BAB 1

PENDAHULUAN

1.1 Pengertian SEM

Scanning Electron Microscopy (SEM) digunakan untuk mengamati detil permukaan
sel atau struktur mikroskopik lainnya, dan dan mampu menampilkan pengamatan obyek
secara tiga dimensi. Scanning Electron Microscopy (SEM) adalah elektron yang
menggambarkan sampel dengan memindai seberkas elektron dalam pola scan raster.
Elektron berinteraksi dengan atom yang menyusun sampel yang menghasilkan sinyal yang
berisi informasi tentang topografi permukaan sampel, komposisi dan sifat – sifat lainnya
seperti konduktivitas listrik.
Fungsi mikroskop elektron scanning atau SEM adalah dengan memindai terfokus
balok halus elektron ke sampel.Elektron berinteraksi dengan sampel komposisi molekul.
Energi dari elektron menuju ke sampel secara langsung dalam proporsi jenis interaksi
elektron yang dihasilkan dari sampel. Serangkaian energi elektron terukur dapat dihasilkan
yang dianalisis oleh sebuah mikroprosesor yang canggih yang menciptakan gambar tiga
dimensi atau spektrum elemen yang unik yang ada dalam sampel dianalisis.Ini adalah
rangkaian elektron yang dibelokkan oleh tumbukan dengan elektron sampel.Sebelum
menjelajahi jenis elektron dihasilkan oleh SEM khas, pemahaman dasar dari teori elemen
yang dikelilingi diklasifikasikan tabel periodik perlu disebutkan.
Tergantung pada jenis informasi analis yang tertarik pada jenis elektron satu studi.
Setiap elektron yang dihasilkan dari berkas elektron primer yang dihasilkan oleh SEM
ketika melanggar sampel yang diberikan menghasilkan elektron energi tertentu yang dapat
diukur.Jenis-jenis elektron yang dihasilkan untuk setiap contoh yang diberikan perlu
terlebih dahulu dieksplorasi.Elektron yang dihasilkan dari komposisi molekul sampel
diklasifikasikan sebagai baik dan elektron inelastis elastis.
Elektron inelastik adalah elektron energi rendah dibelokkan dari sampel.Kebanyakan
diserap oleh spesimen, tetapi mereka yang melarikan diri dekat permukaan.Elektron ini
disebut elektron sekunder, yaitu energi elektron muncul kurang dari 50eV, 90% dari
elektron sekunder memiliki energi kurang dari 10 eV, sebagian besar dari 2 sampai 5
eV.Elektron sekunder memberikan informasi topografi permukaan dan putih, tiga dimensi
gambar hitam sampel.Ini adalah gambar paling umum kebanyakan orang mengasosiasikan
dengan SEM.Elektron elastis adalah setiap elektron yang berinteraksi dengan berkas
 elektron utama untuk menghasilkan energi spesifik dari tabrakan dan menahan sebagian
besar energinya.Elektron ini dikategorikan sebagai:

 Elektron Backscattered-menghasilkan komposisi dan crystallographical informasi

permukaan, topologi.
 Diserap saat ini yang memungkinkan studi struktur internal semi-konduktor atau
(EBIC).
 Cathodluminescence-menunjukkan dan energi tingkat distribusi di fosfor.
 elektron Auger-berisi informasi dan kimia unsur dari lapisan permukaan.
 Karakteristik X-ray radiasi-hasil Mikroanalisis dan distribusi unsur-unsur sampel
yang diberikan.

Sebuah SEM khas memiliki kemampuan untuk menganalisa suatu sampel tertentu
menggunakan salah satu metode yang disebutkan di atas. Sayangnya, setiap jenis analisis
dianggap merupakan tambahan perangkat aksesori untuk SEM.Yang paling umum
aksesori dilengkapi dengan SEM adalah dispersif energi x-ray detektor atau EDX (kadang-
kadang disebut sebagai EDS).Jenis detektor memungkinkan pengguna untuk menganalisis
sampel komposisi molekul.

Dengan biaya-biaya dari Scanning Electron Microscopes (SEM) yang turun dalam
beberapa tahun terakhir, SEM berubah melebihi pusat bursa yang berkisar pada pusat-
pusat penelitian, universitas, pusat-pusat analisis, dan sebagainya menjadi suatu alat yang
aplikasinya lebih luas yang mencakup sekolah-sekolah tinggi dan divisi pengendalian
mutu dari banyak industri. Demikian juga dengan munculnya kebutuhan untuk memahami
komposisi dan distribusi dari unsur-unsur disamping untuk mengamati bentuk material,
sekarang telah lazim untuk bisnis dan organisasi-organisasi memperkenalkan alat analisa
‘Energy Dispersive X-Ray’ (EDX) pada waktu yang bersamaan dengan pembelian SEM.

1.2 Prinsip Kerja

SEM membentuk suatu gambar dengan menembakkan suatu sinar electron berenergi
tinggi, biasanya dengan energi dari 1 hingga 20 keV, melewati sampel dan kemudian
mendeteksi ‘secondary electron’ dan ‘backscattered electron’ yang dikeluarkan.
‘Secondary electron’ berasal pada 5-15 nm dari permukaan sampel dan memberikan
informasi topografi dan untuk tingkat yang kurang, pada variasi unsur dalam sampel.
‘Backscattered electron’ terlepas dari daerah sampel yang lebih dalam dan memberikan
 informasi terutama pada jumlah atom rata-rata dari sampel.

Peristiwa tumbukan berkas sinar electron, yaitu ketika memberikan energi pada
sampel, dapat menyebabkan emisi dari sinar-x yang merupakan karakteristik dari atom-
atom sampel. Energi dari sinar-x digolongkan dalam suatu tebaran energi spectrometer
dan dapat digunakan untuk identifikasi unsur-unsur dalam sampel.

Berkas elektron primer berinteraksi dengan sampel di sejumlah cara kunci:

 elektron primer menghasilkan elektron energi yang rendah sekunder, yang cenderung
menekankan sifat topografi spesimen
 elektron primer dapat backscattered yang menghasilkan gambar dengan tingkat tinggi
nomor atom kontras (Z)
 atom terionisasi dapat bersantai transisi elektron shell-ke-shell, yang mengakibatkan
baik emisi X-ray atau elektron Auger ejeksi. Sinar-X dipancarkan merupakan
karakteristik dari unsur-unsur dalam beberapa pM atas sampel( Martinez, 2010 ).

1.3 Prinsip Operasi

Insiden elektron sinar membangkitkan elektron dalam keadaan energi yang lebih
rendah, mendorong ejeksi mereka dan mengakibatkan pembentukan lubang elektron
dalam struktur elektronik atom.Elektron dari kulit, energi luar yang lebih tinggi kemudian
mengisi lubang, dan kelebihan energi elektron tersebut dilepaskan dalam bentuk foton
sinar-X. Pelepasan ini sinar-X menciptakan garis spektrum yang sangat spesifik untuk
setiap elemen. Dengan cara ini data X-ray emisi dapat dianalisis untuk karakterisasi
sampel di pertanyaan. Sebagai contoh, kehadiran tembaga ditunjukkan oleh dua K puncak
disebut demikian (K dan K α β) pada sekitar 8,0 dan 8,9 keV dan puncak α L pada 0,85 eV.
Dalam unsur-unsur berat seperti tungsten, sebuah ot transisi yang berbeda yang mungkin
dan banyak puncak karena itu hadir( Irawan, 2010 ).
Pada SEM sampel tidak ditembus oleh elektron sehingga hanya pendaran hasil dari
tumbukan elektron dengan sampel yang ditangkap oleh detektor dan diolah( Oktoviawan,
2009 ). Skema perbandingan antara TEM dan SEM disajikan oleh gambar 1 dibawah ini.
Cara terbentuknya gambar pada SEM berbeda dengan apa yang terjadi pada
mikroskop optic dan TEM. Pada SEM, gambar dibuat berdasarkan deteksi elektron baru
(elektron sekunder) atau elektron pantul yang muncul dari permukaan sampel ketika
 permukaan sampel tersebut discan dengan sinar elektron. Elektron sekunder atau elektron
pantul yang terdeteksi selanjutnya diperkuat sinyalnya, kemudian besar amplitudonya
ditampilkan dalam gradasi gelap-terang pada layar monitor CRT (cathode ray tube). Di
layar CRT inilah gambar struktur obyek yang sudah diperbesar bisa dilihat. Pada proses
operasinya, SEM tidak memerlukan sampel yang ditipiskan, sehingga bisa digunakan
untuk melihat obyek dari sudut pandang 3 dimensi.
Demikian, SEM mempunyai resolusi tinggi dan familiar untuk mengamati obyek
benda berukuran nano meter. Meskipun demikian, resolusi tinggi tersebut didapatkan
untuk scan dalam arah horizontal, sedangkan scan secara vertikal (tinggi rendahnya
struktur) resolusinya rendah. Ini merupakan kelemahan SEM yang belum diketahui
pemecahannya. Namun demikian, sejak sekitar tahun 1970-an, telah dikembangkan
mikroskop baru yang mempunyai resolusi tinggi baik secara horizontal maupun secara
vertikal, yang dikenal dengan “scanning probe microscopy (SPM)”. SPM mempunyai
prinsip kerja yang berbeda dari SEM maupun TEM dan merupakan generasi baru dari tipe
mikroskop scan. Mikroskop yang sekarang dikenal mempunyai tipe ini adalahscanning
tunneling microscope (STM), atomic force microscope (AFM) dan scanning near-field
optical microscope (SNOM). Mikroskop tipe ini banyak digunakan dalam riset teknologi
nano.
1.4 Aplikasi SEM

SEM secara rutin digunakan untuk menghasilkan gambar resolusi tinggi dari bentuk
benda (SEI) dan untuk menunjukkan variasi spasial dalam komposisi kimia:
1) memperoleh peta elemental atau tempat analisis kimia menggunakan EDS
2) diskriminasi fase berdasarkan nomor atom rata-rata ( umum yang berkaitan dengan
kepadatan relatif) menggunakan BSE , dan
3) peta komposisi berdasarkan perbedaan "activitors" elemen jejak (biasanya logam transisi
dan unsur LTJ) dengan menggunakan CL .
SEM juga banyak digunakan untuk mengidentifikasi fase berdasarkan analisis kimia
kualitatif dan / atau struktur kristal. Pengukuran tepat dari fitur yang sangat kecil dan benda-
benda ke 50 nm dalam ukuran juga dicapai dengan menggunakan SEM. Gambar elektron
Backescattered ( BSE ) dapat digunakan untuk diskriminasi yang cepat dari fase dalam
sampel multifase. SEM dilengkapi dengan difraksi elektron detektor backscattered ( EBSD )
dapat digunakan untuk memeriksa orientasi microfabric dan kristalografi dalam banyak
bahan.
Aplikasi dari teknik SEM – EDS dirangkum sebagai berikut:
1. Topografi: Menganalisa permukaan dan teksture (kekerasan, reflektivitas dsb)
2. Morfologi: Menganalisa bentuk dan ukuran dari benda sampel
3. Komposisi: Menganalisa komposisi dari permukaan benda secara kuantitatif dan
kualitatif.
Alat SEM yang digunakan adalah SEM JEOSEMdapatmemberikan informasi tentang
strukturmikro
permukaan sampel dan melihat morfologi serbuk
hidroksiapatit.