MOSFET ( Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)

Rating: tegangan Vdc < 500 V, arus Id < 300 A, frekwensi f > 100 kHz untuk
daya yang rendah ( beberapa ratus watt) dapat dalam orde Mhz.
Sangat mudah untuk meng on kan dan meng off kan,
Untuk on Vgs = + 15 V

2.3

Untuk off Vgs = 0 V

Rangkaian gate drive sangat sederhana

MOSFET
MOSFET merupakan singkatan dari Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor yang merepresentasikan bahan-bahan penyusunnya yang terdiri dari logam,

oksida dan semikonduktor. Terdapat 2 jenis MOSFET yaitu tipe NPN atau N channel dan
PNP atau biasa disebut P channel. MOSFET dibuat dengan meletakkan lapisan oksida pada
semikonduktor dari tipe NPN maupun PNP dan lapisan logam diletakkan diatasnya.
Gambar 2.13 memperlihatkan konfigurasi dasar dari MOSFET yang terdiri dari 3 buah
kaki yaitu gate, drain, source.

Gambar 2.13 Konfigurasi dasar MOSFET

Adapun prinsip kerja dari MOSFET adalah sebagai berikut

1. Untuk tipe NPN, ketika gate diberi tegangan positif elektron-elektron dari
semikonduktor N dari drain dan source tertarik oleh gate menuju
semikonduktor tipe P yang berada diantaranya. Dengan adanya elektronelektron ini pada semikonduktor P, maka akan menjadi suatu jembatan yang
memungkinkan pergerakan elektron-elektron dari source ke drain.

Gambar 2.14 Prinsip kerja MOSFET tipe NPN

2. Untuk tipe PNP, prinsip kerjanya sama hanya saja tegangan yang diberikan
pada gate berkebalikan dengan MOSFET tipe NPN. Ketika tegangan negatif
diberikan ke gate, hole dari semikonduktor tipe P dari source dan drain tertarik
ke semikonduktor tipe N yang berada diantaranya. Dengan adanya jembatan
hole ini maka arus listrik dapat mengalir dari source ke drain.

Gambar 2.15 Prinsip kerja MOSFET tipe PNP

Karena adanya lapisan oksida antara gate dan semikonduktor, maka arus listrik
tidak mengalir menuju gate. Arus listrik mengalir diantara drain dan source yang
dikendalikan oleh tegangan gate.

Gambar 2.16 MOSFET IRF840

2.1.1

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET atau transistor efek medan oksida logam adalah sebuah piranti
elektronik yang dikendalikan oleh tegangan dan hanya memerlukan arus masukan
yang kecil. Seperti halnya transistor bipolar yang mempunyai tiga terminal (basis,
kolektor, dan emitor), maka MOSFET juga mempunyai tiga terminal, yaitu terminal
Gate (G), Source (S), dan Drain (D).

MOSFET menggunakan tegangan pada

terminal Gate (=basis) untuk mengontrol arus antara terminal Source (=emitor) dan
Drain (=kolektor)[10]. Secara skematis, simbol MOSFET dapat dilihat pada gambar
2.8.
D

I
I
I

I
I
I

Gambar 2.8 Simbol MOSFET[10]

a. MOSFET kanal-n
b. MOSFET kanal-p

MOSFET sebagai piranti pensaklaran elektronik mempunyai beberapa

kelebihan, antara lain :[8, 15]

1. Terminal gate MOSFET secara elektrik

terisolasi dari sumber oleh lapisan
oksida, sehingga MOSFET mempunyai
impedansi masukan yang sangat tinggi,
sehingga
rangkaian

tidak

akan

sebelumnya

membebani
dan

tidak

memerlukan rangkaian driver yang

rumit untuk terminal gate.
2. Kecapatan switching-nya sangat tinggi,
dalam orde nano detik, sehingga rugirugi akibat aksi switching dapat dibuat
sekecil mungkin.
3. Sangat cocok digunakan untuk aplikasi
rangkaian yang menggunakan tegangan
rendah.
4. MOSFET tidak memerlukan interface
berupa

rangkaian

buffer

apabila

dihubungkan dengan rangkaian logika.

MOSFET terdiri dari dua tipe, yaitu MOSFET tipe pengosongan (depletion
MOSFET) dan MOSFET tipe peningkatan (enhancement MOSFET).[10,15]
MOSFET tipe pengosongan dapat bekerja dalam modus pengisian
(pemberian tegangan positif pada gerbang) dan modus pengosongan (pemberian
tegangan negatif pada gerbang). Apabila tegangan positif diterapkan pada gerbang

MOSFET, maka jumlah elektron bebas yang mengalir antara sumber dan penguras
akan mengalami peningkatan. Dengan perkataan lain, suatu tegangan gerbang yang
positif akan meningkatkan konduktivitas saluran. Semakin positif tegangan gerbang,
makin besar arus konduksi dari sumber ke penguras. Sebaliknya, apabila tegangan
negatif diterapkan pada gerbang MOSFET, maka tegangan ini akan menolak elektron
dan mencoba mendorongnya kembali ke sumber.

Ini berarti, bahwa tegangan

gerbang yang negatif akan mengurangi aliran elektron antara sumber dan penguras.
Makin negatif tegangan gerbang, semakin kecil arus yang melalui saluran. Tegangan
yang cukup negatif pada gerbang dapat memutus aliran arus antara sumber dan
penguras.[10]
Sedangkan MOSFET tipe peningkatan hanya dapat bekerja dalam ragam
pengisian. Sebuah MOSFET tipe pengisian sangat cocok diterapkan untuk rangkaian
digital, oleh karena MOSFET jenis ini normalnya terputus.

Apabila tegangan

gerbang melebihi tegangan ambang, MOSFET akan tersambung (on) seperti sebuah
saklar/switch.[10]

2.2.3.1

Karakteristik MOSFET
Karakteristik keluaran merupakan grafik dimana IDS diplot terhadap VDS

untuk beberapa variasi tegangan VGS. Ada tiga daerah dalam karakteristik keluaran
MOSFET, yaitu : [15]
1. Untuk VGS VT disebut daerah cut-off.

2. Untuk VDS VGS - VT disebut daerah

linier, dipakai pada saat transistor
berfungsi sebagai penguat.
3. Untuk VDS VGS - VT disebut daerah
saturasi, dipakai pada saat transistor
difungsikan sebagai saklar.
VG
V1
t

VGS
V1
VGsp
VT

td ( o n ) tr

t d ( o ff)

tf

Gambar 2.9 Bentuk Gelombang Saklar dan Waktu [15]

Gambar 2.9 memperlihatkan bentuk gelombang switching dan pewaktuan

dari MOSFET, waktu tunda-nyala atau td(on) adalah waktu yang dibutuhkan untuk
mengisi muatan kapasitansi masukan sampai pada level tegangan ambang.
Waktu naik atau tr adalah waktu yang dibutuhkan oleh terminal gerbang
untuk mengisi muatannya dari level tegangan ambang sampai tegangan penuh
gerbang (full gate voltage), VGSP, dimana tegangan ini dibutuhkan untuk
mengaktifkan transistor pada daerah linier.
Waktu tunda-mati atau td(off) adalah waktu yang dibutuhkan oleh
kapasitansi masukan untuk mengosongkan muatan apabila terjadi overdrive atau

pemicuan berlebih pada tegangan gerbang. VGS harus turun nilainya sebalum VDS
mulai naik.
Waktu jatuh atau tf adalah waktu yang dibutuhkan oleh kapasitansi masukan
untuk mengosongkan muatan dari daerah saturasi ke tegangan ambang. Apabila VGS
< VT transistor akan menyumbat (off).[15]

2.2.3.2 MOSFET Sebagai Saklar Elektronik

MOSFET dapat konduksi apabila diberikan pulsa tegangan pada terminal gate (G)-nya.
Rangkaian kontrol pulsa PWM dapat menggerakkan MOSFET sebagai berikut : apabila
pulsa PWM menjadi tinggi yang berarti terminal gerbang (G) mendapat pemicuan, maka
MOSFET akan menjadi on, sehingga terminal sumber (S) dan terminal cerat (D) akan
terlihat seperti terhubung singkat (vin tinggi, MOSFET menghantar, vout rendah).
Sebaliknya, apabila pulsa PWM menjadi rendah, maka MOSFET akan menjadi off
sehingga terminal sumber (S) dan terminal cerat (D) akan terlihat seperti saklar yang dalam
keadaan hubung terbuka (vin rendah, MOSFET terputus, vout sama dengan tegangan catu
daya).[10]

2.1.1

Power MOSFET
MOSFET merupakan peralatan semikonduktor yang lazim digunakan dalam

rangkaian elektronika daya. MOSFET merupakan pengontrol tegangan yang membutuhkan

arus input kecil, dengan kecepatan switching tinggi dan waktu penswitchingan mempunyai
orde nanosekon.
Mosfet mempunyai dua type :
A.

MOSFET Tipe Pengosongan (Depletion-Type MOSFET)

Gambar 2.4 menunjukkan MOSFET saluran-n, sekeping bahan n penghantar

dengan daerah p di sebelah kanan dan gerbang terisolasi di sebelah kiri. Elektron bebas
dapat mengalir dari sumber ke penguras melalui bahan n. Daerah p disebut substrat ; secara

fisik daerah ini mengurangi jalur penghantar menjadi saluran yang sempit. Elektron yang
mengalir dari sumber ke penguras harus melalui saluran yang sempit ini.
Lapisan tipis silikon dioksida (SiO2) ditempelkan pada sisi kiri saluran. Silikon
dioksida sama seperti kaca, yang merupakan isolator (penyekat). Pada MOSFET
gerbangnya terbuat dari logam. Karena gerbang terpisah dari saluran, maka hanya sedikit
sekali arus gerbang yang mengalir, walaupun bila tegangan gerbang berharga positip.
ID

n+

D r a in (D )
O x id e
G a te (G )

GS

+
-

M e ta l
S o u r c e (S )

S u b s tr a t
ty p e -p
K a na l

ID

M e ta l

R
+
- V
ID

G
DD

R
+
V

S
GS

(a) Struktur

DD

+
-

(b) Simbol

Gambar 2.4 MOSFET tipe depletion kanal n

B.

MOSFET Tipe Peningkatan (Enhancement type)

Dengan mengubah susunan dalam dari MOSFET saluran-n, kita dapat

menghasilkan MOSFET jenis baru yang hanya dapat menghantar pada ragam peningkatan
saja. MOSFET tipe ini berlaku seperti switch yang biasanya mati (normally off), artinya
pada saat VGS = 0 MOSFET tidak dapat menghantar. Untuk mendapatkan arus penguras
(ID), kita harus menerapkan tegangan gerbang positif.

ID

n+

D
G
V

GS

+
S

S u b s tr a t
ty p e -p

M e ta l

+
- V

D
G
D D

+
V

G S

R
+
V

(a) Struktur

DS

DD

(b) Simbol

Gambar 2.5 MOSFET tipe Enhancement kanal n

2.1.1.1 Karakteristik Tunak

MOSFET merupakan perlatan semikonduktor yang pengendalian operasinya
dilakukan dengan tegangan pada gerbangnya. Parameter yang sangat penting adalah
trankonduktansi. Trankonduktansi merupakan rasio antara arus keluaran (ID) terhadap
tegangan masukan (VGS) dan merupakan karakteristik transfer dari MOSFET. Karakteristik
transfer untuk MOSFET tipe enhancement ditunjukkan pada gambar 2.6.
Gambar 2.7 menunjukkan karakteristik keluaran dari MOFET kanal-n tipe
enhancement. Ada tiga daerah operasi :
1.

Daerah cut-off ; dimana VGS VT. VT adalah tegangan threshold (tegangan ambang).
VT merupakan VGS minimum VGS(am) yang dapat menciptakan lapisan tipis tipe-n. Bila
VGS lebih besar dari nilai VGS(am), lapisan tipis tipe-n akan menghubungkan sumber
dengan penguras, dan kita akan mendapatkan arus.

2.

Daerah pinch-off (saturasi) ; dimana VDS VGS VT. Pada daerah operasi ini arus
drain mencapai hampir konstan untuk setiap pertambahan nilai dari VDS. MOSFET
pada daerah operasi ini digunakan sebagai penguat tegangan.

3.

Daerah liniear ; dimana VDS VGS VT. Pada daerah operasi ini, nilai ID berubah
terhadap perubahan nilai dari VDS. Selama arus drain tinggi dan tegangan drain rendah,
MOSFET yang dioperasikan pada daerah ini berfungsi sebagai switch.
ID

G S

-ID

G S

(a) Kanal-n

(b) Kanal-p

Gambar 2.6 Karakteristik transfer MOSFET tipe enhancement

Model keadaan tunak (steady state model) ditunjukkan pada gambar 2.8.
ID
gm =
(2.1)
VGS VDS =kons tan
Resistansi keluaran ro = RDS didefinisikan sebagai :
RDS =

VDS
.(2.2)
ID

Untuk tipe depletion, tegangan gerbang dapat positif maupun negatif. Tetapi untuk tipe
enhancement tegangan gerbang hanya tegangan positif.
ID

d a era h
p in c h - o ff
d a era h
lin ie r

D S

= V G S -V

GS

G S5

G S4

G S3

G S2

G S1

=V

V
T

D S

Gambar 2.7. Karakteristik keluaran MOSFET tipe enhacement kanal-n

ID
R
D
R
+

V
-

+
V

V
+

GS

r0

D D

ID

g mv

gs

DD

D S

G S

+
-

(a) Rangkaian sirkuit

(b) Rangkaian ekivalen

Gambar 2.8 Pemodelan keadaan tunak MOSFET

2.1.1.2 Karakteristik Switching

Tanpa adanya sinyal gerbang, MOSFET tipe enhancement dapat dianggap sebagai
dua dioda yang saling membelakangi, atau sebagai transistor npn.. Struktur gerbang
mempunyai kapasitansi parasitis terhadap sumber, Cgs, dan ke penguras, Cgd.
G

+
v

gs

C
C

gs

gd

rds

ds

Gambar 2.9 Pemodelan switching MOSFET

g mv

gs

V
V

t
V
V

GS

V 1
GS P
V

t d (o n )

tr

t d (o f f )

tf

Gambar 2.10 Bentuk gelombang switching

Pemodelan switching dari MOSFET ditunjukkan pada gambar 2.9. Tipikal

tegangan switching ditunjukkan pada gambar 2.10. Turn-on delay, td(on) merupakan waktu
yang dibutuhkan untuk mengisi kapasitansi input ke level tegangan ambang. Rise time, tr,
merupakan waktu charging gerbang dari level threshold ke tegangan gerbang penuh, VGSP,
yang dibutuhkan untuk memicu MOSFET ke daerah linier. Turn-off delay time, td(off)
merupakan waktu yang dibutuhkan oleh kapasitansi input untuk mengeluarkan energi dari
level tegangan V1 ke daerah pinch-off. Fall time, tf, merupakan waktu yang dibutuhkan
oleh kapasitansi input untuk melepas muatan dari daerah pinch-off ke level tegangan
threshold. Jika VGS VT, MOSFET akan turn-off (mati).

V CC
TR

V CC

TR
R

ZX D

L F356

C
R

TR

T .P

V CC
R

V CC

L M 311
C M O S4538

Gambar 3.8 Rangkaian Pemicu MOSFET

2.4.1

MOSFET Daya
Seperti halnya transistor bipolar, FET, adalah komponen tiga terminal yang dapat

menguatkan sinyal. Jika transistor bipolar menggunakan arus ke dalam terminal masukannya
(basis) untuk mengontrol arus yang lebih besar pada terminal keluarannya antara terminal emitor
dan kolektor, FET menggunakan tegangan pada gate (=basis) untuk mengontrol arus antara
teminal source (=emitor) dan drain (=kolektor) [27].
Jika penguatan transistor bipolar dinyatakan sebagai penguatan arus, penguatan FET
dinyatakan sebagai transkonduktansi maju, gfs, yaitu perbandingan perubahan arus keluaran (drain)
terhadap tegangan masukan (gate). Penguatan gfs, sebenarnya dinyatakan dalam miliampere per
volt (mA/V atau mili-mho), namun akhirnya diubah menjadi Siemen, sebagai penghormatan kepada
perintisnya [27].
Salah satu perbedaan penting antara FET dan transistor bipolar adalah impedansi
masukannya. Dalam transistor, masukan basis dapat disamakan pada dioda yang diberi tegangan
maju dengan impedansi hanya ratusan atau ribuan ohm. Dalam FET, impedansi masukan dapat
disamakan dengan tegangan terbalik, dioda, yang nilainya puluhan mega ohm lebih.
Selanjutnya FET dapat menjadi junction-gate (dengan masukan gerbang menjadi dioda)
atau insulated-gate (dengan masukan gerbang sebagai lapisan oksida logam). Singkatan yang

umum ialah J-FET untuk jenis junction-gate (gerbang pertemuan) dan IG-FET untuk jenis
insulated-gate (gerbang terisolasi). Secara umum FET jenis insulated gate dinyatakan sebagai
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) [27].
Penggunaan MOSFET dalam aplikasi elektronika daya disebabkan oleh keterbatasan
transistor persambungan daya (BJT)[29]. Transistor daya bipolar adalah suatu komponen terkendali
arus. Suatu arus pengemudi basis yang besar sekitar 1/5 dari arus kolektor diperlukan untuk
menjaga komponen dalam kondisi on. Selain itu juga diperlukan arus pengemudi basis balik yang
lebih tinggi untuk memperoleh peralihan off yang cepat (fast turn-off). Walaupun BJT lebih murah,
namun keterbatasan tersebut membuat perancangan rangkaian pengemudi basis lebih komplek
dan menjadikannya lebih mahal dibandingkan MOSFET daya.
Keterbatasan lain dari suatu BJT adalah baik elektron dan hole berperan dalam
penghantaran. Adanya hole dengan carrier life time yang lebih lama menyebabkan kecepatan
pensaklaran menjadi beberapa tingkat lebih lambat bila dibandingkan dengan sebuah MOSFET
dalam ukuran dan jangkah tegangan yang sama.

metal

metal

n+

RD

Substrat
tipe-p

G
VGS

VDD

n+

RD

VDS

VGS

VDD

oksida

Struktur Dasar

Simbol

Gambar 2.8 MOSFET Peningkatan Kanal-n

MOSFET terdiri dari dua tipe, yaitu MOSFET tipe pengosongan (depletion
MOSFET) dan MOSFET tipe peningkatan (enhancement MOSFET). Seperti diperlihatkan
pada gambar 2.8, suatu MOSFET peningkatan kanal-n tidak mempunyai kanal. Jika VGS
positif, suatu tegangan terinduksi

akan menggerakkan elektron dari substrat-p dan

mengumpulkannya pada permukaan lapisan oksida. Jika VGS lebih besar tegangan treshold,
VT, sejumlah elektron yang mengumpul membentuk kanal-n semu dan kemudian arus
mengalir dari drain ke source.

ID

ID

Cgd

Cds

Cgd

G
Rbe

Cgs

Cds
Cgs

(a)

(b)

Gambar 2.9 Model Parasitik MOSFET Peningkatan (a)Transistor Parasitik, (b)Dioda

Internal
Tanpa suatu sinyal pada gate, sebuah MOSFET peningkatan kanal-n dapat
dipandang sebagai dua dioda yang saling membelakangi atau sebagai transistor npn.
Struktur gate mempunyai kapasitor parisitik ke source Cgs dan kapasitor parasitik ke drain,
Cgd. Transistor npn mempunyai suatu sambungan yang terbias balik dari drain ke source
dan offers sebuah kapasitor, Cds. Gambar 2.9 memperlihatkan rangkaian ekivalen transistor
bipolar parasitik dalam sebuah MOSFET. Wilayah basis ke emitter transistor
dihubungsingkat pada dasarnya dengan pelogaman terminal source dan resistansi dari basis
ke emiter terhadap resistansi bulk Rbe dari wilayah n dan p adalah kecil, sehingga MOSFET
dapat dianggap mempunyai dioda internal.

VG
V1

0
V1
VGsp

VGs

VT
0

t
td(on)

tr

td(on)

tf

Gambar 2.10 Karakteristik Pensaklaran MOSFET

Bentuk gelombang pensaklaran pada MOSFET diperlihatkan pada gambar 2.10.

Waktu tunda peralihan on td(on), adalah waktu yang diperlukan untuk memuati kapasitansi
input sampai pada tingkat thershold. Waktu naik tr, adalah waktu pengisian gate dari nilai
threshold ke tegangan gate penuh VGSP, yang diperlukan transistor dalam kawasan linier.
Waktu tunda peralihan off td(off), adalah waktu yang diperlukan oleh kapasitansi input untuk
untuk membuang tegangan gate ke kawasan pinc-off. VGS harus cukup berkurang sebellum
VDS mulai naik. Waktu jatuh tf, adalah waktu yang diperlukan agar kapasitansi input
terbuang dari kawasan pinch-off ke tegangan threshold. Jika VGS.. ..VT , transistor akan
beralih off.
2.4.2

Rangkaian Pelindung MOSFET [15]

Pada operasinya , transistor membutuhkan waktu untuk beralih ke on atau
off. Saat beralih ke on, arus kolektor naik dengan persamaan berikut:
di I L I GS
=
=
dt t r
tr

(2.21)

Saat beralih ke off tegangan antara drain dan source naik seiring dengan jatuhnya arus
drain, dengan persamaan
dv Vs V DD
=
=
dt t f
tf

(2.22)

VB
V1

LS

IL

IL

t
i

Dm
if

VS
Q1
_

+
VB
_

if

CS
RS

t
tf

IL
tr

DS

(a)

(b)

Gambar 2.11 (a) Rangkaian Snubber MOSFET (b) Bentuk Gelombang

Kondisi pada persamaan 2.21 dan 2.22 ini ditetapkan oleh karakteristik pensaklaran
transistor dan harus terpenuhi selama peralihan on dan off. Untuk menjaga operasi di/dt dan dv/dt
berada di dalam batas kemampuan transistor, diperlukan suatu rangkaian pelindung. Rangkaian
pelindung diperlihatkan seperti pada gambar 2.11(a), dengan bentuk gelombang operasi kerja
diperlihatkan pada gambar 2.11(b). Jaringan RC yang melintas transistor dikenal sebagai
rangkaian snubber yang berfungsi membatasi dv/dt. Induktor Ls yang dipasang secara seri dikenal
sebagai snubber seri yang berfungsi untuk membatasi di/dt.

Dengan anggapan pada kondisi tunak arus beban IL mengalir melintasi Dm, dengan
waktu recovery yang dapat diabaikan. Saat Q1 beralih on, arus drain naik dan arus dioda Dm
jatuh. Perubahan di/dt dinyatakan dengan persamaan berikut:
di VS
=
dt LS

(2.23)

Persamaan 2.21 hingga 2.23 memberikan nilai induktor seri dengan persamaan berikut:

V t
LS = S r
I1

(2.24)

Selama kondisi off, kapasitor CS termuati oleh arus beban dengan peralihan tegangan
kapasitor yang dinyatakan sebagi berikut:
I
dV
= L
dt C S

(2.25)

Persamaan (2.22) sampai (2.25) memberikan nilai kapasitor snubber yang diperlukan
sebesar:
CS =

IL t f
VS

(2.26)

Dalam pemilihan RS digunakan pertimbangan waktu pengosongan RS CS (S). Besar

S dipilih sesuai kebutuhan dengan memperhatikan periode pensaklaran. Untuk S = 1/n

dari periode pensaklaran TS, maka Resistor RS yang diperlukan
RS C S =
RS =

1
S
n
1

n f S CS

(2.27)