oleh celah pita kecil dari sebuah
band hampir kosong dan d) sebuah band penuh dan sebuah band kosong dipisahkan oleh celah
pita
besar.
A half-filled band is shown in Figure 2.3.10 a). A-diisi band setengah ditunjukkan pada Gambar
2.3.10 a). This situation occurs in materials consisting of atoms, which contain only one valence
electron per atom. Situasi ini terjadi pada bahan yang terdiri dari atom, yang mengandung hanya
satu elektron valensi per atom. Most highly conducting metals including copper, gold and silver
satisfy this condition. Paling tinggi melakukan logam termasuk tembaga, emas dan perak
memenuhi kondisi ini. Materials consisting of atoms that contain two valence electrons can still
be highly conducting if the resulting filled band overlaps with an empty band. Bahan terdiri dari
atom yang mengandung dua elektron valensi masih bisa sangat melakukan jika tumpang tindih
yang dihasilkan band diisi dengan band kosong. This scenario is shown in b). Skenario ini
ditampilkan dalam b). No conduction is expected for scenario d) where a completely filled band is
separated from the next higher empty band by a larger energy gap. konduksi Tidak diharapkan
untuk skenario d) di mana band terisi penuh dipisahkan dari band kosong berikutnya yang lebih
tinggi oleh celah energi yang lebih besar. Such materials behave as insulators. Bahan tersebut
berperilaku sebagai isolator. Finally, scenario c) depicts the situation in a semiconductor.
Akhirnya, skenario c) menggambarkan situasi di semikonduktor. The completely filled band is

now close enough to the next higher empty band that electrons can make it into the next higher
band. Band terisi penuh sekarang cukup dekat dengan band kosong berikutnya yang lebih tinggi
bahwa elektron dapat membuatnya menjadi band berikutnya yang lebih tinggi. This yields an
almost full band below an almost empty band. Ini menghasilkan sebuah band hampir penuh di
bawah sebuah band hampir kosong. We will call the almost full band the valence band since it is
occupied by valence electrons. Kami akan memanggil band hampir penuh pita valensi karena
ditempati oleh elektron valensi. The almost empty band will be called the conduction band , as
electrons are free to move in this band and contribute to the conduction of the material. Band
hampir kosong akan disebut pita konduksi, sebagai elektron bebas untuk bergerak dalam band
ini
dan
memberikan
kontribusi
pada
konduksi
material.
2.3.5 Electrons and holes in semiconductors 2.3.5 Elektron dan lubang dalam semikonduktor
Ayat
berikutnya
As pointed out in section 2.3.4 , semiconductors differ from metals and insulators by the fact that
they contain an "almost-empty" conduction band and an "almost-full" valence band. Seperti yang
ditunjukkan dalam bagian 2.3.4 , semikonduktor berbeda dari logam dan isolator oleh kenyataan
bahwa mereka mengandung "hampir-kosong" pita konduksi dan "hampir-full" band valensi. This
also means that we will have to deal with the transport of carriers in both bands. Ini juga berarti
bahwa kita akan harus berurusan dengan pengangkutan carriers dalam kedua band.
To facilitate the discussion of the transport in the "almost-full" valence band of a semiconductor,
we will introduce the concept of holes. Untuk memfasilitasi diskusi transportasi di band "hampirfull" valensi semikonduktor, kami akan memperkenalkan konsep lubang. It is important to
understand that one could deal with only electrons if one is willing to keep track of all the
electrons in the "almost-full" valence band. Penting untuk memahami bahwa orang bisa
menangani elektron hanya jika ada yang bersedia untuk melacak semua elektron di pita "hampirpenuh" valensi. After all, electrons are the only real particles available in a semiconductor.
Setelah semua, elektron adalah satu-satunya partikel yang nyata yang tersedia di semikonduktor.
The concepts of holes is introduced in semiconductors since it is easier to keep track of the
missing electrons in an "almost-full" band, rather than keeping track of the actual electrons in that
band. Konsep lubang diperkenalkan dalam semikonduktor karena lebih mudah untuk melacak
elektron yang hilang dalam sebuah band "hampir-penuh", daripada melacak elektron yang
sebenarnya di band itu. We will now first explain the concept of a hole and then point out how the
hole concept simplifies the analysis. Sekarang kita akan terlebih dahulu menjelaskan konsep
lubang dan kemudian menunjukkan bagaimana konsep lubang menyederhanakan analisis.
Holes are missing electrons. Lubang yang hilang elektron. They behave as particles with the
same properties as the electrons would have when occupying the same states except that they
carry a positive charge. Mereka berperilaku sebagai partikel dengan sifat yang sama dengan
elektron akan memiliki saat menduduki negara-negara yang sama kecuali bahwa mereka
membawa muatan positif. This definition is illustrated further with Figure 2.3.11 , which presents
the energy band diagram in the presence of an electric field. Definisi ini diilustrasikan lebih lanjut
dengan Gambar 2.3.11 , yang menyajikan diagram energi band dengan adanya medan listrik.
Figure 2.3.11.: Gambar 2.3.11.: Energy band diagram in the presence of a uniform electric field.
Energy band diagram di hadapan sebuah medan listrik seragam. Shown are the upper almostempty band and the lower almost-filled band. Tampil adalah band hampir-kosong atas dan band
hampir-penuh rendah. The tilt of the bands is caused by an externally applied electric field.
Kemiringan
dari
band
disebabkan
oleh
medan
listrik
eksternal
diterapkan.
A uniform electric field is assumed which causes a constant gradient of the bands. Sebuah
medan listrik seragam diasumsikan yang menyebabkan gradien konstan dari band.
The electrons in the almost-empty band are negatively charged particles, which therefore move
in a direction, which opposes the direction of the field. Elektron pada pita kosong hampir-partikel
bermuatan negatif, yang karenanya bergerak ke arah, yang menentang arah lapangan. Electrons
therefore move down hill in the upper band. Elektron itu bergerak menuruni bukit di band atas.
Electrons in the lower band also move in the same direction. Elektron pada pita yang lebih
rendah juga bergerak ke arah yang sama. The total current density due to the electrons in the
valence band can therefore be written as: Kepadatan lancar karena elektron pada pita valensi
sehingga
dapat
ditulis
sebagai:
(2.3.8)
(2.3.8)
where V is the volume of the semiconductor, q is the electronic charge and v is the electron
velocity. di mana V adalah volume semikonduktor, q adalah muatan listrik dan v adalah
kecepatan elektron. The sum is taken over all occupied or filled states in the lower band. Jumlah
ini diambil alih semua negara yang diduduki atau diisi band yang lebih rendah. This equation can
be reformulated by first taking the sum over all the states in the lower band and subtracting the
current due to the electrons, which are missing in the almost-filled band. Persamaan ini dapat
dirumuskan dengan terlebih dahulu mengambil jumlah di atas semua negara bagian di band
yang lebih rendah dan mengurangi akibat arus elektron, yang hilang di band hampir penuh. This
last term therefore represents the sum taken over all the empty states in the lower band, or:
Istilah terakhir itu merupakan jumlah mengambil alih seluruh negara kosong di band yang lebih
rendah,
atau:
(2.3.9)
(2.3.9)
The sum over all the states in the lower band has to equal zero since electrons in a completely
filled band do not contribute to current, while the remaining term can be written as: Jumlah atas
semua negara bagian di band yang lebih rendah harus sama dengan nol karena elektron dalam
sebuah band terisi penuh tidak berkontribusi untuk saat ini, sementara sisa jangka waktu dapat
ditulis
sebagai:
(2.3.10)
(2.3.10)
which states that the current is due to positively charged particles associated with the empty
states in the almost-filled band. yang menyatakan bahwa saat ini disebabkan oleh partikel
bermuatan positif yang terkait dengan negara-negara kosong di band hampir penuh. We call
these particles holes . Kami menyebutnya lubang partikel. Keep in mind that there is no real
particle associated with a hole. Perlu diingat bahwa tidak ada partikel yang nyata yang
berhubungan dengan lubang. Instead, the combined behavior of all the electrons, which occupy
states in the almost-filled band, is the same as that of positively charge particles associated with
the unoccupied states. Sebaliknya, perilaku gabungan dari semua elektron, yang menempati
negara bagian di band hampir-penuh, adalah sama dengan muatan positif partikel yang
berhubungan
dengan
negara-negara
kosong.
The reason the concept of holes simplifies the analysis is that the density of states function of a
whole band can be rather complex. Alasan konsep lubang menyederhanakan analisis adalah
bahwa kepadatan negara fungsi dari sebuah band secara keseluruhan bisa agak rumit. However,
it can be dramatically simplified if only states close to the band edge need to be considered.
Namun, dapat secara dramatis disederhanakan jika negara hanya dekat dengan tepi band perlu
dipertimbangkan.
2.3.6
The
effective
mass
concept
2.3.6
Konsep
massa
efektif
Ayat
berikutnya
Electrons with an energy close to a band minimum behave as free electrons, since the E - k
relation can be approximated by a parabola. Elektron dengan energi yang dekat dengan
minimum band berperilaku seperti elektron bebas, sejak E - relasi k dapat didekati dengan
parabola. They accelerate in an applied electric field just like a free electron in vacuum. Mereka
mempercepat dalam medan listrik seperti elektron bebas dalam ruang hampa. Their
wavefunctions are periodic and extend over the size of the material. fungsi gelombang mereka
periodik dan memperpanjang atas ukuran material. The presence of the periodic potential, due to
the atoms in the crystal without the valence electrons, changes the properties of the electrons.
Adanya potensi periodik, karena atom-atom dalam kristal tanpa elektron valensi, perubahan sifatsifat elektron. Therefore, the mass of the electron differs from the free electron mass, m 0 . Oleh
karena itu, massa elektron berbeda dari massa elektron bebas, m 0. Because of the anisotropy
of the effective mass and the presence of multiple equivalent band minima, we define two types
of effective mass: 1) the effective mass for density of states calculations and 2) the effective
mass for conductivity calculations. Karena anisotropi massa efektif dan keberadaan beberapa
band minimum setara, kita mendefinisikan dua jenis massa efektif: 1) massa efektif untuk
kepadatan perhitungan negara dan 2) massa efektif untuk perhitungan konduktivitas. The
effective mass values for electrons and holes are listed together with the value of the smallest
energy bandgap in Table 2.3.2 . Nilai massa efektif untuk elektron dan lubang terdaftar bersamasama dengan nilai celah pita energi terkecil pada Tabel 2.3.2 . Electrons in gallium arsenide have
an isotropic effective mass so that the conductivity effective mass equals the density of states
effective mass. Elektron dalam gallium arsenide memiliki massa efektif isotropik sehingga massa
konduktivitas
efektif
sama
dengan
kepadatan
negara
massa
efektif.
Table 2.3.2.: Tabel 2.3.2.: Effective mass of carriers in germanium, silicon and gallium arsenide
(GaAs) Efektif massa carriers dalam germanium, silikon dan galium arsenide (GaAs)
2.3.7 Detailed description of the effective mass concept 2.3.7 Keterangan rinci dari konsep
massa
efektif
Ayat
berikutnya
2.3.7.1.
Introduction
2.3.7.1.
Pendahuluan
2.3.7.2.
Band
structure
of
silicon
2.3.7.2
struktur.
Band
of
silikon
2.3.7.3. Effective mass and energy band minima and maxima of Ge, Si and GaAs 2.3.7.3 dan
Efektif. Massa band minima energi dan maxima dari Ge, Si dan GaAs
2.3.7.4. Effective mass for density of states calculations 2.3.7.4 perhitungan efektif. Massa untuk
kepadatan
negara
bagian
2.3.7.5. Effective mass for conductivity calculations 2.3.7.5 perhitungan efektif. Massal
konduktivitas
2.3.7.1.
Introduction
2.3.7.1.
untuk
Pendahuluan
The effective mass of a semiconductor is obtained by fitting the actual E - k diagram around the
conduction band minimum or the valence band maximum by a paraboloid. Massa efektif
semikonduktor diperoleh dengan pas E aktual - diagram k sekitar pita konduksi minimum atau
maksimum pita valensi oleh paraboloid seorang. While this concept is simple enough, the issue
turns out to be substantially more complex due to the multitude and the occasional anisotropy of
the minima and maxima. Sementara konsep ini cukup sederhana, masalah ternyata secara
substansial lebih kompleks karena banyak dan anisotropi sesekali dari minima dan maxima. In
this section we first describe the different relevant band minima and maxima, present the numeric
values for germanium, silicon and gallium arsenide and introduce the effective mass for density
of states calculations and the effective mass for conductivity calculations. Pada bagian ini kami
pertama menggambarkan minima band yang berbeda relevan dan maxima, menyajikan nilai
numerik untuk germanium, silikon dan galium arsenide dan memperkenalkan massa efektif untuk
kepadatan negara dan perhitungan massa efektif untuk perhitungan konduktivitas.
Most semiconductors can be described as having one band minimum at k = 0 as well as several
equivalent anisotropic band minima at k 0. Sebagian besar semikonduktor dapat digambarkan
sebagai memiliki minimal satu band di k = 0, serta band anisotropik minima beberapa setara k
0. In addition there are three band maxima of interest close to the valence band edge. Selain itu
ada
tiga
band
maxima
dari
dekat
bunga
dengan
tepi
pita
valensi.
2.3.7.2.
Band
structure
of
silicon
2.3.7.2
Band
struktur.
Dari
silikon
As an example we consider the band structure of silicon as shown in the figure below: Sebagai
contoh, kita mempertimbangkan struktur pita silikon seperti yang ditunjukkan pada gambar di
bawah
ini:
Figure 2.3.12.: Gambar 2.3.12.: Simplified Ek diagram of silicon. Sederhana Ek diagram silikon.
Shown is the E - k diagram within the first brillouin zone and along the (100) direction.
Ditampilkan adalah E - diagram k dalam zona Brillouin pertama dan sepanjang 100) arah (. The
energy is chosen to be to zero at the edge of the valence band. Energi dipilih akan menjadi nol di
pinggir pita valensi. The lowest band minimum at k = 0 and still above the valence band edge
occurs at E c,direct = 3.2 eV. Band minimum terendah di k = 0 dan masih di atas tepi pita valensi
terjadi di c E, langsung = 3,2 eV. This is not the lowest minimum above the valence band edge
since there are also 6 equivalent minima at k = (x,0,0), (-x,0,0), (0,x,0), (0,-x,0), (0,0,x), and (0,0,x) with x = 5 nm -1 . Ini bukan minimum terendah di atas tepi pita valensi karena ada juga 6
minimum setara pada k = (x, 0,0), (-x, 0,0), (0, x, 0), (0, - x, 0), (0,0, x), dan (0,0,-x) dengan x = 5
nm -1. The minimum energy of all these minima equals 1.12 eV = E c,indirect . Energi minimum
semua minima ini sama dengan 1,12 eV c E =, tidak langsung. The effective mass of these
anisotropic minima is characterized by a longitudinal mass along the corresponding equivalent
(100) direction and two transverse masses in the plane perpendicular to the longitudinal
direction. Massa efektif minimum ini anisotropik dicirikan oleh massa longitudinal sepanjang
setara yang sesuai (100) arah dan dua massa transversal pada bidang tegak lurus terhadap arah
longitudinal. In silicon the longitudinal electron mass is m e,l * = 0.98 m 0 and the transverse
electron masses are m e,t * = 0.19 m 0 , where m 0 = 9.11 x 10 -31 kg is the free electron rest
mass. Dalam silikon massa elektron longitudinal adalah m e, * l = 0,98 m 0 dan massa elektron
m e transversal adalah, * t = 0,19 m 0, dimana m 0 = 9.11 x 10 -31 kg adalah sisa massa
elektron
bebas.
Two of the three band maxima occur at 0 eV. Dua dari tiga band maxima terjadi pada 0 eV. These
bands are referred to as the light and heavy hole bands with a light hole mass of m l,h * = 0.16 m
0 and a heavy hole mass of m h,h * = 0.46 m 0 . Band ini disebut sebagai lubang berat band dan
ringan dengan massa lubang cahaya l m, * h = 0,16 m 0 dan massa lubang berat h m, * h = 0,46
m 0. In addition there is a split-off hole band with its maximum at E v,so = -0.044 eV and a splitoff hole mass of m h,so * = 0.29 m 0 . Selain itu ada libur lubang-band split dengan maksimum
pada v E, sehingga = -0,044 eV dan libur lubang massa-pemecahan h m, sehingga * = 0,29 m 0.
2.3.7.3. Effective mass and energy band minima and maxima of Ge, Si and GaAs 2.3.7.3 massa
Efektif
dan.
Minima
pita
energi
dan
maxima
dari
Ge,
Si
dan
GaAs
The values of the energy band minima and maxima as well as the effective masses for
germanium, silicon and gallium arsenide are listed in the table below: Nilai dari minimum dan
maksimum energi band serta massa efektif untuk germanium, silikon dan gallium arsenide
tercantum
dalam
tabel
di
bawah
ini:
Table 2.3.3.: Tabel 2.3.3.: Effective mass of carriers in germanium, silicon and gallium arsenide
(GaAs) Efektif massa carriers dalam germanium, silikon dan galium arsenide (GaAs)
2.3.7.4. Effective mass for density of states calculations 2.3.7.4 massa Efektif untuk perhitungan
kepadatan
negara.
The effective mass for density of states calculations equals the mass which provides the density
of states using the expression for one isotropic maximum or minimum or: Massa efektif untuk
kepadatan perhitungan negara sama dengan massa yang menyediakan kepadatan negara
menggunakan ekspresi untuk satu isotropik maksimum atau minimum atau:
(2.3.11)
(2.3.11)
for the density of states in the conduction band and: untuk kepadatan negara pada pita konduksi
dan:
(2.3.12)
(2.3.12)
for the density of states in the valence band. untuk kepadatan negara pada pita valensi.
For instance, for a single band minimum described by a longitudinal mass and two transverse
masses the effective mass for density of states calculations is the geometric mean of the three
masses. Sebagai contoh, untuk minimal pita tunggal digambarkan oleh massa longitudinal dan
transversal dua massa massa efektif untuk kepadatan perhitungan negara adalah mean
geometrik dari tiga massa. Including the fact that there are several equivalent minima at the
same energy one obtains the effective mass for density of states calculations from: Termasuk
fakta bahwa ada beberapa minimum setara energi yang sama seseorang mendapatkan massa
efektif
untuk
kepadatan
perhitungan
menyatakan
dari:
(2.3.13)
(2.3.13)
where M c is the number of equivalent band minima. di mana c M adalah jumlah minimum band
setara.
For
silicon
one
obtains:
Untuk
silikon
satu
memperoleh:
(2.3.14)
(2.3.14)
2.3.7.5. Effective mass for conductivity calculations 2.3.7.5 massa Efektif untuk perhitungan
konduktivitas.
The effective mass for conductivity calculation is the mass, which is used in conduction related
problems accounting for the detailed structure of the semiconductor. Massa efektif untuk
perhitungan konduktivitas adalah massa, yang digunakan dalam akuntansi konduksi masalah
yang berhubungan untuk struktur detil dari semikonduktor. These calculations include mobility
and diffusion constants calculations. Perhitungan ini termasuk konstanta mobilitas dan difusi
perhitungan. Another example is the calculation of the shallow impurity levels using a hydrogenlike model. Contoh lain adalah perhitungan tingkat kenajisan dangkal dengan menggunakan
model
seperti
hidrogen.
As the conductivity of a material is inversionally proportional to the effective masses, one finds
that the conductivity due to multiple band maxima or minima is proportional to the sum of the
inverse of the individual masses, multiplied by the density of carriers in each band, as each
maximum or minimum adds to the overall conductivity. Sebagai konduktivitas material adalah
inversionally sebanding dengan massa efektif, kita menemukan bahwa konduktivitas karena
beberapa band maksimum atau minimum adalah sebanding dengan jumlah kebalikan dari
massa individu, dikalikan dengan kepadatan operator di band masing-masing, sebagai setiap
maksimum atau minimum menambah konduktivitas keseluruhan. For anisotropic minima
containing one longitudinal and two transverse effective masses one has to sum over the
effective masses in the different minima along the equivalent directions. Untuk minima
anisotropik mengandung satu longitudinal dan dua massa efektif melintang seseorang harus
jumlah lebih dari massa efektif dalam minima yang berbeda sepanjang arah setara. The resulting
effective mass for bands, which have ellipsoidal constant energy surfaces, is given by: Massa
efektif yang dihasilkan untuk band, yang memiliki permukaan ellipsoid energi konstan, diberikan
oleh:
(2.3.15)
(2.3.15)
provided the material has an isotropic conductivity as is the case for cubic materials.
menyediakan bahan memiliki konduktivitas isotropik seperti kasus untuk bahan kubik. For
instance electrons in the X minima of silicon have an effective conductivity mass given by: Untuk
elektron misalnya dalam minima X silikon memiliki massa konduktivitas efektif diberikan oleh:
(2.3.16)
(2.3.16)
2.3.8 Derivation of the Kronig-Penney equation 2.3.8 Penurunan persamaan Kronig-Penney
Ayat
berikutnya
The solution to Schrdinger's equation for the Kronig-Penney potential previously shown in
Figure 2.3.3 and discussed in section 2.3.2.1 is obtained by assuming that the solution is a Bloch
function, namely a traveling wave solution of the form, e ikx , multiplied with a periodic solution,
u(x) , which has the same periodicity as the periodic potential . Solusi untuk itu persamaan
Schrdinger untuk-Penney potensi Kronig sebelumnya diperlihatkan pada Gambar 2.3.3 dan
dibahas dalam bagian 2.3.2.1 diperoleh dengan asumsi bahwa solusinya adalah fungsi Bloch,
yaitu perjalanan gelombang larutan formulir, ikx e, dikalikan dengan solusi periodik, u (x), yang
memiliki periodisitas yang sama sebagai potensi periodik. The total wavefunction is therefore of
the
form:
Total
Fungsi
gelombang
itu
dalam
bentuk:
(2.3.18)
(2.3.18)
where u(x) is the periodic function as defined by u(x) = u(x + a) , and k(x) is the wave number.
mana u (x) adalah fungsi periodik seperti yang didefinisikan oleh u (x) = u (x + a), dan k (x)
adalah bilangan gelombang. We now rewrite Schrdinger equation using this wave function
considering first region I, between the barriers where V(x) = 0 and then region II, the barrier
region where V(x) = V 0 : Kita sekarang menulis ulang persamaan Schrdinger menggunakan
fungsi gelombang mengingat wilayah pertama saya, antara hambatan dimana V (x) = 0 dan
kemudian
wilayah
II,
wilayah
penghalang
dimana
V
(x)
=
V
0:
In region I, Schrdinger's equation becomes: Di wilayah I, persamaan Schrdinger's menjadi:
(2.3.19)
(2.3.19)
with
(2.3.20)
While
in
(2.3.21)
dengan
(2.3.20)
region
II,
it
becomes:
Sementara
di
with
(2.3.22)
wilayah
II,
itu
menjadi:
(2.3.21)
dengan
(2.3.22)
The solution to equations (2.3.19) and (2.3.22) are of the form : Solusi untuk persamaan (2.3.19)
dan
(2.3.22)
adalah
dalam
bentuk:
(2.3.23)
(2.3.23)
(2.3.24)
(2.3.24)
Since the potential, V(x) , is finite everywhere, the solutions for u I (x) and u II (x) must be
continuous as well as their first derivatives. Sejak potensi, V (x), adalah terbatas di mana-mana,
solusi untuk u I (x) dan u II (x) harus terus menerus serta turunannya pertama mereka. Continuity
at
x
=
0
results
in:
Kontinuitas
pada
x
=
0
hasil
dalam:
(2.3.25)
(2.3.25)
and continuity at x = ab combined with the requirement that u(x) be periodic: dan kontinuitas
pada x = ab dikombinasikan dengan persyaratan bahwa u (x) periodik:
(2.3.26)
(2.3.26)
results
(2.3.27)
in:
hasil
dalam:
(2.3.27)
Continuity of the first derivative at x = 0 requires that: Kesinambungan turunan pertama pada x =
0
mensyaratkan
bahwa:
(2.3.28)
(2.3.28)
The first derivatives of u I (x) and u II (x) are: Turunan pertama u I (x) dan u II (x) adalah:
(2.3.29)
(2.3.29)
(2.3.30)
(2.3.30)
so
(2.3.31)
that
(2.3.28)
becomes:
sehingga
(2.3.28)
menjadi:
(2.3.31)
Finally, continuity of the first derivative at x = ab , again combined with the requirement that u(x)
is periodic, results in: Akhirnya, kontinuitas turunan pertama pada x ab =, sekali lagi
dikombinasikan dengan persyaratan bahwa u (x) adalah periodik, hasil dalam:
(2.3.32)
(2.3.32)
so
(2.3.33)
that
sehingga
(2.3.33)
This equation can be simplified using equation (2.3.27) to: Persamaan ini dapat disederhanakan
dengan
menggunakan
persamaan
(2.3.27)
ke:
(2.3.34)
(2.3.34)
As a result we have four homogenous equations, (2.3.25) , (2.3.27) , (2.3.31) , and (2.3.34) , with
four unknowns, A , B , C , and D , for which there will be a solution if the determinant of this set of
equations is zero, or: Sebagai hasilnya kami memiliki empat persamaan homogen, (2.3.25) ,
(2.3.27) , (2.3.31) , dan (2.3.34) , dengan empat diketahui, A, B, C, dan D, yang ada akan
menjadi
solusi
jika
penentu
set
persamaan
adalah
nol,
atau:
(2.3.35)
(2.3.35)
The first row of the determinant represents equation (2.3.25) , the second row is obtained by
combining (2.3.31) and (2.3.25) , the third row represents equation (2.3.27) and the fourth row
represents equation (2.3.34) . Baris pertama merupakan determinan persamaan (2.3.25) , baris
kedua adalah diperoleh dengan menggabungkan (2.3.31) dan (2.3.25) , baris ketiga merupakan
persamaan (2.3.27) dan baris keempat merupakan persamaan ( 2.3.34) . This determinant can
be rewritten as two determinants, each with three rows and columns, while replacing cos b (ab)
by b c , sin b (ab) by b s , cosh a b e ika by a c and sinh a b e ika by a s , which results in:
penentu ini dapat ditulis ulang sebagai dua penentu, masing-masing dengan tiga baris dan
kolom, sedangkan mengganti b cos (ab) oleh c b, b sin (ab) oleh s b, a, b e tongkat pendek ika
oleh
c
dan
Sinh
b
e
ika
oleh
s,
yang
menghasilkan:
(2.3.36)
(2.3.36)
Working out the determinants and using b c 2 + b s 2 = 1, and a c 2 - a s 2 = e 2ika , one finds:
Bekerja di luar faktor penentu dan menggunakan b c 2 + b s 2 = 1, dan c 2 - s 2 e = 2ika, orang
menemukan:
(2.3.37)
(2.3.37)
And finally, substituting b c , b s , a c and a s : Dan akhirnya, menggantikan c b, s b, c dan s:
(2.3.38)
(2.3.38)
where e ika + e -ika was replaced by 2cos ka . dimana ika e + e-ika digantikan oleh 2cos ka.
Since the result is independent of the sign of k , this equation also covers all solutions obtained
when replacing e -ik by e ik in equations (2.3.23) and (2.3.24) . Karena hasilnya adalah
independen dari tanda k, persamaan ini juga mencakup semua solusi diperoleh ketika mengganti
e-ik
melalui
e
persamaan
ik
dalam
(2.3.23)
dan
(2.3.24)
.
A further simplification is obtained as the barrier width, b, is reduced to zero while the barrier
height, V0, is increased to infinity in such manner that the product, bV0, remains constant and
the potential becomes a delta function train at x = a and repeated with a period of a, namely bV0
(x - b - na) where n is an integer. Sebuah penyederhanaan lebih lanjut diperoleh sebagai lebar
penghalang, b, direduksi menjadi nol sedangkan tinggi penghalang, V0, meningkat hingga tak
terbatas dengan cara sedemikian rupa sehingga produk, bV0, tetap konstan dan potensi menjadi
sebuah kereta fungsi delta pada x = a dan berulang dengan jangka waktu, yaitu bV0 (x - b - na)
di mana n adalah bilangan bulat. As b approaches zero, sinh b approaches b. Sebagai
pendekatan, pendekatan nol b b Sinh b. Equation (2.3.38) then reduces to: Persamaan (2.3.38)
kemudian
mengurangi
untuk:
(2.3.39)
(2.3.39)
with
dengan
(2.3.40)
(2.3.40)
2.3.9 Alternate derivation of the Kronig-Penney equation 2.3.9 Alternatif penurunan persamaan
Kronig-Penney
Ayat
berikutnya
First we recognize that the Schrdinger equation is of the form: Pertama kita mengakui bahwa
persamaan
Schrdinger
adalah
dalam
bentuk:
(2.3.41)
(2.3.41)
All solutions to this equation can be written as a linear combination of two arbitrary, but linearly
independent, particular solutions. Semua solusi untuk persamaan ini dapat ditulis sebagai
kombinasi linear dua sewenang-wenang, tetapi linear independen, khusus solusi. These can be
chosen to be real since U(x) is a real function. Ini dapat dipilih untuk menjadi nyata karena U (x)
adalah
fungsi
nyata.
Let the two particular solutions be F 1 (x) and F 2 (x) . Biarkan dua solusi khusus menjadi F 1 (x)
dan F 2 (x). From the periodicity of U(x) : Dari periodisitas U (x):
(2.3.42)
(2.3.42)
it follows that F 1 (x+a) and F 2 (x+a) are also solutions, so that there exist real coefficients A 11 ,
A 12 , A 21 and A 22 for which: mengikuti bahwa F 1 (x + a) dan F 2 (x + a) juga solusi, sehingga
terdapat
koefisien
nyata
A
11,
A
12,
A
21
dan
A
22
yang:
(2.3.43)
(2.3.43)
The solution for the actual wavefunction F (x) is a linear combination of the real solutions, F 1 (x)
and F 2 (x) , with coefficients p and q: Solusi untuk F fungsi gelombang aktual (x) adalah
kombinasi linear dari solusi nyata, F 1 (x) dan F 2 (x), dengan koefisien p dan q:
(2.3.44)
(2.3.44)
such
(2.3.45)
that
sehingga
(2.3.45)
This is an eigenvalue problem and a solution exists for,: Ini merupakan masalah eigenvalue dan
solusi
ada
untuk,:
(2.3.46)
(2.3.46)
The
corresponding
(2.3.47)
eigenvalues
are:
Nilai
eigen
yang
sesuai
adalah:
(2.3.47)
Since the wavefunction F ( x ) can also be expressed using Bloch functions: Karena fungsi
gelombang F (x) juga dapat dinyatakan dengan menggunakan fungsi Bloch:
(2.3.48)
(2.3.48)
The eigenvalue equation can be reformulated as: Persamaan eigenvalue dapat dirumuskan
sebagai:
(2.3.49)
(2.3.49)
so
(2.3.50)
that
sehingga
(2.3.50)
Combining (2.3.47) with (2.3.50) results in: Menggabungkan (2.3.47) dengan (2.3.50) hasil
dalam:
(2.3.51)
(2.3.51)
We now construct the real functions F 1 (x) and F 2 (x) corresponding to the Kronig-Penney
potential, while requiring the functions and their derivatives to be continuous at x = 0: Kita
sekarang membangun fungsi nyata F 1 (x) dan F 2 (x) sesuai dengan potensi-Penney Kronig,
sedangkan yang membutuhkan fungsi dan turunannya harus kontinu pada x = 0:
(2.3.52)
(2.3.52)
and
(2.3.53)
dan
(2.3.53)
where
(2.3.54)
mana
(2.3.54)
The wavefunctions in the section between x = ab and x = a , are now obtained using 2.3.43 .
Para fungsi gelombang di bagian antara x = ab dan x = a, sekarang diperoleh dengan
menggunakan
2.3.43
.
(2.3.55)
(2.3.55)
Both functions and their derivatives also need to be continuous at x = ab , leading to: Kedua
fungsi dan turunannya juga perlu terus-menerus pada x = ab, yang mengarah ke:
(2.3.56)
(2.3.57)
(2.3.56)
(2.3.57)
combining (2.3.56) , (2.3.57) and (2.3.51) then yields: menggabungkan (2.3.56) , (2.3.57) dan
(2.3.51)
maka
hasil:
(2.3.58)
(2.3.58)
ece.colorado.edu/~bart/book
ece.colorado.edu
bart
book
Boulder, August 2007 Boulder, Agustus 2007

0
Tambahkan komentar
9.
DEC
a.
JENIS IKATAN KIMIA LAIN

Ikatan
logam
Setelah penemuan elektron, daya hantar logam yang tinggi dijelaskan dengan menggunakan
model elektron bebas, yakni ide bahwa logam kaya akan elektron yang bebas bergerak dalam
logam. Namun, hal ini tidak lebih dari model. Dengan kemajuan mekanika kuantum, sekitar
tahun 1930, teori MO yang mirip dengan yang digunakan dalam molekul hidrogen digunakan
untuk
masalah
kristal
logam.
Elektron dalam kristal logam dimiliki oleh orbital-orbital dengan nilai energi diskontinyu, dan
situasinya mirip dengan elektron yang mengelilingi inti atom. Namun, dengan meingkatnya
jumlah orbital atom yang berinteraksi banyak, celah energi dari teori MO menjadi lebih sempit,
dan akhirnya perbedaan antar tingkat-tingkat energi menjadi dapat diabaikan. Akibatnya banyak
tingkat energi akan bergabung membentuk pita energi dengan lebar tertentu. Teori ini disebut
dengan
teori
pita.
Tingkat energi logam magnesium merupakan contoh teori pita yang baik (Gambar 3.8). Elektron
yang ada di orbital 1s, 2s dan 2p berada di dekat inti, dan akibatnya terlokalisasi di orbital-orbital
tersebut. Hal ini ditunjukkan di bagian bawah Gambar 3.8. Namun, orbital 3s dan 3p bertumpang
tindih dan bercampur satu dengan yang lain membentuk MO. MO ini diisi elektron sebagian,
sehingga elektron-elektron ini secara terus menerus dipercepat oleh medan listrik menghasilkan
arus
listrik.
Dengan
demikian,
magnesium
adalah
konduktor.
Bila orbital-orbital valensi (s) terisi penuh, elektron-elektron ini tidak dapat digerakkan oleh
medan listrik kecuali elektron ini lompat dari orbital yang penuh ke orbital kosong di atasnya. Hal
inilah
yang
terjadi
dalam
isolator.
b.
Ikatan
hidrogen
Awalnya diduga bahwa alasan mengapa hidrogen fluorida HF memiliki titik didih dan titik leleh
yang lebih tinggi dibandingkan hidrogen halida lain (gambar 3.9) adalah bahwa HF ada dalam
bentuk polimer. Alasan tepatnya tidak begitu jelas untuk kurun waktu yang panjang. Di awal
tahunh 1920-an, dengan jelas diperlihatkan bahwa polimer terbentuk antara dua atom flourin
yang
mengapit
atom
hidrogen.
Sangat tingginya titik didih dan titik leleh air juga merupakan masalah yang sangat menarik. Di
awal tahun 1930-an, ditunjukkan bahwa dua atom oksigen membentk ikatan yang mengapit
hidrogen seperti dalam kasus HF (gambar 3.9). Kemudian diketahui bahwa ikatan jenis ini umum
didapatkan
dan
disebut
dengan
ikatan
hidrogen.
Ikatan hidrogen dengan mudah terbentuk bila atom hidroegen terikat pada atom elektronegatif
seperti oksigen atau nitrogen. Fakta bahwa beberapa senyawa organik dengan gugus hidroksi
-OH atau gugus amino -NH2 relatif lebih larut dalam air disebabkan karena pembentukan ikatan
hidrogen dengan molekul air. Dimerisasi asam karboksilat seperti asama asetat CH3COOH juga
merupakan
contoh
yang
sangat
baik
adanya
ikatan
hidrogen.
Ikatan
Van
der
Waals
Gaya dorong pembentukan ikatan hidrogen adalah distribusi muatan yang tak seragam dalam
molekul, atau polaritas molekul (dipol permanen). Polaritas molekul adalah sebab agregasi
molekul menjadi cair atau padat. Namun, molekul non polar semacam metana CH4, hidrogen H2
atau He (molekul monoatomik) dapat juga dicairkan, dan pada suhu yang sangat rendah,
mungkin juga dipadatkan. Hal ini berarti bahwa ada gaya agreagasi antar molekul-molekul ini..
Gaya
semacam
ini
disebut
dengan
gaya
antarmolekul.
Ikatan hidrogen yang didiskusikan di atas adalah salah satu jenis gaya antarmolekul. Gaya
antarmolekul khas untuk molekul non polar adalah gaya van der Waals. Asal usul gaya ini adalah
distribusi muatan yang sesaat tidak seragam (dipol sesaat) yang disebabkan oleh fluktuasi awan
elektron di sekitar inti. Dalam kondisi yang sama, semakin banyak jumlah elektron dalam molekul
semakin mudah molekul tersebut akan dipolarisasi sebab elektron-elektronnya akan tersebar
luas. Bila dua awan elektron mendekati satu sama lain, dipol akan terinduksi ketika awan
elektron mempolarisasi sedemikian sehingga menstabilkan yang bermuatan berlawanan.

Dengan gaya van der Waals suatu sistem akan terstabilkan sebesar 1 kkal mol-1. Bandingkan
harga ini dengan nilai stabilisasi yang dicapai dengan pembentukan ikatan kimia (dalam orde
100 kkal mol-1). Kimiawan kini sangat tertarik dengan supramolekul yang terbentuk dengan
agregasi
molekul
dengan
gaya
antarmolekul.
Penemuan
elektron
Kemajuan yang sangat pesat dalam sains paruh pertama abad 20 ditandai dengan
perkembangan paralel teori dan percobaan. Sungguh menakjubkan mengikuti perkembangan
saintifik sebab kita dapat dengan jelas melihat dengan jelas berbagai lompatan perkembangan
ini. Sungguh kemajuan dari penemuan elektron, sampai teori kuantum Planck, sampai
penemuan inti atom Rutherford, teori Bohr, sampai dikenalkan teori mekanika kuantum
merangsang kepuasan intelektual. Dalam kimia penemuan ide umum orbital dan konfigurasi
elektron memiliki signifaksi khusus. Ide-ide ini dapat dianggap sebagai baik modernisasi dan
pelengkapan
teori
atom.
2.1
Penemuan
elektron
Menurut Dalton dan ilmuwan sebelumnya, atom tak terbagi, dan merupakan komponen
mikroskopik utama materi. Jadi, tidak ada seorangpun ilmuwan sebelum abad 19 menganggap
atom memiliki struktur, atau dengan kata lain, atom juga memiliki konponen yang lebih kecil.
Keyakinan bahwa atom tak terbagi mulai goyah akibat perkembangan pengetahuan hubungan
materi dan kelistrikan yang berkembang lebih lanjut. Anda dapat mempelajari perkembangan
kronologis
pemahaman
hubungan
antara
materi
dan
listrik.
Tabel
2.1
Kemajuan
pemahaman
hubungan
materi
dan
listrik.
Tahun
Peristiwa
1800
Penemuan
baterai
(Volta)
1807
isolasi
1833
Na
dan
Ca
dengan
elektrolisis
(Davy)
Penemuan
hukum
elektrolisis
(Faraday)
katoda
(Plcker)
1859
Penemuan
sinar
1874
Penamaan
elektron
(Stoney)
1887
Teori
ionisasi
(Arrhenius)
1895
Penemuan
sinar-X
(Rntgen)
1897
Bukti
keberadaan
elektron
(Thomson)
1899
Penentuan
e/m
(Thomson)
1909-13
Percobaan
tetes
minyak
(Millikan)
Faraday memberikan kontribusi yang sangat penting, ia menemukan bahwa jumlah zat yang
dihasilkan di elektroda-elektroda saat elektrolisis (perubahan kimia ketika arus listrik melewat
larutan elektrolit) sebanding dengan jumlah arus listrik. Ia juga menemukan di tahun 1833 bahwa
jumlah listrik yang diperlukan untuk menghasilkan 1 mol zat di elektroda adalah tetap (96,500 C).
Hubungan
ini
dirangkumkan
sebagai
hukum
elektrolisis
Faraday.
Faraday sendiri tidak bermaksud menggabungkan hukum ini dengan teori atom. Namun,
kimiawan Irish George Johnstone Stoney (1826-1911) memiliki wawasan sehingga mengenali
pentingnya hukum Faraday pada struktur materi; ia menyimpulkan bahwa terdapat satuan dasar
dalam elektrolisis, dengan kata lain ada analog atom untuk kelistrikan. Ia memberi nama elektron
pada
satuan
hipotetik
ini.
Kemudian muncul penemuan menarik dari percobaan tabung vakum. Bila kation mengenai
anoda bila diberikan beda potensial yang tinggi pada tekanan rendah (lebih rendah dari 10-2
10-4 Torr)), gas dalam tabung, walaupun merupakan insulator, menjadi penghantar dan
memancarkan cahaya. Bila vakumnya ditingkatkan, dindingnya mulai menjadi mengkilap,
memancarkan cahaya fluoresensi (Gambar 2.1). Fisikawan Jerman Julius Plcker (1801-1868)
berminat pada fenomena ini dan menginterpreatsinya sebagai beikut: beberapa partikel
dipancarkan dari katoda. Ia memmebri nama sinar katoda pada partikel yang belum
teridentifikasi
ini
(1859).
Torr adalah satuan tekanan yang sering digunakan untuk mendeskripsikan tingkat vakum. (1 Torr
=
133,
3224
Pa)
Patikel yang belum teridentifikasi ini, setelah dipancarakan dari katoda, akan menuju dinding
atbung atau anoda. Ditemukan bahwa partikel tersebut bermuatan karena lintasan geraknya
akan dibelokkan bila medan magnet diberikan. Lebih lanjut, sifat cahaya tidak bergantung jenis
logam yang digunakan dalam tabung katoda, maupun jenis gas dalam tabung pelucut ini. Faktafakta ini menyarankan kemungkinan bahwa partikel ini merupakan bahan dasar materi.
Fisikawan Inggris Joseph John Thomson (1856-1940) menunjukkan bahwa partikel ini
bermuatan negatif. Ia lebih lanjut menentukan massa dan muatan partikel dengan
memperkirakan efek medan magnet dan listrik pada gerakan partikel ini. Ia mendapatkan rasio
massa dan muatannya. Untuk mendapatkan nilai absolutnya, salah satu dari dua tersebut harus
ditentukan.
Fisikawan Amerika Robert Andrew Millikan (1868-1953) berhasil membuktikan dengan
percobaan yang cerdas adanya partikel kelistrikan ini. Percobaan yang disebut dengan
percobaan tetes minyak Millikan. Tetesan minyak dalam tabung jatuh akibat pengaruh gravitasi.
Bila tetesan minyak memiliki muatan listrik, gerakannya dapat diatur dengan melawan gravitasi
dengan berikan medan listrik. Gerakan gabungan ini dapat dianalisis dengan fisikan klasik.
Millikan menunjukkan dengan percobaan ini bahwa muatan tetesan minyak selalu merupaka
kelipatan 1,610-19 C. Fakta ini berujung pada nilai muatan elektron sebesar 1,6 x 10-19 C.
Rasio muatan/massa partikel bermuatan yang telah diketahui selama ini sekitar 1/1000 (C/g).
Ratio yang didapatkan Thomson jauh lebih tinggnilai tersebut (nilai akurat yang diterima adalah
1,76 x108 C/g), dan penemuan ini tidak masuk dalam struktur pengetahuan yang ada saat itu.
Partikel ini bukan sejenis ion atau molekul, tetapi harus diangap sebagai bagian atau fragmen
atom

Rangkaian Arus Searah

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Rangkaian Arus Searah

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

LAPORAN

Rangkaian Arus Searah

Diposkan 9th December 2010 oleh Alfred Budiyono

Rangkaian Arus Searah

(+) ke kutub negatip (-).

i) Sebuah saklar untuk memutus rangkaian.

Gambar 2.2 Rangkaian sederhana dengan tiga loop

Warna Angka Toleransi

II.3 RANGKAIAN RESISTOR SERI DAN PARALEL

III.2 PROSEDUR PRAKTIKUM

Mengulangi prosedur di atas dengan nilai resistor yang berbeda.

R3 = 230 V2 = 0,8 volt

Nama : Alfred Budiono

NIM / Kelompok : H21109270 / 1V

Gambar 2.2 Rangkaian sederhana dengan tiga loop

Warna Angka Toleransi

II.3 RANGKAIAN RESISTOR SERI DAN PARALEL

III.2 PROSEDUR PRAKTIKUM

(1, r1) (2, r2)

Diposkan 9th December 2010 oleh Alfred Budiyono

Rangkaian Arus Bolak-Balik

I.1 LATAR BELAKANG

I.4 WAKTU & TEMPAT PRAKTIKUM

melihat sinyal keluaran.

2) Rangkaian Hambatan Induktif (Induktor)

Tegangan dan arus pada rangkaian hambatan induktif adalah:

Reaktansi induktif memiliki harga:

Tegangan dan arus pada rangkaian hambatan kapasitif yaitu:

Reaktansi induktif memiliki harga:

4) Rangkaian Seri R-L

5) Rangkaian Seri R-C

6) Rangkaian Seri R-L-C

Beda fase Rangkaian R-L-C adalah:

Gambar Rangkaian Integrator

Gambar Rangkaian Diferensiator

4. Kabel jumper berfungsi sebagai penghubung dalam suatu rangkaian.

III.2 PROSEDUR PRAKTIKUM

11. Mengatur bentuk gelombang square pada signal generator.

3. Membuat rangkaian diferensiator seperti pada gambar berikut:

11. Menentukan frekuensi pada signal generator, yaitu sebesar 10 kHz.

IV.1.2 Gambar Signal Output

c. Rangkaian RLC Paralel

V.2 KRITIK DAN SARAN

Diposkan 9th December 2010 oleh Alfred Budiyono

Komponen dan Alat Ukur Listrik

I.1 LATAR BELAKANG

I.2 RUANG LINGKUP

Warna Angka Toleransi

II.2 ALAT UKUR ELEKTRONIKA

III.2.3 Pengosongan Muatan Kapasitor

Pengisian muatan kapasitor

Pengosongan muatan kapasitor

IV.1.2 Pengolahan Data

Arus dan Tegangan

Pengosongan Muatan Kapasitor

V.2.1 Laboratorium Elektronika dan Instrumentasi

Bahan semipenghantar mempunyai sifat-sifat di antara bahan konduktor/penghantar dan isolator.

Tabrakan elektron-elektron tersebut menghambat aliran arus listrik, sehingga resistansinya

Bahan semipenghantar type-P.Doping dapat menggunakan material-material yang lain. Gambar

Ion-ion tersebut akan menengah berlanjutnya elektron-elektron yang melintasi sambungan.

Kapasitansi Transisi. Prasikap balik mengakibatkan pembawaan mayoritas menjauhi

Heterostructure Device Band Diagram

dua semikonduktor membentuk heterostructure. Setelah potensial periodik

jelas mengkonfirmasikan asumsi Kroemer bahwa wilayah transisi dalam semikonduktor