TUGAS MATA KULIAH PIRANTI GELOMBANG MIKRO

GLORIA NATALIA SAMOSIR

15223841
ANGKATAN 34

TEKNIK TELEKOMUNIKASI
INSTITUT SAINS DAN TEKNOLOGI NASIONAL

Dioda tunnel adalah diode yang dibuat dengan konsentrasi ketidakmurnian yang tinggi
sehingga muncul efek tunnel. Diode ini pertama kali diperkenalkan oleh Leo Esaki pada tahun
1958. Diode tunnel atau juga dikenal dengan nama diode Esaki mampu mengubah kondisinya
Antara level arus puncak dan arus minimum secara cepat. Switching diantara low dan high lebih
cepat dari pada diode Schottky.
Diode tunnel dibuat dengan doping material semikonduktor yang akan membentuk p-njunction pada tingkat seratus sampai seribu kali dari sebuah sioda semikonduktor biasa. Hal ini
akan mengakibatkan dalam penurunan secara besar pada depletion region, dari urutan jarak 10 -6
cm atau sekitar 1/100 lebar dari daerah untuk semikonduktor diode biasa.

Gambar 1.1 Tunnel diode

1. Karakteristik Tunnel Dioda

Diode tunnel memanfaatkan suatu fenomena kuantum yang aneh yang disebut dengan
resonant tunneling yang menghasilkan resistensi negatif pada saat diode dalam kondisi bias maju
(forward bias ). Ketika suatu tegangan yang nilainya kecil dihubungkan pada diode tunnel, maka
diode tersebut mulai menghantarkan arus. Begitu tegangannya dinaikkan, arus yang dialirkan
diode juga ikut naik hingga mencapai suatu nilai puncak (Ip). Tetapi apabila tegangannya masih
terus dinaikkan sedikit lagi, arusnya malah berkurang hingga mencapai titik terendahnya. Lalu

apabila tegangan dinaikkan lagi, maka arus yang dialirkan diode tersebut akan ikut naik, namun
kali ini tidak akan pernah turun lagi.

Gambar 1.2 (a) symbol diode tunnel (b) kurva hubungan tegangan dan arus pada diode tunnel

Diode tunnel harus diberi tegangan maju sehingga diode tersebut mengalami bias maju
hingga mencapai nilai puncaknya dan nilai minimumnya. Kurva pada gambar 1.2b daerah
dimana pada saat tegangan diode tunnel dinaikkan tetapi arusnya malah berkurang disebut
daerah resistansi negatif (negative resstance).
Diode tunnel diberi doping semikonduktor tipe P dan N dalam jumlah yang sangat
banyak sehingga 1000 kali lebih banyak dripada diode PN biasa. Berikut grafik pada gambar 1.3

Gambar 1.3 Tegangan balik breakdown Vs level doping semikonduktor

diode standar berada disebelah paling kiri, sedangkan diode zener berada di sebelah kanannya,
sedangkna level doping dari diode tunnel ditunjukkan pada garis putus-putus. Pemberian doping
yang sangat banyak ini menghasilkan suatu daerah pemisah yang sangat tipis sehinga diode
tunnel memiliki tegangan balik breakdown yang rendah dan tingkat kebocoran arus yang besar.

2. Aplikasi Tunnel Diode

Mungkin aplikasi dari diode tunnel yang paling umum adalah pada rangkaian osilator
frekuensi tinggi. Karena rangkaian ini menggunakan diode tunnel, maka rangkaian ini bisa
disebut juga dengan osilator resistansi negatif. Nilai R, L dan sumber tegangan E dipilih
sedemikian rupa sehingga titik kerja dari diode tersebut seperti pada gambar. Titik kerja dari
diode yang digunakan dalam rangkaian tersebut hanya memanfaatkan daerah resistansi
negatifnya. Ketika sumber tegangan dinyalakan tegangan pada terminal power supplynya
bergerak dari angka 0V menuju E volt. Maka arus IT akan naik dari 0 Ampere hingga mencapai
Ip, arus ini akan disimpan oleh induktor dalam medan magnetnya. Tetapi ketika arus IT
mencapai Ip, diode tunnel akan menurunkan arusnya karena tegangan VT akan naik. Tetapi
kondisi ini berlawanan dengan persamaan berikut

Gambar 2.1 (a) rangkaian osilator resistansi negative (b) titik kerja dari diode tunnel pada
gambar a (c) tegangan diode tunnel dari rangkaian gambar a
kedua elemen pada persamaan diatas berkurang, maka persamaan tersebut tidak akan
berlaku lagi. Oleh kaena itu arus IT terus naik, titik kerja dari diode bergeser dari titik 1 ke titik
2. Namun pada titik 2, tegangan VT lompat ke nilai yang lebih besar dari tegangan sumber E.
agar hokum Kirchoff tegangan terpenuhi, polaritas dari tegangan transien inductor harus berbalik
dan arus yang mengalir dalam rangkaian mulai berkurang seperti pada panah titik 2 ke titik 3.
Ketika tegangan VT menjadi VV, karakteristik dari diode menunjukkan bahwa arus seharusnya
mulai naik lagi, tetapi kondisi tersebut tidak bisa terpenuhi karena tegangan VT lebih besar dari
tegangan sumber dan pada saat ini, koil masih mengalami discharging sehingga titik kerja dari
rangkaian harus bergeser lagi yaitu dari titik 3 ke titik 4, arusnya semakin mengecil. Tetapi pada
saat titik kerja dari diode berada di titik 4, tegangan pada diode tersebut memungkinkan diode
untuk menaikkan arusnya lagi dari 0 mA ke Ip seperti pada kurva karakteristik. Lalu prosesnya
dimulai lagi dari awal, dan begitu seterusnya. Titik kerja diode tidak pernah mencapai kondisis
stabilnya. Bentuk tegangan pada diode tunnel ditunjukkan pada gambar 2c. tegangan dioda

tunnel membentuk suatu sinyal yang periodik dan berulang-ulang selama rangkaian tersebut
masih disuplai oleh tegangan DC. Osilator adalah rangkaian yang dapat menghasilkan tegangan
osilasi dari input tegangan DC. Rangkaian ini menggunakan sifat resistansi negative dari diode
tunnek untuk menghasilkan tegangan osilasi, itulah sebabnya rangkaian ini disebut osilator
resistansi negatif. Bentuk gelombang seperti ditunjukkan pada gambar 2c banyak untuk fungsi
pewaktuan (timing) dan rangkaian logika pada komputer.
Sebuah diode tunnel juga bias digunakan untuk menghasilkan tegangan sinus dengan
menggunakan sebuah power supply DC dan beberapa komponen pasif seperti kapasitor, resistor,
dan inductor. Pada gambar 3a, apabila saklar ditutup, dihasilkan tegangan sinus, tetapi tegangan
sinus ini akan teredam seirirng berjalannya waktu seperti pada gambar 3b. periode dari
gelombang sinus ditentukan dari nilai komponen L dan C. sedangkan kecepatan peredamannya
ditentukan oleh nilai R. gelombang sinus yang dihasilkan dari rangkaian tersebut mengalami
redaman karena terdapat komponen R pada rangkian. Jikadapat menghilangkan R maka
gelombang sinus yang dihasilkan dari komponen LC akan teredam.cara menhilangkan R tersebut
adalah dengan menggunakan diode tunnel.

Gambar 2. (a) Osilator rangkaian LC (b) Osilasi rangkaian LC yang mengalami redaman
(c) resistansi parasite R dihilangkan oleh diode tunnel sehingga osilasi bias berlangsugn tanpa
mengalami peredaman.