BAB 8 b5 Konduktor, Isolator, Semikonduktor
BAB 8 b5 Konduktor, Isolator, Semikonduktor
+ + + + +
E [eV]
4
2
1 2 3 Å
−2 jarak antar atom
−4
stabil
r0
Gb.8.2. Energi pada H2 sebagai fungsi jarak atom.[5].
E [eV]
r0 = 3,67 Å
bahwa mulai pada jarak atom tertentu, −20
pita 3s bertumpang-tindih dengan pita
3p; pita 3p bertumpang-tindih dengan
pita 3d mulai pada jarak atom tertentu −30
pula. Kita perhatikan pula bahwa 2p
tumpang-tindih pita energi sudah
terjadi pada jarak r0, yaitu jarak 0 5 10 15
keseimbangan antar atom. jarak atom [Å]
8.3. Konduktor
Kita ambil contoh padatan Na. Konfigurasi atom Na adalah 1s2 2s2 2p6 3s1. Sesudah
membentuk padatan, diagram pita energi padatan Na dapat digambarkan seperti
terlihat pada Gb.8.6.
3p Pita kosong
EF Pita valensi
celah energi 3s1 setengah terisi.
2p6
2s2
1s2
Gb.8.6. Diagram pita energi padatan Na.
Pada atom Na orbital 3s yang seharusnya dapat memuat 2 elektron hanya terisi 1
elektron; inilah elektron valensi atom Na. Oleh karena itu pita energi 3s pada
padatan Na hanya setengah terisi, dan disebut pita valensi. Orbital berikutnya 3p
tidak terisi elektron (kosong). Diantara pita-pita energi terdapat celah energi yang
merupakan celah terlarang bagi elektron.
Sesungguhnya pembagian pita-pita energi padatan Na agak lebih rumit dari Gb.8.6.
Jika kita kembali ke Gb.8.5 akan kita lihat bahwa pada jarak antar atom r0, yang
merupakan jarak keseimbangan antar atom, pita 3s telah bertumpang tindih dengan
pita 3p. Akibatnya adalah bahwa elektron di pita konduksi 3s mempunyai peluang
lebih banyak bertemu dengan orbital yang belum terisi. Keadaan bertumpang
tindihnya pita energi semacam ini biasa terjadi pada metal. Kita ambil contoh
padatan magnesium. Konfigurasi elektron atom Mg adalah 1s2 2s2 2p6 3s2; orbital 3s
terisi penuh. Pita valensi 3s pada padatan juga akan terisi penuh. Namun pada jarak
3p
3s2
celah energi
2p6
Gb.8.7. Diagram pita energi padatan Mg.
Sebagian elektron di 3s akan menempati bagian bawah 3p sampai keseimbangan
tercapai. Jumlah tingkat energi elektron di 3s semula adalah 2N dan dengan
bertumpang tindihnya 3s dan 3p tersedia sekarang 2N + 6N = 8N tingkat energi; dan
padatan Mg adalah konduktor yang baik. Jadi elemen yang memiliki orbital terisi
penuh, dapat menjadi padatan yang bersifat sebagai konduktor jika terjadinya
tumpang tindih antara pita energi yang terisi penuh dengan pita energi yang kosong.
Pita energi yang tumpang-tindih dapat dipandang sebagai pelebaran pita. Elektron
yang berada pada pita yang tumpang-tindih mempunyai kesempatan lebih luas untuk
berpindah tingkat energi karena adanya tambahan tingkat energi dari orbital yang
lebih tinggi. Dalam kasus atom Na, elektron di orbital 3s dengan mudah “pindah” ke
3p dan 3d; elektron ini berada dalam “pita energi gabungan” yang jauh lebih lebar
dari pita s dimana semula ia berada.
Pada 0 oK elektron terdistribusi dalam pita valensi sampai tingkat tertinggi yang
disebut tingkat Fermi, EF (akan kita bahas di bab berikutnya). Pada temperatur
kamar elektron di sekitar tingkat energi Fermi mendapat tambahan energi dan
mampu naik ke orbital di atasnya yang masih kosong. Elektron yang naik ini relatif
bebas sehingga medan listrik dari luar akan menyebabkan elektron bergerak dan
terjadilah arus listrik. Oleh karena itu material dengan struktur pita energi seperti ini,
di mana pita energi yang tertinggi tidak terisi penuh, merupakan konduktor yang
baik (juga disebut metal). Pita valensi 3s pada padatan Na yang setengah terisi
disebut juga pita konduksi.
Terbentuknya pita energi dapat pula kita lihat sebagai terjadinya perluasan kotak
potensial sebagai akibat kotak-kotak yang tumpang-tindih. Ruang di sekitar suatu
ion dapat kita pandang sebagai kotak potensial. Dalam kotak inilah elektron
terjebak. Jika ion-ion tersusun secara rapat, maka kotak-kotak potensial ini saling
tumpang-tindih sehingga membentuk kotak potensial yang lebih besar. Dengan
membesarnya kotak potensial maka tingkat-tingkat energi menjadi rapat
sebagaimana telah kita lihat di Bab-3. Rapatnya tingkat energi memudahkan
elektron berpindah ke tingkat energi yang lebih tinggi dengan hanya sedikit
tambahan energi, misalnya dari medan listrik. Oleh karena itu metal memiliki
konduktivitas listrik yang tinggi.
Sebuah catatan perlu diberikan mengenai metal dari sisi kimia. Metal
merupakan unsur kimia yang membentuk ion positif jika senyawanya
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu
1s2 1s2 1s2 1s2 1s2 1s2 1s2 1s2 1s2 1s2 1s2
2s2 2s2 2s2 2s2 2s2 2s2 2s2 2s2 2s2 2s2 2s2
2p6 2p6 2p6 2p6 2p6 2p6 2p6 2p6 2p6 2p6 2p6
3s2 3s2 3s2 3s2 3s2 3s2 3s2 3s2 3s2 3s2 3s2
3p6 3p6 3p6 3p6 3p6 3p6 3p6 3p6 3p6 3p6 3p6
3d1 3d2 3d3 3d5 3d5 3d6 3d7 3d8 3d10
4s1 4s2 4s2 4s2 4s2 4s1 4s2 4s2 4s2 4s2 4s1
57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67
La Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho
[Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe]
4f 1 4f 3 4f 4 4f 5 4f 6 4f 7 4f 7 4f 9 4f 10 4f 11
5d 5d1
1
5d1
6s2 6s2 6s2 6s2 6s2 6s2 6s2 6s2 6s2 6s2 6s2
68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79
Er Tm Yb Lu Hf Ta W Re Os Ir Pt Au
[Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe] [Xe]
4f 12 4f 13 4f 14 4f 14 4f 14 4f 14 4f14 4f 14 4f 14 4f 14 4f 14 4f 14
5d1 5d2 5d3 5d4 5d5 5d6 5d7 5d9 5d10
6s2 6s2 6s2 6s 2
6s 2
6s 2
6s 2
6s 2
6s 2
6s2 6s1 6s1
8.4. Isolator
Kita lihat sekarang situasi di mana pita valensi terisi penuh dan tidak tumpang-tindih
dengan pita di atasnya. Diagram pita energi digambarkan pada Gb.8.8. Karena pita
valensi terisi penuh maka elektron dalam pita ini tidak dapat berganti status. Satu-
satunya cara untuk berganti status adalh dengan melompati celah energi dan masuk
ke pita konduksi. Namun jika celah energi cukup lebar, beberapa eV, perpindahan
ini hampir tidak mungkin kecuali ditambahkan energi yang cukup besar misalnya
dengan pemanasan. Material yang memiliki diagram pita energi seperti ini tidak
mudah menghantarkan arus listrik; mereka termasuk dalam kelompok material
isolator seperti misalnya intan, quartz, dan kebanyakan padatan dengan ikatan
kovalen dan ikatan ion.
pita konduksi perlu
kosong tambahan
energi besar
celah energi celah energi
untuk
pita valensi memindahkan
terisi penuh elektron
Gb.8.8. Diagram pita energi material isolator.
Intan merupakan kristal karbon C yang memiliki konfigurasi elektron 1s2 2s2
2p2; tingkat energi kedua sebenarnya mampu memuat sampai 8 elektron, yaitu 2
di 2s dan 6 di 2p, namun elektron yang ada di tingkat kedua ini hanya 4. Jika
jarak atom makin dekat, 2s dan 2p mulai tumpang tindih. Pada jarak atom yang
lebih kecil lagi pita energi ini pecah lagi menjdi dua pita yang masing-masing
dapat menampung 4 elektron. Oleh karena itu 4 elektron yang ada akan
menempati empat tingkat energi terendah dan menyisakan empat tingkat energi
8.5. Semikonduktor
Diagram pita energi utnuk germanium dan silikon mirip dengan intan dengan
perbedaan celah energi hanya sekitar 1 eV. Konfigurasi atom Ge [Ar] 3d104s24p2 dan
Si [Ne] 3s2 3p2; kedua macam atom ini memiliki 4 elektron di tingkat energi
terluarnya. Tumpang-tindih pita energi di tingkat energi terluar akan membuat pita
energi terisi penuh 8 elektron.
Karena celah energi sempit maka jika temperatur naik, sebagian elektron di pita
valensi naik ke pita konduksi mudah dan dengan meninggalkan tempat kosong
(hole) di pita valensi. Baik elektron yang telah berada di pita konduksi maupun hole
di pita valensi akan bertindak sebagai pembawa muatan untuk terjadinya arus listrik.
Konduktivitas listrik naik dengan cepat dengan naiknya temperatur.
θ
d
Celah energi
Celah energi
− k2 − k1 +k1 +k2 k
Gb.8.11. Modifikasi kurva Ek dengan adanya celah energi.
Peningkatan energi kinetik di sekitar celah energi makin lambat dengan
meningkatnya k dan menjadi nol pada nilai k kritis. Hal ini terkait dengan pantulan
yang makin menguat pada waktu k mendekati nilai kritis.
Elektron-bebas yang ditinjau di sini adalah elektron valensi yaitu elektron terluar
dari setiap atom; sedangkan tingkat atom individual ini telah berkembang menjadi
pita energi. Sementara elektron inti tetap terikat pada inti atom, elektron valensi
bergerak sepanjang kristal padatan dan sepanjang perjalanannya akan menemui
sumur-sumur potensial seperti pada Gb.8.1. Gejala pantulan yang terjadi pada
elektron tentulah disebabkan oleh adanya sumur-sumur potensial periodik tersebut.
Di sekitar ion-ion terdapat sumur potensial yang dalam; hal ini terkait dengan
adanya gaya Coulomb oleh ion tersebut. Ukuran sumur potensial, yaitu amplitudo
rata-rata dari dinding potensial yang periodik, haruslah terkait dengan lebar celah
energi. Jika sumur potensial makin dalam, celah energi makin lebar. Ion-ion
multivalen dalam kristal memiliki gaya tarik elektrosatatik lebih besar dibanding
dengan ion valensi tunggal. Jadi secara umum makin tinggi valensi ion dalam
padatan akan semakin lebar celah energinya.
Brillouin Zones. Zona Brillouin adalah representasi tiga dimensi dari nilai k yang
diperkenankan. Sebagaimana telah dibahas, nilai kritis bilangan gelombang k
tergantung dari sudut antara datangnya elektron dengan bidang kristal, θ. Oleh
karena itu dalam kristal tiga dimensi kkritis tergantung dari arah gerakan elektron
relatif terhadap kisi kristal, dan kemungkinan adanya susunan bidang kristal yang
nπ
k kritis = dengan n = ±1, ±2, ±3...... (8.15)
a
Daerah antara –k1 dan +k1 disebut zona Brillouin pertama; antara +k1 dan +k2 serta
antara −k1 dan −k2 disebut zona Brillouin kedua, dan seterusnya. Gb.8.12
memperlihatkan situasi satu dimensi yang menggambarkan dua zona yang pertama.
Ek
Celah energi
Celah energi
− k2 − k1 +k1 +k2 k
zona pertama
zona kedua
Pada kasus dua dimensi kita melihat gambaran nilai-nilai batas k pada sumbu
koordinat x-y pada Gb.8.13. Karena baik bidang vertikal maupun horizontal dapat
memantulkan elektron, maka kita memiliki relasi
k x n1 + k y n2 =
a
(
π 2
n1 + n22 ) (8.16)
ky
Zona pertama + 2π/a
+ π/a
Zona kedua
kx
− π/a
− 2π/a
−π/a +π/a
−2π/a +2π/a
Pada kasus tiga dimensi, kita melihat satu contoh Zona Brillouin untuk kisi kristal
kubus sederhana. Untuk kasus ini relasi (8.16) berubah menjadi
k x n1 + k y n2 + k z n3 =
a
(
π 2
n1 + n22 + n32 ) (8.17)
+̟/a
−̟/a
−̟/a
+̟/a
+̟/
−̟/a ky
kx