Mosfet Buku
Mosfet Buku
Rating: tegangan Vdc < 500 V, arus Id < 300 A, frekwensi f > 100 kHz untuk
daya yang rendah ( beberapa ratus watt) dapat dalam orde Mhz.
Sangat mudah untuk meng on kan dan meng off kan,
Untuk on Vgs = + 15 V
2.3
MOSFET
MOSFET merupakan singkatan dari Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2. Untuk tipe PNP, prinsip kerjanya sama hanya saja tegangan yang diberikan
pada gate berkebalikan dengan MOSFET tipe NPN. Ketika tegangan negatif
diberikan ke gate, hole dari semikonduktor tipe P dari source dan drain tertarik
ke semikonduktor tipe N yang berada diantaranya. Dengan adanya jembatan
hole ini maka arus listrik dapat mengalir dari source ke drain.
Karena adanya lapisan oksida antara gate dan semikonduktor, maka arus listrik
tidak mengalir menuju gate. Arus listrik mengalir diantara drain dan source yang
dikendalikan oleh tegangan gate.
2.1.1
terminal Gate (=basis) untuk mengontrol arus antara terminal Source (=emitor) dan
Drain (=kolektor)[10]. Secara skematis, simbol MOSFET dapat dilihat pada gambar
2.8.
D
I
I
I
I
I
I
a. MOSFET kanal-n
b. MOSFET kanal-p
tidak
akan
sebelumnya
membebani
dan
tidak
rangkaian
buffer
apabila
MOSFET, maka jumlah elektron bebas yang mengalir antara sumber dan penguras
akan mengalami peningkatan. Dengan perkataan lain, suatu tegangan gerbang yang
positif akan meningkatkan konduktivitas saluran. Semakin positif tegangan gerbang,
makin besar arus konduksi dari sumber ke penguras. Sebaliknya, apabila tegangan
negatif diterapkan pada gerbang MOSFET, maka tegangan ini akan menolak elektron
dan mencoba mendorongnya kembali ke sumber.
gerbang yang negatif akan mengurangi aliran elektron antara sumber dan penguras.
Makin negatif tegangan gerbang, semakin kecil arus yang melalui saluran. Tegangan
yang cukup negatif pada gerbang dapat memutus aliran arus antara sumber dan
penguras.[10]
Sedangkan MOSFET tipe peningkatan hanya dapat bekerja dalam ragam
pengisian. Sebuah MOSFET tipe pengisian sangat cocok diterapkan untuk rangkaian
digital, oleh karena MOSFET jenis ini normalnya terputus.
Apabila tegangan
gerbang melebihi tegangan ambang, MOSFET akan tersambung (on) seperti sebuah
saklar/switch.[10]
2.2.3.1
Karakteristik MOSFET
Karakteristik keluaran merupakan grafik dimana IDS diplot terhadap VDS
untuk beberapa variasi tegangan VGS. Ada tiga daerah dalam karakteristik keluaran
MOSFET, yaitu : [15]
1. Untuk VGS VT disebut daerah cut-off.
VGS
V1
VGsp
VT
td ( o n ) tr
t d ( o ff)
tf
pemicuan berlebih pada tegangan gerbang. VGS harus turun nilainya sebalum VDS
mulai naik.
Waktu jatuh atau tf adalah waktu yang dibutuhkan oleh kapasitansi masukan
untuk mengosongkan muatan dari daerah saturasi ke tegangan ambang. Apabila VGS
< VT transistor akan menyumbat (off).[15]
2.1.1
Power MOSFET
MOSFET merupakan peralatan semikonduktor yang lazim digunakan dalam
dengan daerah p di sebelah kanan dan gerbang terisolasi di sebelah kiri. Elektron bebas
dapat mengalir dari sumber ke penguras melalui bahan n. Daerah p disebut substrat ; secara
fisik daerah ini mengurangi jalur penghantar menjadi saluran yang sempit. Elektron yang
mengalir dari sumber ke penguras harus melalui saluran yang sempit ini.
Lapisan tipis silikon dioksida (SiO2) ditempelkan pada sisi kiri saluran. Silikon
dioksida sama seperti kaca, yang merupakan isolator (penyekat). Pada MOSFET
gerbangnya terbuat dari logam. Karena gerbang terpisah dari saluran, maka hanya sedikit
sekali arus gerbang yang mengalir, walaupun bila tegangan gerbang berharga positip.
ID
n+
D r a in (D )
O x id e
G a te (G )
GS
+
-
M e ta l
S o u r c e (S )
S u b s tr a t
ty p e -p
K a na l
ID
M e ta l
R
+
- V
ID
G
DD
R
+
V
S
GS
(a) Struktur
DD
+
-
(b) Simbol
B.
menghasilkan MOSFET jenis baru yang hanya dapat menghantar pada ragam peningkatan
saja. MOSFET tipe ini berlaku seperti switch yang biasanya mati (normally off), artinya
pada saat VGS = 0 MOSFET tidak dapat menghantar. Untuk mendapatkan arus penguras
(ID), kita harus menerapkan tegangan gerbang positif.
ID
n+
D
G
V
GS
+
S
S u b s tr a t
ty p e -p
M e ta l
+
- V
D
G
D D
+
V
G S
R
+
V
(a) Struktur
DS
DD
(b) Simbol
Daerah cut-off ; dimana VGS VT. VT adalah tegangan threshold (tegangan ambang).
VT merupakan VGS minimum VGS(am) yang dapat menciptakan lapisan tipis tipe-n. Bila
VGS lebih besar dari nilai VGS(am), lapisan tipis tipe-n akan menghubungkan sumber
dengan penguras, dan kita akan mendapatkan arus.
2.
Daerah pinch-off (saturasi) ; dimana VDS VGS VT. Pada daerah operasi ini arus
drain mencapai hampir konstan untuk setiap pertambahan nilai dari VDS. MOSFET
pada daerah operasi ini digunakan sebagai penguat tegangan.
3.
Daerah liniear ; dimana VDS VGS VT. Pada daerah operasi ini, nilai ID berubah
terhadap perubahan nilai dari VDS. Selama arus drain tinggi dan tegangan drain rendah,
MOSFET yang dioperasikan pada daerah ini berfungsi sebagai switch.
ID
G S
-ID
G S
(a) Kanal-n
(b) Kanal-p
Model keadaan tunak (steady state model) ditunjukkan pada gambar 2.8.
ID
gm =
(2.1)
VGS VDS =kons tan
Resistansi keluaran ro = RDS didefinisikan sebagai :
RDS =
VDS
.(2.2)
ID
Untuk tipe depletion, tegangan gerbang dapat positif maupun negatif. Tetapi untuk tipe
enhancement tegangan gerbang hanya tegangan positif.
ID
d a era h
p in c h - o ff
d a era h
lin ie r
D S
= V G S -V
GS
G S5
G S4
G S3
G S2
G S1
=V
V
T
D S
V
-
+
V
V
+
GS
r0
D D
ID
g mv
gs
DD
D S
G S
+
-
+
v
gs
C
C
gs
gd
rds
ds
g mv
gs
V
V
t
V
V
GS
V 1
GS P
V
t d (o n )
tr
t d (o f f )
tf
V CC
TR
V CC
TR
R
ZX D
L F356
C
R
TR
T .P
V CC
R
V CC
L M 311
C M O S4538
2.4.1
MOSFET Daya
Seperti halnya transistor bipolar, FET, adalah komponen tiga terminal yang dapat
menguatkan sinyal. Jika transistor bipolar menggunakan arus ke dalam terminal masukannya
(basis) untuk mengontrol arus yang lebih besar pada terminal keluarannya antara terminal emitor
dan kolektor, FET menggunakan tegangan pada gate (=basis) untuk mengontrol arus antara
teminal source (=emitor) dan drain (=kolektor) [27].
Jika penguatan transistor bipolar dinyatakan sebagai penguatan arus, penguatan FET
dinyatakan sebagai transkonduktansi maju, gfs, yaitu perbandingan perubahan arus keluaran (drain)
terhadap tegangan masukan (gate). Penguatan gfs, sebenarnya dinyatakan dalam miliampere per
volt (mA/V atau mili-mho), namun akhirnya diubah menjadi Siemen, sebagai penghormatan kepada
perintisnya [27].
Salah satu perbedaan penting antara FET dan transistor bipolar adalah impedansi
masukannya. Dalam transistor, masukan basis dapat disamakan pada dioda yang diberi tegangan
maju dengan impedansi hanya ratusan atau ribuan ohm. Dalam FET, impedansi masukan dapat
disamakan dengan tegangan terbalik, dioda, yang nilainya puluhan mega ohm lebih.
Selanjutnya FET dapat menjadi junction-gate (dengan masukan gerbang menjadi dioda)
atau insulated-gate (dengan masukan gerbang sebagai lapisan oksida logam). Singkatan yang
umum ialah J-FET untuk jenis junction-gate (gerbang pertemuan) dan IG-FET untuk jenis
insulated-gate (gerbang terisolasi). Secara umum FET jenis insulated gate dinyatakan sebagai
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) [27].
Penggunaan MOSFET dalam aplikasi elektronika daya disebabkan oleh keterbatasan
transistor persambungan daya (BJT)[29]. Transistor daya bipolar adalah suatu komponen terkendali
arus. Suatu arus pengemudi basis yang besar sekitar 1/5 dari arus kolektor diperlukan untuk
menjaga komponen dalam kondisi on. Selain itu juga diperlukan arus pengemudi basis balik yang
lebih tinggi untuk memperoleh peralihan off yang cepat (fast turn-off). Walaupun BJT lebih murah,
namun keterbatasan tersebut membuat perancangan rangkaian pengemudi basis lebih komplek
dan menjadikannya lebih mahal dibandingkan MOSFET daya.
Keterbatasan lain dari suatu BJT adalah baik elektron dan hole berperan dalam
penghantaran. Adanya hole dengan carrier life time yang lebih lama menyebabkan kecepatan
pensaklaran menjadi beberapa tingkat lebih lambat bila dibandingkan dengan sebuah MOSFET
dalam ukuran dan jangkah tegangan yang sama.
metal
metal
n+
RD
Substrat
tipe-p
G
VGS
VDD
n+
RD
VDS
VGS
VDD
oksida
Struktur Dasar
Simbol
mengumpulkannya pada permukaan lapisan oksida. Jika VGS lebih besar tegangan treshold,
VT, sejumlah elektron yang mengumpul membentuk kanal-n semu dan kemudian arus
mengalir dari drain ke source.
ID
ID
Cgd
Cds
Cgd
G
Rbe
Cgs
Cds
Cgs
(a)
(b)
VG
V1
0
V1
VGsp
VGs
VT
0
t
td(on)
tr
td(on)
tf
(2.21)
Saat beralih ke off tegangan antara drain dan source naik seiring dengan jatuhnya arus
drain, dengan persamaan
dv Vs V DD
=
=
dt t f
tf
(2.22)
VB
V1
LS
IL
IL
t
i
Dm
if
VS
Q1
_
+
VB
_
if
CS
RS
t
tf
IL
tr
DS
(a)
(b)
Dengan anggapan pada kondisi tunak arus beban IL mengalir melintasi Dm, dengan
waktu recovery yang dapat diabaikan. Saat Q1 beralih on, arus drain naik dan arus dioda Dm
jatuh. Perubahan di/dt dinyatakan dengan persamaan berikut:
di VS
=
dt LS
(2.23)
Persamaan 2.21 hingga 2.23 memberikan nilai induktor seri dengan persamaan berikut:
V t
LS = S r
I1
(2.24)
Selama kondisi off, kapasitor CS termuati oleh arus beban dengan peralihan tegangan
kapasitor yang dinyatakan sebagi berikut:
I
dV
= L
dt C S
(2.25)
Persamaan (2.22) sampai (2.25) memberikan nilai kapasitor snubber yang diperlukan
sebesar:
CS =
IL t f
VS
(2.26)
1
S
n
1
n f S CS
(2.27)